JPS5843516A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS5843516A JPS5843516A JP14155681A JP14155681A JPS5843516A JP S5843516 A JPS5843516 A JP S5843516A JP 14155681 A JP14155681 A JP 14155681A JP 14155681 A JP14155681 A JP 14155681A JP S5843516 A JPS5843516 A JP S5843516A
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- JP
- Japan
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- electron beam
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビームｍ元方ｆｆ１Ｋ関し、脣に所−近接
効果を補正して高精度の電子ビームｇ光パターンを形成
する方法に関するものである。 。
効果を補正して高精度の電子ビームｇ光パターンを形成
する方法に関するものである。 。
電、子ビーム１Ｍ元によるパターン形成技術においては
、パターン１ｆｔｌＫの向上の次めＫはＩ！Ａｌ１１近
慶効果の補正が不可欠である・艮（知られているように
、近硬効未はＩＩ篇元物に塗布形成されたレジスト層中
での電子ビーム散乱（前方散乱）及び被露光物であ今基
板からの電子ビーム散乱（後方散乱）によってＳ描画後
のレジストパターンが電子ビーム照射パターンより大き
く拡がるという現象であ）、特にパターン間の間隔がｍ
ｐｍ以下になると結果的にパターン形状の看し１歪をも
たらし、精度鵞低下させる悪影響が顕著になる〇 、この散乱によるレジスト〒での電子ビーム散乱強度分
布は外部から照射するビーム中心からの距で表わされｓ
ｇ１項目は曲刃散乱、第１項目は後方散乱によって与え
られるものであることが知られている。なお、（υ式中
人・Ｂ・０はそれぞれレジバストの厚みや基板材料等の
条件によって定まる定数である。
、パターン１ｆｔｌＫの向上の次めＫはＩ！Ａｌ１１近
慶効果の補正が不可欠である・艮（知られているように
、近硬効未はＩＩ篇元物に塗布形成されたレジスト層中
での電子ビーム散乱（前方散乱）及び被露光物であ今基
板からの電子ビーム散乱（後方散乱）によってＳ描画後
のレジストパターンが電子ビーム照射パターンより大き
く拡がるという現象であ）、特にパターン間の間隔がｍ
ｐｍ以下になると結果的にパターン形状の看し１歪をも
たらし、精度鵞低下させる悪影響が顕著になる〇 、この散乱によるレジスト〒での電子ビーム散乱強度分
布は外部から照射するビーム中心からの距で表わされｓ
ｇ１項目は曲刃散乱、第１項目は後方散乱によって与え
られるものであることが知られている。なお、（υ式中
人・Ｂ・０はそれぞれレジバストの厚みや基板材料等の
条件によって定まる定数である。
従来、近接効果、を補正するための最も一般的な方法は
、各パターン毎に電子ビーム散乱装置分布とパターン形
状及びｔｉ４豪パターンからの距離を考慮して、最適な
電“手ビーム照蔚密ｒＬ讐あらかじめ各ハ゛ターン毎に
設定したハあるいは描画パターンを変形しておいたプす
る方蒜でやる。いずれも、あらかじめパターンデータ作
成の時点で補正量を決定しなければならない。電子ビー
ムをクエハーに直置＃＆−シてパターンを形成する（イ
直接廁元）場合、□加ニブｐセス上しジス）ｆｉｌｌ厚
を厚く保つ必Ｉ！がある。１：ｉ１ 、ゆ、に、４カ、２．門・１′・−□、□、エイ密度）
を少なくすると雑属厚が薄くなるので、照射量補正によ
る近接効果補正にょ〕所定のパターン寸法間隔を満足し
ようとすると、パターン形状。
、各パターン毎に電子ビーム散乱装置分布とパターン形
状及びｔｉ４豪パターンからの距離を考慮して、最適な
電“手ビーム照蔚密ｒＬ讐あらかじめ各ハ゛ターン毎に
