KR880003220A - 미세 패턴 형성방법 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 산화막(11)에 감광막(12)을 도포하고 현상하여 패턴을 형성한 후 일정두께로 폴리실리콘(13) 및 실리사이드(14)를 도포하고, 감광막(12)을 제거하여 산화막(11)에 패턴을 형성함을 특징으로하는 미세 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860006841A KR880003220A (ko) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 미세 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019860006841A KR880003220A (ko) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 미세 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880003220A true KR880003220A (ko) | 1988-05-14 |
Family
ID=68838359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019860006841A KR880003220A (ko) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 미세 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR880003220A (ko) |
-
1986
- 1986-08-19 KR KR1019860006841A patent/KR880003220A/ko not_active Application Discontinuation
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