JPH03156458A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH03156458A JPH03156458A JP1295610A JP29561089A JPH03156458A JP H03156458 A JPH03156458 A JP H03156458A JP 1295610 A JP1295610 A JP 1295610A JP 29561089 A JP29561089 A JP 29561089A JP H03156458 A JPH03156458 A JP H03156458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photomask
- patterns
- pair
- defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概 要］
フォトマスクに関し、
パターンの欠けによる欠陥をな（することを目的とし、
互いに反転対称なパターンを有する一対のガラス基板を
、互いのパターン面を重ねて貼り合わせるように構成す
る。
、互いのパターン面を重ねて貼り合わせるように構成す
る。
〔産業上の利用分野］
本発明はフォトマスクに関する。
半導体ＩＣは、フォトマスクのパターンを半導体ウェハ
に転写することによって形成されるため、フォトマスク
のパターンの欠陥はＩＣの歩留りを直接左右する。従っ
て、フォトマスクあるいはフォトマスクを作成するため
のレチクルには欠陥のないものが要求される。
に転写することによって形成されるため、フォトマスク
のパターンの欠陥はＩＣの歩留りを直接左右する。従っ
て、フォトマスクあるいはフォトマスクを作成するため
のレチクルには欠陥のないものが要求される。
〔従来の技術］
第２図に示したように、従来のフォトマスクはガラス基
板１１に金属膜あるいは金属酸化膜等の遮光性材料から
なるパターン１２が形成されたものであるが、通常種々
の欠陥を含んでいる。たとえば、同図中Ｘで示した欠陥
はフォトマスクを作成する際に用いた遮光性材料やレジ
ストの残滓あるいは外部から付着したゴミ等からなる異
物がパターンの形成されていないガラス基板１１上に付
着したものであるが、このような異物の付着したフォト
マスクにより半導体ウェハを露光した場合には本来露光
すべき領域が露光されないこととなる。また、同図中Ｙ
で示した欠陥は、ピンホール等のパターンの一部が欠け
たことによって生じたものであり、このような欠陥を含
むフォトマスクを使用した場合には半導体ウェハ上にお
いて本来露光されない領域が露光されることになる。
板１１に金属膜あるいは金属酸化膜等の遮光性材料から
なるパターン１２が形成されたものであるが、通常種々
の欠陥を含んでいる。たとえば、同図中Ｘで示した欠陥
はフォトマスクを作成する際に用いた遮光性材料やレジ
ストの残滓あるいは外部から付着したゴミ等からなる異
物がパターンの形成されていないガラス基板１１上に付
着したものであるが、このような異物の付着したフォト
マスクにより半導体ウェハを露光した場合には本来露光
すべき領域が露光されないこととなる。また、同図中Ｙ
で示した欠陥は、ピンホール等のパターンの一部が欠け
たことによって生じたものであり、このような欠陥を含
むフォトマスクを使用した場合には半導体ウェハ上にお
いて本来露光されない領域が露光されることになる。
以上述べた欠陥のうち、異物による欠陥Ｘは洗浄あるい
はレーザ照射等の手段によって比較的簡単に除去できる
。しかしながら、パターンの一部が欠けたことによって
生じた欠陥Ｙを修復することは容易でない。たとえば、
全面にレジスト膜を塗布してパターンの欠けた領域のみ
を選択的に露光し現像した後、欠陥領域に再び金属膜あ
るいは金属酸化膜を蒸着する等の方法が用いられるが、
このような方法はフォトマスクの作成工程を再び繰り返
すようなものであり多大の時間と労力を要する。
はレーザ照射等の手段によって比較的簡単に除去できる
。しかしながら、パターンの一部が欠けたことによって
生じた欠陥Ｙを修復することは容易でない。たとえば、
全面にレジスト膜を塗布してパターンの欠けた領域のみ
を選択的に露光し現像した後、欠陥領域に再び金属膜あ
るいは金属酸化膜を蒸着する等の方法が用いられるが、
このような方法はフォトマスクの作成工程を再び繰り返
すようなものであり多大の時間と労力を要する。
以上のように、フォトマスクの欠陥のうち、パターンの
一部が欠けたことによる欠陥に対しては有効な対策がな
く、従来はこのような欠陥を含んだままフォトマスクを
使用していた。
一部が欠けたことによる欠陥に対しては有効な対策がな
く、従来はこのような欠陥を含んだままフォトマスクを
使用していた。
そこで本発明は、パターンの欠けのないフォトマスクを
