KR0174336B1 - 조합된 감쇠-교대 위상 변이 마스크 구조 및 그 제조 방법 - Google Patents

조합된 감쇠-교대 위상 변이 마스크 구조 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

위상 변이 리소그래픽 마스크를 위한 구조와 방법이 제공되는데, 여기에서 감쇠된 위상 변이 마스크 구조(Att PSM)가 교대 소자 위상 변이 마스크(Alt PSM)와 조합되어 위상 변이되고 변이되지 않은 감쇠 배경으로 구성된 마스크 조합을 제공한다. 위상 변이된 조정 배경은 변이 안된 부분을 둘러싸고 위상 변이되지 않은 감쇠 배경은 위상 변이된 부분을 둘러싼다.

Description

조합된 감쇠-교대 위상 변이 마스크 구조 및 그 제조 방법
제1도는 Alt-Att-Utt PSM 마스크를 형성하기 위한 Alt PSM 및 Att-Utt PSM의 조합을도시한 개략도.
제2도는 제1도의 Alt-Att-Utt PSM의 측면을도시한 개략도.
제3, 4, 5, 6 및 7도는 Alt-Att-Utt PSM의 제조시의 여러 단계를 도시한 개략도.
제8, 9, 10, 11 및 12도는 Alt-Att-Utt PSM의 다른 제조 방법에서의 여러 단계를 도시한 개략도.
제13, 14, 15, 16 및 17도는 Alt-Att-Utt PSM의 또다른 제조 방법에서의 여러 단계를 도시한 개략도.
제18, 19, 20, 21 및 22도는 Alt-Att-Utt PSM의 단순화된 제조 방법에서의 여러 단계를 도시한 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 기판 12 : 이산층
14 : 투명 영역 16 : 감쇠 재료
18 : 포토레지스트 층
본 발명은 리소그래피용 마스크에 관한 것으로서, 특히 포토리소그래피용 위상 변이(位相變移, phase shift) 마스크에 관한 것이다.
포토리소그래피에 있어서, 마스크는 워크 피스(work piece) 상에서 패턴을 노출시키는데 사용된다. 제조 공정 요건이 점점 더 작은 크기의 패턴의 노출을 요구함에 따라 현재 포토리소그래피 공정의 성능을 향상시키는 기술을 이용할 필요가 있다. 한 가지 접근 방법은 종래의 포토리소그래피에 사용된 파장의 범위 내에서 위상 변이 기법을 사용하는 것이다.
현재로서는, 종래의 광학적 리소그래피를 사용하여 미세한 피처(features)와 미세한 기하학적 패턴을 생성한다. 통상적으로, 광학적 포토리소그래피는 마스크상의 광학적 불투명 영역(optically opaque areas) 및 광학적 투명(clear) 영역으로 이루어진 패턴을 통해 광을 투사하거나 투과시킴으로써 달성된다. 패턴 중 광학적 불투명 영역은 광을 차단함으로써 그늘을 만들어 어두운 영역을 생성시키고, 광학적 투명 영역은 광을 투과시켜 밝은 영역을 생성한다. 밝은 영역과 어두운 영역이 일단 형성되면 렌즈상으로 투사되어 렌즈를 통과한 다음 기판 위에 투사된다.
그러나 반도체 디바이스의 복잡도 증가로 인한 패턴 복잡도의 증가 및 마스크 상의 패턴 패킹(packing) 밀도의 증가 때문에, 임의의 두 불투명 영역간의 거리는 감소하였다. 불투명 영역간의 거리가 감소됨으로써, 작은 개구(aperture)가 형성되어 개구를 통과하는 광을 회절(diffract)시킨다. 회절된 광은 통과하는 광을 퍼지게 하거나 휘게 하는 효과가 있기 때문에, 두 개의 불투명 영역 사이의 공간이 해상되지 않으며, 이에 따라 회절은 광학 리소그래피의 해상도를 크게 제한하는 요인이 되었다.
광학적 포토리소그래피의 회절 효과를 다루는 종래의 방법은, 앞서 논의된 마스크 대신에 위상-변이 마스크를 이용하는 것이었다. 통상적으로, 광을 파동으로 생각하기 때문에 위상 변이라는 것은 투명 재료를 통해 전파되고 규칙적인 사인 파형을 갖는 광의 파형에서의 변이(shift) 타이밍의 변화를 일컫는다. 통상적으로, 서로 상이한 두께를 갖는 투명 재료의 영역을 통해 또는 상이한 굴절 계수를 갖는 재료를 통해 또는 둘 모두를 갖는 재료를 통해 광을 통과시킴으로서 위상 변이가 이루어지며, 이와 같이 함으로써 광 파동의 주기적 패턴 또는 위상이 변하게 된다.
