JPH03136233A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は半導体装置の製造方法に関するものであり、
特に高精度な微細パターンの形成が可能な半導体装置の
製造方法に関するものである。

（従来の技術） 第２図は従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。

同図（ａ）に示すように半導体基板（２）上にネガ型フ
ォトレジスト（４）を塗布し、フォトマスク（６）を通
して例えば水銀ランプより発する紫外光（８）を照射し
て露光を行なう。

露光後、現像を行なう、露光されていない部分は溶解し
、同図（ｂ）に示すような目的とするレジストのパター
ン（１０）が形成される。

（発明が解決しようとする課題〕 ■−■族の化合物半導体では、表面処理などの前処理に
ウェットエツチングを用いており、特にＣｄＨｇＴｅで
は、Ｂ、−メタノール溶液をエッチャントとしている。

この場合、ポジ型フォトレジストは、Ｂ、−メタノール
溶液に耐えることができず。

パターンが壊れてしまう、一方、ネガ型フォトレジスト
は、８．−メタノール溶液に耐えることはできるが、現
像時の膨潤現象、あるいは下地からの反射のため、光の
まわり込みによる余分な感光が生じ、例えば第３図に示
すように、レジストのパターン（１０）、（１０）・・
・・相互間がひさしく１２）、（１２）・・・・により
繋がってしまう、このため、ネガ型フォトレジストでは
、ポジ型フォトレジストに比べて微細パターンの形成が
困難であった。

この発明は、上記のような従来の製造方法の欠点を解消
し、フォトレジストとして使用される感光性高分子材料
を用いて高精度微細パターンの形成か可能な半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板上
に所望のレジストパターンの反転パターンを例えばポジ
型フォトレジストのような微細パターンの形成可能な感
光性高分子材料を用いて形成し、上記反転パターンか形
成されたウェハ全面に好ましくは粘度の低いネガ型フォ
トレジストを上記感光性高分子材料よりも薄く塗布した
後、所定の露光を行ない、最後に有機溶剤を用いて上記
感光性高分子材料を除去し、所望のパターンをネガ型フ
ォトレジストにより形成する。

（作　　　用〕 この発明による半導体装置の製造方法ては、はじめに半
導体基板上にポジ型フォトレジストのような感光性高分
子材料を用いて反転パターンを形成することにより、ネ
ガ型フォトレジストによるパターン形成時に、該ネガ型
フォトレジストの横方向への膨潤を押え、且つ上記感光
性高分子材料が反射光の吸収剤として作用し、ネガ型フ
ォトレジストに光のまわり込みによる余分な感光が生し
ない、従って、ネガ型レジストにより高精度微細パター
ンを形成することができる。

（実　施　例） 以下、第１図を参照してこの発明による半導体装置の製
造方法を説明する。

■第１図（ａ）に示すように、半導体基板（２）上に例
えばポジ型フォトレジスト（１４）を塗布し、フォトマ
スク（１６）を通して例えば水銀ランプより発する紫外
光（１８）を照射して露光を行なう。この場合、ポジ型
フォトレジスト（１４）としては、吸光性に優れ、膨潤
等の変形が可及的に生じないレジストであることが望ま
しく１例えばシブレイ・ファーイースト株式会社製のマ
イクロポジット１４００−３７（商品名）が使用される
。

■露光後、現像を行ない、上記ポジ型フォトレジスト（
１４）の露光された部分を除去して、第１図（ｂ）に示
すような所望のパターンの反転パターン（２４）を形成
する。

■次に、半導体基板（２）上に上記反転パターン（２４
）か形成された第１図（ｂ）のウェハをベークした後、
第１図（Ｃ）に示すように粘度の低いネガ型フォトレジ
スト（２０）を上記ポジ型フォトレジスト（１４）より
も薄く塗付し、紫外光（２２）により全面露光する。露
光後、現像を行なう。ネガ型フォトレジスト（２０）と
しては、例えば、東京応化工業株式会社製のＯＭＲ−８
５（商品名）か使用される。

■上記の工程を終たウェハをベーク後、例えばアセトン
のような有機溶剤を用いてポジ型フォトレジスト（１４
）を除去し、第１図（ｄ）に示すようなネガ型フォトレ
ジスト（２０）からなる所望のパターン（２６）、（２
６）・・・・か形成される。

なお、上記の実施例ては１反転パターン（２４）を形成
するためにポジ型フォトレジストを使用するものとして
説明したが、露光処理と薬品による処理とにより微細パ
ターンを形成することが可能な任意の感光性高分子材料
を使用することができる。

また、上記の第１［Ｊ（Ｃ）の工程でウェハの全面露光
を行っているが１例えば第１図（ａ）で用いたマスク（
１６）と反対のマスクを使用してパターニングをやり直
して所定のパターン上を露光してもよい。

（発明の効果） 以上のように、この発明によれば、ネガ型フォトレジス
トを用いて、従来は不可能てあった高精度微細パターン
の形成が可能になり、より小型で集植度の高い半導体集
積回路を形成することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至第１図（ｄ）はこの発明による半導体
装置の製造方法を説明する図、第２図（ａ）および第２
図（ｂ）は従来の半導体装置の製造方法を説明する図、
第３図は従来の製造方法によって製造された半導体装置
の問題点を説明する図である。 （Ｚ）・・・・半導体基板、（１４）・・・・感光性高
分子材料、（２０）・・・・ネガ型フォトレジスト、（
２４）・・・・反転パターン、（２６）・・・・所望の
レジストパターン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上に所望のレジストパターンの反転の
   パターンを、吸光性に優れ且つ微細パターンの形成可能
   な感光性高分子材料を用いて形成する工程と、上記反転
   パターンが形成されたウェハ全面にネガ型フォトレジス
   トを塗布する工程と、所定の露光を行なって上記反転パ
   ターンを形成する感光性高分子材料を除去して所望のレ
   ジストパターンを形成する工程とを含む半導体装置の製
   造方法。