JPS6317331B2 - - Google Patents
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- JPS6317331B2 JPS6317331B2 JP56159380A JP15938081A JPS6317331B2 JP S6317331 B2 JPS6317331 B2 JP S6317331B2 JP 56159380 A JP56159380 A JP 56159380A JP 15938081 A JP15938081 A JP 15938081A JP S6317331 B2 JPS6317331 B2 JP S6317331B2
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- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 26
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 14
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 claims description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路の製造に用いるパタン形成
法、特に、電子ビームを用いたパタン形成におい
て、集積回路等の設計パタンデータから近接効果
補正を施した描画データを作成するための方法に
関するものである。
法、特に、電子ビームを用いたパタン形成におい
て、集積回路等の設計パタンデータから近接効果
補正を施した描画データを作成するための方法に
関するものである。
電子ビーム露光においては、電子ビームレジス
トが塗布された基板の所定の位置に電子ビームを
照射した後、現像処理を施し、そのレジストの電
子ビーム照射部分を除去したり、あるいは照射部
分以外のレジストを除去することにより基板上に
所望のレジストパタンを形成する。電子ビーム
は、レジスト内部及び基板内部で散乱されるの
で、電子ビーム照射点の近傍にも照射効果が現わ
れる。この現象は近接効果と呼ばれる。近接効果
は、一般に、パタン内近接効果とパタン間近接効
果とに大別される。前者は、電子ビームを照射し
た図形パタンの大きさにより適正露光量、すなわ
ち寸法精度よく図形パタンを形成するために必要
な露光量が異なる現象であり、図形パタンが微細
化する程、適正露光量は大きくなる。後者は、近
接した図形パタンが相互に影響を及ぼし合うもの
であり、図形パタンの間隔が狭くなるにつれて適
正露光量は減少する。従つて、図形パタンの形状
や近接した図形パタンの間隔に応じて近接効果補
正を施して露光をしないと所望の図形パタンが得
られず、特に、設計パタンが微細化する程、パタ
ン形成が困難になる。
トが塗布された基板の所定の位置に電子ビームを
照射した後、現像処理を施し、そのレジストの電
子ビーム照射部分を除去したり、あるいは照射部
分以外のレジストを除去することにより基板上に
所望のレジストパタンを形成する。電子ビーム
は、レジスト内部及び基板内部で散乱されるの
で、電子ビーム照射点の近傍にも照射効果が現わ
れる。この現象は近接効果と呼ばれる。近接効果
は、一般に、パタン内近接効果とパタン間近接効
果とに大別される。前者は、電子ビームを照射し
た図形パタンの大きさにより適正露光量、すなわ
ち寸法精度よく図形パタンを形成するために必要
な露光量が異なる現象であり、図形パタンが微細
化する程、適正露光量は大きくなる。後者は、近
接した図形パタンが相互に影響を及ぼし合うもの
であり、図形パタンの間隔が狭くなるにつれて適
正露光量は減少する。従つて、図形パタンの形状
や近接した図形パタンの間隔に応じて近接効果補
正を施して露光をしないと所望の図形パタンが得
られず、特に、設計パタンが微細化する程、パタ
ン形成が困難になる。
従来、近接効果の補正を行なう場合、まず、補
正処理の対象図形として、矩形、台形等の基本図
形を用い、補正手段として基本図形の露光量を補
正する方法や、基本図形の寸法を修正する方法等
が用いられていた。補正量の算出には、電子ビー
ムがレジスト上の一点に照射された時にレジスト
内に蓄積される電荷量分布を表わす露光強度分布
と呼ばれる関数を用い、、描画領域について面積
分することにより近接効果の程度を判断して補正
量を求めていた。この場合には、近接効果の程度
を求めるために行なう露光強度分布の面積分に計
算時間がかかるという問題があつた。さらに、補
正量を算出するためには、当該図形パタン及び周
囲の図形パタン相互の関係から多元連立方程式等
を用い、基本図形の個々について補正量を求める
必要があり、LSIパタンのように複雑で多種の形
状を有する図形パタンに上述した近接効果補正方
法を適用すると、補正処理は複雑化し、計算機に
よる処理時間が著しく長くなるという欠点があつ
た。
正処理の対象図形として、矩形、台形等の基本図
形を用い、補正手段として基本図形の露光量を補
正する方法や、基本図形の寸法を修正する方法等
が用いられていた。補正量の算出には、電子ビー
ムがレジスト上の一点に照射された時にレジスト
内に蓄積される電荷量分布を表わす露光強度分布
と呼ばれる関数を用い、、描画領域について面積
分することにより近接効果の程度を判断して補正
量を求めていた。この場合には、近接効果の程度
を求めるために行なう露光強度分布の面積分に計
算時間がかかるという問題があつた。さらに、補
正量を算出するためには、当該図形パタン及び周
囲の図形パタン相互の関係から多元連立方程式等
を用い、基本図形の個々について補正量を求める
必要があり、LSIパタンのように複雑で多種の形
状を有する図形パタンに上述した近接効果補正方
