JPH07134397A - 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク用基板 - Google Patents
位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク用基板Info
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- JPH07134397A JPH07134397A JP27913293A JP27913293A JPH07134397A JP H07134397 A JPH07134397 A JP H07134397A JP 27913293 A JP27913293 A JP 27913293A JP 27913293 A JP27913293 A JP 27913293A JP H07134397 A JPH07134397 A JP H07134397A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマ
スク用基板に関し、位相シフターのエッチング量を高精
度で制御する手段を提供する。 【構成】 透明基板１の上に、第１のエッチング法に対
し透明基板よりエッチングレートが大きく、露光光の位
相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第１の透明物質層
２と、第２のエッチング法に対し第１の透明物質層より
エッチングレートが大きく、露光光の位相を実質的に１
８０°遅らせる膜厚の第２の透明物質層３を順次形成し
た位相シフトマスク用基板を用い、第２の透明物質層３
を第１の透明物質層２をエッチングストッパーとしてエ
ッチングし、第１の透明物質層２を透明基板１をエッチ
ングストッパーとしてエッチングして、透明物質層に生
じた凸型の欠陥を除去し、凹型の欠陥を、その下の透明
物質層とともに除去して、エッジ部で隣接する露光光の
位相を実質的に±１８０°異ならせるように位相シフト
マスクを修正する。
スク用基板に関し、位相シフターのエッチング量を高精
度で制御する手段を提供する。 【構成】 透明基板１の上に、第１のエッチング法に対
し透明基板よりエッチングレートが大きく、露光光の位
相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第１の透明物質層
２と、第２のエッチング法に対し第１の透明物質層より
エッチングレートが大きく、露光光の位相を実質的に１
８０°遅らせる膜厚の第２の透明物質層３を順次形成し
た位相シフトマスク用基板を用い、第２の透明物質層３
を第１の透明物質層２をエッチングストッパーとしてエ
ッチングし、第１の透明物質層２を透明基板１をエッチ
ングストッパーとしてエッチングして、透明物質層に生
じた凸型の欠陥を除去し、凹型の欠陥を、その下の透明
物質層とともに除去して、エッジ部で隣接する露光光の
位相を実質的に±１８０°異ならせるように位相シフト
マスクを修正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置等
の製造工程で用いる位相シフトマスクの修正方法と位相
シフトマスク用基板に関する。
の製造工程で用いる位相シフトマスクの修正方法と位相
シフトマスク用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】位相シフトマスクを用いた露光技術は、
原理的には位相シフトマスクを用いない白黒マスクのほ
ぼ２倍の解像性能が得られるため、将来の高密度で微細
なパターンを用いる半導体集積回路装置の製造技術とし
て期待されている。
原理的には位相シフトマスクを用いない白黒マスクのほ
ぼ２倍の解像性能が得られるため、将来の高密度で微細
なパターンを用いる半導体集積回路装置の製造技術とし
て期待されている。
【０００３】図３は、位相シフトマスクを用いる露光方
法の原理説明図であり、（Ａ）は位相シフトマスクを用
いる場合を示し、（Ｂ）は位相シフトマスクを用いない
場合を示している。この図において、ａ，ａ’は露光マ
スク、ｂ，ｂ’はマスク上の光振幅分布、ｃ，ｃ’はウ
ェーハ上の光振幅分布、ｄ，ｄ’はウェーハ上の光強度
分布を示し、２１はマスク基板、２２は遮光パターン、
２３は位相シフターを示す。
法の原理説明図であり、（Ａ）は位相シフトマスクを用
いる場合を示し、（Ｂ）は位相シフトマスクを用いない
場合を示している。この図において、ａ，ａ’は露光マ
スク、ｂ，ｂ’はマスク上の光振幅分布、ｃ，ｃ’はウ
ェーハ上の光振幅分布、ｄ，ｄ’はウェーハ上の光強度
分布を示し、２１はマスク基板、２２は遮光パターン、
２３は位相シフターを示す。
【０００４】この図に示されているように、位相シフト
マスクを用いない場合（図３（Ｂ）参照）においては、
マスク基板２１の上に遮光パターン２２が形成された露
光マスクａ’を透過した露光光のマスク上の光振幅分布
ｂ’は、透過する部分と透過しない部分とからなる矩形
状であるが、遮光パターン２２の間隔が微小化すると、
ウェーハ上の光振幅分布ｃ’は隣接する透過部分を透過
した露光光が同位相で干渉するため鈍化してしまい、そ
のウェーハ上の光強度分布ｄ’も鈍化し高解像度が得ら
れない。
マスクを用いない場合（図３（Ｂ）参照）においては、
マスク基板２１の上に遮光パターン２２が形成された露
光マスクａ’を透過した露光光のマスク上の光振幅分布
ｂ’は、透過する部分と透過しない部分とからなる矩形
状であるが、遮光パターン２２の間隔が微小化すると、
ウェーハ上の光振幅分布ｃ’は隣接する透過部分を透過
した露光光が同位相で干渉するため鈍化してしまい、そ
のウェーハ上の光強度分布ｄ’も鈍化し高解像度が得ら
れない。
【０００５】ところが、前記のマスク基板２１の上に遮
光パターン２２が形成された露光マスクに、例えばＳｉ
Ｏ2 等の透明物質を露光光の位相を実質的に１８０°だ
け遅らせる厚さの位相シフター２３を付加した位相シフ
トマスクを用いる場合（図３（Ａ）参照）においては、
露光マスクａを透過した露光光のマスク上の光振幅分布
ｂは、位相シフターがない部分を透過する光と、位相シ
フターがある部分を透過する光の位相が実質的に１８０
°異なっている。
光パターン２２が形成された露光マスクに、例えばＳｉ
Ｏ2 等の透明物質を露光光の位相を実質的に１８０°だ
け遅らせる厚さの位相シフター２３を付加した位相シフ
トマスクを用いる場合（図３（Ａ）参照）においては、
露光マスクａを透過した露光光のマスク上の光振幅分布
ｂは、位相シフターがない部分を透過する光と、位相シ
フターがある部分を透過する光の位相が実質的に１８０
°異なっている。
【０００６】そして、遮光パターン２２の間隔が微小化
