JPH07234498A - 位相シフトマスク - Google Patents
位相シフトマスクInfo
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- JPH07234498A JPH07234498A JP2648494A JP2648494A JPH07234498A JP H07234498 A JPH07234498 A JP H07234498A JP 2648494 A JP2648494 A JP 2648494A JP 2648494 A JP2648494 A JP 2648494A JP H07234498 A JPH07234498 A JP H07234498A
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- Japan
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- light
- semi
- phase shift
- light transmitting
- shielding
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- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半遮光部と光透過部とを備える位相シフトマ
スクについて、近接効果によるサブピークを低減して、
プロセスの余裕度を高め、実用化が容易な位相シフトマ
スクを提供する。 【構成】 半遮光部１１と、第１の光透過部３Ａと、該
第１の光透過部３Ａと半遮光部１１を介して隣り合う第
２の光透過部３Ｂとを備え、上記第１の光透過部３Ａと
第２の光透過部３Ｂとは、互いに位相を異ならしめて透
過光を透過させる。
スクについて、近接効果によるサブピークを低減して、
プロセスの余裕度を高め、実用化が容易な位相シフトマ
スクを提供する。 【構成】 半遮光部１１と、第１の光透過部３Ａと、該
第１の光透過部３Ａと半遮光部１１を介して隣り合う第
２の光透過部３Ｂとを備え、上記第１の光透過部３Ａと
第２の光透過部３Ｂとは、互いに位相を異ならしめて透
過光を透過させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、位相シフトマスクに関
する。本発明は、例えば、露光光を透過して露光を行う
露光用マスクとして利用することができる。
する。本発明は、例えば、露光光を透過して露光を行う
露光用マスクとして利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、光透過部と、半遮光部とを備
えた位相シフトマスクが知られている。この種のもの
は、ハーフトーン型位相シフトマスクと称されている。
この種の位相シフトマスクは、通常、光透過部をなす開
口部と、若干の光透過率を持つ半遮光部とから成り、こ
の２つの部分の透過光には１８０°の位相差が与えられ
るように、シフターが設けられている。こうして位相の
異なる光の干渉効果により解像度を向上するとともに、
開口部以外の透過率を数〜数十％におさえることで、こ
の部分の解像もしくはレジストの膜減りを防いでいる。
えた位相シフトマスクが知られている。この種のもの
は、ハーフトーン型位相シフトマスクと称されている。
この種の位相シフトマスクは、通常、光透過部をなす開
口部と、若干の光透過率を持つ半遮光部とから成り、こ
の２つの部分の透過光には１８０°の位相差が与えられ
るように、シフターが設けられている。こうして位相の
異なる光の干渉効果により解像度を向上するとともに、
開口部以外の透過率を数〜数十％におさえることで、こ
の部分の解像もしくはレジストの膜減りを防いでいる。
【０００３】ところが従来のこのようなハーフトーン型
位相シフトマスクでは、２つ以上のパターンが接近した
場合、回析光が干渉して光強度が解像限界以上になる部
分が出現する。即ち、従来の一般的なハーフトーン型位
相シフトマスクの構造を図５（平面）及び図６（断面）
