JPS638608B2 - - Google Patents
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- JPS638608B2 JPS638608B2 JP54161022A JP16102279A JPS638608B2 JP S638608 B2 JPS638608 B2 JP S638608B2 JP 54161022 A JP54161022 A JP 54161022A JP 16102279 A JP16102279 A JP 16102279A JP S638608 B2 JPS638608 B2 JP S638608B2
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- Japan
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- pattern
- proximity effect
- area
- exposure
- electron beam
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光方法に関し、特に近接
せるパターンを正確に描画する方法に関する。
せるパターンを正確に描画する方法に関する。
半導体集積回路装置（IC）がLSI、超LSIと大
規模化し高集積度化するに伴ない、そのパターン
はますます微細化し、且つ高密度化する状況にあ
る。
規模化し高集積度化するに伴ない、そのパターン
はますます微細化し、且つ高密度化する状況にあ
る。
このような微細パターンを描画するのに電子ビ
ーム露光法が多く用いられているが、パターン間
距離が非常に狭い場合には被処理基板表面におけ
る反射・散乱によりパターン形状が乱れる所謂近
接効果が現れる。
ーム露光法が多く用いられているが、パターン間
距離が非常に狭い場合には被処理基板表面におけ
る反射・散乱によりパターン形状が乱れる所謂近
接効果が現れる。
例えば、第１図に示すような互に近接して設け
られた２つのパターンＡ及びＢを単位面積当りの
露光量を一定にしたまゝ電子ビーム露光を行う
と、第２図に示すように両者の互に対向する部分
は相互に影響し合つて露光過剰となりパターンの
巾が広くなる。
られた２つのパターンＡ及びＢを単位面積当りの
露光量を一定にしたまゝ電子ビーム露光を行う
と、第２図に示すように両者の互に対向する部分
は相互に影響し合つて露光過剰となりパターンの
巾が広くなる。
そこで、上記近接効果を補正するため、第３図
に示すように近接して配設される２つのパターン
Ａ及びＢを描画する場合、パターンＡ及びパター
ンＢの長さ方向の中点におけるパターン巾WA及
びWBが所望の寸法になるようパターンＡ及びパ
ターンＢの露光量を決定するという方法が従来用
いられていた。
に示すように近接して配設される２つのパターン
Ａ及びＢを描画する場合、パターンＡ及びパター
ンＢの長さ方向の中点におけるパターン巾WA及
びWBが所望の寸法になるようパターンＡ及びパ
ターンＢの露光量を決定するという方法が従来用
いられていた。
このような方法では、パターンＡ及びパターン
Ｂの上記中点におけるパターン巾はそれぞれWA，
WBと所望の寸法が得られるが、パターンＢのパ
ターンＡに対向する部分の巾WB′はやはり近接効
果により所望の寸法WBより大きくなり、近接効
果を充分に補正し得たとは言えない。
Ｂの上記中点におけるパターン巾はそれぞれWA，
WBと所望の寸法が得られるが、パターンＢのパ
ターンＡに対向する部分の巾WB′はやはり近接効
果により所望の寸法WBより大きくなり、近接効
果を充分に補正し得たとは言えない。
本発明の目的は上記近接効果を除去して互に近
接せる微細パターンを精度良く描画し得る電子ビ
ーム露光方法を提供することにある。
接せる微細パターンを精度良く描画し得る電子ビ
ーム露光方法を提供することにある。
本発明の特徴は、被露光パターンのうち隣接パ
ターンへの距離が所定の寸法以下の部分を識別
し、当該部分の単位面積当りの露光量を減少させ
て露光を行なうことにある。
ターンへの距離が所定の寸法以下の部分を識別
し、当該部分の単位面積当りの露光量を減少させ
て露光を行なうことにある。
以下本発明の電子ビーム露光方法を実施例を用
いて説明する。
いて説明する。
第５図及び第６図は本発明の実施例を示す要部
上面図である。
上面図である。
第５図に示すように相互に近接して配設される
パターンを描画するには、２つのパターンＡ及び
Ｂの間隔ｌが近接効果の影響を受ける範囲即ち所
定の寸法l0より大きい時は近接効果を考慮するこ
となく露光を行なつて良いが、ｌがl0より小さい
場合には近接効果の影響を受ける部分と受けない
部分とを区分する。
パターンを描画するには、２つのパターンＡ及び
Ｂの間隔ｌが近接効果の影響を受ける範囲即ち所
定の寸法l0より大きい時は近接効果を考慮するこ
となく露光を行なつて良いが、ｌがl0より小さい
場合には近接効果の影響を受ける部分と受けない
部分とを区分する。
同図において短い方のパターンＡは、パターン
Ｂに対向する辺P1，P2上のどの点をとつてもパ
ターンＢへの距離が所定の寸法l0より小さいの
で、パターンＡの描画に当つては近接効果の補正
を要する。
Ｂに対向する辺P1，P2上のどの点をとつてもパ
ターンＢへの距離が所定の寸法l0より小さいの
で、パターンＡの描画に当つては近接効果の補正
を要する。
一方長い方のパターンＢは近接効果の影響を受
ける部分と受けない部分とに区分する必要があ
る。それには同図に示すように短かい方のパター
ンＡのパターンＢに対向する辺の両端P1及びP2
を中心として前記l0を半径とする円弧を画き、こ
の円弧とパターンＢのパターンＡに対向する辺
q1，q2及びその延長線との交点q0及びq0′を求め
る。
ける部分と受けない部分とに区分する必要があ
る。それには同図に示すように短かい方のパター
ンＡのパターンＢに対向する辺の両端P1及びP2
を中心として前記l0を半径とする円弧を画き、こ
の円弧とパターンＢのパターンＡに対向する辺
q1，q2及びその延長線との交点q0及びq0′を求め
る。
このようにして求めたq0及びq0′間はパターン
ＢにおいてパターンＡへの距離が所定の寸法以下
の部分即ち近接効果を受ける部分である。但し第
５図の場合はq0′，q1間にはパターンが存在しな
いので、パターンＢのうちq1，q0間が近接効果の
補正を要する部分となる。
ＢにおいてパターンＡへの距離が所定の寸法以下
の部分即ち近接効果を受ける部分である。但し第
５図の場合はq0′，q1間にはパターンが存在しな
いので、パターンＢのうちq1，q0間が近接効果の
補正を要する部分となる。
そこで電子ビーム露光に当つては、q0において
パターンＢを領域B1とB2とに分割し、領域B2に
は近接効果を考慮することなく所定の露光量を与
え、一方隣接パターンとの距離が所定の寸法l0よ
り小さい部分であるパターンＡ及び領域B1は近
接効果を考慮してそれぞれ単位面積当りの露光量
を上記所定の露光量より小さい値に補正して露光
