JPH0772614A - 位相シフトフォトマスク - Google Patents
位相シフトフォトマスクInfo
- Publication number
- JPH0772614A JPH0772614A JP32107693A JP32107693A JPH0772614A JP H0772614 A JPH0772614 A JP H0772614A JP 32107693 A JP32107693 A JP 32107693A JP 32107693 A JP32107693 A JP 32107693A JP H0772614 A JPH0772614 A JP H0772614A
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- Japan
- Prior art keywords
- opening pattern
- phase shift
- shift photomask
- pattern
- corners
- Prior art date
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 異なるフォーカス位置でも寸法精度のよい微
細パターンを形成するための位相シフトフォトマスクを
提供する。 【構成】 石英等からなる透明基板１上に、クロム等か
らなる遮光膜２を設け、遮光膜２を部分的に除去した開
口パターンを形成した位相シフトフォトマスクであっ
て、第１の開口パターン４ａに隣接する周辺部に環状に
設けた微細幅の第２の開口パターン４ｂの４隅の遮光膜
２ｃを残存形成させ、第１の開口パターン４ａと第２の
開口パターン４ｂのいずれか一方に位相シフタ−層３を
もうけた位相シフトフォトマスク。
細パターンを形成するための位相シフトフォトマスクを
提供する。 【構成】 石英等からなる透明基板１上に、クロム等か
らなる遮光膜２を設け、遮光膜２を部分的に除去した開
口パターンを形成した位相シフトフォトマスクであっ
て、第１の開口パターン４ａに隣接する周辺部に環状に
設けた微細幅の第２の開口パターン４ｂの４隅の遮光膜
２ｃを残存形成させ、第１の開口パターン４ａと第２の
開口パターン４ｂのいずれか一方に位相シフタ−層３を
もうけた位相シフトフォトマスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縮小投影露光装置の原
画として用いる位相シフトフォトマスクに関する。
画として用いる位相シフトフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＶＬＳＩ等の固体素子における微
細パターンの形成は、主に、縮小露光投影法により行わ
れてきた。上記の方法は投影光学系を用い、レジストを
塗布した基板上に、拡大した配線パターンを描画したフ
ォトマスクを透過した光を縮小結像させることにより、
パターンを転写するものである。
細パターンの形成は、主に、縮小露光投影法により行わ
れてきた。上記の方法は投影光学系を用い、レジストを
塗布した基板上に、拡大した配線パターンを描画したフ
ォトマスクを透過した光を縮小結像させることにより、
パターンを転写するものである。
【０００３】近年、パターンの高密度化が進むにつれ、
パターンの間隔が小さくなり、光源の波長と近接し、投
影像の分解能，コントラストの低下のため、位相シフト
フォトマスクが提案され、特開昭62-67514号公報にみる
ように、第１の開口パターンの周辺部分に第２の開口パ
ターンを設けて、さらに解像度をあげる提案がなされて
いる。
パターンの間隔が小さくなり、光源の波長と近接し、投
影像の分解能，コントラストの低下のため、位相シフト
フォトマスクが提案され、特開昭62-67514号公報にみる
ように、第１の開口パターンの周辺部分に第２の開口パ
ターンを設けて、さらに解像度をあげる提案がなされて
いる。
【０００４】しかし、実際の半導体製造工程では、１〜
２μｍの段差があるウエハ−面上の全領域にわたって微
細パターンを転写する必要があるのに、従来の位相シフ
トフォトマスクでは、異なるフォーカス位置に同時にパ
ターンを形成すると、転写される寸法に大きなばらつき
が生ずるという問題があった。
２μｍの段差があるウエハ−面上の全領域にわたって微
細パターンを転写する必要があるのに、従来の位相シフ
トフォトマスクでは、異なるフォーカス位置に同時にパ
ターンを形成すると、転写される寸法に大きなばらつき
