CN109725486B - 掩膜版及其制造方法、显示基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种掩膜版及其制造方法、显示基板的制造方法，属于显示技术领域。该掩膜版用于采用曝光工艺以及负性光阻材料制备目标图案，目标图案具有指定拐角，掩膜版的制造方法包括：基于目标图案，确定初始开口区域的尺寸；确定开口拐角在目标面上的内缩尺寸，目标面为目标图案的制备平面；基于内缩尺寸对开口拐角进行调整，得到目标开口区域的尺寸，目标开口区域的尺寸大于初始开口区域的尺寸；基于目标开口区域的尺寸，在掩膜版本体上形成目标开口区域。本发明提供一种掩膜版，增大用于制备目标图案的负性光阻材料上的与目标开口区域的开口拐角对应位置的曝光量，减小目标图案在指定拐角处的内缩尺寸，改善目标图案在指定拐角处的内缩现象。

Description

掩膜版及其制造方法、显示基板的制造方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜版及其制造方法、显示基板的制造方法。

背景技术

显示基板为用于显示的基板，其可以为彩膜基板或阵列基板。例如，彩膜基板通常包括：衬底基板，以及依次设置在衬底基板上的黑矩阵(Black Matrix，BM)图案和彩色色阻(Color Filter，CF)图案。黑矩阵图案包括矩阵状排布的多个黑矩阵块，彩色色阻图案包括矩阵状排布的多个色阻块，每个色阻块对应一个像素。彩膜基板的制备过程包括：通过构图工艺在衬底基板上形成黑矩阵图案；在形成有黑矩阵图案的衬底基板上通过构图工艺形成彩色色阻图案。其中，构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影。

相关技术中提供了一种在形成有黑矩阵图案的衬底基板上形成彩色色阻图案的方法，该方法包括：在形成有黑矩阵图案的衬底基板上形成色阻层，该色阻层由负性光阻材料制备得到；采用掩膜版对色阻层进行曝光处理，该掩膜版的镂空区域的图案与所需制备的色阻图案相同；对曝光后的色阻层进行显影处理，得到色阻图案。由于曝光机设备的曝光光线存在平行半角，曝光光线经过掩膜版的开口区域后会发生外扩，因此色阻层的曝光区域的尺寸大于掩膜版的开口区域的尺寸，也即是最终得到的色阻块的尺寸大于掩膜版的开口区域的尺寸，色阻块的尺寸与掩膜版的开口区域的尺寸的差值可以称为图形尺寸(Critical Dimension，CD)偏离值。

但是，当掩膜版的开口区域存在拐角时，易导致色阻层的曝光区域中，与开口区域的拐角对应位置的曝光量小于非拐角对应位置的曝光量，使得制备得到的色阻块的拐角处CD偏离值小于非拐角处CD偏离值，进而导致色阻块在拐角处出现内缩现象。在曝光机设备的对位精度的影响下，由该彩膜基板所组成的显示器在显示图像时像素的拐角处可能会漏光，影响图像显示效果。

发明内容

本发明实施例提供了一种掩膜版及其制造方法、显示基板的制造方法，可以解决相关技术中色阻块在拐角处内缩的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种掩膜版的制造方法，所述掩膜版用于采用曝光工艺以及负性光阻材料制备目标图案，所述目标图案具有指定拐角，所述指定拐角的角度范围为0至180°，所述方法包括：

