JPS5961133A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS5961133A JPS5961133A JP57172011A JP17201182A JPS5961133A JP S5961133 A JPS5961133 A JP S5961133A JP 57172011 A JP57172011 A JP 57172011A JP 17201182 A JP17201182 A JP 17201182A JP S5961133 A JPS5961133 A JP S5961133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- exposure pattern
- electron beam
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技ｆ４Ｉｉ分野
木・Ｉ＾明は、所謂、近接効１人を補正して高精度のパ
ターンを形成することができる電子ビーム露光方法に関
する。
ターンを形成することができる電子ビーム露光方法に関
する。
従来技術と問題点
一般に、電子ビーム露光方法を適用してパターンを形成
する技術に於いて、パターン精度を向上する為には、所
謂、近接効果を補正することが不可欠である。
する技術に於いて、パターン精度を向上する為には、所
謂、近接効果を補正することが不可欠である。
良く知られているように、近接効果は、被露光物に塗布
形成されたレジスト層中に於ける電子ビーム散乱（前方
散乱）及び被露光物である基板からの電子ビーム散乱（
後方散乱）に依り、描画後のレジスト・パターンが電子
ビーム照射パタ〜ツよりも大きく拡がる現象であり、特
に、パターン間の間隔が３〔μｍ〕以下になると結果的
にパターン形状に著しい歪をもたらして精度を低下させ
る。
形成されたレジスト層中に於ける電子ビーム散乱（前方
散乱）及び被露光物である基板からの電子ビーム散乱（
後方散乱）に依り、描画後のレジスト・パターンが電子
ビーム照射パタ〜ツよりも大きく拡がる現象であり、特
に、パターン間の間隔が３〔μｍ〕以下になると結果的
にパターン形状に著しい歪をもたらして精度を低下させ
る。
ところで、前記散乱に依るレジスト中での電子ビーム散
乱強度分布は、外部から照射するビームの中心からの距
離Ｔの関数として、 −（！−）２ ｆＨ＝ ｅ ’ ＋Ｂ−ｅ ””２ ・
・（１）なる式で表わされ、第１項は前方散乱に依り、
また、第２項は後方散乱に依って与えられるも厚みや基
板材料等の条件に依って決る定数である。
乱強度分布は、外部から照射するビームの中心からの距
離Ｔの関数として、 −（！−）２ ｆＨ＝ ｅ ’ ＋Ｂ−ｅ ””２ ・
・（１）なる式で表わされ、第１項は前方散乱に依り、
また、第２項は後方散乱に依って与えられるも厚みや基
板材料等の条件に依って決る定数である。
従来、近接効果を補正する為の最も一般的な方法として
は、各パターン毎に式（１）で表わされる電子ビーム散
乱強度分布とパターンと隣接パターンからの距離を考慮
して、最適な照射量を予め各パターン毎に設定すること
、或いは、描画パターンのパターン寸法を（１１ｉ正（
縮小）すること等が行なわれているが、これ等はいずれ
もパターン・データ作成の時点で予めｒｎｒ ｆ Ｑを
決定する。
は、各パターン毎に式（１）で表わされる電子ビーム散
乱強度分布とパターンと隣接パターンからの距離を考慮
して、最適な照射量を予め各パターン毎に設定すること
、或いは、描画パターンのパターン寸法を（１１ｉ正（
縮小）すること等が行なわれているが、これ等はいずれ
もパターン・データ作成の時点で予めｒｎｒ ｆ Ｑを
決定する。
また、集積回路装置の設計図形では、通常、パターンは
多角形で記述されているのに対し、電子ビーム用描画デ
ータに於けるパターンとしては矩形、または、せいぜい
台形までしか許容されていない。
多角形で記述されているのに対し、電子ビーム用描画デ
ータに於けるパターンとしては矩形、または、せいぜい
台形までしか許容されていない。
その為、電子ビーム露光に依り集積回路パターンの形成
を行なう際は、設計から得られるパターン・データその
ままの形式では電子ビーム露光用の描画データとはなら
ず、例えば、第１図に見られるように、データに於ける
パターンを露光パターン１と露光パターン２に分割する
必要がある。
を行なう際は、設計から得られるパターン・データその
ままの形式では電子ビーム露光用の描画データとはなら
ず、例えば、第１図に見られるように、データに於ける
パターンを露光パターン１と露光パターン２に分割する
必要がある。