に示すが、これは、ホールパターン用であれば、透明基
板１である石英基板上の全面に形成された半遮光膜（ハ
ーフトーン膜）１ａとその下（もしくは上）に形成され
るシフター部２ａから成る半遮光部１１と、ハーフトー
ン半透過部もシフターもない光透過部１０ａ，１０ｂで
ある開口部で構成されている。この構造では、前記した
ように近接効果により高強度の部分ができる。即ち図７
に示すとおり、光透過部１０ａ，１０ｂからの光分布で
ある光ピーク１０Ａ，１０Ｂの間に、ないことが望まし
いピーク（サブピーク１０Ｃ）が発生してしまう。これ
はハーフトーン型位相シフトマスクの実用化の大きな障
害となっている。
位相シフトマスクでは、２つ以上のパターンが接近した
場合、回析光が干渉して光強度が解像限界以上になる部
分が出現する。即ち、従来の一般的なハーフトーン型位
相シフトマスクの構造を図５（平面）及び図６（断面）
に示すが、これは、ホールパターン用であれば、透明基
板１である石英基板上の全面に形成された半遮光膜（ハ
ーフトーン膜）１ａとその下（もしくは上）に形成され
るシフター部２ａから成る半遮光部１１と、ハーフトー
ン半透過部もシフターもない光透過部１０ａ，１０ｂで
ある開口部で構成されている。この構造では、前記した
ように近接効果により高強度の部分ができる。即ち図７
に示すとおり、光透過部１０ａ，１０ｂからの光分布で
ある光ピーク１０Ａ，１０Ｂの間に、ないことが望まし
いピーク（サブピーク１０Ｃ）が発生してしまう。これ
はハーフトーン型位相シフトマスクの実用化の大きな障
害となっている。
【０００４】なお図７は、ＴＲＥＰＴＯＮによるシミュ
レーション結果であるが、条件はＮＡ：０．４５、σ：
０．５のＡｒＦエキシマレーザ光源（λ＝２４８ｎｍ）
を使用した。ハーフトーンマスクのパラメータは半遮光
部１１であるハーフトーン部の透過率１０％、光透過部
１０ａ，１０ｂをなす開口部のサイズはウェハ上０．３
７μｍで、０．３μｍホールパターンの形成を前提とし
たものである。ホール間距離は中心間で１．０μｍであ
る（サイズは全てウェハ上のものである）。
レーション結果であるが、条件はＮＡ：０．４５、σ：
０．５のＡｒＦエキシマレーザ光源（λ＝２４８ｎｍ）
を使用した。ハーフトーンマスクのパラメータは半遮光
部１１であるハーフトーン部の透過率１０％、光透過部
１０ａ，１０ｂをなす開口部のサイズはウェハ上０．３
７μｍで、０．３μｍホールパターンの形成を前提とし
たものである。ホール間距離は中心間で１．０μｍであ
る（サイズは全てウェハ上のものである）。
【０００５】
【発明の目的】本発明は上記従来技術の問題点を解決し
て、半遮光部と光透過部とを備える位相シフトマスクに
ついて、近接効果によるサブピークを低減して、プロセ
スの余裕度を高め、もって実用化が容易な位相シフトマ
スクを提供することを目的とする。
て、半遮光部と光透過部とを備える位相シフトマスクに
ついて、近接効果によるサブピークを低減して、プロセ
スの余裕度を高め、もって実用化が容易な位相シフトマ
スクを提供することを目的とする。
【０００６】
【目的を達成するための手段】本出願の請求項１の発明
は、半遮光部と、第１の光透過部と、該第１の光透過部
と半遮光部を介して隣り合う第２の光透過部とを備え、
上記第１の光透過部と第２の光透過部とは、互いに位相
を異ならしめて透過光を透過させることを特徴とする位
相シフトマスクであって、これにより上記目的を達成す
るものである。
は、半遮光部と、第１の光透過部と、該第１の光透過部
と半遮光部を介して隣り合う第２の光透過部とを備え、
上記第１の光透過部と第２の光透過部とは、互いに位相
を異ならしめて透過光を透過させることを特徴とする位
相シフトマスクであって、これにより上記目的を達成す
るものである。
【０００７】本出願の請求項２の発明は、前記半遮光部
は、第１または第２の光透過部のいずれかの周辺領域の
みにおいて、該第１または第２の光透過部とは互いに位
相を異ならしめて透過光を半透過させることを特徴とす
る請求項１に記載の位相シフトマスクであって、これに