が生ずるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な異なるフォーカス位置でも寸法精度のよい微細パター
ンを形成するための位相シフトフォトマスクを提供す
る。
な異なるフォーカス位置でも寸法精度のよい微細パター
ンを形成するための位相シフトフォトマスクを提供す
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、石英等からな
る透明基板１上に、クロム等からなる遮光膜２を設け、
遮光膜２を部分的に除去した開口パターン４ａと、第１
の開口パターン４ａに隣接し、第１の開口パターン４ａ
を囲むように環状に設けた微細幅の第２の開口パターン
４ｂを有し、第１の開口パターン４ａと第２の開口パタ
ーン４ｂのいずれか一方に位相シフタ−層３を設けた位
相シフトフォトマスクにおいて、第２の開口パターン４
ｂの４隅のの透過光を制限するように遮光膜２ｃを残存
形成させた位相シフトフォトマスクである。
る透明基板１上に、クロム等からなる遮光膜２を設け、
遮光膜２を部分的に除去した開口パターン４ａと、第１
の開口パターン４ａに隣接し、第１の開口パターン４ａ
を囲むように環状に設けた微細幅の第２の開口パターン
４ｂを有し、第１の開口パターン４ａと第２の開口パタ
ーン４ｂのいずれか一方に位相シフタ−層３を設けた位
相シフトフォトマスクにおいて、第２の開口パターン４
ｂの４隅のの透過光を制限するように遮光膜２ｃを残存
形成させた位相シフトフォトマスクである。
【０００７】第１の開口パターン４ａは、一般的に、方
形であり第２の開口パターン４ｂはこれに近接した方形
の枠状に形成され、上記の４隅の遮光膜２ｃは、枠の外
側部分の４隅の遮光膜を残存させる。そして、第２の開
口パターン４ｂの隣接度・線幅は、第２の開口パターン
４ｂがウエハ−上で単独では解像しない範囲であればよ
く、４隅の遮光膜２ｃと第２の開口パターン４ｂとの境
界は、図１に示すように枠の１辺に対して略４５°とな
るように形成するか、あるいは、図２に示すよに２辺を
結ぶ曲線で形成させたことを特徴とする。
形であり第２の開口パターン４ｂはこれに近接した方形
の枠状に形成され、上記の４隅の遮光膜２ｃは、枠の外
側部分の４隅の遮光膜を残存させる。そして、第２の開
口パターン４ｂの隣接度・線幅は、第２の開口パターン
４ｂがウエハ−上で単独では解像しない範囲であればよ
く、４隅の遮光膜２ｃと第２の開口パターン４ｂとの境
界は、図１に示すように枠の１辺に対して略４５°とな
るように形成するか、あるいは、図２に示すよに２辺を
結ぶ曲線で形成させたことを特徴とする。
【０００８】すなわち、第１の開口パターン４ａの周囲
を囲むように隣接する第２の開口パターン４ｂを環状に
し、第２の開口パターン４ｂが解像して悪影響を及ぼさ
ないよう４隅の遮光膜２ｃを残存形成し、第１の開口パ
ターン４ａまたは第２の開口パターン４ｂの何方か一方
に１８０°の位相差を与える位相シフタ−層３を設けた
ものである。
を囲むように隣接する第２の開口パターン４ｂを環状に
し、第２の開口パターン４ｂが解像して悪影響を及ぼさ
ないよう４隅の遮光膜２ｃを残存形成し、第１の開口パ
ターン４ａまたは第２の開口パターン４ｂの何方か一方
に１８０°の位相差を与える位相シフタ−層３を設けた
ものである。
【０００９】
【作用】第１の開口パターン４ａの周囲に設ける第２の
開口パターン４ｂを４隅の遮光膜２ｃを残すように環状
にし、１８０°の位相差を与える位相シフタ−層３を形
成することにより、第２の開口パターン４ｂが解像する
ことなく、焦点深度が増大し、フォーカス位置によらず
ほぼ等しい寸法でパターンを転写することができる。
開口パターン４ｂを４隅の遮光膜２ｃを残すように環状
にし、１８０°の位相差を与える位相シフタ−層３を形
成することにより、第２の開口パターン４ｂが解像する
ことなく、焦点深度が増大し、フォーカス位置によらず
ほぼ等しい寸法でパターンを転写することができる。
【００１０】
【実施例】以下、従来技術と対比させながら本発明を図
面を用いて説明する。 （実施例１）図１は、本発明の位相シフトフォトマスク
の一例を説明する平面図であり、４隅の遮光膜２ｃと第
２の開口パターン４ｂとの境界が、開口パターン４ｂの
１辺に対して略４５°となるように形成されている。図
３は、従来の隣接する第２の開口パターン４ｂが非環状
（環状でない）位相シフトフォトマスクの一例を説明す