위상 변이 마스크는 회절된 광과 위상 변이되어 회절된 광을 조합하여 회절 효과를 감소시킴으로써, 보강 간섭 및 상쇄 간섭이 양호하게 발생하게 된다.
위상 변이 마스크의 한 유형이 이론의 상세한 설명과 함께 Marc D. Levenson et at., Improving Resolution in Photolithography with a Phase-Shifting Mask I.E.E.E. Transactions on Electron Devices, Vol. ED-29, No. 12, December 1982.에 개시되었다.
Phase-Shifting and Other Challenges in Optical Mask Technology, (short course on phase-shift mask technology, SPIE conference, 1991) 인 제목의 논문에서 Burn J. Lin은 여러가지의 위상 변이 기법을 논의했는데, 여기에는 밀접하게 팩된(packed) 어레이의 서로 다른 모든 소자가 위상 변이되는 교대 위상 변이법, 주어진 광학 시스템의 해상도 한계에 미달하는 패턴의 가장자리 콘트라스트 향상을 도모하는 하위 해상도 위상 변이법, 위상 변이가 패턴의 환(rim) 부분에서만 일어나는 환 위상 변이법, 및 기타 기법들이 제시된다. Lin은 5개의 서로 다른 피처 패턴에 대해 여러가지 위상 변이법을 시험하였다. 5개의 피처 패턴이 모두 환위상 변이법에 의해 개선되었다.
위상 교대 변이 뿐만이 아니라, 감쇠 위상 변이(attenuated phase shifting)라고 알려진 또다른 기법이 있는데, 이 감쇠 위상 변이 기법에서는 마스크 개구를 둘러싸는 후방 영역을 감쇠시키기 위한 흡수 재료를 포함하는 마스크가 제공된다.
Lin에게 1994년 2월 22일 허여되고 발명의 명칭이 FEATURE BIASSING AND ABSORPTIVE PHASE-SHIFTING TECHNIQUES TO IMPROVE OPTICAL PROJECTION IMAGING 인 미국 특허 5,288,569호는 포토리소그래피 시스템을 개시했는데 이 시스템에서는 위상 변이기(phase shifter)를 흡수식으로 형성함으로써 임의의 레이아웃에 대해서도 위상 변이 마스크 시스템이 효율적으로 되게 한다. 서로 다른 흡수 레벨을 가진 위상 변이기를 조합하게 되면 개선은 더 증대된다.
또한, 상기 특허는 흡수 재료를 전혀 사용하지 않고 기판상의 위상 변이기만에 의해 패터닝을 수행하는 다른 디자인에 대해 개시한다. 넓은 위상 변이 영역이 피쳐의 가장 자리를 제외하고 내부와 외부 모두에 걸쳐서 프린트되는데, 이러한 넓은 위상 변이 영역때문에 크고 어두운 선 이미지가 생성된다. 미세 영역에서는 가장자리가 서로 충분이 근접하기 때문에 완전히 어두운 피쳐가 생성된다. 많은 하위 해상도의 위상 변이 피쳐를 서로 근접하도록 그룹화함으로써 넓고 어두운 이미지가 생성될 수 있다. 상기 특허에서, 본 발명에서 설명될 감쇠 위상 변이 마스크와는 달리 위상 변이 재료가 완전히 투명하기 때문에, 이러한 특정 위상 변이 마스크 시스템은 감쇠되지 않은(unattenuated) 위상 변이 마스크라고 한다.
위상 변이 마스크와 관련된 또다른 참조 발명들은 다음과 같다.
1991년 9월 3일 Okamoto에게 허여되고 발명의 명칭이 MASK FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF 인 미국 특허 5,045,417호는 IC칩의 소형화와 고집적화를 성취하기 위한 미세 소형화 기법 및 제조 공정에 사용되는 마스크의 개선에 관한 것이다. 달리 말하자면, 마스크를 투과한 광의 위상이 하나의 마스크 패턴 내에서 제어된다. 구체적으로는, 마스크 패턴을 확대 또는 축소함으로써 형성된 패턴을 따라 마스크 패턴을 커버(cover)하는 상태가 되도록 투명막이 형성되거나 그렇지 않으면 마스크 기판에 그루브(groove)가 형성되는 방식으로 투명막이 형성된다. 마스크 기판을 투과한 광과 투명막 또는 그루브를 통과한 광 사이에는 180°의 위상차가 발생하며 이에 따라 각각의 광은 상호 간섭을 일으켜 서로를 오프셋(offset)한다. 따라서, 웨이퍼상에 형성된 패턴은 향상된 해상도를 갖게 되며, 이것이 본 발명에 이용된다.