すると、ウェーハ上の光振幅分布ｃは、隣接する位相シ
フターがない部分を透過する光と位相シフターがある部
分を透過する光が互いに干渉するが、位相シフターがな
い部分を透過する光と位相シフターがある部分を透過す
る光とは位相が実質的に１８０°異なっているため、隣
接する部分では互いに相殺される。したがって、ウェー
ハ上の光強度分布ｄも、位相シフターがないマスクを用
いる場合に比較すると高解像度が得られる。
すると、ウェーハ上の光振幅分布ｃは、隣接する位相シ
フターがない部分を透過する光と位相シフターがある部
分を透過する光が互いに干渉するが、位相シフターがな
い部分を透過する光と位相シフターがある部分を透過す
る光とは位相が実質的に１８０°異なっているため、隣
接する部分では互いに相殺される。したがって、ウェー
ハ上の光強度分布ｄも、位相シフターがないマスクを用
いる場合に比較すると高解像度が得られる。
【０００７】位相シフトマスクはこのような光学的現象
を利用しているため、位相シフターに欠陥が生じた場合
は、その形状と厚さを含めて修正することが必要であ
る。
を利用しているため、位相シフターに欠陥が生じた場合
は、その形状と厚さを含めて修正することが必要であ
る。
【０００８】図４は、従来の位相シフターの修正方法の
説明図であり、（Ａ），（Ｂ）は凸状の欠陥が生じた場
合の修正方法、（Ｃ），（Ｄ）は凹状の欠陥が生じた場
合の修正方法を示している。この図において、３１は露
光マスク基板、３１1 ，３２5 は開口、３２は位相シフ
ター層、３２1 ，３２3 は位相シフター、３２2 は凸状
の欠陥、３２4 は凹状の欠陥、３３は遮光膜、３３1 ，
３３2 ，３３3 ，３３4 は遮光パターンである。
説明図であり、（Ａ），（Ｂ）は凸状の欠陥が生じた場
合の修正方法、（Ｃ），（Ｄ）は凹状の欠陥が生じた場
合の修正方法を示している。この図において、３１は露
光マスク基板、３１1 ，３２5 は開口、３２は位相シフ
ター層、３２1 ，３２3 は位相シフター、３２2 は凸状
の欠陥、３２4 は凹状の欠陥、３３は遮光膜、３３1 ，
３３2 ，３３3 ，３３4 は遮光パターンである。
【０００９】（１）位相シフター層が残存して凸状の欠
陥を生じた場合の従来の修正方法（図４（Ａ），（Ｂ）
参照） この露光マスクにおいては、透明な露光マスク基板３１
の上に露光光の位相を実質的に１８０°遅らせる厚さの
位相シフター層３２と遮光膜３３を形成した位相シフタ
ー用基板を用い、遮光膜３３をフォトリソグラフィー技
術を適用してパターニングすることによって遮光パター
ン３３1 ，３３2 を形成し、遮光パターン３３1 と３３
2 の間の位相シフター層３２を除去して位相シフター３
２1 を残し、遮光パターン３３1 と３３2 の間を透過す
る露光光と、位相シフター３２1を透過する露光光の位
相を実質的に１８０°異ならせることによってエッジ強
調型の位相シフト効果をもたせることを意図している。
陥を生じた場合の従来の修正方法（図４（Ａ），（Ｂ）
参照） この露光マスクにおいては、透明な露光マスク基板３１
の上に露光光の位相を実質的に１８０°遅らせる厚さの
位相シフター層３２と遮光膜３３を形成した位相シフタ
ー用基板を用い、遮光膜３３をフォトリソグラフィー技
術を適用してパターニングすることによって遮光パター
ン３３1 ，３３2 を形成し、遮光パターン３３1 と３３
2 の間の位相シフター層３２を除去して位相シフター３
２1 を残し、遮光パターン３３1 と３３2 の間を透過す
る露光光と、位相シフター３２1を透過する露光光の位
相を実質的に１８０°異ならせることによってエッジ強
調型の位相シフト効果をもたせることを意図している。
【００１０】ところが、遮光パターン３３1 ，３３2 の
間の位相シフター層３２をエッチングして除去する際、
この図に示されているように、位相シフター層３２の一
部が残留して凸状の欠陥３２2 を生じることがある。
間の位相シフター層３２をエッチングして除去する際、
この図に示されているように、位相シフター層３２の一
部が残留して凸状の欠陥３２2 を生じることがある。
【００１１】この場合は、凸状の欠陥３２2 が完全に消
失するまでエッチングして除去することによって、遮光
パターン３３1 ，３３2 の間の全面を透過する露光光と
位相シフター３２1 を透過する露光光の位相を実質的に
１８０°異ならせてエッジ強調型の位相シフト効果をも
たせるように修正する。
失するまでエッチングして除去することによって、遮光
パターン３３1 ，３３2 の間の全面を透過する露光光と
位相シフター３２1 を透過する露光光の位相を実質的に
１８０°異ならせてエッジ強調型の位相シフト効果をも
たせるように修正する。
【００１２】（２）位相シフター層が損傷を受けて凹状
の欠陥を生じた場合の従来の修正方法（図４（Ｃ），
（Ｄ）参照） この露光マスクにおいては、透明な露光マスク基板３１
の上に露光光の位相を実質的に１８０°遅らせる厚さの
位相シフター層３２と遮光膜３３を形成した位相シフタ
ー用基板を用い、遮光膜３３をフォトリソグラフィー技
術を適用してパターニングすることによって遮光パター
ン３３3 ，３３4 を形成し、遮光パターン３３3 ，３３
4 の間の位相シフター層３２を残して位相シフター３２
3 とし、遮光パターン３３3 と３３4 の間を除く部分の
位相シフター層３２を除去して、遮光パターン３３3 と
３３4 の間の位相シフター３２3 の全域を透過する露光
光と遮光パターン３３3 ，３３4 の間を除く部分を透過
する露光光の位相を実質的に１８０°異ならせることに
よってエッジ強調型の位相シフト効果をもたせることを
意図している。
の欠陥を生じた場合の従来の修正方法（図４（Ｃ），
（Ｄ）参照） この露光マスクにおいては、透明な露光マスク基板３１
の上に露光光の位相を実質的に１８０°遅らせる厚さの
位相シフター層３２と遮光膜３３を形成した位相シフタ
ー用基板を用い、遮光膜３３をフォトリソグラフィー技
術を適用してパターニングすることによって遮光パター
ン３３3 ，３３4 を形成し、遮光パターン３３3 ，３３
4 の間の位相シフター層３２を残して位相シフター３２
3 とし、遮光パターン３３3 と３３4 の間を除く部分の
位相シフター層３２を除去して、遮光パターン３３3 と
３３4 の間の位相シフター３２3 の全域を透過する露光
光と遮光パターン３３3 ，３３4 の間を除く部分を透過
する露光光の位相を実質的に１８０°異ならせることに
よってエッジ強調型の位相シフト効果をもたせることを
意図している。
【００１３】ところが、遮光パターン３３3 ，３３4 の
間の位相シフター層３２の一部に損傷を受けて、この図
に示されているように、位相シフター３２3 に凹状の欠
陥３２4 を生じることがある。
