JPH05267139A - 電子ビーム描画方法 - Google Patents

電子ビーム描画方法

Info

Publication number
JPH05267139A
JPH05267139A JP4059923A JP5992392A JPH05267139A JP H05267139 A JPH05267139 A JP H05267139A JP 4059923 A JP4059923 A JP 4059923A JP 5992392 A JP5992392 A JP 5992392A JP H05267139 A JPH05267139 A JP H05267139A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
pattern
electron beam
divided
patterns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4059923A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Kanemitsu
英之 金光
Tomoyuki Okada
朋之 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4059923A priority Critical patent/JPH05267139A/ja
Publication of JPH05267139A publication Critical patent/JPH05267139A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、電子ビーム露光の際の発熱の影響、
特に近接効果を除去し、描画パターンの精度を向上させ
ることができる電子ビーム描画方法を提供することを目
的とする。 【構成】図1(a)の描画したいパターンをチェッカー
状に分割する。分割した露光パターンを図1(b−1)
の斜線部に示すように離散的に照射する。同様に、図1
(b−2)の斜線部に示すように離散的に照射し、更に
続いて図1(b−3)、(b−4)の斜線部に示すよう
に順番に離散的に照射していく。こうして隣接した露光
パターンを連続的に照射することなく、常に飛び飛びに
一定の間隔を空けて離散的に照射する分割露光により、
図1(a)に示す描画パターンを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビーム描画方法に関
する。電子ビーム露光装置を用いた電子ビーム描画方法
は、現在の半導体製作などにおいて不可欠な技術となっ
ている。そして近年の電子デバイスの高集積化に伴い、
電子ビーム描画方法の描画精度に対する要求も厳しくな
ってきている。
【0002】
【従来の技術】従来の電子ビーム描画方法においては、
所定の露光パターンを照射した際に熱が発生し、この発
熱が隣接する領域のレジストに影響して重合等によるレ
ジストの変質を招き、レジスト感度を変化させるため、
描画パターンの寸法精度が悪化するという問題があっ
た。
【0003】そしてこの発熱量はショットサイズ、即ち
1ショットで照射する露光面積に比例するため、描画し
たい所定のパターンを例えばチェッカー状に分割し、そ
の分割した露光パターンを一方の端から順に連続して照
射するという分割露光を採用し、発熱による描画パター
ンの寸法精度の著しい劣化を防止しようとした。しか
し、このような分割露光においても、隣接する露光パタ
ーンへの発熱の影響は避けられず、いわゆる近接効果に
よる描画パターンの寸法精度の劣化が生じていた。例え
ば、10μm角のショットサイズの露光をした場合、孤
立した露光パターンにおいては、その発熱の効果によっ
て10.02μm角の描画パターンが形成されるのに対
し、隣接した露光パターンにおいては、その発熱の近接
効果によって10.05〜10.06μm角の描画パタ
ーンが形成される。
【0004】この問題を解決する方法として、分割した
露光パターンを連続的に照射する際に、前のショットに
よる発熱の影響を考慮して隣接する露光パターンの大き
さを補正する近接効果補正ソフトが開発されている。こ
の近接効果補正ソフトは、例えば10μm角の露光パタ
ーンに隣接する露光パターンの大きさを予め9.95μ
m角に補正しておき、発熱の近接効果によって10μm
角の描画パターンが形成されるようにしたものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の近接効果補正ソフトは、露光パターンの大きさを補
正するプロセスシフト量を算出するのに膨大な計算・デ
ータ処理量が必要となり、スループットの向上を図ろう
とすると、その採用はなかなか難しかった。また、描画
パターンの複雑化に伴い、プロセスシフト量の正確な値
を決めることも困難になるといった欠点もあった。
【0006】そこで本発明は、電子ビーム露光の際の発
熱の影響、特に近接効果を除去し、描画パターンの精度
を向上させることができる電子ビーム描画方法を提供す
ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題は、電子ビーム
露光によりサブフィールド内に所定のパターンを描画す
る電子ビーム描画方法において、前記所定のパターンを
複数の露光パターンに分割し、前記複数の露光パターン
を離散的に露光して、前記所定のパターンを描画するこ
とを特徴とする電子ビーム描画方法によって達成され
る。
【0008】また、上記の電子ビーム描画方法におい
て、前記複数の露光パターンを離散的に露光する際、分
割した前記複数の露光パターンのうちの隣接する露光パ
ターンが互いに重なり合うように露光することを特徴と
する電子ビーム描画方法によって達成される。また、上
記課題は、電子ビーム露光によりサブフィールド内に所
定のパターンを描画する電子ビーム描画方法において、
前記所定のパターンを複数の露光パターンに分割し、前
記複数の露光パターンを連続的に露光する際、各ショッ
ト間に所定の待ち時間を設定することを特徴とする電子
ビーム描画方法によって達成される。
【0009】更に、上記課題は、電子ビーム露光により
所定のパターンを描画する電子ビーム描画方法におい
て、前記所定のパターンを複数の露光パターンに分割
し、前記複数の露光パターンを離散的な露光パターンの
集合ごとに複数のファイルに分け、前記複数のファイル
ごとに前記離散的な露光パターンを露光して、前記所定
のパターンを描画することを特徴とする電子ビーム描画
方法によって達成される。
【0010】また、上記の電子ビーム描画方法におい
て、前記複数のファイルごとに前記離散的な露光パター
ンを露光する際、分割した前記複数の露光パターンのう
ちの隣接する露光パターンが互いに重なり合うように露
光することを特徴とする電子ビーム描画方法によって達
成される。
【0011】
【作用】本発明は、電子ビーム露光により所定のパター
ンを描画する際に、サブフィールド内に描画するパター
ンを分割した複数の露光パターンを離散的に露光してい
くことにより、また、描画するパターンを分割した複数
の露光パターンを離散的な露光パターンの集合ごとに複
数のファイルに分け、その複数のファイルごとに離散的
な露光パターンを露光していくことにより、1ショット
の露光又は1ファイルの露光がその発熱による影響を隣
接する露光パターンに及ぼさないため、発熱による描画
パターンの寸法精度の劣化を防止することができる。
【0012】
【実施例】本発明の第1の実施例による電子ビーム描画
方法を、図1を用いて説明する。図1(a)は電子ビー
ムを偏向電極によって操作することができる領域、即ち
サブフィールド内において描画したいパターンを示す
図、図1(b−1)〜(b−4)は図1(a)のパター
ンを第1の実施例により描画する電子ビーム描画方法を
説明するための図、図1(c−1)〜(c−3)は図1
(a)のパターンを描画する従来の電子ビーム描画方法
を説明するための図である。
【0013】第1の実施例による電子ビーム描画方法を
用いて所定のパターンをサブフィールド内に描画する場
合、まず、図1(a)に示すように、描画したいパター
ンを例えばチェッカー状に分割する。そしてその分割し
た露光パターンを、図1(b−1)の斜線部に示すよう
に、離散的に照射する。即ち、隣接する露光パターンを
順に連続して照射することなく、常に飛び飛びに一定の
間隔を空けて照射する。この点に本実施例の特徴があ
る。
【0014】次いで、図1(b−1)の場合と同様にし
て、図1(b−2)の斜線部に示すように、離散的に照
射する。更に続いて、図1(b−3)、(b−4)の斜
線部に示すように、順番に離散的に照射していく。この
ようにして、隣接した露光パターンを連続的に照射する
ことなく。常に飛び飛びに一定の間隔を空けて離散的に
照射する分割露光により、図1(a)に示す描画パター
ンを形成する。
【0015】従って、図1(b−1)の斜線部の各露光
パターン間には常に一定の間隔があるため、各露光パタ
ーンの照射による発熱が互いに影響することは抑制され
る。続いて、図1(b−2)の斜線部の各露光パターン
を照射するときも、同様のことがいえる。そして図1
(b−3)の斜線部の各露光パターンを照射するとき
は、図1(b−2)の斜線部の各露光パターンの照射に
よって発生した熱は既に消去しているため、図1(b−
2)で照射された斜線部の露光パターンと図1(b−
3)で照射される斜線部の露光パターンとが隣接してい
ても、図1(b−3)の斜線部の各露光パターンに近接
効果よる影響が生じることはない。続く図1(b−4)
の場合も、同様のことがいえる。
【0016】次に、この第1の実施例と比較するため、
従来の電子ビーム描画方法について述べる。従来の電子
ビーム描画方法を用いて所定のパターンをサブフィール
ド内に描画するの場合、図1(a)に示すように、描画
したいパターンを例えばチェッカー状に分割する。そし
てその分割した露光パターンを、図1(c−1)の斜線
部に示すように、一方の端から順に連続して照射する。
【0017】続いて、隣接していない露光パターンがあ
ると、図1(c−2)の斜線部に示すように、最も近い
露光パターンに飛んで照射する。更に続いて、図1(c
