JP2540011B2 - 位相シフト・マスク - Google Patents

位相シフト・マスク

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JP2540011B2 JP24801193A JP24801193A JP2540011B2 JP 2540011 B2 JP2540011 B2 JP 2540011B2 JP 24801193 A JP24801193 A JP 24801193A JP 24801193 A JP24801193 A JP 24801193A JP 2540011 B2 JP2540011 B2 JP 2540011B2
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリソグラフィに関し、さ
らに詳しくはフォトリソグラフィ用の位相シフト・マス
クに関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィにおいては、マスク
を利用して工作物上にパターンを露光している。製造上
の要件からますます小さな寸法のパターンの露光が必要
となってくるにつれて、現在のフォトグラフィ・プロセ
スの性能を高めることのできる技法の利用が必要になっ
てきている。１つの傾向は、紫外線、Ｘ線など波長のよ
り短い電磁エネルギーを使用することであった。もう１
つの手法は、従来フォトリソグラフィで使用されてきた
波長範囲で位相シフト技法を使用するものである。
【０００３】位相シフト技法は、コヒーレントなまたは
部分的にコヒーレントな光学式撮像システムの解像度を
高めることができる。正規化解像度Ｋ１を０．７から
０．３５に減少させて、リソグラフィを２世代分改良で
きることがわかっている。
【０００４】光学式マイクロリソグラフィ・システムで
位相シフト技法をマスクと併用すると、投影されるイメ
ージが改善されることがわかっている。こうした位相シ
フト技法は、下記の参照文献に記載されるように、様々
な構成で実施されてきた。
【０００５】ニタヤマ他の論文"New Phase Shifting Ma
sk with Self-Aligned Phase Shifters for Quarter Mi
cron Photolithography", IEDM Technical Digest, pp.
57-60(1989)は、位相シフト層と、それより僅かに小さ
く、マスク・パターンの中央で光を遮断する不透明層と
からなる位相シフト・マスク（ＰＳＭ）パターンを開示
している。このマスクは、リム（ＲＩＭ）すなわち構造
の周縁部を使って、マスクを通過するイメージ中に位相
シフトを形成する。上記論文のＲＩＭ位相シフト・マス
クでは、所与のマスク・パターンは、位相シフト層と、
それより僅かに小さく、マスク・パターンの中央で光を
遮断する不透明層１１とを支える基板から構成される。
この構成は、位相シフトによりエッジ・コントラストの
大幅な強化に役立つが、それでもパターンの中央に大き
な負の振幅が現れてゴースト・ラインを形成するのを防
止する。
【０００６】前記論文は、頂部に位相シフト層を画定
し、それに続いてブロック層を自己位置合せ式にオーバ
ーエッチすることを教示している。アンダーカットの寸
法及び輪郭を、ブロッキング・パターンの線幅制御を維
持するのに必要な精度で制御することは難しい。
【０００７】ナカガワ他の論文"Fabrication of 64M DR
AM with i-Line Phase-Shift Lithography", IEDM90, p
p.817-820(1990)は、その図２（ａ）と（ｂ）に、位相
シフト層の上のブロック層のマスクと、位相シフト層よ
りも寸法の狭いクロム・ブロック層とを示している。
【０００８】レヴェンソン（Levenson）他の論文"Impro
ving Resolution in Photolithography with a Phase-S