より上記目的を達成するものである。
は、第１または第２の光透過部のいずれかの周辺領域の
みにおいて、該第１または第２の光透過部とは互いに位
相を異ならしめて透過光を半透過させることを特徴とす
る請求項１に記載の位相シフトマスクであって、これに
より上記目的を達成するものである。
【０００８】本出願の請求項３の発明は、上記位相差を
与える位相シフト部のエッジ部分の一部が、上記隣り合
う光透過部の中間に位置することを特徴とする請求項１
または２に記載の位相シフトマスクであって、これによ
り上記目的を達成するものである。
与える位相シフト部のエッジ部分の一部が、上記隣り合
う光透過部の中間に位置することを特徴とする請求項１
または２に記載の位相シフトマスクであって、これによ
り上記目的を達成するものである。
【０００９】本出願の各発明において、半遮光部とは、
その透過率が０％よりは大きいものを言うが、位相シフ
ト効果の面で、０％を超え３０％以下であることが良
い。実用的に好ましくは６％以上、１６％以下が良い。
あまり透過率が低いと、シフター光と透過光との間での
位相シフト効果が少なく、透過率が大きいと、遮光部の
レジストが解像してしまうからである。
その透過率が０％よりは大きいものを言うが、位相シフ
ト効果の面で、０％を超え３０％以下であることが良
い。実用的に好ましくは６％以上、１６％以下が良い。
あまり透過率が低いと、シフター光と透過光との間での
位相シフト効果が少なく、透過率が大きいと、遮光部の
レジストが解像してしまうからである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、半遮光部と、第１の光透過部
と、互いに隣り合う第１の光透過部と第２の光透過部と
は、互いに位相を異ならしめて透過光を透過させるもの
である結果、従来同位相で光を透過させる光透過部同士
について近接効果によるサブピークが発生したのに対
し、これを低減することができる。よって、プロセスの
余裕度を高めることができ、これにより実用化が容易な
位相シフトマスクを得ることができた。
と、互いに隣り合う第１の光透過部と第２の光透過部と
は、互いに位相を異ならしめて透過光を透過させるもの
である結果、従来同位相で光を透過させる光透過部同士
について近接効果によるサブピークが発生したのに対
し、これを低減することができる。よって、プロセスの
余裕度を高めることができ、これにより実用化が容易な
位相シフトマスクを得ることができた。
【００１１】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照して
説明する。但し当然のことではあるが、本発明は図示の
実施例により限定を受けるものではない。
説明する。但し当然のことではあるが、本発明は図示の
実施例により限定を受けるものではない。
【００１２】実施例１ この実施例は、図１（平面）及び図２（断面）に示すよ
うに、半遮光部１１（半遮光膜１ａであるハーフトーン
Ｃｒにより形成した）と、第１の光透過部３Ａと、この
第１の光透過部３Ａと半遮光部１１を介して隣り合う第
２の光透過部３Ｂとを備え、これら第１の光透過部３Ａ
と第２の光透過部３Ｂとは、互いに位相を異ならしめて
透過光を透過させる構成となっている。
うに、半遮光部１１（半遮光膜１ａであるハーフトーン
Ｃｒにより形成した）と、第１の光透過部３Ａと、この
第１の光透過部３Ａと半遮光部１１を介して隣り合う第
２の光透過部３Ｂとを備え、これら第１の光透過部３Ａ
と第２の光透過部３Ｂとは、互いに位相を異ならしめて
透過光を透過させる構成となっている。
【００１３】第１、第２の光透過部３Ａ，３Ｂの透過光
の位相を各々異ならしめるのは、本実施例においては、
一方の光透過部３Ｂ上には位相シフター部２を形成し、
他方の光透過部３Ａは基板を堀り込むことによった。
の位相を各々異ならしめるのは、本実施例においては、
一方の光透過部３Ｂ上には位相シフター部２を形成し、
他方の光透過部３Ａは基板を堀り込むことによった。
【００１４】また、本実施例における半遮光部１１は、