−3)の斜線部に示すように、次の隣接していない露光
パターンに飛んで、その露光パターンを順に連続して照
射する。このようにして、分割した露光パターンを最も
近い順に連続して照射する分割露光により、図1(a)
に示す描画パターンを形成する。
【0018】次に、図1(b−1)〜(b−4)に示す
第1の実施例による電子ビーム描画方法の場合と図1
(c−1)〜(c−3)に示す従来の電子ビーム描画方
法の場合との描画パターンの寸法リニアリティを、図2
のグラフを用いて説明する。従来の電子ビーム描画方法
の場合、図2(b)に示されているように、露光パター
ンが孤立しているいわゆる孤立ラインの描画において、
設計値寸法値が約2.5μm以上ではその設計寸法値か
らのずれ量がほぼ一定の値であるが、約2.5μm以下
ではそのリニアリティが崩れてくる。
【0019】これに対して、第1の実施例による電子ビ
ーム描画方法の場合、図2(a)に示されているよう
に、孤立ラインの描画において、設計値寸法値が約1.
8μm以上ではその設計値寸法値からのずれ量がほぼ一
定の値である。従って、そのリニアリティは、従来の場
合の約2.5μmから約1.8μmへと向上しているこ
とになる。
【0020】また、この第1の実施例による電子ビーム
描画方法の場合、露光パターンが連続しているいわゆる
L/S(ライン&スペース)ラインの描画においても、
図2(a)に示されているように、設計寸法値のリニア
リティは約1.8μmであり、従来の場合よりも改善さ
れている。このように本実施例によれば、電子ビーム描
画方法を用いて所定のパターンをサブフィールド内に描
画する場合、図1(a)に示す描画したいパターンをチ
ェッカー状に分割し、その分割した露光パターンを図1
(b−1)、(b−2)、(b−3)、(b−4)の斜
線部に順に示すように離散的に照射していくことによ
り、離散的な各ショットの露光がその発熱の近接効果に
よる影響を隣接する露光パターンに及ぼさないため、発
熱による描画パターンの寸法精度の劣化を防止すること
ができる。従って、描画パターンの寸法リニアリティを
向上させ、描画パターンの寸法精度を向上させることが
できる。
【0021】ところで、上記第1の実施例においては、
隣接する露光パターン間における発熱の近接効果が抑制
されることにより、各ショットによる露光パターンの寸
法精度が向上するため、高精度の電子ビーム露光装置の
場合は特に問題はないが、電子ビーム露光装置の精度が
低い場合には、隣接する露光パターン間に隙間が生じる
おそれが出てくる。
【0022】このような場合には、分割した複数の露光
パターンを離散的に露光する際に、そのうちの隣接する
露光パターンについては、それらの隣接する露光パター
ンが互いに重なり合うように露光すればよい。例えば、
上記図1(b−1)〜(b−4)に示す第1の実施例の
場合、図1(b−3)、(b−4)の斜線部を照射する
際に、斜線部の露光パターンの大きさを補正して、これ
ら斜線部の露光パターンに隣接する既に照射した露光パ
ターンと重なり合うようにする。こうして各ショットに
よる露光パターンの寸法精度が向上することにより却っ
て隣接する露光パターン間に隙間が生じるという問題は
解決される。
【0023】また、上記第1の実施例においては、分割
した露光パターンを離散的に照射していくことにより照
射の際の発熱の近接効果を防止しているが、隣接した露
光パターンを連続的に照射しても、各ショット間に所定
の待ち時間、即ち1ショットと次のショットとの間に前
のショットにより発生した熱が隣接する露光パターンに
近接効果を及ぼさない程度に冷却する冷却時間を設定す
ることにより、上記第1の実施例の場合と同様の効果を
奏することができる。
【0024】この電子ビーム描画方法は、スループット
よりも描画パターンの寸法精度の向上が要求される場合
に適している。次に、本発明の第2の実施例による電子
ビーム描画方法を、図3を用いて説明する。図3(a)
は描画したいパターンを示す図、図3(b−1)〜(b
−3)は図3(a)のパターンを第2の実施例により描
画する電子ビーム描画方法を説明するための図である。
【0025】第2の実施例による電子ビーム描画方法を
用いて所定のパターンを描画する場合、まず、図3
(a)に示すように、描画したいパターンを例えば最大
可能ショットサイズ、即ち電子ビーム径の最小サイズで
チェッカー状に分割する。このとき、電子ビーム径の最
小サイズに分割するのは、分割サイズが小さければ小さ
いほど発熱の影響も小さくなり、ショットサイズが2μ
m角以下の場合には、発熱の影響はほとんど無視できる
ようになるからである。
【0026】次いで、その分割した露光パターンを、図
3(b−1)、(b−2)に示すように、隣接しない離
散的な露光パターンの集合ごとに第1のファイルと第2
のファイルとに分ける。この点に本実施例の特徴があ
る。次いで、図3(b−1)に示す第1のファイルに従
って1回目の照射を行う。続いて、図3(b−2)に示
す第2のファイルに従って2回目の照射を行う。このよ
うにして、分割した露光パターンを、離散的な露光パタ