基于所述目标图案，确定初始开口区域的尺寸，所述初始开口区域的形状与所述目标图案的形状相同，所述初始开口区域具有开口拐角；

确定所述开口拐角在目标面上的内缩尺寸，所述目标面为所述目标图案的制备平面，所述内缩尺寸为所述开口拐角在所述目标面上的理想偏离值与实际偏离值的差值；

基于所述内缩尺寸对所述开口拐角进行调整，得到目标开口区域的尺寸，所述目标开口区域的尺寸大于所述初始开口区域的尺寸；

基于所述目标开口区域的尺寸，在掩膜版本体上形成目标开口区域。

可选的，所述确定所述开口拐角在目标面上的内缩尺寸，包括：

获取所述初始开口区域的其它边缘点在所述目标面上的第一偏离值，所述其它边缘点为除形成所述开口拐角的边缘以外的边缘上的点；

计算所述开口拐角的顶点在所述目标面上的第二偏离值；

将所述第一偏离值与所述第二偏离值的差值作为所述开口拐角的顶点在所述目标面上的内缩距离。

可选的，所述计算所述开口拐角的顶点在所述目标面上的第二偏离值，包括：

基于第一公式和第二公式，计算所述开口拐角的顶点在所述目标面上的第二偏离值d₁；

所述第一公式为：

所述第二公式为：

其中，θ表示所述开口拐角的角度大小，r表示存在平行半角的曝光光线在所述目标面上的正投影的长度，S表示最小曝光量对应的所述掩膜版上的曝光面积。

可选的，所述获取所述初始开口区域的其它边缘点在所述目标面上的第一偏离值，包括：

获取所述初始开口区域的直线边缘上的边缘点在所述目标面上的第一偏离值。

可选的，在所述计算所述开口拐角的顶点在所述目标面上的第二偏离值之前，所述方法还包括：

基于所述第一偏离值，计算最小曝光量对应的所述掩膜版上的曝光面积。

可选的，所述第一偏离值等于4.5微米，所述r等于8.7微米，所述开口拐角的角度θ等于142°，所述内缩距离等于1.3微米。

可选的，所述基于所述内缩尺寸对所述开口拐角进行调整，包括：

对所述开口拐角的顶点进行外扩调整，使调整后的开口拐角的顶点与调整前的开口拐角的顶点之间的距离等于所述内缩距离。

第二方面，提供了一种掩膜版，所述掩膜版采用如第一方面任一所述的方法制备得到；

所述掩膜版包括：掩膜版本体，所述掩膜版本体具有至少一个目标开口区域，所述目标开口区域具有开口拐角，形成所述开口拐角的边缘凸出于所述目标开口区域的其他边缘，所述开口拐角的角度范围为0至180°。

第三方面，提供了一种显示基板的制造方法，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成负性光阻材料层；

通过掩膜版对所述负性光阻材料层进行曝光处理，所述掩膜版包括如第二方面所述的掩膜版；

对经过曝光处理的负性光阻材料层进行显影处理，形成目标图案，所述目标图案具有指定拐角，所述指定拐角的角度范围为0至180°。

可选的，所述显示基板为彩膜基板，所述在所述衬底基板上形成负性光阻材料层，包括：

采用负性光阻材料通过涂覆的方式在所述衬底基板上形成色阻层。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：

通过提供一种掩膜版，掩膜版本体具有至少一个目标开口区域，目标开口区域具有开口拐角，由于形成开口拐角的边缘凸出于目标开口区域的其他边缘，因此在采用负性光阻材料制备目标图案的过程中，可以增大负性光阻材料上与目标开口区域的开口拐角对应位置的曝光量，与相关技术相比，可以减小目标图案在指定拐角处的内缩尺寸，因此可以改善目标图案在指定拐角处的内缩现象，进而可以改善由于目标图案在拐角处内缩而导致的显示器漏光现象，从而保证了图像显示效果。

附图说明

图1是通过相关技术中提供的掩膜版采用曝光工艺以及负性光阻材料制备得到的色阻图案的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；

图3是通过如图2所示的掩膜版采用曝光工艺以及负性光阻材料制备得到的目标图案的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种掩膜版的制造方法的流程图；

图5是本发明实施例提供的另一种掩膜版的制造方法的流程图；

图6是本发明实施例提供的一种确定开口拐角在目标面上的内缩尺寸的方法流程图；

图7是图1所示的色阻块的拐角处的CD偏离示意图；

图8是本发明实施例提供的曝光光线的平行半角的测试示意图；

图9是本发明实施例提供的针孔板的结构示意图；

图10是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

图1是通过相关技术中提供的掩膜版采用曝光工艺以及负性光阻材料制备得到的色阻图案的结构示意图。其中，色阻图案包括色阻块101，虚线框围成的区域A为掩膜版的开口区域在色阻块上的正投影，该掩膜版的开口区域具有开口拐角θ₁，如图1所示，色阻块101的尺寸大于掩膜版的开口区域的尺寸，且色阻块101的拐角处CD偏离值d₁小于非拐角处CD偏离值d₂，即色阻块101在拐角处出现内缩现象。

