KR970071125A - 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법 - Google Patents

하프톤 위상 반전 마스크 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 위상 반전 마스크에 관한 것으로서 정확한 패턴형성에 적당한 하프톤 위상 반전 마스크(Halftone Phase Shift Mask) 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 하프톤 위상 반전 마스크는 기판과, 상기 기판의 일 영역에서 위치되고 복수개의 키이패턴들을 가지며 상기 키이패턴들 사이에서 빛을 차단하는 특성을 갖는 제1차광부와, 상기 기판의 다른영역에서 위치되고 복수개의 셀패턴들을 가지며 빛을 일부 투과시키는 특성을 갖는 제2차광부를 포함하여 구비되고 그 제조방법은 기판을 마련하는 제1스텝, 기판의 일 영역상에 제1차광층을 형성하는 제2스텝, 기판의 다른 영역과 제1차광층상에 제2차광층을 형성하는 제3스텝, 상기 기판의 일 영역상에 형성된 제2차광층을 패터닝하여 복수개의 셀패턴을 형성하는 제4스텝, 상기 기판의 다른 영역상에 형성된 제1차광층과 제2차광층을 패터닝하여 복수개의 키이패턴을 형성하는 제5스텝을 포함하여 이루어진다.

Description

하프톤 위상 반전 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명을 설명하기 위한 콘택홀 패턴마스크의 평면도, 제5도는 본 발명의 제1실시예에 따른 하프톤 위상 반전 마스크의 구조단면도.

Claims (29)

  1. 기판과; 상기 기판의 일 영역에서 위치되고 복수개의 키이패턴들을 가지며 상기 키이패턴들 사이에서 빛을 차단하는 특성을 갖는 제1차광부와; 상기 기판의 다른영역에서 위치되고 복수개의 셀패턴들을 가지며 빛을 일부 투과시키는 특성을 갖는 제2차광부를 포함하여 구비됨을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 키이패턴은 오버레이 모니터 키이 및 얼라인먼트 키이를 포함함을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 제1차광부는 빛을 완전차단 또는 일부차단함을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 제2차광부는 일부투과시키고 빛을 반전시키는 물질임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  5. 복수개의 셀패턴 및 키이패턴을 갖는 기판; 기판의 표면중 복수개의 셀패턴들을 갖는 셀패턴영역을 제외한 모든 영역에 형성되는 제1차광층; 상기 셀패턴영역중 셀패턴들 사이의 영역들과 제1차광층상에 형성되는 제2차광층을 포함하여 구비됨을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  6. 제5항에 있어서, 기판은 투광성물질임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  7. 제5항에 있어서, 기판은 석영(Quartz), 유리기판(Glass)중 어느 하나임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  8. 제5항에 있어서, 제1차광층의 물질은 크롬(Cr)임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  9. 제5항에 있어서, 제2차광층의 물질은 CrO, Cr2O5, CrON, SiN, WSi, MoSiO, MoSiON 중 어느 하나임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  10. 제5항에 있어서, 키이패턴은 오버레이 모니터 키이 및 얼라인먼트 키이임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  11. 제8항에 있어서, 제1차광층은 빛을 완전차단하고 제2차광층은 빛의 위상을 반전시키고 투과율이 5~10%정도가 되도록 그 두께를 조절함을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  12. 전 표면중 일 영역내에서 복수개의 리세트를 갖는 기판; 기판의 전 표면상에 형성되고 상기 복수개의 리세트들에 대응되는 위치에서 복수개의 키이패턴들을 갖고 기판의 표면중 다른 영역내에서 복수개의 셀패턴들을 갖고 형성되는 차광층을 포함하여 구비됨을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  13. 제12항에 있어서, 기판물질은 투광성물질임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  14. 제12항에 있어서, 키이패턴은 오버레이 모니터 키이 및 얼라인먼트 키이를 포함함을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  15. 제12항에 있어서, 차광층은 빛의 위상을 반전시키고 빛의 투과율이 5~10%정도가 되도록 그 두께를 조절함을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  16. 제15항에 있어서, 차광층의 물질은 CrO, Cr2O5, CrON, SiN, WSi, MoSiO, MoSiON 중 어느 하나임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  17. 기판을 마련하는 제1스텝; 기판의 일 영역상에 제1차광층을 형성하는 제2스텝; 기판의 다른 영역과 제1차광층상에 제2차광층을 형성하는 제3스텝; 상기 기판의 일 영역상에 형성된 제2차광층을 패터닝하여 복수개의 셀패턴을 형성하는 제4스텝; 상기 기판의 다른 영역상에 형성된 제1차광층과 제2차광층을 패터닝하여 복수개의 키이패턴을 형성하는 제5스텝을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 기판물질은 투광성물질임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  19. 제17항에 있어서, 제1차광층은 크롬을 사용함을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  20. 제17항에 있어서, 제2차광층의 물질은 CrO, Cr2O5, CrON, SiN, WSi, MoSiO, MoSiON 중 어느 하나임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  21. 제17항에 있어서, 제2스텝은 기판 전면에 제1차광층을 형성하는 스텝; 상기 기판상의 셀 패턴들이 형성될 영역의 제1차광층을 제거하는 스텝으로 이루어짐을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  22. 제18항에 있어서, 기판은 석영(Quartz), 유리기판(Glass)중 어느 하나임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  23. 제17항에 있어서, 제1차광층은 빛을 완전차단하고 제2차광층은 빛의 위상을 반전시키고 투과율이 5~10%정도가 되도록 그 두께를 조절함을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  24. 기판을 마련하는 스텝; 상기 기판상에 차광층을 형성하는 스텝; 상기 차광층을 패터닝하여 셀패턴을 형성하고 키이패턴이 형성될 부분의 기판을 노출시키는 스텝; 노출된 기판을 소정깊이로 식각하는 스텝을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  25. 제24항에 있어서, 기판은 투광성물질임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  26. 제24항에 있어서, 차광층의 물질은 CrO, Cr2O5, CrON, SiN, WSi, MoSiO, MoSiON 중 어느 하나임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  27. 제24항에 있어서, 기판은 석영(Quartz), 유리기판(Glass)중 어느 하나를 사용함을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
  28. 제24항에 있어서, 차광층은 빛의 위상을 반전시키고 빛의 투과율이 5~10%정도가 되도록 그 두께를 조절함을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크.
  29. 제24항에 있어서, 기판의 식각 깊이는 빛의 위상을 반전시킬 수 있는 범위까지임을 특징으로 하는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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