その場合、パターンによっては、露光パターン２の如く
幅が狭く、且つ、大きな露光パターン１に接触している
所謂接触パターンとなることは多々ある。その場合、第
１図の如く、周囲にパターンがない孤立パターンであれ
ば良いが、第２図に見られるように、周辺に近接してパ
ターン３或いは４が存在している場合は問題である。
幅が狭く、且つ、大きな露光パターン１に接触している
所謂接触パターンとなることは多々ある。その場合、第
１図の如く、周囲にパターンがない孤立パターンであれ
ば良いが、第２図に見られるように、周辺に近接してパ
ターン３或いは４が存在している場合は問題である。
即ち、第２図の如きパターンでは、近接効果を補正して
目的のパターン寸法及び間隔を得る為（二はパターン自
体の寸法補正を行なう必要を生ずるものである。例えば
、露光パターン２に対するパターン３の影響が大であれ
ば露光パターン２を消滅させ、パターン４も寸法補正す
ることが必要となる。そして、補正後のパターンは、例
えばｆ；３図の如くなり、設計時のものと相違すること
になる。
目的のパターン寸法及び間隔を得る為（二はパターン自
体の寸法補正を行なう必要を生ずるものである。例えば
、露光パターン２に対するパターン３の影響が大であれ
ば露光パターン２を消滅させ、パターン４も寸法補正す
ることが必要となる。そして、補正後のパターンは、例
えばｆ；３図の如くなり、設計時のものと相違すること
になる。
発明の目的
本発明は、電子ビーム露光を行なうに際し、露光後のパ
ターン形状が、変化しないように寸法補正を行ない、補
正パターン寸法と照射量に基づいて電子ビーム描画を行
なう電子ビーム露光方法を提供するものである。
ターン形状が、変化しないように寸法補正を行ない、補
正パターン寸法と照射量に基づいて電子ビーム描画を行
なう電子ビーム露光方法を提供するものである。
発明の構成
本発明は、電子ビームを被加工物上に照射し、多数のパ
ターンを描画する電子ビーム露光方法に於いて、形成す
べきパターンを矩形に分割した後の酸霧光パターンが他
の露光パターンと接触し、該酸霧光パターンに及ぼす電
子ビーム散乱に依るパタージ間の影響が大きい場合、該
酸霧光パターンを消滅させ、その消滅パターンに接触し
ているパターンを分割し、その分割パターンに対し、目
的の露光パターン寸法を得る照射量及び寸法補正量を求
め、該補正パターン寸法と照射量に基づいて電子ビーム
描画を行なうものである。
ターンを描画する電子ビーム露光方法に於いて、形成す
べきパターンを矩形に分割した後の酸霧光パターンが他
の露光パターンと接触し、該酸霧光パターンに及ぼす電
子ビーム散乱に依るパタージ間の影響が大きい場合、該
酸霧光パターンを消滅させ、その消滅パターンに接触し
ているパターンを分割し、その分割パターンに対し、目
的の露光パターン寸法を得る照射量及び寸法補正量を求
め、該補正パターン寸法と照射量に基づいて電子ビーム
描画を行なうものである。
発明の実施例
第４図は、本発明一実施例を説明する為のパターンの要
部平面図であり、基本的には第２図のパターンと同じで
あり、同図に関して説明した部分と同部分は同記号で指
示しである。
部平面図であり、基本的には第２図のパターンと同じで
あり、同図に関して説明した部分と同部分は同記号で指
示しである。
図に於いて、ＳＰｌはサンプル点（代表点）、ｒｌは露
光パターン１の中心からサンプル点ＳＰ１までの距離、
ｒ２は露光パターン２の中心からサンプル点ＳＰ１まで
の距離、ｒ３は露光パターン乙の中心からサンプル点Ｓ
Ｐ１までの距離、Ｗは露光パターン２のパターン幅、Ｈ
は露光パターン２のパターン長、ｌはパターン間寸法補
正量、１Ａは新たに設定した露光パターンをそれぞれ示
している。
光パターン１の中心からサンプル点ＳＰ１までの距離、
ｒ２は露光パターン２の中心からサンプル点ＳＰ１まで
の距離、ｒ３は露光パターン乙の中心からサンプル点Ｓ
Ｐ１までの距離、Ｗは露光パターン２のパターン幅、Ｈ
は露光パターン２のパターン長、ｌはパターン間寸法補
正量、１Ａは新たに設定した露光パターンをそれぞれ示
している。
今、パターン２の補正量を求める場合につい℃考える。
パターン２の一辺上に設置されたサンプル点ＳＰ１での
エネルギ強度が現像エネルギ強度に等しくなるよう（＝
他の全パターン１，３．４からの影響分を求める。
エネルギ強度が現像エネルギ強度に等しくなるよう（＝
他の全パターン１，３．４からの影響分を求める。
それには、式（１）を描画パターンに関して積分し、連
立方程式に依り寸法及び照射量の両方に対する補正量を
求めることができる。
立方程式に依り寸法及び照射量の両方に対する補正量を
求めることができる。
サンプル点ＳＰ１では、次の式が成立する。