第１または第２の光透過部３Ａ，３Ｂのいずれかの周辺
のみにおいて、該第１または第２の光透過部３Ａ，３Ｂ
とは互いに位相を異ならしめて透過光を半透過させる構
成のものである。具体的には、第１の光透過部３Ａの周
囲のみにおいて、半遮光部１１にシフター部２が設けら
れている。第１の光透過部３Ａの周辺領域のみにおいて
半遮光部１１に形成されるシフター部２を、特に符号２
１をもって示す。
第１または第２の光透過部３Ａ，３Ｂのいずれかの周辺
のみにおいて、該第１または第２の光透過部３Ａ，３Ｂ
とは互いに位相を異ならしめて透過光を半透過させる構
成のものである。具体的には、第１の光透過部３Ａの周
囲のみにおいて、半遮光部１１にシフター部２が設けら
れている。第１の光透過部３Ａの周辺領域のみにおいて
半遮光部１１に形成されるシフター部２を、特に符号２
１をもって示す。
【００１５】また、上記位相差を与える位相シフト部
（シフター部）のエッジ部分の一部は、上記隣り合う光
透過部の中間に位置する。符号２Ａで示すとおりであ
る。
（シフター部）のエッジ部分の一部は、上記隣り合う光
透過部の中間に位置する。符号２Ａで示すとおりであ
る。
【００１６】本実施例のマスク（レチクル）の構造の詳
細を、更に説明する。本実施例においては、隣り合うホ
ールパターン用の光透過部３Ａ，３Ｂに、５４０°（実
質１８０°）の位相差を持たせる。一方の光透過部３Ａ
は従来構造と同様に、当該光透過部３Ａをなす開口部の
位相シフト量が半遮光部１１（ハーフトーンＣｒ部）を
基準にして３６０°で、周囲がハーフトーンかつ位相シ
フト量１８０°のシフター部２（２１）である。ただそ
のシフター部２（２１）は、範囲が限定されており、光
透過部３Ａを中心として、一辺が１μｍの正方形（ウェ
ハ上。マスク上では５：１の場合５μｍとなる）の範囲
となっている。
細を、更に説明する。本実施例においては、隣り合うホ
ールパターン用の光透過部３Ａ，３Ｂに、５４０°（実
質１８０°）の位相差を持たせる。一方の光透過部３Ａ
は従来構造と同様に、当該光透過部３Ａをなす開口部の
位相シフト量が半遮光部１１（ハーフトーンＣｒ部）を
基準にして３６０°で、周囲がハーフトーンかつ位相シ
フト量１８０°のシフター部２（２１）である。ただそ
のシフター部２（２１）は、範囲が限定されており、光
透過部３Ａを中心として、一辺が１μｍの正方形（ウェ
ハ上。マスク上では５：１の場合５μｍとなる）の範囲
となっている。
【００１７】この大きさは、ハーフトーン法でホールを
形成する時、透過光の回折によりサブピークが生じる大
きさであるが、これがホール中心から０．５μｍ前後に
できることから、この場合の距離を決めている。但し、
ＮＡやλで若干の変化はあるし、光透過部３Ａ，３Ｂの
中間に１辺がくることが望ましいため、その距離によっ
ても変わってくる。
形成する時、透過光の回折によりサブピークが生じる大
きさであるが、これがホール中心から０．５μｍ前後に
できることから、この場合の距離を決めている。但し、
ＮＡやλで若干の変化はあるし、光透過部３Ａ，３Ｂの
中間に１辺がくることが望ましいため、その距離によっ
ても変わってくる。
【００１８】光透過部３Ｂの部分には、シフター部２が
形成される。この部分のシフター部を特に符号２２で示
す。よってこの部分は、１８０°の位相シフトとなる。
そのまわりの半遮光部（ハーフトーンＣｒ部）にはシフ
ターがないため、０°となる。そして光透過部３Ａの回
りのシフターのエッジ部分では、強度が０になるため、
サブピークが打ち消されることになる。
形成される。この部分のシフター部を特に符号２２で示
す。よってこの部分は、１８０°の位相シフトとなる。
そのまわりの半遮光部（ハーフトーンＣｒ部）にはシフ
ターがないため、０°となる。そして光透過部３Ａの回
りのシフターのエッジ部分では、強度が０になるため、
サブピークが打ち消されることになる。
【００１９】なお本実施例において、半遮光部１１にお
いて形成されるシフター部２１の材料はネガ型ＥＢレジ
ストとし、半遮光部１１を構成するハーフトーンＣｒ上