hifting Mask", IEEE Transactions on Electron Devic
es,Vol.ED-29, No.12, pp.1828-1836(1982年12月)は、
交互要素位相シフトを記載している。
【０００９】米国特許第５０４５４１７号明細書は、
（その図１２に）金属層（３）で覆われた合成石英ガラ
ス基板（２）を示している（第１３欄の２８−６２行目
に実施例４として記載）。石英ガラス中に、金属層
（３）中の開口に隣接して、深さ（ｄ）の位相シフト溝
（７ｂ）が示されている。
【００１０】位相シフト修復層を提供することが、同時
係属の特願平５−２０９５９号明細書に記載されてい
る。さらに、位相シフタを基板１０に接触させると、界
面における多数の反射が減少する。
【００１１】位相シフタをベースとする（ＳＢ）ＲＩＭ
位相シフト（ＰＳ）マスクを製造する３つの方法が、同
時係属の特願平５−８４３９７号明細書に記載されてい
る。
【００１２】Ｍ．Ｄ．レヴェンソン、Ｎ．Ｓ．ヴィスワ
ナタン（Viswanathan）、Ｒ．Ａ．シンプソン（Simpso
n）のIEEE Transactions on Electron Devices, Vol.ED
-29,p.1828（1982年）に所載の論文の交代要素位相シフ
ト・マスク（ＰＳＭ）は、所与の光学式撮像システムの
解像度を２倍にできる可能性がある。これは、稠密充填
構造用の最も有効なＰＳＭである。その等焦点特性も非
常に望ましい。Ｂ．Ｊ．リン（Lin）,SPIE Proceeding
s, Vol.1496, p.54(1990年)を参照のこと。しかし、マ
スク内の充填が可変であるときは、この交代要素ＰＳＭ
は余り有効でない。その上、分離した開口や不透明なパ
ターン特徴部上ではうまく働かない。
【００１３】リムＰＳＭは、前記のナカガワ他の論文に
記載されている。リムＰＳＭは任意のマスク・パターン
上で働くが、稠密充填パターンの場合には僅かしか改善
が得られない。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、位相シ
フト・マスクは、リム位相シフタと逆リム位相シフタか
らなる。吸収性ブロッカが存在する事が望ましいが、隔
離された元々狭い吸収材の線の場合にはこの吸収性ブロ
ッカを取り除くことが好ましい。逆リム位相シフタを、
正リム位相シフタと交互に配置することができる。正リ
ム位相シフタと逆リム位相シフタは交換できる。この装
置は、マスク基板上の個々の位相シフタ層上の吸収層か
らなる形で、あるいはマスク基板上の吸収材層からなる
形で作成することができる。３６０度の位相シフトを、
マスク基板上の２つの異なる位相シフタ層上の吸収材層
からなる０度及び１８０度の位相シフトと組み合わせて
使用することが好ましい。異なる位相シフタ層１８の一
方をマスク基板と類似の材料とすることが好ましい。こ
の装置は、マスク基板上の吸収材層上の吸収材エッチ・
マスク層からなる基板上に作成することができる。
【００１５】ＡＬＲＩＭ（alternating-element RIM）
ＰＳＭは、一定の寸法変化で調整されたパターンを有す
ることができる。この寸法変化は個別に調整でき、本願
発明のパターン特徴部を形成するものではない。
【００１６】本発明の別の態様によれば、位相シフト・
マスク製造工程は、 ａ．２段レジスト露光 ｂ．１回目の現像後にレジストでマスクされた吸収材の
選択的除去 ｃ．吸収材でマスクされた位相シフタの選択的除去 ｄ．２回目の現像後にレジストでマスクされた吸収材の
再度の選択的除去の各ステップを含む。
【００１７】別法では、位相シフト・マスク製造工程
は、 ａ．Ｔ字形エッチ・マスク構造の形成 ｂ．Ｔ字形構造による全正リム位相シフタの画定 ｃ．第２と第３の位置合せ済みレジスト・イメージによ
る逆リム位相シフタの画定の各ステップを含む。
【００１８】もう１つの別法では、位相シフト・マスク
製造工程は、 ａ．すべてのパターン特徴部を正リム位相シフタの形で
