JPH04215656A - Ｉｃパターンの形成方法 - Google Patents
Ｉｃパターンの形成方法Info
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- JPH04215656A JPH04215656A JP2402363A JP40236390A JPH04215656A JP H04215656 A JPH04215656 A JP H04215656A JP 2402363 A JP2402363 A JP 2402363A JP 40236390 A JP40236390 A JP 40236390A JP H04215656 A JPH04215656 A JP H04215656A
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 4
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣパターンの形成方
法に係り、特にＩＣ製造時におけるフォトリソグラフィ
ー技術に用いられるＩＣパターンの形成方法に関する。
法に係り、特にＩＣ製造時におけるフォトリソグラフィ
ー技術に用いられるＩＣパターンの形成方法に関する。
【０００２】近年、ＬＳＩの高集積化の要求に伴い、微
細なパターンを形成する技術が要求されているとともに
、ＬＳＩの品質の安定化を図るために、設計に忠実なパ
ターン形成技術が要求されている。
細なパターンを形成する技術が要求されているとともに
、ＬＳＩの品質の安定化を図るために、設計に忠実なパ
ターン形成技術が要求されている。
【０００３】
【従来の技術】図１２は従来のマスクパターンを示す図
である。図１２において、３１はＳｉＯ２ 等の基板上
に形成されたＣｒ等からなる矩形形状の遮光パターン、
３２はＳｉＯ２ の基板が露出された矩形形状のぬきパ
ターン、３３はＳｉＯ２ 等の基板上に遮光パターン３
１及びぬきパターン３２が形成されたマスクである。
である。図１２において、３１はＳｉＯ２ 等の基板上
に形成されたＣｒ等からなる矩形形状の遮光パターン、
３２はＳｉＯ２ の基板が露出された矩形形状のぬきパ
ターン、３３はＳｉＯ２ 等の基板上に遮光パターン３
１及びぬきパターン３２が形成されたマスクである。
【０００４】従来、ＳｉＯ２ 等の基板上に矩形形状の
遮光パターン３１及びぬきパターン３２が配置されたマ
スク３３を用い、ステッパーで投影露光によってウェー
ハ上のレジストに連続したパターンを結像していた。
遮光パターン３１及びぬきパターン３２が配置されたマ
スク３３を用い、ステッパーで投影露光によってウェー
ハ上のレジストに連続したパターンを結像していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のＩＣパ
ターンの形成方法では、設計通りに遮光パターン３１及
びぬきパターン３２が形成されたマスク３３を用いてい
たが、特にレンズの解像力附近でマスク３３の連続した
矩形パターンをウェーハ上のレジストに結像しようとす
ると、図１３に示す太線Ａ１部（予想されるパターンエ
ッジ）の如く、特に矩形パターンの角が丸くなり易く、
所望の矩形パターンを得ることが困難であるという問題
があった。 これは、ぬきパターン３２の交差上が他の部分に較べて
光強度が強くなっているために生じているものと推定さ
れる。
ターンの形成方法では、設計通りに遮光パターン３１及
びぬきパターン３２が形成されたマスク３３を用いてい
たが、特にレンズの解像力附近でマスク３３の連続した
矩形パターンをウェーハ上のレジストに結像しようとす
ると、図１３に示す太線Ａ１部（予想されるパターンエ
ッジ）の如く、特に矩形パターンの角が丸くなり易く、
所望の矩形パターンを得ることが困難であるという問題
があった。 これは、ぬきパターン３２の交差上が他の部分に較べて
光強度が強くなっているために生じているものと推定さ
れる。
【０００６】なお、図１３におけるここでの光学強度の
２次元のシュミレーション条件は、ＮＡ（レンズの開口
数）＝０．５４、σ（コヒーレンシー）＝０．６ 、λ
（波長）＝０．３６５ μｍである。
２次元のシュミレーション条件は、ＮＡ（レンズの開口
数）＝０．５４、σ（コヒーレンシー）＝０．６ 、λ
（波長）＝０．３６５ μｍである。
【０００７】そこで、本発明は、レンズの解像力附近で
マスクの連続した矩形パターンをウェーハ上のレジスト
に結像しようとする際、矩形パターンの角を略垂直で解
像することができ、所望の矩形パターンを容易に得るこ
とができるＩＣパターンの形成方法を提供することを目
的としている。
マスクの連続した矩形パターンをウェーハ上のレジスト
に結像しようとする際、矩形パターンの角を略垂直で解
像することができ、所望の矩形パターンを容易に得るこ