得ることを目的とする。
得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題の解決は、互いに反転対称なパターンを有する
一対のガラス基板を、互いのパターン面が重なるように
貼り合わせたことを特徴とするフォトマスクによって達
成される。
一対のガラス基板を、互いのパターン面が重なるように
貼り合わせたことを特徴とするフォトマスクによって達
成される。
〔作 用］
互いに反転対称な関係にあるパターンを有する一対のガ
ラス基板は互いのパターン面が一致するように重ね合わ
せることができる。一方、パターンの欠けによって生じ
た欠陥の存在箇所はガラス基板上において不規則な場所
に位置しているため、一対のガラス基板の各々のパター
ンに欠けによる欠陥が存在する場合にも、上述のように
重ね合わせたときに一対のガラス基板の欠陥箇所が一致
する確率は非常に小さい。従って、各々のガラス基板上
で欠けによって生じた欠陥は互いのパターンによって覆
われることになり、パターンの欠けによる欠陥のないフ
ォトマスクが得られることになる。
ラス基板は互いのパターン面が一致するように重ね合わ
せることができる。一方、パターンの欠けによって生じ
た欠陥の存在箇所はガラス基板上において不規則な場所
に位置しているため、一対のガラス基板の各々のパター
ンに欠けによる欠陥が存在する場合にも、上述のように
重ね合わせたときに一対のガラス基板の欠陥箇所が一致
する確率は非常に小さい。従って、各々のガラス基板上
で欠けによって生じた欠陥は互いのパターンによって覆
われることになり、パターンの欠けによる欠陥のないフ
ォトマスクが得られることになる。
以下、第１図を参照して本発明の実施例について説明す
る。
る。
同図（ａ−１） 、（ａ−２）は、ガラス基板ｌａ上に
堆積されたクロム、膜を選択的にエツチング除去してネ
ガ型のクロム膜パターン２ａを形成したものの平面図及
び断面図を示している。このパターン作成工程において
クロム膜パターン２ａにはしばしば同図に示したような
パターンの欠けによる欠陥、たとえばピンホール３ａが
生じる。このようなピンホールは、たとえばクロム膜の
選択エツチングのマスクとして用いられるレジストの欠
陥等の様々な原因によって生じるものであり、パターン
作成工程毎に異なった不規則な位置に現れ、これを完全
に解消することは一般には不可能である。同図（ｂ−１
）、（ｂ−２）は、同様な方法で別のガラス基板ｌｂ上
のクロム膜に同図（ａ−１） 、（ａ−２）に示したも
のとは反転対称なりロム膜パターン２ｂを形成したもの
である。しかしこの上に生じたピンホール３ｂは、般に
は同図（ａ−１） 、（ａ−２）に示したピンホール３
ａとは関連のない位置に生じる。
堆積されたクロム、膜を選択的にエツチング除去してネ
ガ型のクロム膜パターン２ａを形成したものの平面図及
び断面図を示している。このパターン作成工程において
クロム膜パターン２ａにはしばしば同図に示したような
パターンの欠けによる欠陥、たとえばピンホール３ａが
生じる。このようなピンホールは、たとえばクロム膜の
選択エツチングのマスクとして用いられるレジストの欠
陥等の様々な原因によって生じるものであり、パターン
作成工程毎に異なった不規則な位置に現れ、これを完全
に解消することは一般には不可能である。同図（ｂ−１
）、（ｂ−２）は、同様な方法で別のガラス基板ｌｂ上
のクロム膜に同図（ａ−１） 、（ａ−２）に示したも
のとは反転対称なりロム膜パターン２ｂを形成したもの
である。しかしこの上に生じたピンホール３ｂは、般に
は同図（ａ−１） 、（ａ−２）に示したピンホール３
ａとは関連のない位置に生じる。
上記一対のガラス基板１ａ、 ｌｂのクロム膜パターン
２ａ、２ｂは互いに反転対称となるように形成している
。従って、同図（ｃ−１） 、（ｃ−２）に示すように
互いのクロム膜パターンが重なるように貼り合わせるこ
とができ、この場合ピンホール３ａ、 ３ｂの位置は一
般には一致しない。従って、一方のガラス基板上のピン
ホールは他方のガラス基板上のクロム膜パターンで覆わ
れることになり、これによってピンホールのないフォト
マスクを得ることができる。一対のガラス基板１ａ、１
ｂはそれらの端部において接着材（図示せず）を介して
貼り合わせることができる。
２ａ、２ｂは互いに反転対称となるように形成している
。従って、同図（ｃ−１） 、（ｃ−２）に示すように
互いのクロム膜パターンが重なるように貼り合わせるこ
とができ、この場合ピンホール３ａ、 ３ｂの位置は一
般には一致しない。従って、一方のガラス基板上のピン
ホールは他方のガラス基板上のクロム膜パターンで覆わ
れることになり、これによってピンホールのないフォト
マスクを得ることができる。一対のガラス基板１ａ、１