を行なう。
パターンＢを領域B1とB2とに分割し、領域B2に
は近接効果を考慮することなく所定の露光量を与
え、一方隣接パターンとの距離が所定の寸法l0よ
り小さい部分であるパターンＡ及び領域B1は近
接効果を考慮してそれぞれ単位面積当りの露光量
を上記所定の露光量より小さい値に補正して露光
を行なう。
以上のように本実施例においては、隣接せるパ
ターンＡ及びパターンＢのうち近接効果の補正を
要する部分を識別し、当該部分の露光量を補正す
ることにより、第６図に示すように近接効果の影
響を受けることなく、微細パターンを精度良く描
画することができる。
ターンＡ及びパターンＢのうち近接効果の補正を
要する部分を識別し、当該部分の露光量を補正す
ることにより、第６図に示すように近接効果の影
響を受けることなく、微細パターンを精度良く描
画することができる。
なお上述の近接効果の現れる範囲は、使用する
レジスト、基板の種類、露光条件によつて異な
る。例えばガラス基板にクロム（Cr）膜を約800
〔Å〕の厚さに形成し、その上にポジ型レジスト
を塗布し電子ビーム露光を行う場合の近接効果の
及ぶ範囲は凡そ３〔μｍ〕であるが、上記ポジ型
レジストに代えてネガ型レジストを使用した場合
には近接効果は凡そ６〔μｍ〕の範囲に及ぶ。
レジスト、基板の種類、露光条件によつて異な
る。例えばガラス基板にクロム（Cr）膜を約800
〔Å〕の厚さに形成し、その上にポジ型レジスト
を塗布し電子ビーム露光を行う場合の近接効果の
及ぶ範囲は凡そ３〔μｍ〕であるが、上記ポジ型
レジストに代えてネガ型レジストを使用した場合
には近接効果は凡そ６〔μｍ〕の範囲に及ぶ。
従つて前述の所定の寸法l0は使用するレジスト
の種類、基板の材質、露光条件等により種々選択
することが重要である。
の種類、基板の材質、露光条件等により種々選択
することが重要である。
以上説明したごとく本発明の電子ビーム露光方
法によれば、隣接せる微細パターンを近接効果の
影響を受けることなく高精度で描画することがで
きる。
法によれば、隣接せる微細パターンを近接効果の
影響を受けることなく高精度で描画することがで
きる。
第１図及び第２図は近接効果の説明に供する要
部上面図、第３図及び第４図は従来の近接効果の
補正方法を示す要部上面図、第５図及び第６図は
本発明の電子ビーム露光方法の実施例を示す要部
上面図である。 Ａ，Ｂ……隣接せる２つのパターン、l0……所
定寸法。
部上面図、第３図及び第４図は従来の近接効果の
補正方法を示す要部上面図、第５図及び第６図は
本発明の電子ビーム露光方法の実施例を示す要部
上面図である。 Ａ，Ｂ……隣接せる２つのパターン、l0……所
定寸法。
Claims (1)
- １ 電子ビーム露光法を用いて、パターン長の異
なる複数の隣接パターンを描画するにあたり、短
いパターンから長いパターンへの距離が所定の寸
法以内の領域と前記所定の寸法外の領域に長いパ
ターンを分割し、前記所定の寸法以内の領域の単
位面積当りの露光量を、前記所定の寸法外の領域
の単位面積当りの露光量よりも減少させて露光を
行うことを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16102279A JPS5683030A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Exposing method of electronic beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16102279A JPS5683030A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Exposing method of electronic beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5683030A JPS5683030A (en) | 1981-07-07 |
| JPS638608B2 true JPS638608B2 (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=15727093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16102279A Granted JPS5683030A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Exposing method of electronic beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5683030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02131608U (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843516A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-14 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPS5861628A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子ビ−ム露光における近接効果補正方法 |
| JP3583559B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2004-11-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 光近接効果補正方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5362477A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-03 | Hitachi Ltd | Electron beam drawing device |
-
1979
- 1979-12-12 JP JP16102279A patent/JPS5683030A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5362477A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-03 | Hitachi Ltd | Electron beam drawing device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02131608U (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5683030A (en) | 1981-07-07 |
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