法を適用すると、補正処理は複雑化し、計算機に
よる処理時間が著しく長くなるという欠点があつ
た。
更に、従来の近接効果補正方法では、輪郭化さ
れていない図形パタンに対して近接効果の補正を
行なつていたため一続きのパタンの分割点でパタ
ンが切れてしまつたりくびれが生じてしまうとい
う重大な欠点を有していた。
れていない図形パタンに対して近接効果の補正を
行なつていたため一続きのパタンの分割点でパタ
ンが切れてしまつたりくびれが生じてしまうとい
う重大な欠点を有していた。
そこで、本発明の目的は、近接効果補正に露光
強度分布を用いず、単なる図形データ処理により
近接効果を補正することによつて、高速で補正処
理でき、しかもパタンの切れ等が生じない高品質
なパタンを形成できる電子ビーム露光における近
接効果補正方法を提案することにある。
強度分布を用いず、単なる図形データ処理により
近接効果を補正することによつて、高速で補正処
理でき、しかもパタンの切れ等が生じない高品質
なパタンを形成できる電子ビーム露光における近
接効果補正方法を提案することにある。
以下に図面を用いて本発明を詳細に説明する。
最初に、本発明の一実施例を参照して細らせ処
理による補正方法について詳細に説明する。
理による補正方法について詳細に説明する。
まず、輪郭化された図形パタンに対し、近接し
た図形を検索する。ここでは輪郭化とは、基本的
形状の図形が組み合わされて形成されている実際
の図形を縁どり（輪郭どり）する処理であり、図
形データをデータの形で処理することによつて行
われる。第１図にその図形パタン１〜７の一例を
示す。
た図形を検索する。ここでは輪郭化とは、基本的
形状の図形が組み合わされて形成されている実際
の図形を縁どり（輪郭どり）する処理であり、図
形データをデータの形で処理することによつて行
われる。第１図にその図形パタン１〜７の一例を
示す。
第１図の図形パタンはその全ての図形パタンが
輪郭化処理により輪郭化されたものである。図中
のεは、近接効果の影響を考慮する範囲を表わ
し、今、図形４に着目した場合、ε以下の間隔で
近接した図形２，５，６が近接図形として検索さ
れる。εの値は、ビーム径、電子ビームの電流密
度、加速電圧等の電子ビーム露光装置の特性、レ
ジスト特性、レジスト膜厚、基板材質等によつて
変わるが、約5μｍで十分である。
輪郭化処理により輪郭化されたものである。図中
のεは、近接効果の影響を考慮する範囲を表わ
し、今、図形４に着目した場合、ε以下の間隔で
近接した図形２，５，６が近接図形として検索さ
れる。εの値は、ビーム径、電子ビームの電流密
度、加速電圧等の電子ビーム露光装置の特性、レ
ジスト特性、レジスト膜厚、基板材質等によつて
変わるが、約5μｍで十分である。
次に、細らせ処理について説明する。以下、本
発明をわかりやすく説明するために、二つの近接
した図形パタンについて説明する。二つの近接し
た図形パタンの近接部分の二辺の長さ、及びこれ
ら二辺の実際に近接した部分の長さにより細らせ
処理の必要な図形を見出す。本発明の一例を第２
図に示す。第２図Ａは、二つの近接した図形１と
２の近接部分の二辺の長さl1，l2及びl1，l2の実際
に近接した部分の長さｌが所定値ωよりも大きい
場合であり、図形１及び２にはそれぞれ細らせ処
理が必要となる。その細らせ処理部を斜線で示し
てある。第２図Ｂは、l1がωよりも小さい場合で
あり、図形１についてのみ細らせ処理を施す。第
２図Ｃは、ｌが所定値ω0よりも小さい場合であ
り、この場合、いずれの図形についても細らせ処
理を施さない。この判断処理は、微細なパタンを
多数有する集積回路において、処理時間を大幅に
低減せしめるという効果がある。ω，ω0の値は、
本発明による補正処理とは別に、描画実験や露光
強度分布を用いた解析等により求めることがで
き、露光装置の特性、レジスト特性等露光条件に
より異なる。
発明をわかりやすく説明するために、二つの近接
した図形パタンについて説明する。二つの近接し
た図形パタンの近接部分の二辺の長さ、及びこれ
ら二辺の実際に近接した部分の長さにより細らせ
処理の必要な図形を見出す。本発明の一例を第２
図に示す。第２図Ａは、二つの近接した図形１と
２の近接部分の二辺の長さl1，l2及びl1，l2の実際
に近接した部分の長さｌが所定値ωよりも大きい
場合であり、図形１及び２にはそれぞれ細らせ処
理が必要となる。その細らせ処理部を斜線で示し
てある。第２図Ｂは、l1がωよりも小さい場合で
あり、図形１についてのみ細らせ処理を施す。第
２図Ｃは、ｌが所定値ω0よりも小さい場合であ
り、この場合、いずれの図形についても細らせ処
理を施さない。この判断処理は、微細なパタンを
多数有する集積回路において、処理時間を大幅に
低減せしめるという効果がある。ω，ω0の値は、
本発明による補正処理とは別に、描画実験や露光
強度分布を用いた解析等により求めることがで
き、露光装置の特性、レジスト特性等露光条件に
より異なる。
細らせ量は、細らせ処理の必要な図形パタン内
で、処理対象となる辺と相対する辺との距離a1及
び近接した図形パタンの間隔ｄとにより決定す
る。即ち、例えば第３図で示すごとく、図形１お
よび２の細らせ量は、それぞれ、δ1＝δ（a1，ｄ）
およびδ2＝δ（a2，ｄ）とする。ここで、δ（ａ，
ｄ）は、種々の代表的図形パタンによる描画実
験、または露光強度分布を用いた解析等により求
めることができ、図形パタンを寸法精度の許容範
囲内で細らせることができる。
で、処理対象となる辺と相対する辺との距離a1及
び近接した図形パタンの間隔ｄとにより決定す
る。即ち、例えば第３図で示すごとく、図形１お
よび２の細らせ量は、それぞれ、δ1＝δ（a1，ｄ）
およびδ2＝δ（a2，ｄ）とする。ここで、δ（ａ，
ｄ）は、種々の代表的図形パタンによる描画実