とができるＩＣパターンの形成方法を提供することを目
的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によるＩＣパター
ンの形成方法は上記目的達成のため、解像に寄与する大
きさの第１の遮光パターンとぬきパターンとを配置する
とともに、該ぬきパターンの交差上に解像に寄与する大
きさよりも小さい大きさの第２の遮光パターンを配置し
たマスクを用い、投影露光によって連続したパターンを
結像するものである。
ンの形成方法は上記目的達成のため、解像に寄与する大
きさの第１の遮光パターンとぬきパターンとを配置する
とともに、該ぬきパターンの交差上に解像に寄与する大
きさよりも小さい大きさの第２の遮光パターンを配置し
たマスクを用い、投影露光によって連続したパターンを
結像するものである。
【０００９】本発明においては、マスクに位相シフト層
が形成されている場合であってもよい。また、本発明は
、第１の遮光パターンの形状が矩形である場合に好まし
く適用することができる。
が形成されている場合であってもよい。また、本発明は
、第１の遮光パターンの形状が矩形である場合に好まし
く適用することができる。
【００１０】
【作用】本発明では、図１に示すように、光強度が他の
部分よりも強いぬきパターン２の交差上に解像に寄与す
る大きさよりも小さい大きさの第２の遮光パターン３を
配置するマスク４を用いたため、図２に示すように、図
１２、１３に示す従来のぬきパターンの交差上に第２の
遮光パターンがない場合よりも、ぬきパターン２の交差
上の光強度を小さくすることができる。
部分よりも強いぬきパターン２の交差上に解像に寄与す
る大きさよりも小さい大きさの第２の遮光パターン３を
配置するマスク４を用いたため、図２に示すように、図
１２、１３に示す従来のぬきパターンの交差上に第２の
遮光パターンがない場合よりも、ぬきパターン２の交差
上の光強度を小さくすることができる。
【００１１】このため、特にレンズの解像力附近でマス
ク４の矩形パターンをウェーハ上のレジストに結像する
際、図２に示すＡ２の如く従来よりも矩形パターンの角
を略垂直で解像することができる。
ク４の矩形パターンをウェーハ上のレジストに結像する
際、図２に示すＡ２の如く従来よりも矩形パターンの角
を略垂直で解像することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１及び図２は本発明に係るＩＣパターンの形成方法の一
実施例を説明する図であり、図１は一実施例のマスクパ
ターンを示す図、第２は一実施例の図１に示すマスクパ
ターンを用いた場合の（露光後の結像パターンのシュミ
レーションによる）光強度分布を示す図である。これら
の図においては、１はＳｉＯ２ 等の基板上に形成され
たＣｒ等からなり、矩形形状で解像に寄与する大きさの
第１の遮光パターン、２はＳｉＯ２ 等の基板が露出さ
れた矩形形状のぬきパターン、３はＳｉＯ２ 等の基板
上のぬきパターン２の交差上に形成されたＣｒ等からな
り矩形形状（形状は円形等でもよい）で解像に寄与する
大きさよりも小さい大きさの第２の遮光パターン、４は
ＳｉＯ２ 等の基板上に第１、第２の遮光パターン１、
３及びぬきパターン２が形成されたマスクである。
１及び図２は本発明に係るＩＣパターンの形成方法の一
実施例を説明する図であり、図１は一実施例のマスクパ
ターンを示す図、第２は一実施例の図１に示すマスクパ
ターンを用いた場合の（露光後の結像パターンのシュミ
レーションによる）光強度分布を示す図である。これら
の図においては、１はＳｉＯ２ 等の基板上に形成され
たＣｒ等からなり、矩形形状で解像に寄与する大きさの
第１の遮光パターン、２はＳｉＯ２ 等の基板が露出さ
れた矩形形状のぬきパターン、３はＳｉＯ２ 等の基板
上のぬきパターン２の交差上に形成されたＣｒ等からな
り矩形形状（形状は円形等でもよい）で解像に寄与する
大きさよりも小さい大きさの第２の遮光パターン、４は
ＳｉＯ２ 等の基板上に第１、第２の遮光パターン１、
３及びぬきパターン２が形成されたマスクである。
【００１３】本実施例では、解像に寄与する大きさの第
１の遮光パターン１とぬきパターン２とを配置するとと
もに、ぬきパターン２の交差上に解像に寄与する大きさ
よりも小さい大きさ、例えば０．１５μｍ角の矩形形状
の第２の遮光パターン３を配置したマスク４を用い、ス
テッパーで投影露光によってマスク４の連続したパター
ンをウェーハ上のレジストに結像する。
１の遮光パターン１とぬきパターン２とを配置するとと
もに、ぬきパターン２の交差上に解像に寄与する大きさ
よりも小さい大きさ、例えば０．１５μｍ角の矩形形状
の第２の遮光パターン３を配置したマスク４を用い、ス
テッパーで投影露光によってマスク４の連続したパター