る平面図を示し、図４は、従来の隣接する第２の開口パ
ターン４ｂが環状の位相シフトフォトマスクの一例を説
明する平面図を示す。図５は、図１のＸ−Ｘ矢視による
断面図であり、同時に、以下の図３及び図４のＸ−Ｘ矢
視による断面図を示す。符号は、１は透明基板，２は遮
光膜，３は位相シフタ−層，４ａは第１の開口パターン
であり、４ｂは第２の開口パターンであり、いずれも位
相シフタ−層３が第２の開口パターン４ｂを完全に覆う
ように形成されている。図６は、上記図１，図３，図４
の各位相シフトフォトマスクにたいするウエハー転写の
際のステッパーの焦点深度（以下、Ｄ．Ｏ．Ｆ：Ｄｅｐ
ｔｈ Ｏｆ Ｐｏｃｕｓという。）とウエハ−上の寸法
変化との関係を例示する説明図である。
面を用いて説明する。 （実施例１）図１は、本発明の位相シフトフォトマスク
の一例を説明する平面図であり、４隅の遮光膜２ｃと第
２の開口パターン４ｂとの境界が、開口パターン４ｂの
１辺に対して略４５°となるように形成されている。図
３は、従来の隣接する第２の開口パターン４ｂが非環状
（環状でない）位相シフトフォトマスクの一例を説明す
る平面図を示し、図４は、従来の隣接する第２の開口パ
ターン４ｂが環状の位相シフトフォトマスクの一例を説
明する平面図を示す。図５は、図１のＸ−Ｘ矢視による
断面図であり、同時に、以下の図３及び図４のＸ−Ｘ矢
視による断面図を示す。符号は、１は透明基板，２は遮
光膜，３は位相シフタ−層，４ａは第１の開口パターン
であり、４ｂは第２の開口パターンであり、いずれも位
相シフタ−層３が第２の開口パターン４ｂを完全に覆う
ように形成されている。図６は、上記図１，図３，図４
の各位相シフトフォトマスクにたいするウエハー転写の
際のステッパーの焦点深度（以下、Ｄ．Ｏ．Ｆ：Ｄｅｐ
ｔｈ Ｏｆ Ｐｏｃｕｓという。）とウエハ−上の寸法
変化との関係を例示する説明図である。
【００１１】本実施例では、波長λ＝３６５ｎｍ，レン
ズ開口数ＮＡ＝０．５，部分コヒーレントσ＝０．４の
ステッパーを用いた。図３に示す従来の隣接する第２の
開口パターン４ｂが非環状（環状でない）位相シフトフ
ォトマスクでは、Ｄ．Ｏ．Ｆ＝０のときウエハ−上での
寸法が０．４μｍとなる光相対強度において、Ｄ．Ｏ．
Ｆを０．４，０．８，１．２μｍと変化させると寸法が
小さくなる傾向を示した。一方、図１及び図４に示す隣
接する第２の開口パターン４ｂが環状である位相シフト
フォトマスクの場合、ウエハ−上での寸法が０．４μｍ
となる光相対強度においてＤ．Ｏ．Ｆを０．４，０．
８，１．２μｍと変化させると寸法が大きくなる傾向を
示した。
ズ開口数ＮＡ＝０．５，部分コヒーレントσ＝０．４の
ステッパーを用いた。図３に示す従来の隣接する第２の
開口パターン４ｂが非環状（環状でない）位相シフトフ
ォトマスクでは、Ｄ．Ｏ．Ｆ＝０のときウエハ−上での
寸法が０．４μｍとなる光相対強度において、Ｄ．Ｏ．
Ｆを０．４，０．８，１．２μｍと変化させると寸法が
小さくなる傾向を示した。一方、図１及び図４に示す隣
接する第２の開口パターン４ｂが環状である位相シフト
フォトマスクの場合、ウエハ−上での寸法が０．４μｍ
となる光相対強度においてＤ．Ｏ．Ｆを０．４，０．
８，１．２μｍと変化させると寸法が大きくなる傾向を
示した。
【００１２】ところで、寸法精度に対するマージン（許
容限界）を１０％の０．０４μｍとすると、図１及び図
４の隣接する第２の開口パターン４ｂが環状である位相
シフトフォトマスクでは、Ｄ．Ｏ．Ｆ＝１．２μｍでも
寸法精度に対するマージン以内に収まっているのに対
し、図３の隣接する第２の開口パターン４ｂが環状でな
い位相シフトフォトマスクの場合は、Ｄ．Ｏ．Ｆ＝０．
９μｍ程度までしか許容されない。
容限界）を１０％の０．０４μｍとすると、図１及び図
４の隣接する第２の開口パターン４ｂが環状である位相
シフトフォトマスクでは、Ｄ．Ｏ．Ｆ＝１．２μｍでも
寸法精度に対するマージン以内に収まっているのに対
し、図３の隣接する第２の開口パターン４ｂが環状でな
い位相シフトフォトマスクの場合は、Ｄ．Ｏ．Ｆ＝０．
９μｍ程度までしか許容されない。
【００１３】一方、図４に示す位相シフトフォトマスク
は、隣接する環状の第２の開口パターン４ｂの４隅にお
ける光強度が高く、ウエハ−上での寸法が０．４μｍと
なる光相対強度において４隅に対応する部分が解像して
転写パターンに悪影響を与えてしまうのに対し、図１の
本発明の位相シフトフォトマスクでは、４隅の遮光膜２