随着显示技术的不断发展，对显示屏的色彩还原性要求越来越高。其中，显示屏的色彩还原性与像素密度(Pixels Per Inch，PPI)正相关，也即是，显示屏的像素密度越大，则显示屏的色彩还原性越高。目前，为了提高显示基板的PPI，显示基板中的黑矩阵图案和色阻图案的CD值较小。相应的，相关技术中用于制备色阻图案的掩膜版的开口区域的尺寸较小，导致色阻图案在拐角处出现的内缩现象更为严重，易导致显示器在显示图像时像素拐角处漏光。

本发明实施例提供了一种掩膜版，可以解决相关技术中出现的上述问题。图2是本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图，如图2所示，该掩膜版包括：掩膜版本体201，掩膜版本体201具有至少一个目标开口区域B，目标开口区域B具有开口拐角θ₂，形成开口拐角θ₂的边缘凸出于目标开口区域B的其他边缘，开口拐角θ₂的角度范围为0至180°。

需要说明的是，本发明实施例提供的掩膜版用于采用曝光工艺以及负性光阻材料制备目标图案，即目标图案由负性光阻材料制备得到。其中，目标图案具有指定拐角，该指定拐角的角度范围为0至180°。可选的，目标图案可以为彩膜基板中的色阻图案或显示器中其他需要通过构图工艺制备得到的图案，本发明实施例对此不做限定。

可选的，图3是通过如图2所示的掩膜版采用曝光工艺以及负性光阻材料制备得到的目标图案的结构示意图，虚线框围成的区域B为掩膜版的目标开口区域在目标图案201上的正投影。如图3所示，由于目标开口区域中形成开口拐角θ₂的边缘凸出于目标开口区域B的其他边缘，因此在采用负性光阻材料制备目标图案的过程中，可以增大负性光阻材料上与目标开口区域的开口拐角对应位置的曝光量，进而可以减小制备得到的目标图案201在指定拐角β处的内缩尺寸，因此可以改善目标图案在指定拐角处的内缩现象。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜版，掩膜版本体具有至少一个目标开口区域，目标开口区域具有开口拐角，由于形成开口拐角的边缘凸出于目标开口区域的其他边缘，因此在采用负性光阻材料制备目标图案的过程中，可以增大负性光阻材料上与目标开口区域的开口拐角对应位置的曝光量，与相关技术相比，可以减小目标图案在指定拐角处的内缩尺寸，因此可以改善目标图案在指定拐角处的内缩现象，进而可以改善由于目标图案在拐角处内缩而导致的显示器漏光现象，从而保证了图像显示效果。

图4是本发明实施例提供的一种掩膜版的制造方法的流程图，可以用于制造如图2所示的掩膜版，该掩膜版用于采用曝光工艺以及负性光阻材料制备目标图案，该目标图案具有指定拐角，该指定拐角的角度范围为0至180°。如图4所示，该方法包括：

步骤301、基于目标图案，确定初始开口区域的尺寸，初始开口区域的形状与目标图案的形状相同，初始开口区域具有开口拐角。

步骤302、确定开口拐角在目标面上的内缩尺寸，目标面为目标图案的制备平面，内缩尺寸为开口拐角在目标面上的理想偏离值与实际偏离值的差值。

可选的，理想偏离值为掩膜版的开口区域的非开口拐角在目标面上的CD偏离值。

步骤303、基于内缩尺寸对开口拐角进行调整，得到目标开口区域的尺寸，目标开口区域的尺寸大于初始开口区域的尺寸。

步骤304、基于目标开口区域的尺寸，在掩膜版本体上形成目标开口区域。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜版的制造方法，首先基于目标图案确定初始开口区域的尺寸，该初始开口区域具有开口拐角；然后基于开口拐角在目标面上的内缩尺寸对开口拐角进行调整，得到目标开口区域的尺寸；最后基于目标开口区域的尺寸，在掩膜版本体上形成目标开口区域。由于目标开口区域的尺寸大于初始开口区域的尺寸，也即是基于内缩尺寸对开口拐角进行外扩调整，使开口拐角的边缘凸出于目标开口区域的其他边缘，因此在采用负性光阻材料制备目标图案的过程中，可以增大负性光阻材料上与目标开口区域的开口拐角对应位置的曝光量，与相关技术相比，可以减小目标图案在指定拐角处的内缩尺寸，因此可以改善目标图案在指定拐角处的内缩现象，进而可以改善由于目标图案在拐角处内缩而导致的显示器漏光现象，从而保证了图像显示效果。

