JPH0572713A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPH0572713A JPH0572713A JP23147291A JP23147291A JPH0572713A JP H0572713 A JPH0572713 A JP H0572713A JP 23147291 A JP23147291 A JP 23147291A JP 23147291 A JP23147291 A JP 23147291A JP H0572713 A JPH0572713 A JP H0572713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- patterns
- light intensity
- transmittance
- curved
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レジストパターンの分岐・屈曲部を良好に形成
できるフォトマスクを提供する。 【構成】フォトマスクの透光部１０の屈曲部に露光量を
低減する膜９を局部的に付着させる。 【効果】光強度が強くなる透光部屈曲部の露光量を局部
的に低減でき、レジストパターン屈曲部の劣化を低減す
ることができる。
できるフォトマスクを提供する。 【構成】フォトマスクの透光部１０の屈曲部に露光量を
低減する膜９を局部的に付着させる。 【効果】光強度が強くなる透光部屈曲部の露光量を局部
的に低減でき、レジストパターン屈曲部の劣化を低減す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフォトリソグラフィに係
り、特に、露光条件の最適化に好適なフォトマスクに関
する。
り、特に、露光条件の最適化に好適なフォトマスクに関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＵＬＳＩの高集積化に伴い、最小加工寸
法はフォトリソグラフィの解像限界に近づいている。こ
のような状況下では、露光パターンの形状，大きさ、お
よび透光部面積密度に依存して光強度が不揃いになると
いう問題がある。このため、種々の露光パターンがそれ
ぞれ異なった最適露光量および最適現像時間を持ち、一
回の露光，所定の現像時間ですべてのパターンを同時に
解像することができない。
法はフォトリソグラフィの解像限界に近づいている。こ
のような状況下では、露光パターンの形状，大きさ、お
よび透光部面積密度に依存して光強度が不揃いになると
いう問題がある。このため、種々の露光パターンがそれ
ぞれ異なった最適露光量および最適現像時間を持ち、一
回の露光，所定の現像時間ですべてのパターンを同時に
解像することができない。
【０００３】このような問題を解決する手段の一つとし
て、特開平1−41251号公報にあるような露光量補正技術
がある。以下、図２を用いてこの技術を説明する。
て、特開平1−41251号公報にあるような露光量補正技術
がある。以下、図２を用いてこの技術を説明する。
【０００４】図２の（Ａ）に示すような１.２μｍ×１.
２μｍ１と１.６μｍ×１.６μｍ２の大きさの異なる正
方形透光マスクパターンによって得られる光強度分布
は、所望寸法を得る光強度のしきい値３が異なる。そこ
で、図２の（Ａ）のパターンの露光後に、図２の（Ｂ）
に示すような１.６μｍ×１.６μｍ正方形マスクパター
ンを配置した領域のみの透過光強度を下げる補正マスク
パターン６を二重に露光する。その結果、図２の（Ｃ）
のように１.６μｍ×１.６μｍ正方形マスクパターンに
よって得られる光強度７を下げることができ、所望寸法
を得るしきい値３を１.２μｍ×１.２μｍ正方形マスク
パターンの場合と同レベルにすることができる。
２μｍ１と１.６μｍ×１.６μｍ２の大きさの異なる正
方形透光マスクパターンによって得られる光強度分布
は、所望寸法を得る光強度のしきい値３が異なる。そこ
で、図２の（Ａ）のパターンの露光後に、図２の（Ｂ）
に示すような１.６μｍ×１.６μｍ正方形マスクパター
ンを配置した領域のみの透過光強度を下げる補正マスク
パターン６を二重に露光する。その結果、図２の（Ｃ）
のように１.６μｍ×１.６μｍ正方形マスクパターンに
よって得られる光強度７を下げることができ、所望寸法
を得るしきい値３を１.２μｍ×１.２μｍ正方形マスク
パターンの場合と同レベルにすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようにしきい値が
異なる現象は、透光部の分岐部および屈曲部で顕著であ
る。このため、分岐，屈曲部の露光量が他の部分に比べ
て多くなり、パターンが劣化する。
異なる現象は、透光部の分岐部および屈曲部で顕著であ
る。このため、分岐，屈曲部の露光量が他の部分に比べ
て多くなり、パターンが劣化する。
【０００６】本発明の目的は、このような分岐，屈曲部
の劣化を解決し、高精度パターンの形成を図るものであ
る。
の劣化を解決し、高精度パターンの形成を図るものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、マスクパタ
ーン透光部の分岐部，屈曲部の露光量を減らすことによ
り達成される。
ーン透光部の分岐部，屈曲部の露光量を減らすことによ
り達成される。
【０００８】
【作用】ポジ型レジストを用いて、Ｌ字型の透光パター
ンを露光・現像すると、コーナ部でレジスト溝の寸法が
大きくなる。シミュレーションにより光強度分布を計算
してみると、図３に示すように、コーナ部における光強
度が高くなっている。このように光強度が高くなる現象
は、Ｌ字型のコーナ部ばかりでなく、Ｔ字型のような分
岐部を持つパターン形状でもその分岐部でおこる。この
分岐部、屈曲部の透過率を変えて実効的露光量を局部的
に小さくすることにより、分岐部，屈曲部での光強度分
布を他の部分と同レベルにし、パターン劣化を低減する
ことができる。実効的露光量を変えることは、同分岐
部，屈曲部に透過率を低減させる物質を付着させる、ま
たは、解像限界以下のパターンを配置することにより実
現できる。
ンを露光・現像すると、コーナ部でレジスト溝の寸法が
大きくなる。シミュレーションにより光強度分布を計算
してみると、図３に示すように、コーナ部における光強
度が高くなっている。このように光強度が高くなる現象
は、Ｌ字型のコーナ部ばかりでなく、Ｔ字型のような分
岐部を持つパターン形状でもその分岐部でおこる。この
分岐部、屈曲部の透過率を変えて実効的露光量を局部的
に小さくすることにより、分岐部，屈曲部での光強度分
布を他の部分と同レベルにし、パターン劣化を低減する
ことができる。実効的露光量を変えることは、同分岐
部，屈曲部に透過率を低減させる物質を付着させる、ま
たは、解像限界以下のパターンを配置することにより実
現できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて説明する。
