KR940004721A - 상이한 조성의 위상 시프팅층을 가진 위상 시프팅 리소그래픽 마스크 - Google Patents

상이한 조성의 위상 시프팅층을 가진 위상 시프팅 리소그래픽 마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR940004721A
KR940004721A KR1019930015598A KR930015598A KR940004721A KR 940004721 A KR940004721 A KR 940004721A KR 1019930015598 A KR1019930015598 A KR 1019930015598A KR 930015598 A KR930015598 A KR 930015598A KR 940004721 A KR940004721 A KR 940004721A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
substrate
thickness
transparent
phase shifting
Prior art date
Application number
KR1019930015598A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100281151B1 (ko
Inventor
삐에라뜨 크리스토프
Original Assignee
데이빗 아이. 캡런
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 데이빗 아이. 캡런, 아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니 filed Critical 데이빗 아이. 캡런
Publication of KR940004721A publication Critical patent/KR940004721A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100281151B1 publication Critical patent/KR100281151B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

파장 λ의 광조사와 관련하여 사용하기 위해 위상 시프팅 리소그래픽 마스크(500 또는 600)는 파장 λ에서 기판의 것과 동일한 굴절율을 가지는 하부(2m+1)π 라디안 위상 시스팅 층(11)과 패턴된 상부(2n+1)π 라디안 위상 시프팅 층(12)에 놓여진 투명 기판(10)을 가진다. 보다 미세하게 패턴된 불투명 크롬 층(13)이 패턴된 상부 위상 시프팅 층상에 놓여진다. 하부 위상 시프팅 층은 갈륨 이온으로서 마스크 수리를 위해 기판과 상부층의 어느 한층 또는 두층을 연속적인 건식 이온 빔 밀링 동안 에칭 저지 또는 끝점 에칭중 어느 하나를 제공하기 위하여 기판과 상부층과는 화학적으로 상이하다. 예를들어, 기판은 석영(실리콘 산화물), 하부 위상 시프팅층은 칼슘 불화물, 상부 위상 시프팅 층은 실리콘 이산화물 나머지 갈륨은 필요하다면 기판과 두 위상 시프팅 층의 상대 위상 시프트가 각 에칭에 의해서 방해 받지 않는 비율을 가진 규정 시간 간격동안 HF 및 HCI과 같은 연속 에칭에 의하여 함몰 영역(52,51)을 형성함으로써 기판과 하부층의 노출된 부분에서 제거될 수 있다.

Description

상이한 조성의 위상 시프팅층을 가진 위상 시프팅 리소그래픽 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제5도는 본 발명의 특정 실시예에 따라 수리되는 위상 시프팅 마스크 구조의 각종 단계의 입단면도.

Claims (5)

  1. 파장 λ의 광 조사를 이용하는 광학 리소그래픽 시스템에 사용하기 위해 주면을 가진 투명 기판(10)을 포함하는 위상 시프팅 리소그래픽 마스크 구조(예, 300, 400, 500, 600)에 있어서, 주면상에 그리고 주면과 접촉하여 기판의 것과 화학적으로 상이한 제1 재료의 제1 투명층(11), 제1 투명층상에 그리고 제1 투명층과 접촉하여 제1재료의 것과 화학적으로 상이한 제2 재료의 제2 투명층(12)을 포함하며, 제2 투명층은 층을 완전히 관통하는 개구로 패턴화되며, 파장 λ에서 기판의 굴절율은 파장 λ에서 제1 및 제2 투명 층의 것과 동일하며, 그결과 기판과 제1 투명층의 인터페이스에서와 제1 및 제2 투명층의 인터페이스에서 광조사의 광 반사들은 없는 것을 특징으로하는 위상 시프팅 리소그래픽 마스크 구조.
  2. 제1항에 있어서, 제2 및 제2 층을 완전히 관통하는 리세스 영역(32), 제2 층의 제2 두께를 관통하는 제2 항몰 영역(54)과 제1 층의 제1 두께를 관통하는 제1 함몰 영역(51) 또는, 제1 층의 제1 두께를 관동하는 제1 함몰영역(51) 제2 층의 제2 두께를 관통하는 제2 함몰 영역(54) 제2 및 제1 층을 완전히 관통하고 제1 두께와 동일한 기판의 두께를 관통하는 리세스-함몰 영역(52)을 더 포함하며, 기판 및 제2 층이 동일한 화학적 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 위상 시프팅 리소그래픽 마스크 구조.
  3. 제1 또는 제2항에 있어서, 각각의 제1 및 제2 층의 중첩 부분이 균일한 두께를 가지며, 광조사가 구조를 전파할 때 2pπ 라디안의 총 위상 시프트를 광조사에 부여하며, p는 양의 정수인 것을 특징으로 하는 위상 시프팅 리소그래픽 마스크 구조.
  4. 파장 λ의 광조사를 이용하여 광학 리소그래픽 시스템에서 사용하기 위해 주면을 가진 투명 기판(10)을 가진 위상 시프팅 리소그래픽 마스크 구조(300,500,600)의 제조방법에 있어서, 주면상에 놓여지고, 주면과 접촉하여 기판의 것과 화학적으로 상이한 제1 재료의 제1 투명층(11)을 형성하는 단계와, 제1 투명층상에 놓여지고 제1투명층과 접촉하여 제1 재료의 것과 화학적으로 상이한 제2 재료의 제2 투명층(12)을 형성하는 단계로 이루어지며, 상기 제2 투명층이 완전히 관통하는 개구를 가지는 것을 특징으로 하는 위상 시프팅 리소그래픽 마스크 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 제2 및 제1 층을 완전히 관통하는 리세스 영역(32) 또는, 제1 층의 제1 두께를 관통하는 제1 함몰 영역(51)과 제2 층의 제2 두께를 관통하는 제2 항몰 영역(54) 또는, 제1 층의 제1 두께를 관통하는 제l 함몰 영역 (51), 제2 층의 제2 두께를 관통하는 제2 함몰 영역(54) 및 제2 및 제1 층을 완전히 관통하고 제1 두께와 동일한 기판의 두께를 관통하는 리세스 함몰 영역(52)을 형성하는 단계를 더 포함하며, 기판 및 제2 층은 동일한 화학적 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 위상 시프팅 리소그래픽 마스크 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930015598A 1992-08-18 1993-08-12 상이한 조성의 위상 시프팅을 가진 위상시프팅 리소그래피 마스크 KR100281151B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US93162192A 1992-08-18 1992-08-18
US931,621 1992-08-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940004721A true KR940004721A (ko) 1994-03-15
KR100281151B1 KR100281151B1 (ko) 2001-03-02