で１８０°位相反転をもたらす膜厚で形成した。光透過
部３Ｂのシフター部２２の材料は、ＳＯＧとし、半遮光
部（ハーフトーンＣｒ部）上で１８０°位相反転をもた
らす膜厚で形成した。更に詳細には、本実施例の半遮光
部（ハーフトーンＣｒ）が透過光の位相をシフトさせる
量ｘは、ｘ＝２０°であるので、半遮光部１１における
シフター部２１（即ち半遮光膜１ａであるハーフトーン
Ｃｒ上に形成するシフター部２１）は、該半遮光部１１
に比して透過光を１８０°位相シフトさせる膜厚で形成
し、かつ、第１の光透過部３Ａは、開口部（石英基板
１）を、透過光が３４０°位相シフトする量で掘り込
み、第２の光透過部３Ｂの方は、開口部（石英基板１）
に比して透過光を２００°位相シフトさせる膜厚で形成
する。この結果、第１の光透過部３Ａは、半遮光部１１
を透過した光（即ち半遮光膜１ａであるハーフトーンＣ
ｒを透過した光）に比して、−３４０−２０°つまり−
３６０°（＝０°）の位相シフト量になり、これによ
り、第２の光透過部は、同じく半遮光部１１を透過した
とき（ハーフトーンＣｒを透過した光）に比して、２０
０−２０°つまり１８０°の位相シフト量になるので、
両光透過部３Ａ，３Ｂを透過する光は、互いに位相反転
（位相シフト量１８０°）することになる。また、シフ
ター部２１を透過する光は、半遮光部１１を透過した光
に比して、１８０°位相シフトする。この結果、上述し
たように光透過部３Ａ，３Ｂ間に５４０°（実質１８０
°）の位相差をもたせた構造としたのである。
いて形成されるシフター部２１の材料はネガ型ＥＢレジ
ストとし、半遮光部１１を構成するハーフトーンＣｒ上
で１８０°位相反転をもたらす膜厚で形成した。光透過
部３Ｂのシフター部２２の材料は、ＳＯＧとし、半遮光
部（ハーフトーンＣｒ部）上で１８０°位相反転をもた
らす膜厚で形成した。更に詳細には、本実施例の半遮光
部（ハーフトーンＣｒ）が透過光の位相をシフトさせる
量ｘは、ｘ＝２０°であるので、半遮光部１１における
シフター部２１（即ち半遮光膜１ａであるハーフトーン
Ｃｒ上に形成するシフター部２１）は、該半遮光部１１
に比して透過光を１８０°位相シフトさせる膜厚で形成
し、かつ、第１の光透過部３Ａは、開口部（石英基板
１）を、透過光が３４０°位相シフトする量で掘り込
み、第２の光透過部３Ｂの方は、開口部（石英基板１）
に比して透過光を２００°位相シフトさせる膜厚で形成
する。この結果、第１の光透過部３Ａは、半遮光部１１
を透過した光（即ち半遮光膜１ａであるハーフトーンＣ
ｒを透過した光）に比して、−３４０−２０°つまり−
３６０°（＝０°）の位相シフト量になり、これによ
り、第２の光透過部は、同じく半遮光部１１を透過した
とき（ハーフトーンＣｒを透過した光）に比して、２０
０−２０°つまり１８０°の位相シフト量になるので、
両光透過部３Ａ，３Ｂを透過する光は、互いに位相反転
（位相シフト量１８０°）することになる。また、シフ
ター部２１を透過する光は、半遮光部１１を透過した光
に比して、１８０°位相シフトする。この結果、上述し
たように光透過部３Ａ，３Ｂ間に５４０°（実質１８０
°）の位相差をもたせた構造としたのである。
【００２０】このマスク（レチクル）を使用して露光し
た場合を図３に示す。光強度分布は３０Ａ，３０Ｂで示
すとおりであり、図７で見られたサブピークが消滅、正
確には減衰し、ホールパターン以外の部分は０．２以下
に抑えられている。ここで言う強度はマスク透過直前の
光強度を１．０として、相対的に表したものである。
た場合を図３に示す。光強度分布は３０Ａ，３０Ｂで示
すとおりであり、図７で見られたサブピークが消滅、正
確には減衰し、ホールパターン以外の部分は０．２以下
に抑えられている。ここで言う強度はマスク透過直前の
光強度を１．０として、相対的に表したものである。
【００２１】本実施例のマスク（レチクル）作成プロセ
スとしては、次のようなものを採用できる。
スとしては、次のようなものを採用できる。
【００２２】本実施例のマスクにおいては、半遮光膜１
ａ（ハーフトーンＣｒ）の部分を透過した光は、位相に