設定したハあるいは描画パターンを変形しておいたプす
る方蒜でやる。いずれも、あらかじめパターンデータ作
成の時点で補正量を決定しなければならない。電子ビー
ムをクエハーに直置＃＆−シてパターンを形成する（イ
直接廁元）場合、□加ニブｐセス上しジス）ｆｉｌｌ厚
を厚く保つ必Ｉ！がある。１：ｉ１ 、ゆ、に、４カ、２．門・１′・−□、□、エイ密度）
を少なくすると雑属厚が薄くなるので、照射量補正によ
る近接効果補正にょ〕所定のパターン寸法間隔を満足し
ようとすると、パターン形状。
従って、直接露光の場合、ネガレジストの残膜厚を厚ぐ
保゛ち、かつパターン寸法を満足するには、描画パター
ンを顕彰しておく寸法補正と一時に１さらに照射量を増
して所定の残膜厚を保つ様□な礫射量補正を行なう必要
がある。一方、露光パターンの微細化、被雑化につれて
、近接効果の確実な補正を行なうため各補正量を定量的
に決定する必要があり、そのためＫは各パターン毎に辺
よ（サンプル点を設定し１１他の全パターンからの影響
分をｌ！１ｌｆｉｄ（ｘ）式によって求め、骨サンプル
点での、露光強度が一定になる様に５、連立方程式によ
〕寸法及び照射量の両方に対する補正蓋′を求める方法
が゛考えられる・ しかしながらＪ！１−立方種穴にょ）解を求める方法７
は／＜ ／ −ｍ ７恍や、、；０“〜１０″′−′−
にな°た場合算出に膨大な を賛し、現状の大履針算
機を用いても廻１１時間は数時間でる）、高集積パター
ンの近接効果補正量の決定を迅速に行なうことは因−で
ある。
保゛ち、かつパターン寸法を満足するには、描画パター
ンを顕彰しておく寸法補正と一時に１さらに照射量を増
して所定の残膜厚を保つ様□な礫射量補正を行なう必要
がある。一方、露光パターンの微細化、被雑化につれて
、近接効果の確実な補正を行なうため各補正量を定量的
に決定する必要があり、そのためＫは各パターン毎に辺
よ（サンプル点を設定し１１他の全パターンからの影響
分をｌ！１ｌｆｉｄ（ｘ）式によって求め、骨サンプル
点での、露光強度が一定になる様に５、連立方程式によ
〕寸法及び照射量の両方に対する補正蓋′を求める方法
が゛考えられる・ しかしながらＪ！１−立方種穴にょ）解を求める方法７
は／＜ ／ −ｍ ７恍や、、；０“〜１０″′−′−
にな°た場合算出に膨大な を賛し、現状の大履針算
機を用いても廻１１時間は数時間でる）、高集積パター
ンの近接効果補正量の決定を迅速に行なうことは因−で
ある。
そ、こで描画パターンの照射量補正１容ＴｏＫ行なえる
ようにする友め、パターン−自体に゛制限を設定Ｉｔｓ
’１ａＷｏｌ＜ターンの影□響を考慮せずに単位パタ
ーンの大きさｋよプ照射装置を算出し決定で蓋る１
。
ようにする友め、パターン−自体に゛制限を設定Ｉｔｓ
’１ａＷｏｌ＜ターンの影□響を考慮せずに単位パタ
ーンの大きさｋよプ照射装置を算出し決定で蓋る１
。
ようｋすることが提案されている。しかしながらこの方
法では、″パターン幅、ノ（ターン間隔に制限を設゛定
している九め黴績バターシ及びパターン間隔の小さい場
合は通用できない欠点をもってｉる。
法では、″パターン幅、ノ（ターン間隔に制限を設゛定
している九め黴績バターシ及びパターン間隔の小さい場
合は通用できない欠点をもってｉる。
本発明の目的ｉ、かかる問題点に＃１にみ、近似的方法
ではあるが、′比較的′簡゛使に＋法及び電子ビーム照
射密度の両方に対する”−正量を求めることができ１し
かも高精度パターンｔ４ることめできる電子ピー′ムｊ
１１党方法を提供することにある。
ではあるが、′比較的′簡゛使に＋法及び電子ビーム照
射密度の両方に対する”−正量を求めることができ１し
かも高精度パターンｔ４ることめできる電子ピー′ムｊ
１１党方法を提供することにある。
本発明の特徴とするとごろは、電子ビー′五を試料上に
照射し、”多数の独立し−たパターンを描−する電子ビ
ーム露光方法に訃−て゛、作成すべき露光）櫂ターンに
対し、各独立したパターンを一定の電子ビーム゛照射！
ｙ［で＃１−じ九どきの電子ビーム散乱によるパターン