製造するための標準工程 ｂ．エッチングすべき逆リム領域を画定するための新し
いレジスト上での第２の位置合せ露光の各ステップを含
む。
【００１９】位相シフト・マスク製造工程はまた、 ａ．２段露光工程 ｂ．第１の現像レジスト・イメージでマスクされた吸収
材エッチ・マスク層の選択的エッチング ｃ．２回目のレジスト現像 ｄ．吸収材エッチ・マスクでマスクされた吸収材の選択
的エッチング ｅ．第２のレジスト・イメージでマスクされた吸収材エ
ッチ・マスクの選択的エッチング ｆ．吸収材エッチ・マスクでマスクされた吸収材の２回
目の選択的エッチングの各ステップを含むこともでき
る。
【００２０】本発明による位相シフト・マスク製造工程
は、 ａ．Ｔ字形エッチ・マスク構造の形成 ｂ．Ｔ字形構造の頂部でマスクされた吸収材エッチ・マ
スク材の選択的エッチング ｃ．Ｔ字形構造の頂部の除去 ｄ．吸収材エッチ・マスクでマスクされた吸収材の選択
的エッチング ｅ．Ｔ字形構造の底部でマスクされた吸収材エッチ・マ
スクの選択的エッチング ｆ．吸収材エッチ・マスクでマスクされた吸収材の２回
目の選択的エッチングの各ステップを含む。
【００２１】ＡＬＲＩＭ位相シフト・マスクを使用した
ウェハ・イメージ形成工程は、リム位相シフタと逆リム
位相シフタからなる。マスクが吸収性ブロッカを含み、
隔離された元々狭い吸収材の線の場合はこの吸収性ブロ
ッカを除去することが好ましい。逆リム位相シフタを正
リム位相シフタと交互に配置することが好ましい。正リ
ム位相シフタと逆リム位相シフタは交換できる。
【００２２】
【実施例】図１に、本発明の位相シフト・マスクの上面
図を示す。図１は、正リムと逆リムをどのように配置す
ると、位相シフト・マスクが構成されるかを明示するた
めのものである。位相シフト・マスクは、高密度要素
と、高密度グループから突き出した要素と、分離した開
口と、分離した大型パターン特徴部と、分離した小型パ
ターン特徴部とからなる。図２は、図１の線１Ｂ−１Ｂ
で切断した断面図である。
【００２３】本発明者等は、正リムと逆リムを交互に配
置して交互リム位相シフト・マスク（以下ではＡＬＲＩ
Ｍ ＰＳＭと呼ぶ）とすると有利なことを発見した。こ
のマスクでは、マスク中のあらゆるパターンが位相シフ
ト・リムからなり、隣接するパターンのシフト領域と非
シフト領域の位相が逆になっている。非常に小型の不透
明なパターン特徴部では、吸収材を完全に除去してリム
を残すことができ、このリム全体が不透明なパターンに
なる。不透明なパターン特徴部の幅が狭い場合、吸収材
がなくてもこの特徴部により位相シフトされた光と特徴
部の外側領域からの位相シフトされない光との干渉が中
央部にまで及ぶため、中央部で光が相殺されて吸収材が
無くても実質上不透明なパターンになる。
【００２４】本発明は、一つ置きの開口中でリムとその
主パターンを逆にすることにより、両方のＰＳＭシステ
ムの利点を兼ね併せるものである。その一例を図１と図
２に示してある。石英基板１０は、パターン付けした位
相シフタ材料１１で被覆されている。位相シフタ材料１
１の上面のいくつかの場所にクロム層１２がある。石英
基板１０まで達するすべての開口は、図１及び図２に示
すように、クロム層１２を超えて延びる位相シフタ材料
１１のリム（境界）で囲まれているが、一つ置きの開口
でリムの位相が逆になっており、図２の断面図に示すよ
うに主パターンも同様である。隣接する開口が互いに十
分に離れていて、それらの回折パターンが互いに干渉し
ないときだけは、位相を逆にする必要がない。図１及び
図２で、２つ以外のすべての開口は、その周囲のリムが
規則的に１８０度位相シフトしている。第２のバー１４
と第４のバー１６では、リムは０度にあるが、開口内部
が１８０度シフトして、他の場所の正リム位相シフトと
は丁度逆になっている。これらのリムを逆リムと呼ぶ。
要素１８は、分離した小型の暗色イメージの状況を示し
ている。この要素は、狭い位相シフタだけからなり、他
