JP2011035298A - 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】副偏向領域203を市松模様状に配置された第1の副偏向領域201と第2の副偏向領域202とに分ける。次に、第1の副偏向領域201をショットした後、第2の副偏向領域202をショットする。副偏向領域203をショットし終えた後は、隣接する副偏向領域204について同様にショットする。主偏向領域205内の全ての副偏向領域をショットし終えた後は、最初の副偏向領域203に戻って同様にショットする。この工程を繰り返し、主偏向領域205内の全ての副偏向領域を繰り返しショットする。
【選択図】図2
Description
副偏向器の偏向幅で決まる副偏向領域を格子状に分割し、それによって得られた各領域を市松模様状に配置された第1の副偏向領域と第2の副偏向領域とに分ける第1の工程と、
第1の副偏向領域の全てに荷電粒子ビームを照射した後、第2の副偏向領域の全てに荷電粒子ビームを照射する工程を副偏向領域毎に繰り返して、主偏向器の偏向幅で決まる主偏向領域の全体に荷電粒子ビームを照射する第2の工程とを有することを特徴とするものである。
副偏向器の偏向幅で決まる副偏向領域を格子状に分割し、それによって得られた各領域を市松模様状に配置された第1の副偏向領域と第2の副偏向領域とに分ける第1の工程と、
第1の副偏向領域に荷電粒子ビームを照射し、主偏向器の偏向幅で決まる主偏向領域にある全ての第1の副偏向領域に荷電粒子ビームを照射した後、最初の副偏向領域に戻って第2の副偏向領域に荷電粒子ビームを照射し、主偏向領域にある全ての第2の副偏向領域に荷電粒子ビームを照射する第2の工程とを有することを特徴とするものである。
荷電粒子ビームの光路上に配置されて荷電粒子ビームの位置を制御する主偏向器および副偏向器と、
副偏向器の偏向幅で決まる副偏向領域を格子状に分割し、それによって得られた各領域を市松模様状に配置された第1の副偏向領域と第2の副偏向領域とに分けて、荷電粒子ビームを照射する順番を決定するショット順番決定部と、
試料に描画するパターン毎に多重度を決定する多重度決定部と、
多重度に基づいて試料に荷電粒子ビームで描画する描画部とを有することを特徴とするものである。
2 マスク基板
3 ステージ
4 ステージ駆動回路
5 位置回路
6 電子銃
7、8、9、11、12 各種レンズ
10 光学系
13 ブランキング用偏向器
14 成形偏向器
15 主偏向器
16 副偏向器
17 第1のアパーチャ
18 第2のアパーチャ
19 制御計算機
20 入力部
21 パターンメモリ
22 パターンデータデコーダ
23 描画データデコーダ
24 ブランキング回路
25 ビーム成形器ドライバ
26 副偏向器ドライバ
27 主偏向器ドライバ
28 副偏向領域偏向量算出部
29 セトリング時間決定部
30 偏向制御部
31 描画データ補正部
32 ショット順番決定部
51 描画されるパターン
52 フレーム領域
53 副偏向領域
54 電子ビーム
Claims (5)
- 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームの位置を制御し、試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記副偏向器の偏向幅で決まる副偏向領域を格子状に分割し、それによって得られた各領域を市松模様状に配置された第1の副偏向領域と第2の副偏向領域とに分ける第1の工程と、
前記第1の副偏向領域の全てに前記荷電粒子ビームを照射した後、前記第2の副偏向領域の全てに前記荷電粒子ビームを照射する工程を前記副偏向領域毎に繰り返して、前記主偏向器の偏向幅で決まる主偏向領域の全体に前記荷電粒子ビームを照射する第2の工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器を用いて前記荷電粒子ビームの位置を制御し、試料に所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法であって、
前記副偏向器の偏向幅で決まる副偏向領域を格子状に分割し、それによって得られた各領域を市松模様状に配置された第1の副偏向領域と第2の副偏向領域とに分ける第1の工程と、
前記第1の副偏向領域に前記荷電粒子ビームを照射し、前記主偏向器の偏向幅で決まる主偏向領域にある全ての前記第1の副偏向領域に前記荷電粒子ビームを照射した後、最初の副偏向領域に戻って前記第2の副偏向領域に前記荷電粒子ビームを照射し、前記主偏向領域にある全ての前記第2の副偏向領域に前記荷電粒子ビームを照射する第2の工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 多重度に応じて前記第2の工程を繰り返すことを特徴とする請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 荷電粒子ビームのショット間の間隔が前記荷電粒子ビームの最大ショットサイズの2倍以上となるように前記第1の副偏向領域と前記第2の副偏向領域の大きさを調整することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 荷電粒子ビームを試料に照射して多重描画を行う荷電粒子ビーム描画装置において、
前記荷電粒子ビームの光路上に配置されて前記荷電粒子ビームの位置を制御する主偏向器および副偏向器と、
前記副偏向器の偏向幅で決まる副偏向領域を格子状に分割し、それによって得られた各領域を市松模様状に配置された第1の副偏向領域と第2の副偏向領域とに分けて、前記荷電粒子ビームを照射する順番を決定するショット順番決定部と、
前記試料に描画するパターン毎に多重度を決定する多重度決定部と、
前記多重度に基づいて前記試料に前記荷電粒子ビームで描画する描画部とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012174780A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP2013128032A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Nuflare Technology Inc | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
WO2014071091A1 (en) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | D2S, Inc. | Method and system for improving critical dimension uniformity using shaped beam lithography |
JP2015029096A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-12 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | 荷電粒子マルチビーム露光のための方法 |
KR20150122553A (ko) * | 2014-04-23 | 2015-11-02 | 삼성전자주식회사 | 세틀링 시간 제어를 이용하는 노광 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121301A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Matsushita Electron Corp | 電子ビーム描画方法 |
JPH05267139A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム描画方法 |
JPH06151285A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Nec Corp | パターン露光方法 |
JPH09306810A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Nikon Corp | 電子線縮小転写方法および電子線縮小転写装置 |
JPH11274038A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | パターン描画方法及び描画装置 |
JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2010147202A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05121301A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Matsushita Electron Corp | 電子ビーム描画方法 |
JPH05267139A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム描画方法 |
JPH06151285A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Nec Corp | パターン露光方法 |
JPH09306810A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Nikon Corp | 電子線縮小転写方法および電子線縮小転写装置 |
JPH11274038A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Toshiba Corp | パターン描画方法及び描画装置 |
JP2001319872A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2010147202A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012174780A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US9063440B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-06-23 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and charged particle beam writing method |
US9336994B2 (en) | 2011-02-18 | 2016-05-10 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
JP2013128032A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Nuflare Technology Inc | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
WO2014071091A1 (en) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | D2S, Inc. | Method and system for improving critical dimension uniformity using shaped beam lithography |
US9104109B2 (en) | 2012-11-02 | 2015-08-11 | D2S, Inc. | Method and system for improving critical dimension uniformity using shaped beam lithography |
JP2015029096A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-12 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | 荷電粒子マルチビーム露光のための方法 |
KR20150122553A (ko) * | 2014-04-23 | 2015-11-02 | 삼성전자주식회사 | 세틀링 시간 제어를 이용하는 노광 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
KR102193686B1 (ko) | 2014-04-23 | 2020-12-21 | 삼성전자주식회사 | 세틀링 시간 제어를 이용하는 노광 방법 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 |
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