ーンの集合ごとに第1のファイルと第2のファイルとに
分けて照射する分割露光により、図3(b−3)に示す
ように、図3(a)の描画パターンを形成する。
【0027】従って、図3(b−1)に示す第1のファ
イルの各露光パターンは常に隣接していないため、各露
光パターンの照射による発熱が互いに影響することは抑
制される。また、図3(b−2)に示す第2のファイル
の各露光パターンについても同様のことがいえる。そし
て図3(b−2)の第2のファイルに従って2回目の照
射を行うときは、図3(b−1)の第1のファイルによ
る1回目の照射によって発生した熱は既に消去している
ため、図3(b−1)の第1のファイルの露光パターン
と図3(b−2)の第2のファイルの露光パターンとが
隣接していても、図3(b−2)の第2のファイルに従
って照射される各露光パターンに近接効果よる影響が生
じることはない。
【0028】このように本実施例によれば、電子ビーム
描画方法を用いて所定のパターンを描画するの場合、図
3(a)に示す描画したいパターンを電子ビーム径の最
小サイズでチェッカー状に分割し、その分割した露光パ
ターンを図3(b−1)、(b−2)に示すように、隣
接しない離散的な露光パターンの集合ごとに第1のファ
イルと第2のファイルとに分けた後、これら第1及び第
2のファイルに従って順に1回目及び2回目の照射を行
うことにより、各ファイル内の離散的な露光パターン相
互に発熱の影響を及ぼすことはないし、第1及び第2の
ファイルの露光パターンが隣接していても、第1のファ
イルに従って行われた1回目の照射による発熱が第2の
ファイルに従って行われる2回目の照射による各露光パ
ターンに近接効果よる影響を及ぼすことはない。このた
め、上記第1の実施例の場合と同様に、描画パターンの
寸法リニアリティを向上させ、描画パターンの寸法精度
を向上させることができる。
【0029】なお、上記第2の実施例においては、描画
したいパターンを電子ビーム径の最小サイズでチェッカ
ー状に分割しているが、分割する露光パターンは電子ビ
ーム径の最小サイズに限定されず、またチェッカー状や
均一面積であることにも限定されない。例えば可変成形
ビームを使用する場合、可変成形したショットによる所
定形状の露光パターンに分割してもよい。
【0030】また、分割した露光パターンを離散的な露
光パターンの集合ごとに第1及び第2のファイルに分け
ているが、データのパターン密度や寸法精度要求が厳し
いものについては2ファイルに限定されず、3以上のフ
ァイルに分けてもよい。また、各ファイルの露光パター
ンは常に離散的な露光パターンでなくとも、一定の許容
範囲内であれば部分的に隣接する露光パターンを含んで
いてもよい。
【0031】また、電子ビーム露光装置の精度が低い場
合に、隣接する露光パターン間に隙間が生じるおそれが
あるという問題は、分割した複数の露光パターンを複数
のファイルごとに露光する際に、そのうちの隣接する露
光パターンについては、それらの隣接する露光パターン
が互いに重なり合うように露光すればよい。例えば上記
図3(b−1)〜(b−3)に示す第2の実施例の場
合、図3(b−2)の第2のファイルに従って2回目の
照射を行う際に、図3(b−1)の第1のファイルの露
光パターンに隣接する露光パターンの大きさを補正し
て、これら互いに隣接する露光パターンが重なり合うよ
うにする。こうして各ファイルごとの照射による露光パ
ターンの寸法精度が向上することにより却って隣接する
露光パターン間に隙間が生じるという問題は解決され
る。
【0032】更に、上記第1及び第2の実施例による電
子ビーム描画方法を組み合わせてもよい。上記第1の実
施例と上記第2の実施例とは、その露光パターンの大き
さのレベルが異なるため、例えば上記第2の実施例にお
ける各ファイルの露光パターンを露光する際に、その各
露光パターンごとに、上記第1実施例による電子ビーム
描画方法を適用することができる。このような組み合わ
せにより、上記第1及び第2の実施例の効果を相乗的に
発揮することができる。
【0033】
【発明の効果】以上のように本発明は、電子ビーム露光
により所定のパターンを描画する電子ビーム描画方法に
おいて、サブフィールド内に描画するパターンを分割
し、その分割した複数の露光パターンを離散的に露光し
ていくことにより、また、描画するパターンを分割した
複数の露光パターンを離散的な露光パターンの集合ごと
に複数のファイルに分け、その複数のファイルごとに離
散的な露光パターンを露光していくことにより、1ショ
ットの露光又は1ファイルの露光がその露光パターンに
隣接する他のショット又は他のファイルの露光パターン
に発熱による影響を及ぼさないため、発熱による描画パ
ターンの寸法精度の劣化を防止することができる。
【0034】従って、例えばレチクルの寸法精度の向上
に大きな効果を発揮すると共に、製作歩留りの向上にも
寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による電子ビーム描画方
法を説明するための図である。
【図2】本発明の第1の実施例による電子ビーム描画方