Family

ID=25461092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930015598A KR100281151B1 (ko) 1992-08-18 1993-08-12 상이한 조성의 위상 시프팅을 가진 위상시프팅 리소그래피 마스크

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5405721A (ko)
EP (1) EP0583942B1 (ko)
JP (1) JPH07295200A (ko)
KR (1) KR100281151B1 (ko)
DE (1) DE69324636T2 (ko)
ES (1) ES2132192T3 (ko)
HK (1) HK1008699A1 (ko)
SG (1) SG47405A1 (ko)
TW (1) TW284911B (ko)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0127662B1 (ko) * 1994-03-11 1997-12-26 김주용 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법
US5543253A (en) * 1994-08-08 1996-08-06 Electronics & Telecommunications Research Inst. Photomask for t-gate formation and process for fabricating the same
US5589303A (en) * 1994-12-30 1996-12-31 Lucent Technologies Inc. Self-aligned opaque regions for attenuating phase-shifting masks
US5536606A (en) * 1995-05-30 1996-07-16 Micron Technology, Inc. Method for making self-aligned rim phase shifting masks for sub-micron lithography
US5582939A (en) * 1995-07-10 1996-12-10 Micron Technology, Inc. Method for fabricating and using defect-free phase shifting masks
US5914202A (en) * 1996-06-10 1999-06-22 Sharp Microeletronics Technology, Inc. Method for forming a multi-level reticle
KR0166854B1 (ko) * 1996-06-27 1999-01-15 문정환 위상반전 마스크의 결함 수정방법
US5851704A (en) * 1996-12-09 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for the fabrication of semiconductor photomask
US5908718A (en) * 1997-03-31 1999-06-01 Nec Corporation Phase shifting photomask with two different transparent regions
US5882823A (en) * 1997-05-21 1999-03-16 International Business Machines Corporation Fib repair method
US6027837A (en) * 1997-10-14 2000-02-22 International Business Machines Corporation Method for tuning an attenuating phase shift mask
US6096459A (en) * 1998-12-28 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Method for repairing alternating phase shifting masks
US6114073A (en) * 1998-12-28 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Method for repairing phase shifting masks
US8206568B2 (en) * 1999-06-22 2012-06-26 President And Fellows Of Harvard College Material deposition techniques for control of solid state aperture surface properties
US6346352B1 (en) 2000-02-25 2002-02-12 International Business Machines Corporation Quartz defect removal utilizing gallium staining and femtosecond ablation
US6716362B1 (en) 2000-10-24 2004-04-06 International Business Machines Corporation Method for thin film laser reflectance correlation for substrate etch endpoint
US6544696B2 (en) 2000-12-01 2003-04-08 Unaxis Usa Inc. Embedded attenuated phase shift mask and method of making embedded attenuated phase shift mask
US6387787B1 (en) * 2001-03-02 2002-05-14 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US20030064521A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Zhijian Lu Method for ending point detection during etching process
US6841310B2 (en) 2002-02-05 2005-01-11 Micron Technology, Inc. Radiation patterning tools, and methods of forming radiation patterning tools
US6939650B2 (en) * 2003-01-17 2005-09-06 Freescale Semiconductor, Inc. Method of patterning photoresist on a wafer using a transmission mask with a carbon layer