ｂはそれらの端部において接着材（図示せず）を介して
貼り合わせることができる。
さらに上記構成では、ガラス基板はパターン面を上下か
らはさんでペリクルの機能を果たしてぃるとともにパタ
ーン面を外部雰囲気から保護する役割をも果たしている
。
らはさんでペリクルの機能を果たしてぃるとともにパタ
ーン面を外部雰囲気から保護する役割をも果たしている
。
また、本発明の構成は、フォトマスクに限らず、レチク
ルにも適用することができる。
ルにも適用することができる。
３ａ、 ３ｂはピンホール、
である。
以上のように本発明によれば、パターンの欠けのないフ
ォトマスクあるいはレチクルを得ることができる上、ペ
リクルを用いる必要がなくかつパターン面が外部雰囲気
から保護されているため、これを用いた半導体ＩＣの歩
留りの向上、高信頼化を図る上で有益である。
ォトマスクあるいはレチクルを得ることができる上、ペ
リクルを用いる必要がなくかつパターン面が外部雰囲気
から保護されているため、これを用いた半導体ＩＣの歩
留りの向上、高信頼化を図る上で有益である。
第１図は本発明の詳細な説明図、
第２図は従来例の問題点を示す断面図、である。
図において、
１ａ、ｌｂ、 １１はガラス基板、
Claims (1)
- 互いに反転対称なパターンを有する一対のガラス基板を
、互いのパターン面が重なるように貼り合わせたことを
特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1295610A JPH03156458A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1295610A JPH03156458A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03156458A true JPH03156458A (ja) | 1991-07-04 |
Family
ID=17822855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1295610A Pending JPH03156458A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03156458A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418092A (en) * | 1991-06-10 | 1995-05-23 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device, exposure method and mask for the process |
| US5691115A (en) * | 1992-06-10 | 1997-11-25 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
-
1989
- 1989-11-14 JP JP1295610A patent/JPH03156458A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418092A (en) * | 1991-06-10 | 1995-05-23 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device, exposure method and mask for the process |
| US5521033A (en) * | 1991-06-10 | 1996-05-28 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device, exposure method and mask for the process |
| US5691115A (en) * | 1992-06-10 | 1997-11-25 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
| US5932395A (en) * | 1992-06-10 | 1999-08-03 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
| US6020109A (en) * | 1992-06-10 | 2000-02-01 | Hitachi, Ltd. | Exposure method, aligner, and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices |
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