してｘ度進むとする（図２では具体的には、ｘ＝２０°
で示した）。まず通常の位相シフトマスクと同様に、Ｅ
Ｂ描画により遮光膜（ハーフトーンＣｒ）にホールパタ
ーンを形成した後、ＥＢレジストを剥離し、その後再度
ＥＢレジストを塗布し、第１の光透過部３Ａの基板部分
を、位相シフト量（３６０−ｘ）°に相当する分、エッ
チングする（掘り込む）。その後、ＥＢレジストを剥離
し、例えばＳＯＧを、半遮光膜１ａ（ハーフトーンＣ
ｒ）の部分に比して位相反転をもたらすｄ＝λ／２（ｎ
−１）×（１８０＋ｘ）／１８０の厚さに塗布し、その
上に再びＥＢレジストを塗布する。ここにシフターパタ
ーンを重ね合わせ描画し、現像後これをマスクにシフタ
ーとするＳＯＧをエッチングして、シフター部２２を形
成する。その後、ネガ型ＥＢレジストを１８０°の位相
差を与える厚さに塗布し、シフター部２１として残した
い部分を描画する。これを現像してレジストから成るシ
フター部２１を形成する。以上により、シフター部２
１，２２を有する本実施例のハーフトーン位相シフトマ
スクが得られた。
ａ（ハーフトーンＣｒ）の部分を透過した光は、位相に
してｘ度進むとする（図２では具体的には、ｘ＝２０°
で示した）。まず通常の位相シフトマスクと同様に、Ｅ
Ｂ描画により遮光膜（ハーフトーンＣｒ）にホールパタ
ーンを形成した後、ＥＢレジストを剥離し、その後再度
ＥＢレジストを塗布し、第１の光透過部３Ａの基板部分
を、位相シフト量（３６０−ｘ）°に相当する分、エッ
チングする（掘り込む）。その後、ＥＢレジストを剥離
し、例えばＳＯＧを、半遮光膜１ａ（ハーフトーンＣ
ｒ）の部分に比して位相反転をもたらすｄ＝λ／２（ｎ
−１）×（１８０＋ｘ）／１８０の厚さに塗布し、その
上に再びＥＢレジストを塗布する。ここにシフターパタ
ーンを重ね合わせ描画し、現像後これをマスクにシフタ
ーとするＳＯＧをエッチングして、シフター部２２を形
成する。その後、ネガ型ＥＢレジストを１８０°の位相
差を与える厚さに塗布し、シフター部２１として残した
い部分を描画する。これを現像してレジストから成るシ
フター部２１を形成する。以上により、シフター部２
１，２２を有する本実施例のハーフトーン位相シフトマ
スクが得られた。
【００２３】上記詳述したように、本実施例は、ハーフ
トーン型位相シフトマスクにおいて、隣接する開口パタ
ーンに１８０°の位相差を与える構造を有するものとし
たので、近接効果によるサブピークが低減でき、ハーフ
トーン位相シフト法のプロセスマージンが大きくなる。
トーン型位相シフトマスクにおいて、隣接する開口パタ
ーンに１８０°の位相差を与える構造を有するものとし
たので、近接効果によるサブピークが低減でき、ハーフ
トーン位相シフト法のプロセスマージンが大きくなる。
【００２４】特に本実施例は、マスクのハーフトーン部
の位相が、開口部の位相と１８０°異なる部分が、マス
クの１部分のみに限定されており、その部分が開口部の
周辺であるようにしたので、位相シフト効果が良好であ
る。
の位相が、開口部の位相と１８０°異なる部分が、マス
クの１部分のみに限定されており、その部分が開口部の
周辺であるようにしたので、位相シフト効果が良好であ
る。
【００２５】実施例２ この実施例の断面を、図４に示す。この実施例は、本発
明を単層ハーフトーン型位相シフトマスクであって、か
つ、掘り込み型のシフター部を有するマスクに適用した
ものである。
明を単層ハーフトーン型位相シフトマスクであって、か
つ、掘り込み型のシフター部を有するマスクに適用した
ものである。
【００２６】この実施例は、図４（断面）に示すよう
に、半遮光部１１（半遮光膜１ａであるハーフトーンＣ
ｒにより形成した）と、第１の光透過部３Ａと、この第
１の光透過部３Ａと半遮光部１１を介して隣り合う第２
の光透過部３Ｂとを備え、これら第１の光透過部３Ａと
第２の光透過部３Ｂとは、互いに位相を異ならしめて透
過光を透過させる構成となっている。
に、半遮光部１１（半遮光膜１ａであるハーフトーンＣ
ｒにより形成した）と、第１の光透過部３Ａと、この第
１の光透過部３Ａと半遮光部１１を介して隣り合う第２