間の位相シフター層３２の一部に損傷を受けて、この図
に示されているように、位相シフター３２3 に凹状の欠
陥３２4 を生じることがある。
【００１４】この場合は、位相シフター３２3 の凹状の
欠陥３２4 を含む領域をエッチングして除去することに
よって開口３２5 を形成し、さらに、その下の露光マス
ク基板３１を露光光の位相を実質的に１８０°遅らせる
深さだけエッチング除去して開口３１1 を形成して、遮
光パターン３３3 ，３３4 の間の位相シフター３２3の
全域を透過する露光光と遮光パターン３３3 ，３３4 の
間を除く部分を透過する露光光の位相を実質的に±１８
０°異ならせてエッジ強調型の位相シフト効果をもたせ
るように修正する。
欠陥３２4 を含む領域をエッチングして除去することに
よって開口３２5 を形成し、さらに、その下の露光マス
ク基板３１を露光光の位相を実質的に１８０°遅らせる
深さだけエッチング除去して開口３１1 を形成して、遮
光パターン３３3 ，３３4 の間の位相シフター３２3の
全域を透過する露光光と遮光パターン３３3 ，３３4 の
間を除く部分を透過する露光光の位相を実質的に±１８
０°異ならせてエッジ強調型の位相シフト効果をもたせ
るように修正する。
【００１５】この場合、反応性ガスを流しながら、エッ
チングしたい部分に収束イオンビーム（ＦＩＢ）照射す
る収束イオンビーム（ＦＩＢ）エッチング装置を用い
て、位相シフター層３２や露光マスク基板３１をエッチ
ングすることができる。
チングしたい部分に収束イオンビーム（ＦＩＢ）照射す
る収束イオンビーム（ＦＩＢ）エッチング装置を用い
て、位相シフター層３２や露光マスク基板３１をエッチ
ングすることができる。
【００１６】図５は、収束イオンビーム（ＦＩＢ）エッ
チング装置の概略説明図である。この図において、４１
はチャンバー、４２は反応ガス供給管、４３は反応ガス
ボンベ、４４は流量調節弁、４５はイオンビーム装置、
４６はイオンビーム、４７は排気管、４８はＸＹステー
ジ、４９は被処理基板である。
チング装置の概略説明図である。この図において、４１
はチャンバー、４２は反応ガス供給管、４３は反応ガス
ボンベ、４４は流量調節弁、４５はイオンビーム装置、
４６はイオンビーム、４７は排気管、４８はＸＹステー
ジ、４９は被処理基板である。
【００１７】この収束イオンビーム（ＦＩＢ）エッチン
グ装置においては、チャンバー４１内のＸＹステージ４
８に被処理基板４９を載置し、反応ガスボンベ４３の反
応ガスを流量調節弁４４によって流量を調節して、反応
ガス供給管４２によって被処理基板４９近傍に供給し、
排気管４７を通してチャンバー４１内のガスを排気しな
がら、ＸＹステージ４８を駆動して被処理基板４９のエ
ッチングすべき位置にイオンビーム装置４５によって発
生するイオンビーム４６を照射することによって被処理
基板４９の表面を局部的にエッチングする。
グ装置においては、チャンバー４１内のＸＹステージ４
８に被処理基板４９を載置し、反応ガスボンベ４３の反
応ガスを流量調節弁４４によって流量を調節して、反応
ガス供給管４２によって被処理基板４９近傍に供給し、
排気管４７を通してチャンバー４１内のガスを排気しな
がら、ＸＹステージ４８を駆動して被処理基板４９のエ
ッチングすべき位置にイオンビーム装置４５によって発
生するイオンビーム４６を照射することによって被処理
基板４９の表面を局部的にエッチングする。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、位相シフタ
ーの膜厚は、位相角で±１０°程度に制御しなければな
らず、これは露光光がｉ−線である場合、ＳｉＯ2 の約
７０Åに対応する。上述した従来の位相シフターを修正
する際に用いるエッチングする方法には、エッチングス
トッパーがないため、エッチング時間を管理することに
よってエッチング量を制御しなければならないが、この
方法では１００Å以下の精度を実現することは困難であ
る。
ーの膜厚は、位相角で±１０°程度に制御しなければな
らず、これは露光光がｉ−線である場合、ＳｉＯ2 の約
７０Åに対応する。上述した従来の位相シフターを修正
する際に用いるエッチングする方法には、エッチングス
トッパーがないため、エッチング時間を管理することに
よってエッチング量を制御しなければならないが、この
方法では１００Å以下の精度を実現することは困難であ
る。
【００１９】本発明は、位相シフターのエッチング量を
高精度で制御し得る位相シフトマスクの修正方法とその
修正方法に用いる位相シフトマスク用基板を提供するこ
とを目的とする。
高精度で制御し得る位相シフトマスクの修正方法とその
修正方法に用いる位相シフトマスク用基板を提供するこ
とを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる位相シフ
トマスクの修正方法においては、透明基板と、この透明
基板の上に形成され、第１のエッチング法に対し該透明
基板よりエッチングレートが大きく、露光光の位相を実
質的に１８０°遅らせる膜厚の第１の透明物質層と、第
１の透明物質層の上に形成され、第２のエッチング法に
対し第１の透明物質層よりエッチングレートが大きく、
露光光の位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の
透明物質層を有する位相シフトマスク用基板を用い、第
２の透明物質層の一部を第２のエッチング法によって選
択的にエッチング除去し、エッチング除去されなかった
部分によって位相シフターを形成し、第１の透明物質層
の上に第２の透明物質層の残渣が生じた場合には、第２
のエッチング法によって第２の透明物質層の残渣のみを
選択的にエッチング除去する工程を採用した。
トマスクの修正方法においては、透明基板と、この透明
基板の上に形成され、第１のエッチング法に対し該透明
基板よりエッチングレートが大きく、露光光の位相を実
質的に１８０°遅らせる膜厚の第１の透明物質層と、第
１の透明物質層の上に形成され、第２のエッチング法に
対し第１の透明物質層よりエッチングレートが大きく、
露光光の位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の
透明物質層を有する位相シフトマスク用基板を用い、第
２の透明物質層の一部を第２のエッチング法によって選
択的にエッチング除去し、エッチング除去されなかった
部分によって位相シフターを形成し、第１の透明物質層
の上に第２の透明物質層の残渣が生じた場合には、第２
のエッチング法によって第２の透明物質層の残渣のみを
選択的にエッチング除去する工程を採用した。
【００２１】また、本発明にかかる他の位相シフトマス
クの修正方法においては、透明基板と、この透明基板の
上に形成され、第１のエッチング法に対しこの透明基板