法を用いた場合の描画パターンの寸法リニアリティを説
明するためのグラフである。
【図3】本発明の第2の実施例による電子ビーム描画方
法を説明するための図である。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビーム露光によりサブフィールド内
    に所定のパターンを描画する電子ビーム描画方法におい
    て、 前記所定のパターンを複数の露光パターンに分割し、 前記複数の露光パターンを離散的に露光して、前記所定
    のパターンを描画することを特徴とする電子ビーム描画
    方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の電子ビーム描画方法にお
    いて、 前記複数の露光パターンを離散的に露光する際、分割し
    た前記複数の露光パターンのうちの隣接する露光パター
    ンが互いに重なり合うように露光することを特徴とする
    電子ビーム描画方法。
  3. 【請求項3】 電子ビーム露光によりサブフィールド内
    に所定のパターンを描画する電子ビーム描画方法におい
    て、 前記所定のパターンを複数の露光パターンに分割し、 前記複数の露光パターンを連続的に露光する際、各ショ
    ット間に所定の待ち時間を設定することを特徴とする電
    子ビーム描画方法。
  4. 【請求項4】 電子ビーム露光により所定のパターンを
    描画する電子ビーム描画方法において、 前記所定のパターンを複数の露光パターンに分割し、 前記複数の露光パターンを離散的な露光パターンの集合
    ごとに複数のファイルに分け、 前記複数のファイルごとに前記離散的な露光パターンを
    露光して、前記所定のパターンを描画することを特徴と
    する電子ビーム描画方法。
  5. 【請求項5】 請求項4記載の電子ビーム描画方法にお
    いて、 前記複数のファイルごとに前記離散的な露光パターンを
    露光する際、分割した前記複数の露光パターンのうちの
    隣接する露光パターンが互いに重なり合うように露光す
    ることを特徴とする電子ビーム描画方法。
JP4059923A 1992-03-17 1992-03-17 電子ビーム描画方法 Withdrawn JPH05267139A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4059923A JPH05267139A (ja) 1992-03-17 1992-03-17 電子ビーム描画方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4059923A JPH05267139A (ja) 1992-03-17 1992-03-17 電子ビーム描画方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05267139A true JPH05267139A (ja) 1993-10-15

Family

ID=13127141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4059923A Withdrawn JPH05267139A (ja) 1992-03-17 1992-03-17 電子ビーム描画方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05267139A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007157742A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Nuflare Technology Inc 荷電ビーム描画方法及び描画装置
KR100892981B1 (ko) * 2001-10-26 2009-04-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 래스터 주사 입자 빔 리소그래피에서 근접 레지스트가열의 실시간 예측 및 보정 방법 및 시스템
JP2011035298A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP2012069675A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
KR20120056923A (ko) * 2010-09-07 2012-06-05 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
JP2012174780A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100892981B1 (ko) * 2001-10-26 2009-04-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 래스터 주사 입자 빔 리소그래피에서 근접 레지스트가열의 실시간 예측 및 보정 방법 및 시스템