图5是本发明实施例提供的另一种掩膜版的制造方法的流程图，可以用于制造如图2所示的掩膜版，该掩膜版用于采用曝光工艺以及负性光阻材料制备目标图案，该目标图案具有指定拐角，该指定拐角的角度范围为0至180°。如图5所示，该方法包括：

步骤401、基于目标图案，确定初始开口区域的尺寸，初始开口区域的形状与目标图案的形状相同，初始开口区域具有开口拐角。

可选的，目标图案可以为彩膜基板中的色阻图案或显示器中其他需要通过构图工艺制备得到的图案，本发明实施例对此不做限定。

步骤402、确定开口拐角在目标面上的内缩尺寸，目标面为目标图案的制备平面，内缩尺寸为开口拐角在目标面上的理想偏离值与实际偏离值的差值。

可选的，理想偏离值为掩膜版的开口区域的非开口拐角在目标面上的CD偏离值。图6是本发明实施例提供的确定开口拐角在目标面上的内缩尺寸的方法流程图，如图6所示，该方法包括：

步骤4021、获取初始开口区域的其它边缘点在目标面上的第一偏离值，其它边缘点为除形成开口拐角的边缘以外的边缘上的点。

可选的，可以获取初始开口区域的直线边缘上的边缘点在目标面上的第一偏离值。示例的，参见图1，第一偏离值可以是色阻块101的非拐角处CD偏离值d₂。

需要说明的是，初始开口区域的直线边缘上的边缘点在目标面上的第一偏离值的大小与目标面上涂覆的负性光阻材料的材质相关，不同材质的负性光阻材料的附着力和对应的最小曝光量不同，即第一偏离值的大小由负性光阻材料的材料特性决定。其中，当负性光阻材料的曝光区域的曝光量大于或等于最小曝光量时，该曝光区域内的负性光阻材料在显影后可以保留，即最小曝光量为负性光阻材料的有效曝光量。

步骤4022、计算开口拐角的顶点在目标面上的第二偏离值。

示例的，参见图1，第二偏离值可以是色阻块101的拐角处CD偏离值d₁。

可选的，可以基于第一公式和第二公式，计算开口拐角的顶点在目标面上的第二偏离值d₁。

第一公式为：

第二公式为：

其中，θ表示开口拐角的角度大小，r表示存在平行半角的曝光光线在目标面上的正投影的长度，S表示最小曝光量对应的掩膜版上的曝光面积。

需要说明的是，开口拐角的角度θ、存在平行半角的曝光光线在目标面上的正投影的长度r和最小曝光量对应的掩膜版上的曝光面积S可视为已知量，则上述第一公式和第二公式中仅存在第二偏离值d₁和h两个未知量。通过联立第一公式和第二公式，可计算得到第二偏离值d₁。

示例的，图7是图1所示的色阻块的拐角处的CD偏离示意图，如图7所示，掩膜版的初始开口区域的某个开口拐角的角度为θ₁，存在平行半角的曝光光线经过初始开口区域中的曝光区域A1后在色阻图案上的正投影的长度为r，曝光区域A1中的最大弦到扇形顶点的距离为d₁+h，开口拐角的顶点的CD偏离值为d₁，基于第一公式和第二公式，可计算得到开口拐角的顶点在目标面上的第二偏离值d₁。

可选的，曝光光线的平行半角的最大值为2°，误差为±0.2°。在本发明实施例中，可通过实验测试确定曝光光线的平行半角，进一步根据曝光机设备与目标面之间的距离确定曝光光线在目标面上的正投影的长度r。

示例的，图8是本发明实施例提供的曝光光线的平行半角的测试示意图，如图8所示，曝光光线经过针孔(Pin hole)板501后到达测定面502。图9是本发明实施例提供的针孔板的结构示意图，如图9所示，针孔板501上设置有阵列排布的多个针孔W1。参见图8，可以基于针孔W1的尺寸、经过针孔W1的曝光光线在测定面502上形成的光斑的尺寸以及针孔板501与测定面502之间的距离H计算得到曝光光线的平行半角。假设针孔W1的直径为1微米，经过针孔W1的光线在测定面502上形成的光斑的直径为18.4微米，针孔板501与测定面502之间的距离H为250微米，则可计算得到曝光光线的平行半角为2°。