よりエッチングレートが大きく、露光光の位相を実質的
に１８０°遅らせる膜厚の第１の透明物質層と、第１の
透明物質層の上に形成され、第２のエッチング法に対し
第１の透明物質層よりエッチングレートが大きく、露光
光の位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の透明
物質層を有する位相シフトマスク用基板を用い、第２の
透明物質層によって位相シフターを形成し、第２の透明
物質層の位相シフターに凹状の欠陥が生じた場合には、
第２の透明物質層のこの欠陥を含む領域を第２のエッチ
ング法によってエッチング除去して開口を形成し、次い
で、この開口内に露出する第１の透明物質層を第１のエ
ッチング法によってエッチング除去する工程を採用し
た。
クの修正方法においては、透明基板と、この透明基板の
上に形成され、第１のエッチング法に対しこの透明基板
よりエッチングレートが大きく、露光光の位相を実質的
に１８０°遅らせる膜厚の第１の透明物質層と、第１の
透明物質層の上に形成され、第２のエッチング法に対し
第１の透明物質層よりエッチングレートが大きく、露光
光の位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の透明
物質層を有する位相シフトマスク用基板を用い、第２の
透明物質層によって位相シフターを形成し、第２の透明
物質層の位相シフターに凹状の欠陥が生じた場合には、
第２の透明物質層のこの欠陥を含む領域を第２のエッチ
ング法によってエッチング除去して開口を形成し、次い
で、この開口内に露出する第１の透明物質層を第１のエ
ッチング法によってエッチング除去する工程を採用し
た。
【００２２】これらの場合、透明物質層を、エッチング
を反応性ガスを流しながらイオンビームを被エッチング
物質に照射する収束イオンビームエッチング法によって
エッチングし、この際、第１の透明物質層をＡｌ2 Ｏ3
とし、これをエッチングする第１のエッチング法に塩素
系のガスを用い、第２の透明物質層をＳｉＯ2 とし、こ
れをエッチングする第２のエッチング法にフッ素系のガ
スを用いて、透明物質層を局部的にエッチングすること
ができる。
を反応性ガスを流しながらイオンビームを被エッチング
物質に照射する収束イオンビームエッチング法によって
エッチングし、この際、第１の透明物質層をＡｌ2 Ｏ3
とし、これをエッチングする第１のエッチング法に塩素
系のガスを用い、第２の透明物質層をＳｉＯ2 とし、こ
れをエッチングする第２のエッチング法にフッ素系のガ
スを用いて、透明物質層を局部的にエッチングすること
ができる。
【００２３】また、本発明にかかる位相シフトマスク用
基板においては、透明基板と、該透明基板の上に形成さ
れ、第１のエッチング法に対し該透明基板よりエッチン
グレートが大きく、露光波長の位相を実質的に１８０°
遅らせる膜厚の第１の透明物質層と、該第１の透明物質
層の上に形成され、第２のエッチング法に対し該第１の
透明物質層よりエッチングレートが大きく、露光波長の
位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の透明物質
層を有する構成を採用した。
基板においては、透明基板と、該透明基板の上に形成さ
れ、第１のエッチング法に対し該透明基板よりエッチン
グレートが大きく、露光波長の位相を実質的に１８０°
遅らせる膜厚の第１の透明物質層と、該第１の透明物質
層の上に形成され、第２のエッチング法に対し該第１の
透明物質層よりエッチングレートが大きく、露光波長の
位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の透明物質
層を有する構成を採用した。
【００２４】この場合、第１の透明物質層と第２の透明
物質層を概ね等しい屈折率を有する物質、例えばＡｌ2
Ｏ3 とＳｉＯ2 によって構成し、その界面での反射を低
減することができる。
物質層を概ね等しい屈折率を有する物質、例えばＡｌ2
Ｏ3 とＳｉＯ2 によって構成し、その界面での反射を低
減することができる。
【００２５】
【作用】図１は、本発明の位相シフトマスクの修正方法
の原理説明図であり、（Ａ），（Ｂ）は凸状の欠陥が生
じた場合の修正方法、（Ｃ）〜（Ｅ）は凹状の欠陥が生
じた場合の修正方法を示している。この図において、１
は透明基板、２は第１の透明物質層、３は第２の透明物
質層、３1 ，３3 は位相シフター、３2 は凸状の欠陥、
３4 は凹状の欠陥、２1 ，３5 は開口、４は遮光膜、４
1 ，４2 ，４3 ，４4 は遮光パターンである。
の原理説明図であり、（Ａ），（Ｂ）は凸状の欠陥が生
じた場合の修正方法、（Ｃ）〜（Ｅ）は凹状の欠陥が生
じた場合の修正方法を示している。この図において、１
は透明基板、２は第１の透明物質層、３は第２の透明物
質層、３1 ，３3 は位相シフター、３2 は凸状の欠陥、
３4 は凹状の欠陥、２1 ，３5 は開口、４は遮光膜、４
1 ，４2 ，４3 ，４4 は遮光パターンである。
【００２６】（１）第２の透明物質層が残存して凸状の
欠陥を生じた場合の修正方法（図１（Ａ），（Ｂ）参
照） この露光マスクにおいては、透明基板１の上に、第１の
エッチング法に対し透明基板１よりエッチングレートが
大きく、露光波長の位相を実質的に１８０°遅らせる膜
厚の第１の透明物質層２と、第２のエッチング法に対し
第１の透明物質層２よりエッチングレートが大きく、露
光波長の位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の
透明物質層３が形成され、さらにその上に遮光膜４が形
成された位相シフトマスク用基板を用い、遮光膜４を電
子ビームフォトリソグラフィー技術あるいはフォトリソ
グラフィー技術を適用してパターニングすることによっ
て遮光パターン４1 ，４2 を形成し、遮光パターン
４1 ，４2 の間の第２の透明物質層３を第２のエッチン
グ法によって選択的にエッチング除去して第２の透明物
質層３からなる位相シフター３1 を残し、遮光パターン
４1 と４2 の間を透過する露光光と位相シフター３1 を
透過する露光光の位相を実質的に１８０°異ならせてエ
ッジ強調型の位相シフト効果をもたせる。この第２の透
明物質層３のエッチングに際して、第１の透明物質層２
はエッチングストッパーとして機能し、第１の透明物質
層２の表面が平坦に露出した状態でエッチングは自動的
に停止する。
欠陥を生じた場合の修正方法（図１（Ａ），（Ｂ）参
照） この露光マスクにおいては、透明基板１の上に、第１の
エッチング法に対し透明基板１よりエッチングレートが
大きく、露光波長の位相を実質的に１８０°遅らせる膜
厚の第１の透明物質層２と、第２のエッチング法に対し