1990년 2월 20일 Lin에게 허여되고 발명의 명칭이 LITHOGRAHIC PROCESS HAVING IMPROVED IMAGE QUALITY 인 미국 특허 4,902,899호는 화학 광선(actinic light) 노출 영역의 투과도를 제어하기 위해서 사용되며 리소그래피의 해상도 크기 보다 더 작은 다수의 불투명 소자 또는 투명 소자들을 포함하는 마스크를 채용함으로써 향상된 이미지 품질을 갖는 리소그래픽 공정을 설명한다.
1989년 12월 26일, Smith에게 허여되고 발명의 명칭이 LITHOGRAPHY MASK WITH A π-PHASE SHIFTING ATTENUATOR 인 미국 특허 4,890,309호는 입사하는 전자기 방사의 일부분을 통과시키고 그 방사광을 마스크의 개방 피쳐를 통해 투과하는 방사광과 비교하여 대략 π라디안의 홀수배 만큼 위상 변이시키는 감쇠기(attenuator)를 포함한다. 감쇠기를 통해 통과하는 광을 π 라디안 만큼 위상 변이시키는 것은 회절 효과로 인해 생기는 에지 흐려지기(edge blurring) 현상을 감소시킨다. 본 발명은 종래의 X-선 마스크에 의해 얻어지는 경사(slope)와 비교할 때 X-선 리소그래픽 복제의 피쳐 에지에서의 강도 프로파일(profile)의 경사를 날카롭게 한다. 날카롭게 된 경사도는 향상된 선폭 제어를 허용해 주기 때문에 아주 중요한 이점을 제공한다. 1989년 12월 5일 Chan에게 허여되고 발명의 명칭이 PHASE SHIFTED GRATING BY SELECTIVE IMAGE REVEAL OF PHOTORESIST 인 미국 특허 4,885,231호는 포지티브 포토레지스트의 리소그래픽으로 정의된 영역 내에서 이미지 반전이 일어나도록 제어되는 시스템을 설명한다. 이런 방식으로, 그레이팅(grating)의 리소그래픽으로 정의된 영역 내에서 180° 만큼 위상을 변이시키기 위해 단순 홀로그래픽 그레이팅을 선택적으로 반전시킨다. 이와 같이 위상 변이된 그레이팅은 예를 들어 단일 종방향 모드 동작에 대해 설계된 반도체 레이저에서 분산 피드백을 제공하는 데에 유용하다.
1984년 2월 21일 Shirasake에게 허여되고 발명의 명칭이 SPATIAL PHASE MODULATING MASKS AND PRODUCTION PROCESSES THEREOF, AND PROCESSES FOR THE FORMATION OF PHARE-SHIFTED DIFFRACTION GRATINGS 인 미국 특허 4,806,442호는 서로 다른 두 개의 광학 경로를 갖는 둘 또는 그 이상의 영역을 포함하는 투명 마스크를 공간 위상 변조하는 것에 관련된 것인데 이들을 제조하는 공정도 또한 개시하고 있다. 투명 마스크는 단일 모드 작동일 때의 위상 변이된 분산 피드백(DFB) 반도체 레이저를 제조할 때 노출 마스크로서 특히 유용하다. 광에 노출시키기 위해 상기 투명 마스크를 통해 기판을 노출시키는 것을 포함한 위상 변이된 회절 그레이팅 또는 코러게이션(corrugation)을 형성하는 공정 또한 개시되었다. 본 발명에 따른 위상 변이된 회절 그레이팅은 높은 정밀도와 높은 신뢰성으로 용이하게 직접 제조될 수 있다.