ｃの形状で光の通過する面積を調整することで、第２の
開口パターンの４隅が解像して転写パターンに悪影響を
与えることなく、従来型の位相シフトフォトマスクと同
程度以上の焦点深度を有することができる。図７は図１
及び図４の各位相シフトフォトマスクのＹ−Ｙ矢視によ
る断面でのパターン転写時の光強度を比較した図であ
る。図１の本発明の位相シフトフォトマスクでは、第２
の開口パターンの４隅での光強度が低く抑えられている
ことがわかる。 （実施例２）図２は本発明の他の実施例を説明する平面
図であり、４隅の遮光膜２ｃと第２の開口パターンの４
ｂとの境界を、第２の開口パターン４ｂの隅の２辺を結
ぶ曲線で形成されている。この位相シフトフォトマスク
も上述した図１の位相シフトフォトマスクと同様の効果
を得ることができた。
は、隣接する環状の第２の開口パターン４ｂの４隅にお
ける光強度が高く、ウエハ−上での寸法が０．４μｍと
なる光相対強度において４隅に対応する部分が解像して
転写パターンに悪影響を与えてしまうのに対し、図１の
本発明の位相シフトフォトマスクでは、４隅の遮光膜２
ｃの形状で光の通過する面積を調整することで、第２の
開口パターンの４隅が解像して転写パターンに悪影響を
与えることなく、従来型の位相シフトフォトマスクと同
程度以上の焦点深度を有することができる。図７は図１
及び図４の各位相シフトフォトマスクのＹ−Ｙ矢視によ
る断面でのパターン転写時の光強度を比較した図であ
る。図１の本発明の位相シフトフォトマスクでは、第２
の開口パターンの４隅での光強度が低く抑えられている
ことがわかる。 （実施例２）図２は本発明の他の実施例を説明する平面
図であり、４隅の遮光膜２ｃと第２の開口パターンの４
ｂとの境界を、第２の開口パターン４ｂの隅の２辺を結
ぶ曲線で形成されている。この位相シフトフォトマスク
も上述した図１の位相シフトフォトマスクと同様の効果
を得ることができた。
【００１４】このように本実施例によれば、４隅の遮光
膜２ｃを残すように隣接する第２の開口パターン４ｂを
環状にし、位相シフタ−層３を設けた位相シフトフォト
マスクは、第２の開口パターン４ｂが解像することな
く、異なるフォーカス位置においても寸法差の少ないパ
ターンを形成することが可能である。
膜２ｃを残すように隣接する第２の開口パターン４ｂを
環状にし、位相シフタ−層３を設けた位相シフトフォト
マスクは、第２の開口パターン４ｂが解像することな
く、異なるフォーカス位置においても寸法差の少ないパ
ターンを形成することが可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の位相シフ
トフォトマスクにおいては、異なるフォーカス位置にお
いても寸法差の少ないパターンを形成することが可能で
ある。
トフォトマスクにおいては、異なるフォーカス位置にお
いても寸法差の少ないパターンを形成することが可能で
ある。
【図１】本発明の位相シフトフォトマスクの一例を説明
する平面図である。
する平面図である。
【図２】本発明の位相シフトフォトマスクの他の実施例
を説明する平面図である。
を説明する平面図である。
【図３】従来の隣接する第２の開口パターン４ｂが非環
状（環状でない）位相シフトフォトマスクの一例を説明
する平面図である。
状（環状でない）位相シフトフォトマスクの一例を説明
する平面図である。
【図４】従来の隣接する第２の開口パターン４ｂが環状
の位相シフトフォトマスクの一例を説明する平面図であ
る。
の位相シフトフォトマスクの一例を説明する平面図であ
る。
【図５】図１のＸ−Ｘ矢視による断面図である。
【図６】図１，図３，図４の各位相シフトフォトマスク
のＤ．Ｏ．Ｆとウエハ−上の寸法変化との関係を例示す
る説明図である。
のＤ．Ｏ．Ｆとウエハ−上の寸法変化との関係を例示す
る説明図である。
【図７】図１，図４の各位相シフトフォトマスクのＹ−
Ｙ矢視による断面でのパターン転写時の光強度を比較し
た図である。
Ｙ矢視による断面でのパターン転写時の光強度を比較し
た図である。
１ 透明基板 ２ 遮光膜 ２ｃ ４隅の遮光膜 ３ 位相シフタ−層 ４ 開口パターン ４ａ 第１の開口パターン ４ｂ 第２の開口パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板（１）上の遮光膜（２）を部分
的に除去した方形又は長方形の第１の開口パターン（４
ａ）と、第１の開口パターン（４ａ）に隣接し、第１の