第１の透明物質層２よりエッチングレートが大きく、露
光波長の位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の
透明物質層３が形成され、さらにその上に遮光膜４が形
成された位相シフトマスク用基板を用い、遮光膜４を電
子ビームフォトリソグラフィー技術あるいはフォトリソ
グラフィー技術を適用してパターニングすることによっ
て遮光パターン４1 ，４2 を形成し、遮光パターン
４1 ，４2 の間の第２の透明物質層３を第２のエッチン
グ法によって選択的にエッチング除去して第２の透明物
質層３からなる位相シフター３1 を残し、遮光パターン
４1 と４2 の間を透過する露光光と位相シフター３1 を
透過する露光光の位相を実質的に１８０°異ならせてエ
ッジ強調型の位相シフト効果をもたせる。この第２の透
明物質層３のエッチングに際して、第１の透明物質層２
はエッチングストッパーとして機能し、第１の透明物質
層２の表面が平坦に露出した状態でエッチングは自動的
に停止する。
【００２７】ところが、遮光パターン４1 と４2 の間の
第２の透明物質層３を第２のエッチング法によってエッ
チングする際、この図に示されているように、第２の透
明物質層３の一部が残留して凸状の欠陥３2 を生じるこ
とがある。
第２の透明物質層３を第２のエッチング法によってエッ
チングする際、この図に示されているように、第２の透
明物質層３の一部が残留して凸状の欠陥３2 を生じるこ
とがある。
【００２８】この場合は、第２のエッチング法によっ
て、第２の透明物質層３の一部である凸状の欠陥３2 が
完全に消失するまでエッチングして、遮光パターン４1
と４2の間の全面を透過する露光光と位相シフター３1
を透過する露光光の位相を実質的に１８０°異ならせて
エッジ強調型の位相シフト効果をもたせる。
て、第２の透明物質層３の一部である凸状の欠陥３2 が
完全に消失するまでエッチングして、遮光パターン４1
と４2の間の全面を透過する露光光と位相シフター３1
を透過する露光光の位相を実質的に１８０°異ならせて
エッジ強調型の位相シフト効果をもたせる。
【００２９】この場合、第１および第２のエッチング法
として、前記の収束イオンビーム（ＦＩＢ）エッチング
法を用いることもでき、また、レジストをエッチングマ
スクとして用いるドライエッチング法またはウェットエ
ッチング法を用いることもできる。
として、前記の収束イオンビーム（ＦＩＢ）エッチング
法を用いることもでき、また、レジストをエッチングマ
スクとして用いるドライエッチング法またはウェットエ
ッチング法を用いることもできる。
【００３０】（２）第２の透明物質層が損傷を受けて凹
状の欠陥を生じた場合の従来の修正方法（図４（Ｃ），
（Ｄ）参照） この露光マスクにおいては、透明基板１の上に、第１の
エッチング法に対し透明基板１よりエッチングレートが
大きく、露光波長の位相を実質的に１８０°遅らせる膜
厚の第１の透明物質層２と、第２のエッチング法に対し
第１の透明物質層２よりエッチングレートが大きく、露
光波長の位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の
透明物質層３が形成され、さらにその上に遮光膜４が形
成された位相シフトマスク用基板を用い、遮光膜４をフ
ォトリソグラフィー技術を適用してパターニングするこ
とによって遮光パターン４3 ，４4 を形成し、遮光パタ
ーン４3 と４4 の間の第２の透明物質層３を残して位相
シフター３3 とし、遮光パターン４3 と４4 の間の第２
の透明物質層３をエッチング除去して、遮光パターン４
3 と４4 の間を透過する露光光と位相シフター３3 を透
過する露光光の位相を実質的に１８０°異ならせてエッ
ジ強調型の位相シフト効果をもたせる。この第２の透明
物質層３のエッチングに際して、第１の透明物質層２が
エッチングストッパーとして機能し、第１の透明物質層
２の表面が平坦に露出した状態でエッチングは自動的に
停止する。
状の欠陥を生じた場合の従来の修正方法（図４（Ｃ），
（Ｄ）参照） この露光マスクにおいては、透明基板１の上に、第１の
エッチング法に対し透明基板１よりエッチングレートが
大きく、露光波長の位相を実質的に１８０°遅らせる膜
厚の第１の透明物質層２と、第２のエッチング法に対し
第１の透明物質層２よりエッチングレートが大きく、露
光波長の位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の
透明物質層３が形成され、さらにその上に遮光膜４が形
成された位相シフトマスク用基板を用い、遮光膜４をフ
ォトリソグラフィー技術を適用してパターニングするこ
とによって遮光パターン４3 ，４4 を形成し、遮光パタ
ーン４3 と４4 の間の第２の透明物質層３を残して位相
シフター３3 とし、遮光パターン４3 と４4 の間の第２
の透明物質層３をエッチング除去して、遮光パターン４
3 と４4 の間を透過する露光光と位相シフター３3 を透
過する露光光の位相を実質的に１８０°異ならせてエッ
ジ強調型の位相シフト効果をもたせる。この第２の透明
物質層３のエッチングに際して、第１の透明物質層２が
エッチングストッパーとして機能し、第１の透明物質層
２の表面が平坦に露出した状態でエッチングは自動的に
停止する。
【００３１】ところが、遮光パターン４3 と４4 の間の
第２の透明物質層３によって位相シフター３3 を形成す
るために、遮光パターン４3 と４4 の間にない第２の透
明物質層３を第２のエッチング法によってエッチングす
る際、この図に示されているように、第２の透明物質層
３の表面が損傷を受けて凹状の欠陥３4 を生じることが
ある。
第２の透明物質層３によって位相シフター３3 を形成す
るために、遮光パターン４3 と４4 の間にない第２の透
明物質層３を第２のエッチング法によってエッチングす
る際、この図に示されているように、第２の透明物質層
３の表面が損傷を受けて凹状の欠陥３4 を生じることが
ある。
【００３２】この場合は、第２の透明物質層３の凹状の
欠陥３4 を含む領域を第２のエッチング法によってエッ
チングして、開口３5 を形成する。この第２の透明物質
層３のエッチングに際しても、第１の透明物質層２がエ
ッチングストッパーとして機能し、第１の透明物質層２
の表面が露出した状態でエッチングは自動的に停止す
る。
欠陥３4 を含む領域を第２のエッチング法によってエッ
チングして、開口３5 を形成する。この第２の透明物質
層３のエッチングに際しても、第１の透明物質層２がエ
ッチングストッパーとして機能し、第１の透明物質層２
の表面が露出した状態でエッチングは自動的に停止す
る。
【００３３】次いで、第２の透明物質層３の開口３5 内
に露出する第１の透明物質層２を第１のエッチング法に