可选的，可以基于初始开口区域的直线边缘上的边缘点在目标面上的第一偏离值，计算最小曝光量对应的掩膜版上的曝光面积。

示例的，参见图1，d₂表示初始开口区域的直线边缘上的边缘点在目标面上的第一偏离值，对色阻块101的直线边缘点X进行曝光的光线为经过掩膜版的开口区域中曝光区域A2的光线，即曝光区域A2的面积为最小曝光量对应的掩膜版上的曝光面积，该曝光区域A2的面积等于扇形区域的面积减去内部三角形的面积，本发明实施例在此不做赘述。

可选的，最小曝光量对应的掩膜版上的曝光面积还可以通过其他方式得到，本发明实施例对此不做限定。

步骤4023、将第一偏离值与第二偏离值的差值作为开口拐角的顶点在目标面上的内缩距离。

可选的，当曝光光线的平行半角为2.0°，针孔板与目标面之间的距离为250微米时，目前手机产品中所使用的负性光阻材料的直线边缘在目标面上的CD偏离值(即第一偏离值d₂)为4.5微米，曝光光线在目标面上的正投影的长度r等于8.7微米；当开口拐角的角度θ等于142°，基于第一公式和第二公式可计算得到第二偏离值d₁等于3.2微米，则内缩距离等于1.3微米。其中，可以基于第一偏离值d₂计算最小曝光量对应的掩膜版上的曝光面积，例如图1中曝光区域A2的面积与开口区域A的面积的比值为18.61％，表明当负性光阻材料对应的掩膜版的曝光面积低于开口区域的面积的18.61％时，无法形成有效图案。

步骤403、基于内缩尺寸对开口拐角进行调整，得到目标开口区域的尺寸，目标开口区域的尺寸大于初始开口区域的尺寸。

可选的，可以对开口拐角的顶点进行外扩调整，使调整后的开口拐角的顶点与调整前的开口拐角的顶点之间的距离等于内缩距离。

需要说明的是，通过对开口拐角的顶点进行外扩调整，使调整后的开口拐角的顶点与调整前的开口拐角的顶点之间的距离等于内缩距离，在采用负性光阻材料制备目标图案的过程中，可以增大负性光阻材料上与目标开口区域的开口拐角对应位置的曝光量，避免目标图案在指定拐角处出现内缩，进而可以避免由于目标图案在拐角处内缩而导致的显示器漏光现象，从而保证了图像显示效果。

步骤404、提供掩膜版本体。

可选的，掩膜版本体可以由金属、玻璃或树脂材料制备得到，本发明实施例对掩膜版的材质不做限定。

步骤405、基于目标开口区域的尺寸，在掩膜版本体上形成目标开口区域。

可选的，制备得到的掩膜版的结构可参见图2。

需要说明的是，本发明实施例提供的掩膜版的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的掩膜版的制造方法，首先基于目标图案确定初始开口区域的尺寸，该初始开口区域具有开口拐角；然后基于开口拐角在目标面上的内缩尺寸对开口拐角进行调整，得到目标开口区域的尺寸；最后基于目标开口区域的尺寸，在掩膜版本体上形成目标开口区域。由于目标开口区域的尺寸大于初始开口区域的尺寸，也即是基于内缩尺寸对开口拐角进行外扩调整，使开口拐角的边缘凸出于目标开口区域的其他边缘，因此在采用负性光阻材料制备目标图案的过程中，可以增大负性光阻材料上与目标开口区域的开口拐角对应位置的曝光量，与相关技术相比，可以减小目标图案在指定拐角处的内缩尺寸，因此可以改善目标图案在指定拐角处的内缩现象，进而可以改善由于目标图案在拐角处内缩而导致的显示器漏光现象，从而保证了图像显示效果。

关于上述方法实施例中的掩膜版的结构以及材质已经在装置侧实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

图10是本发明实施例提供的一种显示基板的制造方法的方法流程图，如图10所示，该方法包括：

步骤601、提供衬底基板。

可选的，衬底基板可以由玻璃、硅片、石英或塑料等材料制成，本发明实施例对衬底基板的材质不做限定，仅需保证该衬底基板的表面平整即可。

步骤602、在衬底基板上形成负性光阻材料层。

可选的，可以通过涂覆的方式在衬底基板上形成负性光阻材料层。

可选的，当显示基板为彩膜基板，可以采用负性光阻材料通过涂覆的方式在衬底基板上形成色阻层。其中，色阻层可以是红色色阻层、绿色色阻层或蓝色色阻层。在衬底基板上形成色阻层之前，还可以通过构图工艺在衬底基板上形成黑矩阵图案，再在形成有黑矩阵图案的衬底基板上形成色阻层。

