JPS61208049A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS61208049A JPS61208049A JP60048997A JP4899785A JPS61208049A JP S61208049 A JPS61208049 A JP S61208049A JP 60048997 A JP60048997 A JP 60048997A JP 4899785 A JP4899785 A JP 4899785A JP S61208049 A JPS61208049 A JP S61208049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- angles
- interlayer insulating
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の半導体素子表面微細加工用マスク、特にそのパ
ターン形状に関するものである。
ＳＩ等の半導体素子表面微細加工用マスク、特にそのパ
ターン形状に関するものである。
従来の技術
半導体基板表面の微細パターン、特に層間絶縁膜に形成
する貫通孔のパターン形状は、正方形または矩形が一般
的であった。第２図（８，）は従来例のパターン形状を
示す平面図でめり、同（ｂ）はその転写断面図である。
する貫通孔のパターン形状は、正方形または矩形が一般
的であった。第２図（８，）は従来例のパターン形状を
示す平面図でめり、同（ｂ）はその転写断面図である。
このパターンの形成過程をのべると、原版または原版か
ら複製したマスク４を用いて、コンタクトアライナ−、
プロジェクシぢンアライナーやマスクステ、フパーで、
半導体基板（ウェーハ）上１上の層間絶縁膜２をおおっ
て設けられた感光性樹脂（フォトレジスト）膜３に、可
視、紫外、Ｘ線等によってマスクパターン４を転写して
いた。そして、フォトレジスト３を現像し、同フォトレ
ジスト３のマスクにより、湿式や乾式の刻食法を用いて
、ウエーノ・上にマスクパターンを刻み込んでいた。こ
こで、第１図中、６はフォトレジスト３の開口、６はガ
ラス基板である。
ら複製したマスク４を用いて、コンタクトアライナ−、
プロジェクシぢンアライナーやマスクステ、フパーで、
半導体基板（ウェーハ）上１上の層間絶縁膜２をおおっ
て設けられた感光性樹脂（フォトレジスト）膜３に、可
視、紫外、Ｘ線等によってマスクパターン４を転写して
いた。そして、フォトレジスト３を現像し、同フォトレ
ジスト３のマスクにより、湿式や乾式の刻食法を用いて
、ウエーノ・上にマスクパターンを刻み込んでいた。こ
こで、第１図中、６はフォトレジスト３の開口、６はガ
ラス基板である。
発明が解決しようとする問題点
上に記載したフォトレジストへのフォトマスク微細パタ
ーンの転写は、焦点深度や解像度から、マスクパターン
を忠実に再現し得ない。特に層間絶縁膜に設ける貫通孔
は、第２図（ｂ）に示すように正方形パターン４による
開口５の隅部が円形に転写される。これによってマスク
での開ロバターン面積に対し、転写実開口面積は、約７
６％に減少する。この現象は、半導体装置の電気的特性
面において、層間絶縁膜を介しての上下層の接続部での
接続抵抗の増加や、環境試験での接続部の剥れなどの問
題全誘発する。
ーンの転写は、焦点深度や解像度から、マスクパターン
を忠実に再現し得ない。特に層間絶縁膜に設ける貫通孔
は、第２図（ｂ）に示すように正方形パターン４による
開口５の隅部が円形に転写される。これによってマスク
での開ロバターン面積に対し、転写実開口面積は、約７
６％に減少する。この現象は、半導体装置の電気的特性
面において、層間絶縁膜を介しての上下層の接続部での
接続抵抗の増加や、環境試験での接続部の剥れなどの問
題全誘発する。
問題点全解決するための手段
本発発は、半導体基体表面上のエツチングマスク材料に
、層間絶縁膜の矩形貫通孔パターンを転写する際に、矩
形の四隅が鋭角全有するパターン形状のマスクを用いる
半導体装置の製造方法である。
、層間絶縁膜の矩形貫通孔パターンを転写する際に、矩
形の四隅が鋭角全有するパターン形状のマスクを用いる
半導体装置の製造方法である。
作用
本発明は、マスクパターン面積からの減少を予め予測し
た、７オトレジストへの転写により得られた現像後パタ
ーンの変形を見込んでおき、層間絶縁膜に形成された開
ロバターンが、正方形または矩形に得られるように、四
隅全鋭角に形状補正したマスクパターンを用いてフォト
レジスト上にパターンを転写するものである。
た、７オトレジストへの転写により得られた現像後パタ
ーンの変形を見込んでおき、層間絶縁膜に形成された開
ロバターンが、正方形または矩形に得られるように、四
隅全鋭角に形状補正したマスクパターンを用いてフォト
レジスト上にパターンを転写するものである。
実施例
本発明の実施例を第１図を用いて説明する。
半導体基板ｉ上の層間絶縁膜２に１辺が２μｍの正方形
の貫通孔パターン５を設けることを目的トシタマスク４
は２．○〜２゜５朋のガラス基板６ににクロム膜約６０
０人と酸化クロム膜約４００人の二重膜全蒸着で形成し
、これにマスク側の開口用パターン４をエツチングによ
り形成する。この時の開口用マスクパターン４の形状は
、四隅の角度を４５°〜８５°の範囲の鋭角にする。ま
た四隅の角度を有する辺の長さＣは、正方形の角から○
、６〜２．０μｍ、この実施例では、ＣＺｏ、７μｍと
しだ。このような寸法補正を入れたマスク４を用いるこ
とで四隅の曲率Ｍ／Ｒ）全非常に太きくできて、設計寸
法に近い開ロバターン６が層間絶縁膜２のフォトレジス
ト３に転写される。
の貫通孔パターン５を設けることを目的トシタマスク４
は２．○〜２゜５朋のガラス基板６ににクロム膜約６０
０人と酸化クロム膜約４００人の二重膜全蒸着で形成し
、これにマスク側の開口用パターン４をエツチングによ
り形成する。この時の開口用マスクパターン４の形状は
、四隅の角度を４５°〜８５°の範囲の鋭角にする。ま
た四隅の角度を有する辺の長さＣは、正方形の角から○
、６〜２．０μｍ、この実施例では、ＣＺｏ、７μｍと
しだ。このような寸法補正を入れたマスク４を用いるこ
とで四隅の曲率Ｍ／Ｒ）全非常に太きくできて、設計寸
法に近い開ロバターン６が層間絶縁膜２のフォトレジス
ト３に転写される。
発明の効果
本発明によれば、第１に、層間絶縁膜の貫通孔の面積全
確保することで、層間絶縁膜上下の導体の接触抵抗の低
減が図れる、第２に層間絶縁膜の貫通孔の面積を確保す
ることで、温度サイクル試験での層間絶縁膜上下の導体
の接続不良が防げる、等の効果が得られる。
確保することで、層間絶縁膜上下の導体の接触抵抗の低
減が図れる、第２に層間絶縁膜の貫通孔の面積を確保す
ることで、温度サイクル試験での層間絶縁膜上下の導体
の接続不良が防げる、等の効果が得られる。
第１図側；朝は従来例装置における転写パターン平面図
、転写断面図、第２図は本発明実施例工程での転写パタ
ーン平面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・層間絶縁膜
、３・・・・・・フォトレジスト膜、４・・・・・・マ
スク、５・・・・・・フォトレジストの開口、６・・・
・・・ガラス基板。
、転写断面図、第２図は本発明実施例工程での転写パタ
ーン平面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・層間絶縁膜
、３・・・・・・フォトレジスト膜、４・・・・・・マ
スク、５・・・・・・フォトレジストの開口、６・・・
・・・ガラス基板。
Claims (1)
- 半導体基体表面上のエッチングマスク材料に、層間絶
縁膜の矩形貫通孔パターンを転写する際に、矩形の四隅