のものは何も含まない。要素１８には、リム１１で囲ま
れた要素１２のような位相シフタ内の吸収ブロッカは必
要でない。
【００２５】図３ないし図７に、交互リムＰＳＭの断面
の一例を示す。図３では、規則的な位相シフトされたリ
ムが周囲にある。
【００２６】図３ないし図７は、選択した基板と製造工
程に応じた可能な位相シフト・マスク断面の分類を示
す。
【００２７】図３は図２と同じであり、石英基板１０の
上に別個の位相シフタ層１１を使用している。製造時に
必要と考えられる場合、１１と１２の間に追加の薄いエ
ッチ・ストップ層を配置することができる。
【００２８】図４は、余分の位相シフタ層が不要な点以
外は図３と同じ断面図である。位相シフトは、図では単
一石英基板として示してある石英層中の場所ごとの厚さ
の違いによって生じる。この場合、位置２４での相対位
相シフトをゼロとすると、位置２２及び２５での位相シ
フトは１８０度である。追加のＰＳ（位相シフト）層な
しでＰＳＭを作成するときの可能な断面が図４に示して
ある。この場合、石英をエッチして、クロム層１２の下
に石英基板１０中のトレンチ２４に隣接して位相シフト
構造のリム２２を作成してある。
【００２９】図５は、図４で使用した単層食刻構造の続
きであるが、逆リム領域で位相シフトをゼロに戻すため
に３６０度のステップが作成してある。位相シフトは、
図５に示すように＋１８０度に−１８０度を加えること
によって達成できる。図５では、メサ２５の代りに石英
のトレンチ２６がある。
【００３０】図６は、図５と同じ３６０度の原理を使用
しているが、基板内で多層位相シフタを使用している。
単一の石英片中のステップ高の差によって位相を生成す
る代りに、石英基板の上に２つの別個の位相シフタ層を
使用している。各位相シフタ層を選択的に除去すると、
０度、１８０度、３６０度の局部的位相シフトが生じ
る。
【００３１】図７では、図４の０度及び１８０度位相シ
フトした領域が逆になっている。リムの逆転は、図７に
示すもう１組の開口上で開始することができる。本発明
の趣旨に沿った他の多数の変形が可能である。
【００３２】マスク上のすべてのパターン特徴部用の大
型の共通露出脱焦点（ＥＤ）ウィンドウを作成するに
は、それらのパターン特徴部をマスク上の一定の差分寸
法だけ異なる寸法にバイアスさせて、ウェハ上に所望の
イメージ寸法を画定することができる。たとえば、開口
をイメージ開口より０．１〜０．２λ／ＮＡ大きくする
（λは波長）ことが通常は有利である。リム幅は、すで
にバイアスされた開口の外側にやはり０．１〜０．２λ
／ＮＡ程度である。
【００３３】ＥＤウィンドウをさらに拡大するため、マ
スクの近接環境、すなわち、パターン特徴部の寸法、形
状、他のパターン特徴部との近接性に従ってバイアスを
変化させ、同じマスク上で異なるバイアスにすることが
できる。また、図１の要素１８などの小型の不透明なパ
ターン特徴部の場合は、マスク吸収材を全く除去するこ
とも好都合である。そうすると、これらのパターン特徴
部は、その背景に対して１８０度の位相シフタまたは非
位相シフタのみからなる。
【００３４】可能な製造工程では、図８ないし図１０に
示すように米国特許出願第０７／８７２７８１号に教示
されているグレイ・レベル露光技法を使用する。
【００３５】図８を参照すると、フォトレジストが３つ
の異なるレベルに露光され現像されている。レジストの
完全に露光された部分は、１回目のレジスト現像で現像
される開口３０の形のイメージを提供する。この現像
で、クロム吸収材１２と位相シフタ層３４の一部分の表
面が（それぞれ図８及び図９に示すように）開き、エッ
チングできるようになる。２つの大きな部分露光領域３
１'の中心にある逆リムが、このエッチングで同時に画
定できる。イメージ開口３０の両側に未露光のレジスト
３２が示されている。レジスト・イメージが開口３０を
提供する場所で吸収材１２がエッチングによって除去さ
れる。
【００３６】図９に、クロム層（Ｃｒ）と位相シフタ