間の影響を考慮して一緬小補正したパターン寸法を求め
、次いで各独立したパターン毎Ｋｔｌｌ縮小補正したパ
ターン寸法の大きさに応じて各独立パターンを＃１−す
る際の電子ビーム照射密度を決定し１．前記パターン寸
法長“び電子ビーム・照射密度でパターン描−すること
を特徴とする電子ビーム露光方法に、ある。゛また、こ
の方法においては、各独立し次パターンを矩形パターン
とし、パターン間の”影響を考慮して縮小補正したパタ
ーン寸法を求めるに尚９、各矩形パターン毎に、該矩形
パターンの１辺に゛対し影響を及ぼす他の矩形パターン
を唯一のパターンで代表させで各送缶に縮小補正寸法を
求める□ことによシ、一層簡便に補正蓋の算”出を行な
゛い得る。 ′□以下これを図面に基づいてＳ＊
＃Ｃ睨・明する・先ず寸法補正を行なうに幽シ、既述の
如く簡便化のため、特定の単位矩形パターンの寸法補正
に対し他の全パターンの影響ｉ考直するのではなく、各
送缶に周囲パターン゛のうち最も゛影響の大なるパター
ンの影響分を”求めるのである゛が、最も影響の大なる
パターンとしては、補正′ｔＫ−求めろべき単位矩形パ
ターンの辺ＩＩｃ最゛も近いパターンを選定する゛−例
えば＠１図Ｋｉｔように、竺形パターンＰ０の辺Ｘにつ
いて寸法補正量Ｘ′を考える場合、この辺Ｘに近接して
対向している他の矩形パターンｐＨＰ、・Ｐ、のうち、
最短距離にあるパターンＰ、を抽出し、代表とする。最
小間隔のパターンを抽出し、代表とする理由は、前述の
（１）式で表わされる電子ビーム歓乱強厩分布はビーム
中心からの距離の増加に対して指数関数的に賦少し、よ
シ近い位置にあるパターンが決定的な影響を及ぼすから
である。また辺Ｘより同一距離に２ ＋ｍ以上のパター
ンがある場合は、それらのパターンの大きさを比較し、
よ）大きいパターンを代表として抽出する。
照射し、”多数の独立し−たパターンを描−する電子ビ
ーム露光方法に訃−て゛、作成すべき露光）櫂ターンに
対し、各独立したパターンを一定の電子ビーム゛照射！
ｙ［で＃１−じ九どきの電子ビーム散乱によるパターン
間の影響を考慮して一緬小補正したパターン寸法を求め
、次いで各独立したパターン毎Ｋｔｌｌ縮小補正したパ
ターン寸法の大きさに応じて各独立パターンを＃１−す
る際の電子ビーム照射密度を決定し１．前記パターン寸
法長“び電子ビーム・照射密度でパターン描−すること
を特徴とする電子ビーム露光方法に、ある。゛また、こ
の方法においては、各独立し次パターンを矩形パターン
とし、パターン間の”影響を考慮して縮小補正したパタ
ーン寸法を求めるに尚９、各矩形パターン毎に、該矩形
パターンの１辺に゛対し影響を及ぼす他の矩形パターン
を唯一のパターンで代表させで各送缶に縮小補正寸法を
求める□ことによシ、一層簡便に補正蓋の算”出を行な
゛い得る。 ′□以下これを図面に基づいてＳ＊
＃Ｃ睨・明する・先ず寸法補正を行なうに幽シ、既述の
如く簡便化のため、特定の単位矩形パターンの寸法補正
に対し他の全パターンの影響ｉ考直するのではなく、各
送缶に周囲パターン゛のうち最も゛影響の大なるパター
ンの影響分を”求めるのである゛が、最も影響の大なる
パターンとしては、補正′ｔＫ−求めろべき単位矩形パ
ターンの辺ＩＩｃ最゛も近いパターンを選定する゛−例
えば＠１図Ｋｉｔように、竺形パターンＰ０の辺Ｘにつ
いて寸法補正量Ｘ′を考える場合、この辺Ｘに近接して
対向している他の矩形パターンｐＨＰ、・Ｐ、のうち、
最短距離にあるパターンＰ、を抽出し、代表とする。最
小間隔のパターンを抽出し、代表とする理由は、前述の
（１）式で表わされる電子ビーム歓乱強厩分布はビーム
中心からの距離の増加に対して指数関数的に賦少し、よ
シ近い位置にあるパターンが決定的な影響を及ぼすから
である。また辺Ｘより同一距離に２ ＋ｍ以上のパター
ンがある場合は、それらのパターンの大きさを比較し、
よ）大きいパターンを代表として抽出する。
更にＳｍ以上の周囲パターンの影響を考慮すべき場合、
例えば辺Ｘからほぼ同一距離に同等の大きさのｓ＠Ｈの
パターンが存在するような場合は、よ）近−したパター