교대 소자 위상 변이 마스크(Alt PSM)는 주어진 광학 이미징 시스템의 해상도를 두배로 증가시킬 수 있는 잠재력이 있다. Alt PSM은 밀접하게 팩된 구조에 대해 위상 변이 마스크가 가장 효율적으로 되게 한다. Alt PSM의 동위 초점(isofocus) 특성은 아주 바람직한 것이다. 그러나, 마스크에 가변 패킹이 있을 때, 교대 위상 변이 마스크는 덜 효율적이 된다. 더욱이, 고립된 개구 또는 고립된 불투명 피쳐에 대해서는 효과가 없다. 감쇠된 위상 변이 마스크(Alt PSM)는 임의의 마스크 패턴에 대해 효과가 있지만 밀접하게 팩된 패턴에 대해서는 이미징 수행성을 개선하는 정도가 미미하다.
본 발명에 있어서, Alt PSM은 Att PSM과 조합되어 양 PSM 시스템의 이점이 실현될 수 있다. 본 발명의 목적은 Alt PSM를 Att-Utt (attenuated-Unattenuated) 조합과 조합하는 것이다.
본 발명의 목적은 Att PSM 배경으로 구성된 PSM을 제공하는 것인데, 여기서 개구의 위상은 교대로 변이된다.
본 발명의 다른 목적은 변이되고 변이 안된 감쇠된 배경으로 구성된 PSM을 제공하는 것인데, 여기서 변이되고 감쇠된 배경은 변이 안된 개구를 둘러싸고 변이 안되고 감쇠된 배경은 변이된 개구를 둘러싼다.
본 발명의 또다른 목적은 감쇠된 PSM을 제공하는 것인데, 여기서 감쇠되고 변이된 소자로 구성된 작은 피쳐는 감쇠가 감소되어 최종적으로는 완전히 감쇠되지 않은 상태가 되도록 한다.
본 발명의 또다른 목적은 변이되고 변이 안된 배경으로 구성된 PSM을 제공하는 것인데, 여기서 감쇠된 변이 소자로 구성된 작은 피쳐는 감쇠가 축소되고, 최종적으로 축소되면 완전히 감쇠되지 않은 상태가 되도록 한다.
본 발명의 상기 특성과 또다른 특성들은 첨부도면을 참조하여 이후의 본 발명에 대한 상세한 설명에서 명백하게 될 것이다.
제1도는 교대(Alt)와 감쇠-비감쇠(Att-Utt)가 조합된 위상 변이 마스크(Alt-Att-Utt PSM)의 평면도를 도시하고 있다. 제2도는 제1도의 마스크의 측면도를 예시하고 있다. 제1 및 2도에서 좌상에서 우하로 연장된 교차 빗금 부분은 감쇠 부분을 나타내고, 좌하에서 우상으로 연장된 교차 빗금 부분은 위상 변이 부분을 나타내고 제1도의 조합된 교차 빗금 부분은 감쇠 부분과 위상 변이 부분이 겹치는 부분을 표시한다. 제2도에서, 예를 들어 수정(quartz)으로 구성된 기판(10)은 실리콘 질화물인(Si3N4)과 같은 위상 변이 재료(12)로 이루어진 이산층(discrete layer)을 갖는데 옥사이드(oxide) 또는 옥시니트라이드(oxynitride)와 같은 적절한 투명 재료를 이용할 수도 있다. 위상 변이기(12)는, 관련 기술분야에서 공지된 방식으로, 자신을 투과하는 광을 180° 만큼 위상 변이시킨다. 수정으로 구성될 수 있는 투명 영역(14)는 위상 변이기(12)상에 배치되며, 감쇠용 재료(16)은 영역(14)의 상부에 배치된다. 제1도 및 2도의 마스크의 감쇠 영역의 대부분은 약간 투과성을 갖는 흡수 영역과 개구 C, E, G 및 J에 대한 배경 K와 같은 π 변이된 개구가 된다. 투과성을 갖고, π 변이된 흡수재는 제1도에서 문자 H, A 및 I로 표시되고 예를 들어 크롬에다 위상 변이층을 더하여 구성된다. 고립된 소규모의 불투명 피쳐 영역이 요구되는 곳에서는 제1도에서 문자 B로 표시된 감쇠 안된 위상 변이기가 Att PSM 대신에 이용된다.
문자 C, D, E, F 및 G로 표시된 밀접하게 팩된 패턴이 있는 곳에서는, 서로 다른 모든 부분(D 및 G)이 -π만큼 위상 변이된다. 변이된 소자는 Att PSM과 동일한 투과성을 가지나 3π 만큼 위상이 변하는 환(rim)에 의해 각각 둘러싸인다.