（ＰＳ）のエッチングと、２回目のレジスト現像ステッ
プの後の図８の生成物を示す。図９では、３１'の部分
露光レジストの２回目のレジスト現像で、正リム領域３
１及び逆リム領域主開口３１'中の吸収材が露呈され、
エッチングできるようになる。（すなわち、部分露光レ
ジスト３１'が除去されて、その下のクロム吸収材１２
が露呈される。）この完全露光と部分露光は１回または
複数回で実行できるが、位置合せは不要である。
【００３７】図１０は、未露光のレジスト３２をマスク
として使用した吸収材１２の２回目のＣｒエッチング
と、それに続く未露光レジスト３２の除去からなる第１
ステップの後の図９の生成物を示す。残っている吸収材
１２は未露光レジスト３２で覆われたものだけであるこ
とは明らかである。様々な構造が開口３０の両側にリム
を有している。
【００３８】交互ＲＩＭ ＰＳＭ（位相シフト・マス
ク）を備えるマスクを製造するもう１つの方法を図１１
ないし図１４に示す。特願平５ー８４３９７号に記載の
自己位置合せ式リム画定法の１つを利用して、すべての
開口３５を正リムを有するようにパターン付けする。逆
リム領域を有する開口３６はまだ画定されていない。２
回目の位置合せ露光で逆リムが画定される。３回目の露
光は位置合せの精度が低くてよいため、逆リム領域の主
開口中の望ましくない吸収材が除去しやすい。
【００３９】図１１には、２層レジスト・イメージとす
ることのできる自己位置合せ式リム構造３８を示す。図
８と類似の部分は、同じ番号をつけてあり、類似の材料
から構成される。図１１はＭＬＲ現像され、図９に示す
ような自己位置合せ式エッチングを施せる状態にある。
【００４０】図１２の完成した正リム３９は、Ｔ字形構
造３８の頂部を使って位相シフタ層３４のエッチングを
マスクし、Ｔ字形構造の頂部を除去し、次にＴ字形構造
の基部を使って吸収材層１２のエッチングをマスクする
ことによって製造する。その後、マスク上に第２のレジ
スト層３７を被覆する。第２のレジスト層３７中に開口
４０を有する、露光され現像されたレジスト・イメージ
を図１２に示す。
【００４１】図１３は、吸収材１２の選択的除去、それ
に続く第２のレジスト層３７の位置３６での選択的除
去、次いで吸収材開口４０'でマスクされた位相シフタ
３４の選択的除去を示す。
【００４２】図１４は、開口３６中の吸収材１２を（エ
ッチングによって）除去した後の、完成した位相シフト
・マスクを示す。この場合は、図１３で第２レジスト層
３７を追加する前に露光した吸収材１２の残り部分をマ
スク３７が保護している。
【００４３】さらに別の製造工程を図１５ないし図１７
に示す。すべての開口が既知のいずれかのリム製造技法
で画定されている。その後、２回目の位置合せ露光で逆
領域を作成し、それに開口を設けると、リム及び主開口
をエッチングによって１８０度の位相変化での厚さだけ
掘り下げることができる。
【００４４】特願平５−８４３９７号で使用される吸収
材用の薄い無機エッチ・マスクがＡＬＲＩＭにも応用で
きる。その用途は、主として、吸収材とそれよりずっと
厚い位相シフタを画定する作業を、レジスト・イメージ
には手を触れないで薄い２つの層のみを画定する作業に
還元することである。
【００４５】ここで図８ないし図１０に示した２段（グ
レイ・レベル）露光法を使用して、リム領域中のレジス
ト３１'だけが部分露光を受けている点を除き、図１５
に示した概念を教示する。この露光済みレジストは、図
８では部分露光レジストが残っていた所に開口５１を残
している。
【００４６】図１６は、その結果得られる規則的リム構
造を示す。
【００４７】図１７は、２回目のレジスト被覆（図示せ
ず）と位置合せ露光及びそれに続くレジスト現像と第２
のレジスト・イメージでマスクした位相シフタのエッチ
ングにより、逆リム領域に開口を設けた結果を示す。
【００４８】図１８は、１回目のレジスト現像で完全露
光レジストをすべて除去し、部分露光レジストと未露光
レジストはマスク上に残した後のレジスト・イメージを