ンをやや拡大したパターンを想足して、これを代表とし
て５茅い。このように。
例えば辺Ｘからほぼ同一距離に同等の大きさのｓ＠Ｈの
パターンが存在するような場合は、よ）近−したパター
ンをやや拡大したパターンを想足して、これを代表とし
て５茅い。このように。
特定矩形パターンの１つの辺に対し１寸法補正量を廻め
るのに考慮すべき周囲パターンを唯一の矩形パターンで
代表させるのは以下に祝明する簡便な寸法補正量決定の
手法を利用するためである。
るのに考慮すべき周囲パターンを唯一の矩形パターンで
代表させるのは以下に祝明する簡便な寸法補正量決定の
手法を利用するためである。
この寸法補正量内定のための手法の骨子とするところは
、例えば第Ｓ図に示すような補正すべきパターンＰ０及
び−襞パターンＰ１を考えたとき、は、パ、ターン中心
線よの露光＊直分布１Ｇを考え、パターンの−ｓ９更元
強置装差（図のａ ’ ＃ ｂ’点の勾配）Ｋ＠目する
と、近接、効果の影響のある礪会（第ｇａ！Ｒ（ｍｌ、
）は、勾配は急であシ、影響の少ない場合（第２図（υ
〕は、勾配は小さく、平らになることに着目し、勾配を
パラメータにして勾配をｔａ１１ｆＩＬ以下にするに４
はどの程度、寸法補正（ｒｉ少）する必要があるかとい
うことによシ、寸法補正量を求めることにある。
、例えば第Ｓ図に示すような補正すべきパターンＰ０及
び−襞パターンＰ１を考えたとき、は、パ、ターン中心
線よの露光＊直分布１Ｇを考え、パターンの−ｓ９更元
強置装差（図のａ ’ ＃ ｂ’点の勾配）Ｋ＠目する
と、近接、効果の影響のある礪会（第ｇａ！Ｒ（ｍｌ、
）は、勾配は急であシ、影響の少ない場合（第２図（υ
〕は、勾配は小さく、平らになることに着目し、勾配を
パラメータにして勾配をｔａ１１ｆＩＬ以下にするに４
はどの程度、寸法補正（ｒｉ少）する必要があるかとい
うことによシ、寸法補正量を求めることにある。
纂８図はこれを脱明する次めのパターンを示してお９１
図の１点・・ｂ点でのＩＩＩ元強縦強度下の式１式％： ） （４） ζこでｓ ｒｌ（ｉ＝１＝４）は谷ノドターンの中心か
ら暑点、ｂ点までの距離を嚢わしてお９．ｉたＰ（ｙｉ
Ｊは（１）式を積分した次式で得られ、Ｓは微小ビーム
ｐ（ｙゑ）社ｓ ／ （ｒ） ｄａ
１３）が照射された面積である・ ＃！４図に、友て軸に勾配Ｐｂ／Ｐａを、横軸に寸法補
正量りをとり、プロットした関係を示す。第１図より閾
値−に対応する寸−補正量ｔｏ を容易に見い出すこと
ができる。
図の１点・・ｂ点でのＩＩＩ元強縦強度下の式１式％： ） （４） ζこでｓ ｒｌ（ｉ＝１＝４）は谷ノドターンの中心か
ら暑点、ｂ点までの距離を嚢わしてお９．ｉたＰ（ｙｉ
Ｊは（１）式を積分した次式で得られ、Ｓは微小ビーム
ｐ（ｙゑ）社ｓ ／ （ｒ） ｄａ
１３）が照射された面積である・ ＃！４図に、友て軸に勾配Ｐｂ／Ｐａを、横軸に寸法補
正量りをとり、プロットした関係を示す。第１図より閾
値−に対応する寸−補正量ｔｏ を容易に見い出すこと
ができる。
以上の手法により各送缶に寸法補正量を決定する操作を
繰多返し、これを各単位矩形パターンに対して行ない、
寸法補正を完了する。寸法補正された各単位パターンは
それぞれ孤立ノくターンと見なすことができ１周囲のパ
ターンの影響を考慮することなく、そのパターンの補正
された大きさに応じて要求残膜厚を得るのに必要な照射
量を累めることができる。この電子コーム照射￥ＢＩＩ
Ｑｉは各単位パターン毎に次式に基づいて決定する。
繰多返し、これを各単位矩形パターンに対して行ない、
寸法補正を完了する。寸法補正された各単位パターンは
それぞれ孤立ノくターンと見なすことができ１周囲のパ
ターンの影響を考慮することなく、そのパターンの補正
された大きさに応じて要求残膜厚を得るのに必要な照射
量を累めることができる。この電子コーム照射￥ＢＩＩ
Ｑｉは各単位パターン毎に次式に基づいて決定する。
Ｑ ｉ ｐ （ｒ ｊ ） 纏Ｂ 、
＋４ＪここでＢは実−によって得られる現像エネ
ルギーであり、ま九Ｆ（ｒｉ）は（３）式で与えられる
。
＋４ＪここでＢは実−によって得られる現像エネ