の光透過部３Ｂとを備え、これら第１の光透過部３Ａと
第２の光透過部３Ｂとは、互いに位相を異ならしめて透
過光を透過させる構成となっている。
【００２７】第１、第２の光透過部３Ａ，３Ｂの透過光
の位相を各々異ならしめるのは、本実施例においては、
一方の光透過部３Ｂの部分の基板を掘り込んで、ここを
掘り込み型シフター部２３から成る位相シフター部２と
し、他方の光透過部３Ａにはこのようなシフター部は形
成しないことによった。
の位相を各々異ならしめるのは、本実施例においては、
一方の光透過部３Ｂの部分の基板を掘り込んで、ここを
掘り込み型シフター部２３から成る位相シフター部２と
し、他方の光透過部３Ａにはこのようなシフター部は形
成しないことによった。
【００２８】また、本実施例における半遮光部１１は、
第１または第２の光透過部３Ａ，３Ｂのいずれかの周辺
領域のみにおいて、該第１または第２の光透過部３Ａ，
３Ｂとは互いに位相を異ならしめて透過光を半透過させ
る構成のものである。具体的には、第２の光透過部３Ｂ
の周囲のみにおいて、半遮光部１１にシフター部２（レ
ジストシフター部２１）が設けられている。
第１または第２の光透過部３Ａ，３Ｂのいずれかの周辺
領域のみにおいて、該第１または第２の光透過部３Ａ，
３Ｂとは互いに位相を異ならしめて透過光を半透過させ
る構成のものである。具体的には、第２の光透過部３Ｂ
の周囲のみにおいて、半遮光部１１にシフター部２（レ
ジストシフター部２１）が設けられている。
【００２９】なお本実施例において、ハーフトーンＣｒ
から成る半遮光膜１ａは、位相を１８０°反転する厚さ
に形成され、よって、第１の光透過部３Ａの周囲も位相
反転部になるが、この第１の光透過部３Ａについては、
周辺領域のみでなく、周全域が位相反転部をなしてい
る。
から成る半遮光膜１ａは、位相を１８０°反転する厚さ
に形成され、よって、第１の光透過部３Ａの周囲も位相
反転部になるが、この第１の光透過部３Ａについては、
周辺領域のみでなく、周全域が位相反転部をなしてい
る。
【００３０】本実施例の位相シフトマスクは、次のよう
にして形成できる。まず単層ハーフトーンクロムにより
半遮光膜１ａを形成し、これを通常法によりエッチング
して光透過部３Ａ，３Ｂに対応する位置にホールパター
ンを形成する。次にポジ型レジストを塗布し、ＥＢ描画
により一部のホール部分のみを開口する。これをマスク
に、一方のホール部分、即ち第２の光透過部３Ｂに対応
する部分について、エッチングを行い、ここを掘り込む
ことによって、第１、第２の光透過部３Ａ，３Ｂ間に位
相差を形成する。さらにネガ型ＥＢレジストを塗布し、
残したい部分を描画する。これを現像することにより、
レジストシフター部２２を有する図４の位相シフトマス
クができあがる。
にして形成できる。まず単層ハーフトーンクロムにより
半遮光膜１ａを形成し、これを通常法によりエッチング
して光透過部３Ａ，３Ｂに対応する位置にホールパター
ンを形成する。次にポジ型レジストを塗布し、ＥＢ描画
により一部のホール部分のみを開口する。これをマスク
に、一方のホール部分、即ち第２の光透過部３Ｂに対応
する部分について、エッチングを行い、ここを掘り込む
ことによって、第１、第２の光透過部３Ａ，３Ｂ間に位
相差を形成する。さらにネガ型ＥＢレジストを塗布し、
残したい部分を描画する。これを現像することにより、
レジストシフター部２２を有する図４の位相シフトマス
クができあがる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、半遮光部と光透過部と
を備える位相シフトマスクについて、近接効果によるサ
ブピークを低減して、プロセスの余裕度を高めることが
できた。この結果、実用化が容易な位相シフトマスクを
提供することができた。
を備える位相シフトマスクについて、近接効果によるサ
ブピークを低減して、プロセスの余裕度を高めることが
できた。この結果、実用化が容易な位相シフトマスクを
提供することができた。
【図１】実施例１の位相シフトマスクを平面で示すもの
である。