よってエッチングして、開口２1 を形成する。この第１
の透明物質層２のエッチングに際して、透明基板１がエ
ッチングストッパーとして機能し、透明基板１の表面が
露出した状態でエッチングは自動的に停止する。
に露出する第１の透明物質層２を第１のエッチング法に
よってエッチングして、開口２1 を形成する。この第１
の透明物質層２のエッチングに際して、透明基板１がエ
ッチングストッパーとして機能し、透明基板１の表面が
露出した状態でエッチングは自動的に停止する。
【００３４】前記の工程の結果、遮光パターン４3 と４
4 の間を除く領域を透過する露光光の位相と、遮光パタ
ーン４3 と４4 の間の全領域を透過する露光光の位相を
実質的に±１８０°異ならせて、エッジ強調型の位相シ
フト効果をもたせるように修正することができる。
4 の間を除く領域を透過する露光光の位相と、遮光パタ
ーン４3 と４4 の間の全領域を透過する露光光の位相を
実質的に±１８０°異ならせて、エッジ強調型の位相シ
フト効果をもたせるように修正することができる。
【００３５】この場合、第１および第２のエッチング法
として、前記の収束イオンビーム（ＦＩＢ）エッチング
法を用いることもでき、また、レジストをエッチングマ
スクとして用いるドライエッチング法またはウェットエ
ッチング法を用いることもできる。また、開口３5 ，２
1 を形成する範囲は、少なくとも凹状の欠陥３4 を含ん
でいればよく、孤立した領域である場合は、その領域全
体に開口３5 ，２1 を形成することもできる。
として、前記の収束イオンビーム（ＦＩＢ）エッチング
法を用いることもでき、また、レジストをエッチングマ
スクとして用いるドライエッチング法またはウェットエ
ッチング法を用いることもできる。また、開口３5 ，２
1 を形成する範囲は、少なくとも凹状の欠陥３4 を含ん
でいればよく、孤立した領域である場合は、その領域全
体に開口３5 ，２1 を形成することもできる。
【００３６】本発明の位相シフトマスクの修正方法によ
ると、第２の透明物質層３のエッチングに際して、第１
の透明物質層２がエッチングストッパーとして機能し、
第１の透明物質層２のエッチングに際して、透明基板１
がエッチングストッパーとして機能するため、エッチン
グの制御が容易で、露光光の位相値の精度は、第２の透
明物質層３または第１の透明物質層２の膜厚の精度で決
定されるが、従来知られている蒸着法によっても１００
Å以下の膜厚の制御は充分可能であるため、この方法
で、露光光の位相値まで含めた高精度の修正することが
できる。また、上記のように、凹型の欠陥に対しても、
凸型の欠陥に対しても、同じ工程によって修正を行うこ
とができるため効率よく修正することができる。
ると、第２の透明物質層３のエッチングに際して、第１
の透明物質層２がエッチングストッパーとして機能し、
第１の透明物質層２のエッチングに際して、透明基板１
がエッチングストッパーとして機能するため、エッチン
グの制御が容易で、露光光の位相値の精度は、第２の透
明物質層３または第１の透明物質層２の膜厚の精度で決
定されるが、従来知られている蒸着法によっても１００
Å以下の膜厚の制御は充分可能であるため、この方法
で、露光光の位相値まで含めた高精度の修正することが
できる。また、上記のように、凹型の欠陥に対しても、
凸型の欠陥に対しても、同じ工程によって修正を行うこ
とができるため効率よく修正することができる。
【００３７】
【実施例】図２は、本発明の一実施例の位相シフトマス
クの修正方法の説明図であり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程
を示している。この図において、１１は透明基板、１２
はＡｌＯ3 膜、１２1 ，１３5 は開口、１３はＳｉＯ2
膜、１３1 ，１３3 は位相シフター、１３2 は凸型の欠
陥、１３4 は凹型の欠陥、１４はＣｒ膜、１４1 ，１４
2 は遮光パターンである。
クの修正方法の説明図であり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程
を示している。この図において、１１は透明基板、１２
はＡｌＯ3 膜、１２1 ，１３5 は開口、１３はＳｉＯ2
膜、１３1 ，１３3 は位相シフター、１３2 は凸型の欠
陥、１３4 は凹型の欠陥、１４はＣｒ膜、１４1 ，１４
2 は遮光パターンである。
【００３８】この実施例の位相シフトマスクは、石英か
らなる透明基板１１の上に、ＡｌＯ 3 膜１２、ＳｉＯ2
膜１３、Ｃｒ膜１４を形成した位相シフトマスク用基板
を用いる。ＡｌＯ3 膜１２のｉ−線に対する屈折率は
１．７９であるから、ｉ−線の１８０°の位相に対応す
る膜厚は約２３００Åである。また、ＳｉＯ2 膜１３の
ｉ−線の１８０°の位相に対応する膜厚は約４０００Å
である。
らなる透明基板１１の上に、ＡｌＯ 3 膜１２、ＳｉＯ2
膜１３、Ｃｒ膜１４を形成した位相シフトマスク用基板
を用いる。ＡｌＯ3 膜１２のｉ−線に対する屈折率は
１．７９であるから、ｉ−線の１８０°の位相に対応す
る膜厚は約２３００Åである。また、ＳｉＯ2 膜１３の
ｉ−線の１８０°の位相に対応する膜厚は約４０００Å
である。
【００３９】このＣｒ膜１４をフォトリソグラフィー技
術を用いてパターニングすることによって、遮光パター
ン１４1 ，１４2 を形成し、次いで、フォトリソグラフ
ィー技術を用いて遮光パターン１４1 ，１４2 の間のＳ
ｉＯ2 膜１３を除去して、この領域を透過するｉ−線の
位相と、位相シフター１３1 ，１３3 がある領域を透過
するｉ−線の位相が実質的に１８０°異なる位相シフト
マスクを完成する。
術を用いてパターニングすることによって、遮光パター
ン１４1 ，１４2 を形成し、次いで、フォトリソグラフ
ィー技術を用いて遮光パターン１４1 ，１４2 の間のＳ
ｉＯ2 膜１３を除去して、この領域を透過するｉ−線の
位相と、位相シフター１３1 ，１３3 がある領域を透過
するｉ−線の位相が実質的に１８０°異なる位相シフト
マスクを完成する。
【００４０】このようにして完成した位相シフトマスク
のＡｌＯ3 膜１２の上にＳｉＯ2 膜１３の一部が残って
凸型の欠陥１３2 が生じた場合は、ＸｅＦ2 等のフッ素
系ガスを流しながら、凸型の欠陥１３2 にＧａイオンを
照射することによって、凸型の欠陥１３2 をエッチング
して完全に除去する。この場合、ＳｉＯ2 のＡｌＯ3 に
対するエッチング選択比が約４〜５倍であるから、Ａｌ
Ｏ3 膜１２を削らないで、ＳｉＯ2 からなる凸型の欠陥
１３2 のみを完全に除去することができる。
のＡｌＯ3 膜１２の上にＳｉＯ2 膜１３の一部が残って
凸型の欠陥１３2 が生じた場合は、ＸｅＦ2 等のフッ素
系ガスを流しながら、凸型の欠陥１３2 にＧａイオンを