ルギーであり、ま九Ｆ（ｒｉ）は（３）式で与えられる
。
以上の方味に工つて寸法及び電子ビーム照射密度に対す
る補正量をパターンで一夕作成ｆｌＦＰＫ決足してしま
い、そのデータは謳Ｓ図の如きｆｃ瀘なら電子計算機６
に格納された電子計算機６によりてｘｙｍ同器４ｔ−駆
動しビームスポットを歩進させ所定のパターンを１１１
９潰すように照射して描画を行なう。第５図は典鳳的な
電子ビームｊｌｌｌｆｔ装置の基本構成の概念図である
・電子ビーム露光装置本体ｌは電子銃Ｓ収束電子レンズ
系８、ＸＹｉｌｌ同器慟を有し細く絞られた・電子ビー
ムをレジストが塗布された基板、試料５に照射するもの
でその試料５上の電子ピ からのパターンプリでＤＡ変換器ｉ、増！器門□ を介
して、ＸＹ−同一−を駆動することによって制御される
。電子ビームは計算ｅＩＡ＠からの信号に応じて、ブラ
ンキング装置によシ照形及びプ２ンク制御されるＯ電子
ビーム照射′Ｉ！！友の制御は上記の如き装置ならビー
ムスポットの歩道速度やブラ□ ンキイグ時閲６副−で
達成され得ることは周知の通りである・ 以上の様に影響を及ぼすノ（ターンを１つの）くりンで
代表させることによ）寸法補正を行ない、引き続いてパ
ターンの大きさに応じて照射ｊｌ（密度）を求めること
によ）処理の簡便化ｅ高速化が構成、される。
る補正量をパターンで一夕作成ｆｌＦＰＫ決足してしま
い、そのデータは謳Ｓ図の如きｆｃ瀘なら電子計算機６
に格納された電子計算機６によりてｘｙｍ同器４ｔ−駆
動しビームスポットを歩進させ所定のパターンを１１１
９潰すように照射して描画を行なう。第５図は典鳳的な
電子ビームｊｌｌｌｆｔ装置の基本構成の概念図である
・電子ビーム露光装置本体ｌは電子銃Ｓ収束電子レンズ
系８、ＸＹｉｌｌ同器慟を有し細く絞られた・電子ビー
ムをレジストが塗布された基板、試料５に照射するもの
でその試料５上の電子ピ からのパターンプリでＤＡ変換器ｉ、増！器門□ を介
して、ＸＹ−同一−を駆動することによって制御される
。電子ビームは計算ｅＩＡ＠からの信号に応じて、ブラ
ンキング装置によシ照形及びプ２ンク制御されるＯ電子
ビーム照射′Ｉ！！友の制御は上記の如き装置ならビー
ムスポットの歩道速度やブラ□ ンキイグ時閲６副−で
達成され得ることは周知の通りである・ 以上の様に影響を及ぼすノ（ターンを１つの）くりンで
代表させることによ）寸法補正を行ない、引き続いてパ
ターンの大きさに応じて照射ｊｌ（密度）を求めること
によ）処理の簡便化ｅ高速化が構成、される。
なお、上記実施例ではネガレジストの場合について述べ
たが、ポジレジストの場合に対しても本発明による手法
を適用することにより、高精度のパターンを得ることが
できるのは勿論である。
たが、ポジレジストの場合に対しても本発明による手法
を適用することにより、高精度のパターンを得ることが
できるのは勿論である。
以上の様に、本発明によれば短時間で寸法補正及び照射
量補正を行なうことができｔパターン数が１Ｏｉ−１Ｏ
・オーダーの大規模データに対しても通用可能となる・
しかも寸法補正と照射量補正をＩＷＩ＃ＩＰに行なうこ
とにより１＾＃１度のパターンを得ることができる。特
にネガレジストの場合は所足の残膜厚を保てるので着し
い実用効果が得られることは勿論である・ ４１、。Ｗ、。、５・・・（ｉ：・、・＃ｇ１図乃至第
Ｓ図は本発明による寸法補正型決定の手順を貌明するた
めのパターンを示す図、纂４−は同じく寸法補正量とパ
ターン内Ｉｌ１元強度勾配との関係を示す凶ｓ ａｌ
ｓ図は電子ビーム露光システムの基本構成例を示す図で
ある。
量補正を行なうことができｔパターン数が１Ｏｉ−１Ｏ
・オーダーの大規模データに対しても通用可能となる・
しかも寸法補正と照射量補正をＩＷＩ＃ＩＰに行なうこ
とにより１＾＃１度のパターンを得ることができる。特
にネガレジストの場合は所足の残膜厚を保てるので着し
い実用効果が得られることは勿論である・ ４１、。Ｗ、。、５・・・（ｉ：・、・＃ｇ１図乃至第
Ｓ図は本発明による寸法補正型決定の手順を貌明するた
めのパターンを示す図、纂４−は同じく寸法補正量とパ