환의 형태 및 크기는 상기 미국 특허 5,288,569호에서 논의된 환 PSM에서 알려진 마스크에 사용되는 환의 형태 및 크기 보다 그 중요성이 훨씬 떨어진다. 이 구성에서 밀접하게 팩된 소자의 각각은 감쇠된 위상 변이 부분에 의해 둘러싸인다. 인접한 이웃 소자에 대해서 또한 π 변이된다. 제1도에서 문자 H 및 I로 표시된 라인과 같은 변이된 소자와 변이되지 않은 부분 사이의 여분의 불투명 라인은 프린트되지 않는데, 이는 이들이 저 투과의 배경 내에 있기 때문이다. 영역 H 및 I는 π 변이와 등치인 3π 변이된다. 배경 영역 K는 O 위상 변이와 등치인 4π 변이된다.
본 발명의 Alt-Att-Utt PSM(AAU PSM) 실시예를 제조하는 공정이 제3, 4, 5, 6, 및 7도에 도시되었다. 이 공정은, 제4도에 도시한 바와 같이, 수정 기판(10), 투과성 흡수재 층(16), 및 π 위상 변이된 층(12)로 구성된 마스크 블랭크(mask blank)를 사용하여 시작한다. 투과성 흡수재(16)는, 근본적으로 각도 θ 만큼 위상을 변이시키는데 이 θ는 본 발명의 사상을 벗어나지 않고서 단순화를 위해 30° 로 가정된다. 단계 1은 모든 감쇠된 π 위상 변이 부분의 윤곽을 그리는 것으로 시작하고 제5도에 도시한 바와 같이 330° 또는 (2π-θ) 만큼 수정 기판 내에서 에칭하는 공정이 뒤따른다. 단계 2에서 제2 레벨 포토레지스트(18)이 도포되어 제6도에 도시한 단계 1에서 그려진 패턴 1과 적절하게 정렬되어 노출된다. 이 노출 레벨은 제7도의 단계 3에 제시된 후속 에칭을 위해 3π-변이된 환 및 Utt PSM 영역을 선택한다. 제7도의 마스크 구조의 평면도가 제3도에 도시되었다.
대안적인 제조 방법은 서로에 대해 높은 에치 선택성을 갖는 두개의 여분 위상 변이층을 이용하는 것이다. 한 층은 330° 또는 (2π-θ) 만큼 위상을 변이시키고 다른 층은 제8도에 도시한 것처럼 π 만큼 위상 변이시킨다. 제조 단계는 위상 변이 층의 선택성이 에치 균일성을 유지하는 데에 유용하다는 것을 제외하고는 제4, 5, 6 및 7도에 도시한 것과 동일하다. 얇은 에치 방지층은 식각 선택비를 향상시킬 필요가 있는 층들 사이에 삽입될 수 있다.
Alt-All-Utt PSM을 제조하는 또다른 방법은 제14도의 기판을 사용하여 시작된다(이는 제4도와 동일하다). 단계 1은 감쇠된 π-변이부(12, 16)의 윤곽을 그리는 단계인데, 제15도에 도시한 수정 기판(10) 내로 에치하지는 않는다. 포토레지스트 층(18)을 사용하여, 단계 2는 제조를 완료하기 위해 단계 3에서의 π-변이부 리프트 오프 공정용으로 환 및 감쇠 안된 영역을 개방시킨다(제17도). 리프트 오프 단계는 제9도의 기판에 대해서도 이용할 수 있다.
이 공정은 영역(8 및 9)가 단지 150° 또는 210° 만큼 위상 변이되도록 함으로써 단순화될 수 있다. Att PSM 부분은 제19도에 도시한 것처럼 통상적으로 윤곽이 그려진다. 이후 제2레벨 레지스트의 도포 및 정렬된 노출은 제20도에 도시한 것처럼 Utt PSM 영역 뿐만 아니라 교대로 위상 변이될 영역을 개방시킨다.
150° 위상 변이부가 에칭에 의해 완전히 제거되었지만, 감쇠층이 일으킨 근본적인 위상 변이는 제거되지 않기 때문에 위상 변이 배경은 이러한 교대 변이 개구에 대해 210° 만큼 감쇠된다. 마스크 상의 비동등 라인과 공간이 웨이퍼 상에서 동등한 라인 및 공간으로 되게 하는 정규 바이어싱(biasing)에 부가하여, 마스크는 이러한 구성이 갖는 약간의 비대칭을 보상하기 위해 더 바이어스될 수 있다.