が鋭角を有するパターン形状のマスクを用いることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60048997A JPS61208049A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60048997A JPS61208049A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208049A true JPS61208049A (ja) | 1986-09-16 |
Family
ID=12818842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60048997A Pending JPS61208049A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208049A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165851A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Sony Corp | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH02125693A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | 印刷配線板の製造方法 |
| JPH03186845A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路用フオトマスク |
| JP2003066589A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ用フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法 |
| JP2014016454A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロレンズの製造方法およびマイクロレンズ製造用フォトマスク |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP60048997A patent/JPS61208049A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63165851A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Sony Corp | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
| JPH02125693A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Nec Corp | 印刷配線板の製造方法 |
| JPH03186845A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路用フオトマスク |
| JP2003066589A (ja) * | 2001-08-28 | 2003-03-05 | Toppan Printing Co Ltd | カラーフィルタ用フォトマスク及びそれを用いたカラーフィルタの製造方法 |
| JP4736277B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2011-07-27 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルターの着色画素の形成方法及びカラーフィルターのブラックマトリックスの形成方法 |
| JP2014016454A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Toppan Printing Co Ltd | マイクロレンズの製造方法およびマイクロレンズ製造用フォトマスク |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6368980B1 (en) | Resist mark having measurement marks for measuring the accuracy of overlay of a photomask disposed on semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor wafer having it | |
| TW392228B (en) | Method for removing photoresist on wafer edge in manufacturing semiconductor devices | |
| JPH0425126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61208049A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW403859B (en) | Method for fabricating stencil mask | |
| KR20010011000A (ko) | 이중 노광을 이용한 캐패시터 패턴 형성방법 | |
| JPH02189913A (ja) | 半導体装置のパターン形成方法 | |
| JPH11184066A (ja) | フォトマスク及びコンタクトホール形成方法 | |
| TW405184B (en) | Method for producing a contact hole having a step-shaped cross-sectional profile and dual damascene process | |
| KR950015577A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR0159012B1 (ko) | 2층 감광막 패턴 형성방법 | |
| JPS62143052A (ja) | マスク | |
| TW396399B (en) | Method of solving chip alignment error | |
| KR100358161B1 (ko) | 반도체소자제조방법 | |
| KR0137610B1 (ko) | 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법 | |
| TW399294B (en) | Process for etching dielectrics | |
| JPH03142466A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれに用いられるマスク | |
| KR0172826B1 (ko) | 반도체소자의 활성영역 형성방법 | |
| TW302505B (en) | Manufacturing method of reconstructing alignment mark after chemical mechanical polishing | |
| TW487965B (en) | Self-aligned photography process of silicon on insulator device | |
| JPH08139073A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62177922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0350719A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH07248607A (ja) | フォトマスク | |
| JPH0833652B2 (ja) | フォトマスクパターン検証法 |