照射することによって、凸型の欠陥１３2 をエッチング
して完全に除去する。この場合、ＳｉＯ2 のＡｌＯ3 に
対するエッチング選択比が約４〜５倍であるから、Ａｌ
Ｏ3 膜１２を削らないで、ＳｉＯ2 からなる凸型の欠陥
１３2 のみを完全に除去することができる。
【００４１】また、前記のようにして完成した位相シフ
トマスクのＳｉＯ2 からなる位相シフター１３3 が損傷
を受けて凹型の欠陥１３4 を生じている場合は、まず、
位相シフター１３3 の凹型の欠陥１３4 を含む領域を完
全にエッチング除去して開口１３5 を形成する。する。
このエッチングは、ＸｅＦ2 等のフッ素系ガスを流しな
がら、Ｇａイオンを被エッチング領域に照射することに
よって行われる。この場合、前記と同様に、ＳｉＯ2 の
ＡｌＯ3 に対するエッチング選択比が約４〜５倍である
から、ＡｌＯ3 からなるＡｌＯ3 膜１２を削らないで、
ＳｉＯ2からなる位相シフター１３3 のみが完全に除去
される。
トマスクのＳｉＯ2 からなる位相シフター１３3 が損傷
を受けて凹型の欠陥１３4 を生じている場合は、まず、
位相シフター１３3 の凹型の欠陥１３4 を含む領域を完
全にエッチング除去して開口１３5 を形成する。する。
このエッチングは、ＸｅＦ2 等のフッ素系ガスを流しな
がら、Ｇａイオンを被エッチング領域に照射することに
よって行われる。この場合、前記と同様に、ＳｉＯ2 の
ＡｌＯ3 に対するエッチング選択比が約４〜５倍である
から、ＡｌＯ3 からなるＡｌＯ3 膜１２を削らないで、
ＳｉＯ2からなる位相シフター１３3 のみが完全に除去
される。
【００４２】その後、エッチングガスをＣＣｌ4 等の塩
素系ガスに変えて、開口１３5 内に露出しているＡｌＯ
3 膜１２を透明基板１１までエッチングして開口１２1
を形成することによって修正を完了する。この場合も、
ＡｌＯ3 の石英に対するエッチング選択比が約４〜５倍
であるため、石英からなる透明基板１１を削らないで、
ＡｌＯ3 膜１２だけを完全に除去することができる。
素系ガスに変えて、開口１３5 内に露出しているＡｌＯ
3 膜１２を透明基板１１までエッチングして開口１２1
を形成することによって修正を完了する。この場合も、
ＡｌＯ3 の石英に対するエッチング選択比が約４〜５倍
であるため、石英からなる透明基板１１を削らないで、
ＡｌＯ3 膜１２だけを完全に除去することができる。
【００４３】以上説明した位相シフトマスクの修正方法
は、ＡｌＯ3 とＳｉＯ2 のエッチング選択比がよいこと
によって成立している。したがって、よい選択比をもっ
た二つの材質を組み合わせることによって、ＡｌＯ3 と
ＳｉＯ2 と同様の効果をもたせることができ、ＡｌＯ3
に代えることができる材料としては、ＭｇＯ，ＭｇＦ2
等が考えられる。
は、ＡｌＯ3 とＳｉＯ2 のエッチング選択比がよいこと
によって成立している。したがって、よい選択比をもっ
た二つの材質を組み合わせることによって、ＡｌＯ3 と
ＳｉＯ2 と同様の効果をもたせることができ、ＡｌＯ3
に代えることができる材料としては、ＭｇＯ，ＭｇＦ2
等が考えられる。
【００４４】また、材料の組合せによっては、各透明物
質層の境界における多重反射に起因して透過率が低下す
る恐れがあるが、ＡｌＯ3 膜１２とＳｉＯ2 膜１３の屈
折率の差が殆どなく、１０-4程度であるため多重反射は
問題にならない。透明物質層の選択に際しては、屈折率
の差が小さいことも留意することが必要である。
質層の境界における多重反射に起因して透過率が低下す
る恐れがあるが、ＡｌＯ3 膜１２とＳｉＯ2 膜１３の屈
折率の差が殆どなく、１０-4程度であるため多重反射は
問題にならない。透明物質層の選択に際しては、屈折率
の差が小さいことも留意することが必要である。
【００４５】前記の本発明の原理説明、および実施例に
おいては、透明基板の上に２層の透明物質層を形成した
位相シフトマスク用基板を用いたが、透明物質層をそれ
以上の多層にし、前記と同様のエッチング工程を用いて
位相シフターを修正することもできる。
おいては、透明基板の上に２層の透明物質層を形成した
位相シフトマスク用基板を用いたが、透明物質層をそれ
以上の多層にし、前記と同様のエッチング工程を用いて
位相シフターを修正することもできる。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
位相シフトマスクを位相値まで含めて高精度で制御性よ
く修正することができ、事実上欠陥がない位相シフトマ
スクを供給することができ、高密度集積回路装置の製造
技術分野において寄与することろが大きい。
位相シフトマスクを位相値まで含めて高精度で制御性よ
く修正することができ、事実上欠陥がない位相シフトマ
スクを供給することができ、高密度集積回路装置の製造
技術分野において寄与することろが大きい。
【図１】本発明の位相シフトマスクの修正方法の原理説
明図であり、（Ａ），（Ｂ）は凸状の欠陥が生じた場合
の修正方法、（Ｃ）〜（Ｅ）は凹状の欠陥が生じた場合
の修正方法を示している。
明図であり、（Ａ），（Ｂ）は凸状の欠陥が生じた場合
の修正方法、（Ｃ）〜（Ｅ）は凹状の欠陥が生じた場合
の修正方法を示している。
【図２】本発明の一実施例の位相シフトマスクの修正方
法の説明図であり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示してい
る。
法の説明図であり、（Ａ）〜（Ｃ）は各工程を示してい
る。
【図３】位相シフトマスクを用いる露光方法の原理説明
図であり、（Ａ）は位相シフトマスクを用いる場合を示
し、（Ｂ）は位相シフトマスクを用いない場合を示して
いる。
図であり、（Ａ）は位相シフトマスクを用いる場合を示
し、（Ｂ）は位相シフトマスクを用いない場合を示して
いる。
【図４】従来の位相シフターの修正方法の説明図であ
り、（Ａ），（Ｂ）は凸状の欠陥が生じた場合の修正方
法、（Ｃ），（Ｄ）は凹状の欠陥が生じた場合の修正方
法を示している。
り、（Ａ），（Ｂ）は凸状の欠陥が生じた場合の修正方
法、（Ｃ），（Ｄ）は凹状の欠陥が生じた場合の修正方
法を示している。
【図５】収束イオンビーム（ＦＩＢ）エッチング装置の
概略説明図である。
概略説明図である。