示す。基板１０は、クロムから構成される吸収材層６１
で被覆され、それがアルミニウムから構成される吸収材
エッチ・マスク層６２で被覆され、それがレジスト層６
３で被覆されている。レジスト層６３の一部は未露光レ
ジスト６４（図面では斜線で示してない）であり、一部
は部分露光レジスト６５（図面では斜線で示す）であ
る。完全露光したレジストは現像によって除去されて、
吸収材エッチ・マスク層６２にまで達する開口７０が残
っている。
【００４９】図１９では、レジスト層を吸収材エッチ・
マスク層用のエッチ・マスクとして使用し、吸収材エッ
チ・マスク層を使用して、レジストの現像特性を交互に
せずに吸収材のエッチングをマスクする。吸収材エッチ
・マスク層６２のエッチング時にも吸収材層６１のエッ
チング時にもレジスト層６３をマスクとして使って、石
英から構成される基板にまで延びる開口７０を設ける。
基板１０は吸収材エッチ・マスク層６２と吸収材層６１
用のエッチャントでエッチされない。
【００５０】図２０は、２回目の現像とそれに続く吸収
材エッチ・マスク層のエッチング及び位相シフタ層のエ
ッチングの後のレジスト・イメージを示す。吸収材エッ
チ・マスク層用のエッチ・マスクは未露光のレジスト・
イメージであり、位相シフタ層用のエッチ・マスクは吸
収材イメージである。
【００５１】図２１では、リムの所にある吸収材が、吸
収材エッチ・マスク・イメージの作成によって除去され
る。次いで、レジストと吸収材エッチ・マスクを除去す
ると、ＡＬＲＩＭ製造工程は完了する。
【００５２】本発明を上記の実施例に関して説明してき
たが、当業者なら頭記の特許請求の範囲の趣旨及び範囲
内で修正を加えて本発明を実施できることを理解するで
あろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】高密度要素と、高密度グループから突き出した
要素と、分離した開口と、分離した大型パターン特徴部
と、分離した小型パターン特徴部とからなる交互要素リ
ム位相シフト・マスク（ＡＬＲＩＭ ＰＳＭ）の、リム
と逆リムをどのように配置して位相シフト・マスクを構
成するかの実例を示すための、上面図である。
【図２】図１の線１Ｂ−１Ｂに沿った断面図である。
【図３】様々な基板と製造工程を使用した１群の位相シ
フト・マスクの１つで、図２と同じ、石英基板の上に別
個の位相シフタ層を使用するものの断面図である。
【図４】様々な基板と製造工程を使用した１群の位相シ
フト・マスクの１つで、単一の石英基板を使用し、その
厚さの差によって所望の位相ずれが発生するものの断面
図である。
【図５】様々な基板と製造工程を使用した１群の位相シ
フト・マスクの１つで、図４で使用される単一層の基板
の続きであるが、逆リム領域で位相ずれが０度に戻るよ
うに３６０度のステップを作成したものの断面図であ
る。
【図６】様々な基板と製造工程を使用した１群の位相シ
フト・マスクの１つで、図５と同じ３６０度の原理を使
用するが、基層内に多数位相シフタ層を使用するものの
断面図である。
【図７】様々な基板と製造工程を使用した１群の位相シ
フト・マスクの１つで、図４の０度及び１８０度位相シ
フト領域を反転したものの断面図である。
【図８】グレイ・レベル露光技法を使用した本発明によ
る可能な製造工程を示す図である。
【図９】グレイ・レベル露光技法を使用した本発明によ
る可能な製造工程を示す図である。
【図１０】グレイ・レベル露光技法を使用した本発明に
よる可能な製造工程を示す図である。
【図１１】自己位置合せリム画定法を使ってマスク開口
に正リムを備えるすべての開口をパターン化することを
含む、交互リムＰＡＭ（位相シフト・マスク）を備えた
マスクを製造する別の工程を示す図である。
【図１２】自己位置合せリム画定法を使ってマスク開口
に正リムを備えるすべての開口をパターン化することを
含む、交互リムＰＡＭ（位相シフト・マスク）を備えた
マスクを製造する別の工程を示す図である。