ンをウェーハ上のレジストに結像する。
【００１４】このように、本実施例では、光強度が他の
部分よりも強いぬきパターン２の交差上に解像に寄与す
る大きさよりも小さい大きさの第２の遮光パターン３を
配置するマスク４を用いたため、図２に示すように、図
１２、図１３に示す従来のぬきパターンの交差上に第２
の遮光パターンがない場合よりも、ぬきパターン２の交
差上の光強度を小さくすることができる。
部分よりも強いぬきパターン２の交差上に解像に寄与す
る大きさよりも小さい大きさの第２の遮光パターン３を
配置するマスク４を用いたため、図２に示すように、図
１２、図１３に示す従来のぬきパターンの交差上に第２
の遮光パターンがない場合よりも、ぬきパターン２の交
差上の光強度を小さくすることができる。
【００１５】このため、特にレンズの解像力附近でマス
ク４の矩形パターンをウェーハ上のレジストに結像する
際、図２に示すＡ２の如く従来よりも矩形パターンの角
を略垂直で解像することができる。従って、所望の矩形
パターンを容易に得ることができる。
ク４の矩形パターンをウェーハ上のレジストに結像する
際、図２に示すＡ２の如く従来よりも矩形パターンの角
を略垂直で解像することができる。従って、所望の矩形
パターンを容易に得ることができる。
【００１６】なお、上記実施例では、ぬきパターン２の
交差上に形成したぬきパターン２の大きさを０．１５μ
ｍ角とする場合について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、図３に示すように、第２の遮光
パターン３の大きさを例えば０．２ μｍ角とする場合
であってもよく、この場合、図４に示す太線Ａ３部に示
す如く、図１、図２に示す上記実施例の場合よりも更に
解像性に優れた矩形パターンを得ることができる。
交差上に形成したぬきパターン２の大きさを０．１５μ
ｍ角とする場合について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、図３に示すように、第２の遮光
パターン３の大きさを例えば０．２ μｍ角とする場合
であってもよく、この場合、図４に示す太線Ａ３部に示
す如く、図１、図２に示す上記実施例の場合よりも更に
解像性に優れた矩形パターンを得ることができる。
【００１７】上記各実施例では、マスク４に位相シフト
を配置しないで行う場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、図７に示すように、マ
スク４に位相シフト層１１を配置して行う場合（第２の
遮光パターン３の大きさ：０．１５μｍ角）であっても
よい。 この場合、図８に示す太線Ａ５部に示す如く、図５に示
す比較例のぬきパターン２の交差上に第２の遮光パター
ン３を形成しない場合の、図６に示す太線Ａ４部と比較
して、ぬきパターン２の交差上の光強度を小さくするこ
とができ、矩形パターンの角を略垂直で解像することが
できる。
を配置しないで行う場合について説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、図７に示すように、マ
スク４に位相シフト層１１を配置して行う場合（第２の
遮光パターン３の大きさ：０．１５μｍ角）であっても
よい。 この場合、図８に示す太線Ａ５部に示す如く、図５に示
す比較例のぬきパターン２の交差上に第２の遮光パター
ン３を形成しない場合の、図６に示す太線Ａ４部と比較
して、ぬきパターン２の交差上の光強度を小さくするこ
とができ、矩形パターンの角を略垂直で解像することが
できる。
【００１８】ここで、図９は図７に示すマスクの構造を
示す断面図である。図９において、１２はＳｉＯ２ 等
からなる基板である。なお、図１０に示すように、図７
に示すマスク４構成で、ぬきパターン２の交差上の第２
の遮光パターン３を大きさ０．２ μｍ角として行った
ところ、図１１に示す太線Ａ６部の如く、所望の矩形パ
ターンを得ることができるが、図１１に示す太線Ｂ部の
如く、ぬきパターン２の交差上にパターンのエッジが生
じてしまうため、第２の遮光パターン３の大きさは解像
に寄与する大きさよりも小さい大きさのものでなければ
ならないことが判る。
示す断面図である。図９において、１２はＳｉＯ２ 等
からなる基板である。なお、図１０に示すように、図７
に示すマスク４構成で、ぬきパターン２の交差上の第２
の遮光パターン３を大きさ０．２ μｍ角として行った
ところ、図１１に示す太線Ａ６部の如く、所望の矩形パ
ターンを得ることができるが、図１１に示す太線Ｂ部の
如く、ぬきパターン２の交差上にパターンのエッジが生
じてしまうため、第２の遮光パターン３の大きさは解像
に寄与する大きさよりも小さい大きさのものでなければ
ならないことが判る。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、レンズの解像力附近で