ターン内Ｉｌ１元強度勾配との関係を示す凶ｓ ａｌ
ｓ図は電子ビーム露光システムの基本構成例を示す図で
ある。
Claims (1)
- （１） 電子ビームを試料よに照射し、多数の独立し
たパターン形成技術す、る電子ビーム露光方法において
、作成すべきｊ１元パターンに対し１．各独立したパタ
ーンを一定の電子ビ、−、ム照射ｖＢＫで描−したとき
の電子ビーム散ｉｔｓよるパ、メーン間の影響を考慮し
て、縮小補正したパターン寸法を求、め。 次ｉで各独立したパターン毎にｌＩｉ＃小補正したパタ
ーン寸法の大きさに応じて各ａ文パターンｔ−嫡−する
際の電子ビーム照射ｆｌＨＲを決定し−＃Ｉ起パター、
ン寸成牟び電子ビームｆｌｊｔ！度でパターン描画する
ことを豐髄とする電子ビームｊ１元方法□（２） 各
独立′したパターンを環形バターイトシ、パターン間の
影響を考慮し゛て縮、小補正したパターン寸法を求める
にＪｊ）、各矩・形パターン１１に％該矩形パターンの
１ｉｌＪＩＩｃ対し影響を及ぼす他の、矩形パターンを
唯一のパター、ンで代表させて壺辺毎に置小備正寸成ｔ
−求める仁とを特徴とする轡鈴請求の範１１１Ｊｊｊ記
載の電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14155681A JPS5843516A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14155681A JPS5843516A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843516A true JPS5843516A (ja) | 1983-03-14 |
| JPH0336292B2 JPH0336292B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=15294711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14155681A Granted JPS5843516A (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843516A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041220A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-04 | Fujitsu Ltd | 露光パタ−ンの検査方法 |
| US7370717B2 (en) | 2002-05-09 | 2008-05-13 | Suzuki Kabushiki Kaisha | Radiator device for two-wheeled motor vehicle |
| JP2013207045A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Toppan Printing Co Ltd | パターン描画方法およびそれを用いるパターン描画装置 |
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| JPS5683030A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-07 | Fujitsu Ltd | Exposing method of electronic beam |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP14155681A patent/JPS5843516A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0336292B2 (ja) | 1991-05-31 |
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