【図１３】自己位置合せリム画定法を使ってマスク開口
に正リムを備えるすべての開口をパターン化することを
含む、交互リムＰＡＭ（位相シフト・マスク）を備えた
マスクを製造する別の工程を示す図である。
【図１４】自己位置合せリム画定法を使ってマスク開口
に正リムを備えるすべての開口をパターン化することを
含む、交互リムＰＡＭ（位相シフト・マスク）を備えた
マスクを製造する別の工程を示す図である。
【図１５】リム領域内のレジストだけが部分露光され
る、図８ないし１０に示した２段（グレイ・レベル）露
光法の変形を示す図である。
【図１６】リム領域内のレジストだけが部分露光され
る、図８ないし１０に示した２段（グレイ・レベル）露
光法の変形を示す図である。
【図１７】リム領域内のレジストだけが部分露光され
た、図８ないし１０に示した２段（グレイ・レベル）露
光法の変形を示す図である。
【図１８】図４に示した構造を製造するために吸収材エ
ッチ・マスク層と組み合わせたグレイ・レベル露光技法
を示す図である。
【図１９】図４に示した構造を製造するために吸収材エ
ッチ・マスク層と組み合わせたグレイ・レベル露光技法
を示す図である。
【図２０】図４に示した構造を製造するために吸収材エ
ッチ・マスク層と組み合わせたグレイ・レベル露光技法
を示す図である。
【図２１】図４に示した構造を製造するために吸収材エ
ッチ・マスク層と組み合わせたグレイ・レベル露光技法
を示す図である。
【符号の説明】
１０ 石英基板 １１ 位相シフタ材料 １２ クロム層 ２２ リム ２４ トレンチ ２５ メサ ２６ トレンチ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−147142（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−55857（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−172845（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−42154（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−242648（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−172844（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−274238（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−68351（ＪＰ，Ａ)

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】放射線吸収材のマスクで囲まれた位相シフ
    タ領域及び該位相シフタ領域に囲まれた開口より成る正
    リム位相シフタ、並びに放射線吸収材のマスクで囲まれ
    た開口及び該開口内に該吸収材のマスクと間隔を置いて
    配置された位相シフタより成る逆リム位相シフタが、前
    記開口間の間隔が狭いところで交互に配置されて成る位
    相シフト・マスク。
  2. 【請求項２】個々の位相シフタがマスク基板上に形成さ
    れ、吸収材のマスクが正リム位相シフタの個々の位相シ
    フタ上に前記位相シフタ領域を残して形成された、請求
    項１に記載の位相シフト・マスク。
  3. 【請求項３】個々の位相シフタがマスク基板の一部とし
    て一体的に形成されて成る、請求項１に記載の位相シフ
    ト・マスク。
  4. 【請求項４】吸収材のマスクが正リム位相シフタの個々
    の位相シフタ上に前記位相シフタ領域を残して形成され
    た、請求項３に記載の位相シフト・マスク。
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