験、または露光強度分布を用いた解析等により求
めることができ、図形パタンを寸法精度の許容範
囲内で細らせることができる。
図形幅の小さい細長い部分を有する図形パタン
については、例えば、第４図に示すごとく、分割
経路ABにより細長い部分を分割し、分割経路
CDにより細長い図形のうちの他の図形４との近
接部分を分割し、それぞれ分割された図形につい
て処理する。ここで、細らせ量は、それぞれδ1＝
δ（a1，ｄ）、δ2＝δ（a2，ｄ）およびδ4＝δ（a4，
ｄ）とする。
については、例えば、第４図に示すごとく、分割
経路ABにより細長い部分を分割し、分割経路
CDにより細長い図形のうちの他の図形４との近
接部分を分割し、それぞれ分割された図形につい
て処理する。ここで、細らせ量は、それぞれδ1＝
δ（a1，ｄ）、δ2＝δ（a2，ｄ）およびδ4＝δ（a4，
ｄ）とする。
本発明の近接効果補正方法では、上記のように
補正を、輪郭化処理した図形パタンに対して行な
うので、この補正によつてパタンが切れたりする
ことなく、精度良く近接効果を補正できる。ま
た、図形幅の小さい細長い部分を有する図形パタ
ンは、上記のように分割されて補正されるので、
精度良く補正がなされる。
補正を、輪郭化処理した図形パタンに対して行な
うので、この補正によつてパタンが切れたりする
ことなく、精度良く近接効果を補正できる。ま
た、図形幅の小さい細長い部分を有する図形パタ
ンは、上記のように分割されて補正されるので、
精度良く補正がなされる。
次に、上記の細らせ処理に引き続いて行なわれ
る露光量補正による近接効果の補正方法について
説明する。上述したようにして、細らせ処理によ
つてパタン間近接効果が補正された輪郭化図形
を、まず、矩形、台形等の基本図形に分割する。
個々の基本図形が孤立化していると見なし、露光
量補正する。基本図形の適正露光量は、描画実験
等により容易に求めることができ、基本図形の形
状、面積と適正露光量との関係も簡単にわかる。
従つて、露光量補正のための図形処理は、基本図
形の形状、面積による基本図形の単純な分類処理
である。
る露光量補正による近接効果の補正方法について
説明する。上述したようにして、細らせ処理によ
つてパタン間近接効果が補正された輪郭化図形
を、まず、矩形、台形等の基本図形に分割する。
個々の基本図形が孤立化していると見なし、露光
量補正する。基本図形の適正露光量は、描画実験
等により容易に求めることができ、基本図形の形
状、面積と適正露光量との関係も簡単にわかる。
従つて、露光量補正のための図形処理は、基本図
形の形状、面積による基本図形の単純な分類処理
である。
上記説明においては、集積回路の図形パタン
は、傾きのない矩形の集合体で構成されているも
のとしたが、傾きのある矩形等による斜め線を含
む図形パタンが存在する場合についても本発明を
適用することができ、その場合にも同様の効果が
得られる。
は、傾きのない矩形の集合体で構成されているも
のとしたが、傾きのある矩形等による斜め線を含
む図形パタンが存在する場合についても本発明を
適用することができ、その場合にも同様の効果が
得られる。
以上説明したように、本発明によれば、処理対
象図形として輪郭化図形、基本図形を用い、独自
の補正処理を施し、しかも、図形処理として露光
強度分布を用いた面積分のような複雑な数値計算
を介入させず、細らせ量、適正露光量等の補正処
理に必要な数値については、図形処理とは別に描
画実験等により求めておくことにより処理の簡略
化が図れ、高速で補正処理でき、高品質のパタン
を形成することができる。
象図形として輪郭化図形、基本図形を用い、独自
の補正処理を施し、しかも、図形処理として露光
強度分布を用いた面積分のような複雑な数値計算
を介入させず、細らせ量、適正露光量等の補正処
理に必要な数値については、図形処理とは別に描
画実験等により求めておくことにより処理の簡略
化が図れ、高速で補正処理でき、高品質のパタン
を形成することができる。
第１図は本発明による近接した図形パタンの検
索の説明図、第２図Ａ〜Ｃは本発明による細らせ
処理の必要な図形パタンの説明図、第３図は本発
明による細らせ量を決定するための説明図、第４
図は本発明による分割を説明するための説明図で
ある。 １〜７……図形パタン、ε……図形の検索範
囲、l1，l2……近接部分の辺の長さ、ｌ……近接
部分の長さ、ω，ω0……所定値、ｄ……近接し
た図形パタンの間隔、AB，CD……分割経路、
a1，a2，a4……図形パタン内で処理対象となる辺
と相対する辺との距離、δ1，δ2，δ4……細らせ
量。
索の説明図、第２図Ａ〜Ｃは本発明による細らせ
処理の必要な図形パタンの説明図、第３図は本発
明による細らせ量を決定するための説明図、第４
図は本発明による分割を説明するための説明図で
ある。 １〜７……図形パタン、ε……図形の検索範
囲、l1，l2……近接部分の辺の長さ、ｌ……近接
部分の長さ、ω，ω0……所定値、ｄ……近接し
た図形パタンの間隔、AB，CD……分割経路、
a1，a2，a4……図形パタン内で処理対象となる辺
と相対する辺との距離、δ1，δ2，δ4……細らせ
量。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビームを用いたパタン形成における近接
効果補正方法において、設計パタンデータを輪郭
化処理し、輪郭化された図形パタンを作製する工
程と、前記輪郭化された図形パタンに対して着目
する図形パタンから近接効果の影響する範囲以下
の間隔で近接する図形パタンを検索し、選び出す
工程と、前工程で選び出された図形パタンと前記
着目する図形パタンとの実際に近接する部分の長
さが所定値よりも大きい場合のみについて近接す
る辺の細らせ処理を行なうに当たり、前記近接す
る辺と相対する辺の間隔の小さい細長い図形パタ
ンがある場合にはこれを図形分割し、分割された
