KR930018652A - 광학 마스크 및 그의 수정 방법 - Google Patents

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KR930018652A
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phase
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아끼라 시마세
쥰조 아즈마
사또시 하라이찌
후미까즈 이또
야스히로 고이즈미
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가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 하다찌세이사꾸쇼
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Abstract

투명막에 소정의 패턴으로 형성된 위상 시프터를 구비하는 위상 시프트 마스크및 그의 결함을 수정하는 방법으로서, 위상 시프트 마스크의 결함 수정을 결함의 형상에 관계없이 높은 정밀도를 실행하기 위하여, 노출 광의 위상을 반전할 수 있는 위상 스프트 마스크의 위상 시프터아래에 FIBAE프로세스 또는 마스크 크리닝 프로세스의 에칭에 대한 내성이 위상 시프터와 다른 투명막을 마련하여, 그들이 수정될때, 투명막으로 시프터 결함의 요철을 흡수시킨다.
이러한 광학 마스크 및 그의 수정 방법을 사용하는 것에 의해, 에칭 스톱피층이 마스크 제조 공정의 크리닝 스텝에서 용해되는 것을 방지하고 에칭 스톱퍼층을 위상 시프터아래에 남기는 것에 의해 결함이 부정형을 가져도 평탄하게 최종 처리된 바닥면을 얻을 수 있다.

Description

광학 마스크 및 그의 수정 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도~제3c도는 FIB를 사용하는 처리 스텝을 도시한 도면.
제4a도~제4c도는 FIBAE르 사용하는 처리 스텝을 도시한 도면.

Claims (24)

  1. 투영 광학계용 광학 마스크로서, 투명 기판상에 형성된 차광 패턴, 상기 차광 패턴의 소정의 열림구멍에 마련되어 노출 광의 위상을 변경하는 위상 시프터, 상기 위상 시프터와 상기 차광 패턴사이에 마련되어 노출 광을 투과하는 에칭 스톱퍼막을 포함하는 광학 마스크.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 에칭 스톱퍼막은 위상 시프터의 에칭에 대해 내성을 갖는 광학 마스크.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 에칭 스톱퍼막은 에칭이 실시된 영역에 평탄한 면이 형성되게 하는 광학 마스크.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 에칭 스톱퍼막은 산화 금속 재료와 플루오르화 금속 재료중의 하나로 형성되는 광학 마스크.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 산화 금속 재료는 Al2O3를 구비하고, 상기 플루오르화 금속재료는 MgF2와 CeF3중의 하나를 구비하는 광학 마스크.
  6. 투영광학계용 광학 마스크로서, 투명 기판상에 형성된 차광 패턴, 상기 차광 패턴의 소정의 열림구멍에 마련되어 노출 광의 위상을 변경하는 위상 시프터, 상기 노출 광을 투과시키는 에칭 스톱퍼층, 상기 노출 광을 투과시키고 크리닝시 상기 에칭 스톱퍼층을 보호하며 위상 시프트 마스크 제조 공정에서 크리닝에 대해 내성을 갖는 보호막을 포함하며, 상기 보호막 및 상기 에칭 스톱퍼층은 위상 시프터아래에 배치되는 광학 마스크.
  7. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 에칭 스톱퍼층은 상기 위항 시프터의 에칭에 대해 내성을 갖는 광학 마스크.
  8. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 보호층 및 상기 에칭 스톱퍼층은 상기 차광 패턴 아래에 배치되는 광학 마스크.
  9. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 보호층 및 상기 에칭 스톱퍼층은 상기 차광 패턴상에 배치되는 광학 마스크.
  10. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 에칭 스톱퍼층은 산화 금속 재료와 플루오르화 금속 재료중의 하나로 형성되는 광학 마스크.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 산화 금속 재료는 Al2O3를 구비하고, 상기 플루오르화 금속재료는 MgF2와 CeF3중의 하나를 구비하는 광학 마스크.
  12. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 보호층은 투영막인 광학 마스크.
  13. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 상기 투영막은 ITO막인 광학 마스크.
  14. 투영 광학계용 광학 마스크의 결합을 수정하는 광학 마스크의 수정 방법으로서, 상기 광학 마스크가 투명 패턴상에 형성된 차광 패턴.상기 차광 패턴의 소정의 열림구멍에 마련되어 노출 광의 위상을 변경하는 위상 시프터, 투명막을 구비하는 광학 마스크의 수정 방법에 있어서, 상기 위상 시프터를 비선택으로 에칭하는 스텝, 상기 위상 시프터에 의해 마련된 위상 시프트양의 정수배중의 하나인 위상 시프트양을 마련하기 위한 두께로 마스크의 기판을 정확하게 처리하는 스텝을 포함하는 광학 마스크의 수정 방법.
  15. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 상기 투영막은 상기 위상 시프터의 에칭에 대해 내성을 갖는 에칭 스톱퍼층인 광학 마스크의 수정 방법.
  16. 특허청구의 범위 제14항에 있어서, 또 투명막을 선택적으로 에칭하는 스텝을 포함하는 광학 마스크의 수정 방법.
  17. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 위상 시프터를 비선택으로 에칭하는 스텝은 상기 투명막을 부분적으로 에칭하는 스텝을 구비하는 광학 마스크의 수정방법.
  18. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 상기 투명막의 에칭에는 포커스 이온 빔을 사용하는 광학 마스크의 수정 방법.
  19. 특허청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 위상 시프터의 에칭에는 포커스 이온 빔및 반응성 가스가 함께 사용되는 위상 시프트 마스크의 수정방법.
  20. 투영 광학계용 광학 마스크의 결함을 수정하는 광학 마스크의 수정 방법으로서, 상기 광학 마스크가 투명기판상에 형성된 차광 패턴, 상기 차광 패턴의 소정의 열림구멍에 마련되어 노출 광의 위상을 변경하는 위상 시프터를 구비하는 광학 마스크의 수정 방법에 있어서, 상기 위상 시프터아래 배치된 투명막까지 위상 시프터 에칭을 실행하는 스텝, 상기 위항 시프터에 의해 마련된 위상 시프트양의 정수배중의 하나인 위상 시프터양을 마련하는 두께로 마스크의 기판을 정확히 에칭하는 스텝을 포함하는 광학 마스크의 수정방법.
  21. 특허청구의 범위 제20항에 있어서, 또 상기 투명막을 선택적으로 에칭하는 스텝을 포함하는 광학 마스크의 수정 방법.
  22. 특허청구의 범위 제20항에 있어서, 상기 투명막의 에칭에는 포커스 이온 빔을 사용하는 광학 마스크의 수정 방법.
  23. 특허청구의 범위 제20항에 있어서, 상기 위상 시프터의 에칭에는 포커스 이온 빔및 반응성 가스가 함께 사용되는 광학 마스크의 수정 방법.
  24. 특허청구의 범위 제20항에 있어서, 또 크리닝 스텝시 투명막을 보호하기 위하여 투명막에 광학 마스크 제조 공정의 크리닝 스텝에 대해 내성을 보호층을 마련하는 스텝을 포함하는 광학 마스크의 수정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930002477A 1992-02-28 1993-02-23 광학 마스크 및 그의 수정 방법 KR960001685B1 (ko)

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