１ 透明基板 ２ 第１の透明物質層 ３ 第２の透明物質層 ３1 ，３3 位相シフター ３2 凸状の欠陥 ３4 凹状の欠陥 ２1 ，３5 開口 ４ 遮光膜 ４1 ，４2 ，４3 ，４4 遮光パターン １１ 透明基板 １２ ＡｌＯ3 膜 １２1 ，１３5 開口 １３ ＳｉＯ2 膜 １３1 ，１３3 位相シフター １３2 凸型の欠陥 １３4 凹型の欠陥 １４ Ｃｒ膜 １４1 ，１４2 遮光パターン ａ，ａ’ 露光マスク ｂ，ｂ’ マスク上の光振幅分布 ｃ，ｃ’ ウェーハ上の光振幅分布 ｄ，ｄ’ ウェーハ上の光強度分布 ２１ マスク基板 ２２ 遮光パターン ２３ 位相シフター ３１ 露光マスク基板 ３１1 ，３２5 開口 ３２ 位相シフター層 ３２1 ，３２3 位相シフター ３２2 凸状の欠陥 ３２4 凹状の欠陥 ３３ 遮光膜 ３３1 ，３３2 ，３３3 ，３３4 遮光パターン ４１ チャンバー ４２ 反応ガス供給管 ４３ 反応ガスボンベ ４４ 流量調節弁 ４５ イオンビーム装置 ４６ イオンビーム ４７ 排気管 ４８ ＸＹステージ ４９ 被処理基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２８
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板と、該透明基板の上に形成さ
れ、第１のエッチング法に対し該透明基板よりエッチン
グレートが大きく、露光光の位相を実質的に１８０°遅
らせる膜厚の第１の透明物質層と、該第１の透明物質層
の上に形成され、第２のエッチング法に対し該第１の透
明物質層よりエッチングレートが大きく、露光光の位相
を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の透明物質層を
有する位相シフトマスク用基板を用い、該第２の透明物
質層の一部を第２のエッチング法によって選択的にエッ
チング除去し、エッチング除去されなかった部分によっ
て位相シフターを形成し、該第１の透明物質層の上に第
２の透明物質層の残渣が生じた場合には、第２のエッチ
ング法によって第２の透明物質層の残渣のみを選択的に
エッチング除去することを特徴とする位相シフトマスク
の修正方法。 - 【請求項２】 透明基板と、該透明基板の上に形成さ
れ、第１のエッチング法に対し該透明基板よりエッチン
グレートが大きく、露光光の位相を実質的に１８０°遅
らせる膜厚の第１の透明物質層と、該第１の透明物質層
の上に形成され、第２のエッチング法に対し該第１の透
明物質層よりエッチングレートが大きく、露光光の位相
を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の透明物質層を
有する位相シフトマスク用基板を用い、該第２の透明物
質層によって位相シフターを形成し、該第２の透明物質
層の位相シフターに凹状の欠陥が生じた場合には、第２
の透明物質層の該欠陥を含む領域を第２のエッチング法
によってエッチング除去して開口を形成し、次いで、該
開口内の第１の透明物質層を第１のエッチング法によっ
てエッチング除去することを特徴とする位相シフトマス
クの修正方法。 - 【請求項３】 反応性ガスを流しながら、イオンビーム
を被エッチング物質に照射することによってエッチング
することを特徴とする請求項１または請求項２に記載さ
れた位相シフトマスクの修正方法。 - 【請求項４】 透明基板と、該透明基板の上に形成さ
れ、第１のエッチング法に対し該透明基板よりエッチン
グレートが大きく、露光波長の位相を実質的に１８０°
遅らせる膜厚の第１の透明物質層と、該第１の透明物質
層の上に形成され、第２のエッチング法に対し該第１の
透明物質層よりエッチングレートが大きく、露光波長の
位相を実質的に１８０°遅らせる膜厚の第２の透明物質
層を有する位相シフトマスク用基板。 - 【請求項５】 第１の透明物質層と第２の透明物質層が
概ね等しい屈折率を有することを特徴とする請求項５に
記載された位相シフトマスク用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27913293A JPH07134397A (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27913293A JPH07134397A (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07134397A true JPH07134397A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17606885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27913293A Withdrawn JPH07134397A (ja) | 1993-11-09 | 1993-11-09 | 位相シフトマスクの修正方法と位相シフトマスク用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07134397A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0583942A3 (en) * | 1992-08-18 | 1996-07-24 | American Telephone & Telegraph | Phase-shifting lithographic masks having phase-shifting layers of differing compositions |
| JP2007514205A (ja) * | 2003-12-16 | 2007-05-31 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 薄膜に形成されたパターンの誤りの修正方法 |
-
1993
- 1993-11-09 JP JP27913293A patent/JPH07134397A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0583942A3 (en) * | 1992-08-18 | 1996-07-24 | American Telephone & Telegraph | Phase-shifting lithographic masks having phase-shifting layers of differing compositions |
| JP2007514205A (ja) * | 2003-12-16 | 2007-05-31 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 薄膜に形成されたパターンの誤りの修正方法 |
| JP4733050B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2011-07-27 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 薄膜に形成されたパターンの誤りの修正方法 |
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