図形パタンを含む図形パタン毎に、前記近接する
辺同志の距離と前記近接する辺と相対する辺の間
隔に応じた量の細らせ処理を前記近接する辺に対
して行なう工程と、細らせ処理が済んだ図形パタ
ンを矩形、台形等の基本図形に分割する工程と、
前記基本図形の露光量の補正を実験による適正露
光量に基いて決められた前記基本図形の形と大き
さに応じて行なう工程 を含むことを特徴とする電子ビーム露光におけ
る近接効果補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15938081A JPS5861628A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 電子ビ−ム露光における近接効果補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15938081A JPS5861628A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 電子ビ−ム露光における近接効果補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861628A JPS5861628A (ja) | 1983-04-12 |
| JPS6317331B2 true JPS6317331B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=15692543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15938081A Granted JPS5861628A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | 電子ビ−ム露光における近接効果補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861628A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4520269A (en) * | 1982-11-03 | 1985-05-28 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography proximity correction method |
| JP3177599B2 (ja) | 1998-06-12 | 2001-06-18 | 松下電子工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5182641B2 (ja) * | 2008-12-01 | 2013-04-17 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラム |
| JP5731257B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-06-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP5803341B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2015-11-04 | 大日本印刷株式会社 | 描画データ作成プログラム、描画データ作成装置、描画データ作成方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51148365A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-20 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
| JPS5583234A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Sony Corp | Electron beam exposure |
| JPS5648136A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-01 | Hitachi Ltd | Painting of electron beam |
| JPS5683030A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-07 | Fujitsu Ltd | Exposing method of electronic beam |
-
1981
- 1981-10-08 JP JP15938081A patent/JPS5861628A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51148365A (en) * | 1975-06-14 | 1976-12-20 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
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| JPS5683030A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-07 | Fujitsu Ltd | Exposing method of electronic beam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5861628A (ja) | 1983-04-12 |
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