Ｑ、Ｆ（ｒｌ）＋Ｑ２ＦＣｒ２）＋ＱｓＦＣｒ５）＋Ｑ
、Ｆ（ｙ４ ） ＝Ｅ −１２）こ
こで、Ｑ、−Ｑ４は各露光パターン１，２，３．４の照
射量であり、Ｆ（ｒｉ）（ｉ＝ｉ〜４）は各露光パター
ン１〜４の露光強度であり、式（１）を描画パターンに
ついて積分することに依り得られる。
、Ｆ（ｙ４ ） ＝Ｅ −１２）こ
こで、Ｑ、−Ｑ４は各露光パターン１，２，３．４の照
射量であり、Ｆ（ｒｉ）（ｉ＝ｉ〜４）は各露光パター
ン１〜４の露光強度であり、式（１）を描画パターンに
ついて積分することに依り得られる。
露光パターン２の露光強度Ｆ（ｒ２）は次のようになる
。
。
若し、露光パターン２がサブミクロン・パターンであっ
て露光パターン６からの影響が大である為、露光パター
ン２の寸法補正量ｌがパターン長Ｈを越える場合、露光
パターン２を消滅させ、その消滅露光パターン２に接触
する露光パターン１に対し破線で表わしであるように新
たな分割線を入れ、露光パターン１Ａを設定する。そし
て、分割された露光パターン１及び１Ａについて各々の
補正量を求めることに依り第５図に見られるように補正
されるものである。
て露光パターン６からの影響が大である為、露光パター
ン２の寸法補正量ｌがパターン長Ｈを越える場合、露光
パターン２を消滅させ、その消滅露光パターン２に接触
する露光パターン１に対し破線で表わしであるように新
たな分割線を入れ、露光パターン１Ａを設定する。そし
て、分割された露光パターン１及び１Ａについて各々の
補正量を求めることに依り第５図に見られるように補正
されるものである。
前記のようにして、寸法及び電子ビーム照射量に対する
補正量をパターン・データ作成時に決定しておくもので
ある。
補正量をパターン・データ作成時に決定しておくもので
ある。
第６図は、前記のようにして得たパターン・データを用
いて電子ビーム露光を行なう装置のブロック図である。
いて電子ビーム露光を行なう装置のブロック図である。
図に於いて、４１は本体、４２は′電子銃、４３は収束
電子レンズ系、４４はＸ−Ｙ偏向器、４５は被加工物、
４６はプロセッサ、４７はＤＡ変換器、４８は増幅器を
それぞれ示す。
電子レンズ系、４４はＸ−Ｙ偏向器、４５は被加工物、
４６はプロセッサ、４７はＤＡ変換器、４８は増幅器を
それぞれ示す。
本装置では、ｎＩＪ記パターン・データをプロセッサ４
６に格納しておき、必要に応じて該パターン・データを
読み出しＤＡ変換器４７、増幅器４８を介してＸ−Ｙ偏
向器を駆動し、それに依り、電子ビーム°スポットを歩
進させ、所定のパターンを塗り潰すように電子ビームを
照射して描画を行なうものである。また、電子ビームに
対しては、プロセッサ４６からの信号に応じてブランキ
ング装置に依り照射及びブランキングの制御が加えられ
る。
６に格納しておき、必要に応じて該パターン・データを
読み出しＤＡ変換器４７、増幅器４８を介してＸ−Ｙ偏
向器を駆動し、それに依り、電子ビーム°スポットを歩
進させ、所定のパターンを塗り潰すように電子ビームを
照射して描画を行なうものである。また、電子ビームに
対しては、プロセッサ４６からの信号に応じてブランキ
ング装置に依り照射及びブランキングの制御が加えられ
る。
電子ビーム照射密度の制御は、第６図に見られる装置で
あれば、電子ビーム・スポットの歩進速度やブランキン
グ時間の制御で達成される。
あれば、電子ビーム・スポットの歩進速度やブランキン
グ時間の制御で達成される。
発明の効果
本発明に依れば、電子ビーム露光を行なうに際し、形成
すべきパターンを矩形に分割して得た露光パターンのう
ち所定露光パターンに他の露光パターンが接触し且つ該
所定露光パターンに及ぼされる電子ビーム散乱に依るパ
ターン間の影響が大である場合には、前記所定露光パタ
ーンを消滅させ、その消滅させた露光パターンに接触し
ていた露光パターンを新たな矩形に分割し、その分割で
生成された各露光パターンについて目的の露光パターン
寸法を得る照射量及び寸法補正量を求め、該照射量及び
寸法補正量に基づいて描画を行なうようにしている為、
露光後のパターン形状を変化させることなく寸法補正を
行なうことができ、従って、近接効果の補正が簡単にな
り、高精度のパターンを容易に形成することが可能であ
る。
すべきパターンを矩形に分割して得た露光パターンのう
ち所定露光パターンに他の露光パターンが接触し且つ該
所定露光パターンに及ぼされる電子ビーム散乱に依るパ
ターン間の影響が大である場合には、前記所定露光パタ
ーンを消滅させ、その消滅させた露光パターンに接触し
ていた露光パターンを新たな矩形に分割し、その分割で
生成された各露光パターンについて目的の露光パターン
寸法を得る照射量及び寸法補正量を求め、該照射量及び