マスクの連続した矩形パターンをウェーハ上のレジスト
に結像しようとする際、矩形パターンの角を略垂直で解
像することができ、所望の矩形パターンを容易に得るこ
とができるという効果がある。
マスクの連続した矩形パターンをウェーハ上のレジスト
に結像しようとする際、矩形パターンの角を略垂直で解
像することができ、所望の矩形パターンを容易に得るこ
とができるという効果がある。
【図１】一実施例のマスクパターンを示す図である。
【図２】一実施例の図１に示すマスクパターンを用いた
場合の光強度分布を示す図である。
場合の光強度分布を示す図である。
【図３】他の実施例のマスクパターンを示す図である。
【図４】他の実施例の図３に示すマスクパターンを用い
た場合の光強度分布を示す図である。
た場合の光強度分布を示す図である。
【図５】比較例のマスクパターンを示す図である。
【図６】比較例の図５に示すマスクパターンを用いた場
合の光強度分布を示す図である。
合の光強度分布を示す図である。
【図７】他の実施例のマスクパターンを示す図である。
【図８】他の実施例の図７に示すマスクパターンを用い
た場合の光強度分布を示す図である。
た場合の光強度分布を示す図である。
【図９】他の実施例の図７に示すマスクの構造を示す断
面図である。
面図である。
【図１０】比較例のマスクパターンを示す図である。
【図１１】比較例の図１０に示すマスクパターンを用い
た場合の光強度分布を示す図である。
た場合の光強度分布を示す図である。
【図１２】従来例のマスクパターンを示す図である。
【図１３】従来例の図１２に示すマスクパターンを用い
た場合の光強度分布を示す図である。
た場合の光強度分布を示す図である。
１ 第１の遮光パターン
２ ぬきパターン
３ 第２の遮光パターン
４ マスク
１１ 位相シフト層
Claims (3)
- 【請求項１】 解像に寄与する大きさの第１の遮光パ
ターン（１）とぬきパターン（２）とを配置するととも
に、該ぬきパターン（２）の交差上に解像に寄与する大
きさよりも小さい大きさの第２の遮光パターン（３）を
配置したマスク（４）を用い、投影露光によって連続し
たパターンを結像することを特徴とするＩＣパターンの
形成方法。 - 【請求項２】 前記マスク（４）に位相シフト層（１
１）が形成されていることを特徴とする請求項１記載の
ＩＣパターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記第１の遮光パターン（１）の形状
が矩形であることを特徴とする請求項１又は２記載のＩ
Ｃパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402363A JPH04215656A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | Ｉｃパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402363A JPH04215656A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | Ｉｃパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215656A true JPH04215656A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18512181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2402363A Pending JPH04215656A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | Ｉｃパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04215656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP2402363A patent/JPH04215656A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197452B1 (en) | 1997-09-17 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Light exposure pattern mask with dummy patterns and production method of the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000215 |