【００１０】＜実施例１＞実施例１では、パターンの屈
曲部に透過率を下げる物質を付着させた場合について述
べる。
曲部に透過率を下げる物質を付着させた場合について述
べる。
【００１１】図１に示すように、幅０.８μｍ の整列し
た複数のＬ字型透光部１０を持つマスクパターンの各コ
ーナ部に半透明物質であるシリコンナイトライド膜を３
０ｎｍ付着させた。シリコンナイトライド膜を付着させ
る領域は、光強度が直線部に比べて約３０％強くなるＬ
字型コーナ内側の三角形の領域である。３０ｎｍのシリ
コンナイトライド膜は波長０.３６５μｍ の光に対して
約３０％の吸収を持つので、Ｌ字型コーナ部の光強度は
直線透光部とほぼ等しくなる。このマスクパターンを波
長０.３６５μｍ、開口数０.４の露光装置にセットし、
１μｍ膜厚のポジ型レジストＴＳＭＲ８８００（東京応
化製）を塗布したウェハを露光・現像したところ、Ｌ字
型コーナ部の溝がオーバ現像されることなく良好なレジ
ストパターンを形成することができた。
た複数のＬ字型透光部１０を持つマスクパターンの各コ
ーナ部に半透明物質であるシリコンナイトライド膜を３
０ｎｍ付着させた。シリコンナイトライド膜を付着させ
る領域は、光強度が直線部に比べて約３０％強くなるＬ
字型コーナ内側の三角形の領域である。３０ｎｍのシリ
コンナイトライド膜は波長０.３６５μｍ の光に対して
約３０％の吸収を持つので、Ｌ字型コーナ部の光強度は
直線透光部とほぼ等しくなる。このマスクパターンを波
長０.３６５μｍ、開口数０.４の露光装置にセットし、
１μｍ膜厚のポジ型レジストＴＳＭＲ８８００（東京応
化製）を塗布したウェハを露光・現像したところ、Ｌ字
型コーナ部の溝がオーバ現像されることなく良好なレジ
ストパターンを形成することができた。
【００１２】＜実施例２＞実施例２では、実施例１の用
いたシリコンナイトライド膜の替わりに１０ｎｍのクロ
ム膜を用いた。１０ｎｍのクロム膜でも露光量を３０％
低減することができ、良好なレジストパターンを形成す
ることができた。
いたシリコンナイトライド膜の替わりに１０ｎｍのクロ
ム膜を用いた。１０ｎｍのクロム膜でも露光量を３０％
低減することができ、良好なレジストパターンを形成す
ることができた。
【００１３】＜実施例３＞実施例３では、パターンの分
岐部に解像限界以下の遮光部を配置し、分岐部の透過率
を実質的に下げた場合について述べる。
岐部に解像限界以下の遮光部を配置し、分岐部の透過率
を実質的に下げた場合について述べる。
【００１４】図４に示すような０.８μｍ ルールでレイ
アウトした透光パターンの各分岐部に解像限界以下の
０.１μｍ×０.１μｍの正方形遮光部１１を配置した。
このマスクパターンを実施例１と同じ露光装置にセット
し、露光・現像したところ、Ｔ字型の分岐部にでもオー
バ現像されることなく良好なレジストパターンを形成す
ることができた。
アウトした透光パターンの各分岐部に解像限界以下の
０.１μｍ×０.１μｍの正方形遮光部１１を配置した。
このマスクパターンを実施例１と同じ露光装置にセット
し、露光・現像したところ、Ｔ字型の分岐部にでもオー
バ現像されることなく良好なレジストパターンを形成す
ることができた。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、フォトリソグラフィに
よるレジストパターンを、パターン分岐部および屈曲部
でも良好に形成することができた。
よるレジストパターンを、パターン分岐部および屈曲部
でも良好に形成することができた。
【図１】Ｌ字型マスクパターンを上から見た平面図。
【図２】従来法の説明する図。
【図３】Ｌ字型透光パターンによる露光の光強度分布
図。
図。
【図４】Ｔ字型マスクパターンを上から見た平面図。
８…遮光部、９…シリコンナイトライド膜、１０…透光
部。
部。
Claims (3)
- 【請求項１】透光パターンの分岐または屈曲する部分の
透過率を下げたことを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】請求項１において、前記透光パターンの分
岐部または屈曲部に、透過率を下げる膜を付けたフォト
マスク。 - 【請求項３】請求項１において、前記透光部の分岐部ま
たは屈曲部に、解像限界以下の遮光部を配置したフォト
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23147291A JPH0572713A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23147291A JPH0572713A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572713A true JPH0572713A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16924034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23147291A Pending JPH0572713A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0572713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020057229A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-11 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 하프톤 마스크 설계방법 |
| US6656795B1 (en) | 2002-06-28 | 2003-12-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor memory element |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP23147291A patent/JPH0572713A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020057229A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-11 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 하프톤 마스크 설계방법 |
| US6656795B1 (en) | 2002-06-28 | 2003-12-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor memory element |
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