US7303841B2 (en) * 2004-03-26 2007-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Repair of photolithography masks by sub-wavelength artificial grating technology
JP4535243B2 (ja) * 2004-05-11 2010-09-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 位相シフトマスクの製造方法
TWI375114B (en) * 2004-10-22 2012-10-21 Shinetsu Chemical Co Photomask-blank, photomask and fabrication method thereof
US7588864B2 (en) * 2004-12-06 2009-09-15 Macronix International Co., Ltd. Mask, method of manufacturing mask, and lithographic process
AU2006336262B2 (en) * 2005-04-06 2011-10-13 President And Fellows Of Harvard College Molecular characterization with carbon nanotube control
JP6266842B2 (ja) * 2015-08-31 2018-01-24 Hoya株式会社 マスクブランク、マスクブランクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5147763A (en) * 1988-10-19 1992-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing molding stamper for data recording medium substrate
US5362591A (en) * 1989-10-09 1994-11-08 Hitachi Ltd. Et Al. Mask having a phase shifter and method of manufacturing same
JP2634289B2 (ja) * 1990-04-18 1997-07-23 三菱電機株式会社 位相シフトマスクの修正方法
JPH0468352A (ja) * 1990-07-10 1992-03-04 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法
US5144362A (en) * 1990-11-14 1992-09-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Projection aligner
JPH05165189A (ja) * 1991-12-12 1993-06-29 Hitachi Ltd 光学マスク及びその修正方法
JP3034096B2 (ja) * 1991-11-12 2000-04-17 大日本印刷株式会社 位相シフトフォトマスクの修正方法
JPH07134397A (ja) * 1993-11-09 1995-05-23 Fujitsu Ltd 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク用基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP0583942B1 (en) 1999-04-28
EP0583942A2 (en) 1994-02-23
ES2132192T3 (es) 1999-08-16
SG47405A1 (en) 1998-04-17
HK1008699A1 (en) 1999-05-14
JPH07295200A (ja) 1995-11-10
EP0583942A3 (en) 1996-07-24
US5405721A (en) 1995-04-11
DE69324636T2 (de) 1999-09-23
DE69324636D1 (de) 1999-06-02
KR100281151B1 (ko) 2001-03-02
TW284911B (ko) 1996-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940004721A (ko) 상이한 조성의 위상 시프팅층을 가진 위상 시프팅 리소그래픽 마스크
KR940002733B1 (ko) 노광용 마스크와 그 노광용 마스크의 제조방법
KR900017127A (ko) 마스크, 마스크 제조방법 및 마스크를 사용하는 패턴형성방법
KR100190358B1 (ko) 투영 포토리소그래피용 위상 시프트 마스크 및 이의 제조방법
KR900008637A (ko) 반도체 장치를 제조하기 위한 마스크 및 그 제조방법
KR970071125A (ko) 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법
KR920001633A (ko) 위상 천이기가 있는 레티클과 그 제조방법
KR930022494A (ko) 노출 마스크와 노출 마스크 기판의 제조 방법 및 노출 마스크를 기초로 한 패턴 형성방법
US5876877A (en) Patterned mask having a transparent etching stopper layer
KR960009236A (ko) T-게이트전극을 형성하기 위한 포토마스크
US6569581B2 (en) Alternating phase shifting masks
KR940004383A (ko) 포토마스크 블랭크 및 위상쉬프트 포토마스크
KR950001915A (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
KR980003795A (ko) 위상반전 마스크의 결함 수정방법
KR910020802A (ko) 마스크의 제작방법
KR970007484A (ko) 위상반전마스크 제조방법
JPH1078645A (ja) 位相シフトマスクの構造及び製造方法
KR970016789A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR980003816A (ko) 위상반전 마스크의 제조 방법
KR100861359B1 (ko) 위상반전마스크의 불투명 결함 제거 방법
KR100275131B1 (ko) 레티클정렬키검출이용이한위상반전마스크
CN115981094A (zh) 光罩、光罩的制作方法及使用该光罩的图案形成方法
KR100324814B1 (ko) 반도체소자의미세패턴제조방법
KR960011460B1 (ko) 반위상반전 마스크를 이용한 패턴 형성 방법
KR930018652A (ko) 광학 마스크 및 그의 수정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121019

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term