開口パターン（４ａ）を囲むように環状に設けた微細幅
の第２の開口パターン（４ｂ）を有し、第１の開口パタ
ーン（４ａ）と第２の開口パターン（４ｂ）のいずれか
一方に位相シフタ−層（３）を設けた位相シフトフォト
マスクにおいて、第２の開口パターン（４ｂ）の４隅の
透過光を制限するように遮光膜（２ｃ）を残存形成させ
たことを特徴とする位相シフトフォトマスク。 - 【請求項２】 上記の４隅の遮光膜（２ｃ）と第２の開
口パターン（４ｂ）との境界を、第２の開口パターン
（４ｂ）の一辺に対して略４５°となるように形成させ
たことを特徴とする請求項１記載の位相シフトフォトマ
スク。 - 【請求項３】 上記４隅の遮光膜（２ｃ）と第２の開口
パターン（４ｂ）との境界を、第２の開口パターン（４
ｂ）の隅の２辺を結ぶ曲線で形成させたことを特徴とす
る請求項１記載の位相シフトフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32107693A JP3353124B2 (ja) | 1992-11-27 | 1993-11-26 | 位相シフトフォトマスク |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33951992 | 1992-11-27 | ||
| JP4-339519 | 1992-11-27 | ||
| JP32107693A JP3353124B2 (ja) | 1992-11-27 | 1993-11-26 | 位相シフトフォトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772614A true JPH0772614A (ja) | 1995-03-17 |
| JP3353124B2 JP3353124B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=26570352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32107693A Expired - Fee Related JP3353124B2 (ja) | 1992-11-27 | 1993-11-26 | 位相シフトフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3353124B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015064404A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP2016024264A (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及び表示装置の製造方法 |
| JP2019012280A (ja) * | 2018-09-19 | 2019-01-24 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及び表示装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-11-26 JP JP32107693A patent/JP3353124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015064404A (ja) * | 2013-09-24 | 2015-04-09 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP2016024264A (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及び表示装置の製造方法 |
| JP2019012280A (ja) * | 2018-09-19 | 2019-01-24 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及び表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3353124B2 (ja) | 2002-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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