寸法補正量に基づいて描画を行なうようにしている為、
露光後のパターン形状を変化させることなく寸法補正を
行なうことができ、従って、近接効果の補正が簡単にな
り、高精度のパターンを容易に形成することが可能であ
る。
第１図乃至第６図は従来の問題点を説明する為のパター
ンを表わす要部平面図、第４図及び第５図は本発明一実
施例を説明する為のパターンを表わす要部平面図、第６
図は本発明を実施する装置の一例を表わすブロック図で
ある。 図に於いて、１．２，３．４は露光パターン、１Ａは新
たに分割された露光パターン、ＳＰｌはサンプル点、ｒ
ｌ、γ２．ｒ６．ｒ４は各露光パターンからサンプル点
までの距離、Ｗ及びＨは露光パターン２のパターン幅及
びパターン長、ｌはパターン間寸法補正量である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 工具久五部 （外６名）
ンを表わす要部平面図、第４図及び第５図は本発明一実
施例を説明する為のパターンを表わす要部平面図、第６
図は本発明を実施する装置の一例を表わすブロック図で
ある。 図に於いて、１．２，３．４は露光パターン、１Ａは新
たに分割された露光パターン、ＳＰｌはサンプル点、ｒ
ｌ、γ２．ｒ６．ｒ４は各露光パターンからサンプル点
までの距離、Ｗ及びＨは露光パターン２のパターン幅及
びパターン長、ｌはパターン間寸法補正量である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 工具久五部 （外６名）
Claims (1)
- 電子ビームを被加工物上に照射して多数のパターンを描
画する重子ビーム露光方法に於いて、形成すべきパター
ンを矩形に分別して得た露光パターンのうら所定露光パ
ターンに（ｍの露光パターンが１妾触し且つ該所定露光
パターンに旋ぼされる屯ｒビーム散乱に依るパターン間
の影響が犬である場合（＝は、前記所定露光パターンを
消滅させ、その消滅させた露光パターンに接角巾してい
た露光パターンを新た（二分割し、その分割で生成され
た各露光パターンについて目的の露光パターン寸法ヲ得
る照射計及び寸法補正量を求め、該照射Ｉ及び寸法補正
ｔＴ１に糸づいて描画を行なうことを特徴とする電子ビ
ーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57172011A JPS5961133A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57172011A JPS5961133A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961133A true JPS5961133A (ja) | 1984-04-07 |
| JPH0336294B2 JPH0336294B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=15933870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57172011A Granted JPS5961133A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961133A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393634A (en) * | 1993-05-27 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Continuous phase and amplitude holographic elements |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57172011A patent/JPS5961133A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393634A (en) * | 1993-05-27 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Continuous phase and amplitude holographic elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336294B2 (ja) | 1991-05-31 |
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