步骤603、通过掩膜版对负性光阻材料层进行曝光处理。

可选的，可通过如图2所示的掩膜版对负性光阻材料层进行曝光处理。

步骤604、对经过曝光处理的负性光阻材料层进行显影处理，形成目标图案。

其中，目标图案具有指定拐角，指定拐角的角度范围为0至180°。可选的，目标图案可以是色阻图案，或者目标图案还可以是显示基板中其他需要通过构图工艺制备的图案，本发明实施例对此不做限定。

需要说明的是，本发明实施例提供的显示基板的制造方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提供的显示基板的制造方法，通过掩膜版对负性光阻材料层进行曝光处理，掩膜版本体具有至少一个目标开口区域，目标开口区域具有开口拐角，由于形成开口拐角的边缘凸出于目标开口区域的其他边缘，因此在制备目标图案的过程中，可以增大负性光阻材料层上与目标开口区域的开口拐角对应位置的曝光量，与相关技术相比，可以减小目标图案在指定拐角处的内缩尺寸，因此可以改善目标图案在指定拐角处的内缩现象，进而可以改善由于目标图案在拐角处内缩而导致的显示器漏光现象，保证了图像显示效果。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，所述掩膜版用于采用曝光工艺以及负性光阻材料制备目标图案，所述目标图案具有指定拐角，所述指定拐角的角度范围为0至180°，所述方法包括：

基于所述目标图案，确定初始开口区域的尺寸，所述初始开口区域的形状与所述目标图案的形状相同，所述初始开口区域具有开口拐角；

确定所述开口拐角在目标面上的内缩尺寸，所述目标面为所述目标图案的制备平面，所述内缩尺寸为所述开口拐角在所述目标面上的理想偏离值与实际偏离值的差值；

基于所述内缩尺寸对所述开口拐角进行调整，得到目标开口区域的尺寸，所述目标开口区域的尺寸大于所述初始开口区域的尺寸；

基于所述目标开口区域的尺寸，在掩膜版本体上形成目标开口区域；

所述确定所述开口拐角在目标面上的内缩尺寸，包括：

获取所述初始开口区域的其它边缘点在所述目标面上的第一偏离值，所述其它边缘点为除形成所述开口拐角的边缘以外的边缘上的点；

计算所述开口拐角的顶点在所述目标面上的第二偏离值；

将所述第一偏离值与所述第二偏离值的差值作为所述开口拐角的顶点在所述目标面上的内缩距离；

所述基于所述内缩尺寸对所述开口拐角进行调整，包括：

对所述开口拐角的顶点进行外扩调整，使调整后的开口拐角的顶点与调整前的开口拐角的顶点之间的距离等于所述内缩距离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述计算所述开口拐角的顶点在所述目标面上的第二偏离值，包括：

基于第一公式和第二公式，计算所述开口拐角的顶点在所述目标面上的第二偏离值d₁；

所述第一公式为：

所述第二公式为：

其中，θ表示所述开口拐角的角度大小，r表示存在平行半角的曝光光线在所述目标面上的正投影的长度，S表示最小曝光量对应的所述掩膜版上的曝光面积，d₁+h表示曝光区域A1中的最大弦到扇形顶点的距离。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取所述初始开口区域的其它边缘点在所述目标面上的第一偏离值，包括：

获取所述初始开口区域的直线边缘上的边缘点在所述目标面上的第一偏离值。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述计算所述开口拐角的顶点在所述目标面上的第二偏离值之前，所述方法还包括：

基于所述第一偏离值，计算最小曝光量对应的所述掩膜版上的曝光面积。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一偏离值等于4.5微米，所述r等于8.7微米，所述开口拐角的角度θ等于142°，所述内缩距离等于1.3微米。

6.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成负性光阻材料层，通过权利要求1-5任一项的制备方法制备掩膜板；

通过所述掩膜版对所述负性光阻材料层进行曝光处理；

对经过曝光处理的负性光阻材料层进行显影处理，形成目标图案，所述目标图案具有指定拐角，所述指定拐角的角度范围为0至180°。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述显示基板为彩膜基板，所述在所述衬底基板上形成负性光阻材料层，包括：

采用负性光阻材料通过涂覆的方式在所述衬底基板上形成色阻层。

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