である。
【図２】実施例１の位相シフトマスクを断面で示すもの
である。
である。
【図３】実施例１の光等高線を示すものである。
【図４】実施例２の位相シフトマスクを断面で示すもの
である。
である。
【図５】従来のハーフトーン型位相シフトマスクを平面
で示すものである。
で示すものである。
【図６】従来のハーフトーン型位相シフトマスクを断面
で示すものである。
で示すものである。
【図７】従来例の光等高線を示すものである。
１ 基板 ２ 位相シフトマスク部（シフター部） ２Ａ 位相シフトマスク部（シフター部）のエッジ ３Ａ 第１の光透過部 ３Ｂ 第２の光透過部 １１ 半遮光部 １ａ 半遮光膜（ハーフトーンＣｒ） ２１ レジストシフター部 ２２ ＳｉＯ2 シフター部 ２３ 掘り込み型シフター部
Claims (3)
- 【請求項１】半遮光部と、第１の光透過部と、該第１の
光透過部と半遮光部を介して隣り合う第２の光透過部と
を備え、 上記第１の光透過部と第２の光透過部とは、互いに位相
を異ならしめて透過光を透過させることを特徴とする位
相シフトマスク。 - 【請求項２】前記半遮光部は、第１または第２の光透過
部のいずれかの周辺領域のみにおいて、該第１または第
２の光透過部とは互いに位相を異ならしめて透過光を半
透過させることを特徴とする請求項１に記載の位相シフ
トマスク。 - 【請求項３】上記位相差を与える位相シフト部のエッジ
部分の一部が、上記隣り合う光透過部の中間に位置する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフト
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2648494A JPH07234498A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | 位相シフトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2648494A JPH07234498A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | 位相シフトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07234498A true JPH07234498A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12194781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2648494A Pending JPH07234498A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | 位相シフトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07234498A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005345920A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
-
1994
- 1994-02-24 JP JP2648494A patent/JPH07234498A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005345920A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JP4582574B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2010-11-17 | シャープ株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
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