JP2007157742A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Nuflare Technology Inc 荷電ビーム描画方法及び描画装置
JP2011035298A (ja) * 2009-08-05 2011-02-17 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
KR20120056923A (ko) * 2010-09-07 2012-06-05 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
JP2012069675A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2012174780A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US9063440B2 (en) 2011-02-18 2015-06-23 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
US9336994B2 (en) 2011-02-18 2016-05-10 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9947509B2 (en) Multiple charged particle beam lithography apparatus and multiple charged particle beam lithography method
JP5662756B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP3454983B2 (ja) 荷電ビーム描画方法
JP6259694B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量変調係数の取得方法
CN102023489A (zh) 用带电粒子束光刻来使用曲线字符打碎并形成图案的方法
US20170229280A1 (en) Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
USRE47707E1 (en) Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method
TW201418904A (zh) 用於使用成形光束微影術改善臨界尺寸均一性之方法及系統
JPH0620931A (ja) 電子ビーム露光方法
JP2018006748A (ja) 表面上に書込む形状をバイアスするための方法およびシステム
TWI498668B (zh) Charge particle beam drawing device and irradiation time distribution method of charged particle beam for multiple rendering
US20100237469A1 (en) Photomask, semiconductor device, and charged beam writing apparatus
TWI710006B (zh) 描畫資料產生方法、記錄程式之電腦可讀取記錄媒體以及多帶電粒子束描畫裝置
JPH05267139A (ja) 電子ビーム描画方法
US20060289797A1 (en) Electron beam writing method, electron beam writing apparatus and semiconductor device manufacturing method
TWI514437B (zh) 用以利用帶電粒子束微影術以多個暴露回合使圖樣破碎的方法與系統
JP2004040010A (ja) パターン描画方法
KR102366045B1 (ko) 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치
US11443918B2 (en) Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus
JP2000340492A (ja) 電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法
JP2012043972A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2016219829A (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JPH10270341A (ja) 電子ビーム描画方法
JP3353766B2 (ja) パターンデータ処理方法及びプログラムを記憶した記憶媒体
JPS6229893B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990518