지금까지 설명한 것은 감쇠된 위상 변이 마스크 및 교대 부분 위상 변이 마스크의 이점을 조합하고 또한 감쇠 안된 영역을 더 포함하는 향상된 위상 변이 마스크이다.
앞의 설명이 단지 본 발명을 예시한 것에 지나지 않는다는 것을 인지해야 한다. 여러가지 대안 및 변형이 본 발명을 벗어나지 않고서 본 분야 기술에 익숙한 사람에 의해 고안될 수 있다. 따라서 본 발명은 청구 범위 영역 내에 포함되는 모든 대안, 변형 및 이형들을 포괄하도록 의도되었다.

Claims (7)

  1. 기판상에 배치된 복합 패턴 재료를 갖는 위상 변이 마스크 구조에 있어서, ① 실질적으로 투명한 기판과, ② 제1 라디안 위상 변이량 만큼 광을 변이시키기 위해 상기 기판의 선택된 영역상에 배치된 제1 광 위상 변이 재료의 이산 소자층과, ③ 상기 기판의 선택된 영역상에 배치된 광 감쇠 재료의 이산 소자층과, ④ 상기 제1 라디안 위상 변이량과는 상이한 제2 라디안 위상 변이량 만큼 광을 변이시키기 위해 상기 광 감쇠 재료의 이산 소자층의 선택된 영역상에 배치된 제2 광 위상 변이 재료의 이산 소자층을 포함하며, 상기 제1 및 2 광 위상 변이 재료의 이산 소자층은 상기 기판 상에서, 인접하는 제1 라디안 위상 변이 및 제2 라디안 위상 변이 재료의 분리 교대 영역(separete alternating regions)에 배치되어, 제1 위상 변이, 제2 위상 변이 및 감쇠 영역을 갖는 위상 변이 마스크 구조를 제공하고, 제1 위상 변이 감쇠 영역은 제2 위상 변이 영역을 둘러싸고 제2 위상 변이 감쇠 영역은 제1 위상 변이 영역을 둘러싸는 위상 변이 마스크 구조.
  2. 제2항에 있어서, O 라디안 위상 변이를 가지는 제1 감쇠 영역과 (π-φ) 위상 변이를 가지는 상기 제2 위상 변이 영역을 포함하며, 상기 φ는 실질적으로 30° 인 위상 변이 마스크 구조.
  3. 제3항에 있어서, (2π-φ) 위상 변이 성분을 더 포함하는 위상 변이 마스크 구조.
  4. 제3항에 있어서, (3π-φ) 위상 변이 성분을 더 포함하는 위상 변이 마스크 구조.
  5. 제3항에 있어서, (4π-φ) 위상 변이 성분을 더 포함하는 위상 변이 마스크 구조.
  6. 위상 변이 마스크를 제조하는 방법에 있어서, ① 실질적으로 투명한 기판상에 투명한 재료층을 배치하고 상기 실질적으로 투명한 기판상의 상기 투명한 재료층 위에 투과성 흡수 재료 층을 배치하는 제1단계와, ② 복합 감쇠 위상 변이층을 제공하기 위해 상기 투과성 흡수 재료 층 위에 위상 변이용 재료를 배치하는 제2단계와, ③ 상기 복합 층 위에 제1포토레지스트층을 배치하여 상기 포토레지스트층을 노광 및 패턴화하고 상기 위상 변이 재료, 상기 흡수 재료 및 상기 투명한 재료 송의 윤곽을 그리고 식각하여(delineating and etching) 상기 기판 상에 투명한 재료, 흡수 재료 및 위상 변이 재료의 개별 이산 영역(separate discrete portions)의 패턴을 형성하는 제3단계와, ④ 제3단계에서 형성된 상기 기판과 이산층 위에 포토레지스트층을 인가하는 제4 단계와, ⑤ 상기 위상 변이 재료의 이산 영역의 선택된 영역 상에 식각 마스크를 형성하기 위해 상기 포토레지스트를 노광하고 식각하는 제5단계와, ⑥ 상기 위상 변이 재료의 상기 선택된 영역을 제거하기 위해 상기 위상 변이 재료의 이산 영역을 식각하는 제6단계를 포함하는 위상 변이 마스크 제조 방법.
  7. 제7항에 있어서, 제6단계의 위상 변이 재료가 리프트 오프(lift-off) 방법에 의해 제거되는 위상 변이 마스크 제조 방법.
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