JP2015029096A - 荷電粒子マルチビーム露光のための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−前記放射に対して透明な複数のアパーチャを有するパターン定義手段を提供するステップと、
−照明ワイドビームによって前記パターン定義手段を照明するステップであって、上記照明ワイドビームが、前記アパーチャを通ってパターン定義手段を横切り、それにより、対応する複数のビームレットからなるパターン形成ビームを形成するステップと、
−前記パターン形成ビームをターゲットの位置でのパターン像に成形するステップであって、パターン像が、ターゲット上のいくつかのパターン画素をカバーする複数のアパーチャの少なくとも一部の像を備え、パターン画素が、アパーチャ像の公称(中心)位置に対応するステップと、
−前記ターゲットとパターン定義手段の相対移動を生じさせ、ビーム露光が行われる領域にわたる経路に沿ってターゲット上で前記パターン像を移動させるステップとを含み、前記領域が、規則的配列で配列された複数のパターン画素から構成され、前記相対移動の主方向を横切って測定される全幅を有し、前記移動が、前記領域を順次露光でカバーするいくつかのストライプを画定し、前記ストライプが、前記主方向に沿って互いに実質的に平行に延び、前記主方向を横切って測定されるそれぞれの幅を有する
方法に関する。
図1に、本発明を採用する荷電粒子マルチビームマスク露光ツール(マスクライタ)の概略全体図が示されている。以下では、本発明を開示するのに必要な詳細のみを提示する。見やすくするために、図1では、構成要素は、正しい縮尺では図示されておらず、特に粒子ビームの横幅が誇張されている。PML2システムの原理もeMETと同様である。より詳細には、米国特許第6,768,125号および米国特許第7,781,748号を参照されたい。粒子ビーム装置およびPD手段の全体的なレイアウトに関する上記特許文献の教示を、参照により本明細書に組み込む。
図6A〜Cを参照して以下に詳細に論じるように、基板14が連続的に移動される間に、同じ走査移動中に一連のアパーチャの像によって、ターゲット上の同じイメージ要素、すなわちパターン画素pxが複数回カバーされる。同時に、PDシステムでのパターンは、PDシステムのアパーチャを通って段階的にシフトされる。したがって、ターゲット上のある位置での1つのイメージ要素を考えると、そのイメージ要素をカバーするときにすべてのアパーチャがスイッチオン状態にされる場合、これは、最大露光照射量レベル、すなわち100%に対応する「白色」陰影をもたらす。「白色」陰影に加えて、より低い照射量レベル(「グレー陰影」とも呼ぶ)に従ってターゲットでのイメージ要素を露光することも可能であり、グレー陰影は、最小露光照射量レベル(「黒」)と最大露光照射量レベル(白)との間を補間する。グレー陰影は、例えば、ライン内の対応する数のアパーチャをスイッチオン状態にすることによって実現することができる。例えば、32個のアパーチャのうちの8個が、25%のグレーレベルを与える。別の手法は、関連するアパーチャに関する遮断されていない露光の期間を減少することである。したがって、イメージ要素の値を制御する信号は、グレースケールコード、例えばnビットの2進数として符号化された整数によって表される。異なる数のグレー陰影が存在することもある。
図5〜図8は、パラメータo=1、N=2に関する、本発明による露光方法の第1の実施形態による画素の露光方式の一例を示す。まず図5を参照すると、1つの露光セルが、画素が露光されるすべての露光セルの代表として図示されている。露光セルは、それぞれp11、p12、p21、およびp22と表されるN2=4個の画素を備える。本発明によれば、画素は、異なる組に分割され、これらの組を、「部分グリッド」または単に「グリッド」G1、G2と呼び、これらのグリッドG1、G2は、好ましくは対応する配列で、好ましくは同数の画素を含む。通常、部分グリッドの数ngは、露光セルの幅の数Nと同じになるように選択される。したがって、この場合、ng=2である。図示される例では、画素p11、p21が第1のグリッドG1を形成し、画素p12、p22が第2の画素G2に属する。部分グリッドG1、G2は異なる画素を含むが、まとめ合わせると、セル内部のパターン画素全体に組み合わさる。図示される実施形態では、同じグリッドに属する画素の位置は、(2次)露光セルの各行および各列が各グリッドのただ1つの画素を含むように選択される。
図14Aは、ストライプの時間的順序の別の好ましい変形形態を示す。ここで、1つのパスpp1、pp2のストライプがグループとして露光されて、ターゲット上に露光すべき領域R3の領域A1a、A1b、A1c、…をカバーする。各領域A1a〜cは、領域R3内部のストライプ形状の副領域であり、k本のストライプ(図示される例ではk=4)を備えるが、これらの領域は互いに分離され、すなわち領域A2a、A2b、…によって互いに分離され、領域A2a、A2b、…は、一連の領域A1a、A1b、A1c、…が完成した後で露光される。より具体的には、ストライプ露光のシーケンスは以下のようである。第1に、ストライプの第1のグループt1aのストライプs1a1〜s1a4が、第1のパスpp1に関連付けられる第1のグリッドに従って実施され、次いで、ストライプの第2のグループt2aのストライプs2a1〜s2a4が、第2のパスpp2に関連付けられる第2のグリッドに従って実施される。したがって、グループt1a、t2aのストライプが第1の領域A1aを露光し、実質的に(すなわち、領域A1aの2つの長手方向縁部に沿った側方「エッジストライプ」を除いて)カバーする。次に、第3のグループt1bのストライプs1b1〜s1b4を実施し、次いで第4のグループt2bのストライプs2b1〜s2b4を実施することによって、領域A1bが露光される。その後、領域A1cが露光され、以下同様である。領域A1a、A1b、A1c、…のこのシーケンスの後、別のシーケンスが、領域A2aの露光を開始し、これは、領域A1aのものと同様に行われる。
図14Bに例示される別の変形形態では、各グループでのストライプの数が最小であり、すなわち、各グループが、各パス毎にただ1つのストライプを含む(k=1)。本明細書では「スパースストライプ」と呼ぶこの変形形態は、図14Aの手順の限定的なケースと見ることができる。ストライプを露光する時間的シーケンスのこの変形形態では、各ストライプと、同じパスの直後のストライプとの間に広いピッチが存在する。この「広いピッチ」yp0は、少なくとも1つのストライプ2つ分の幅よりも大きいが、典型的には、幅y0の倍数であり、すなわち、yp0=m・y0である。乗数mは、少なくとも2であり、好ましくは整数である。典型的には、乗数は、2よりも十分に大きい。特に、図14Bの特定の例では、領域R4の範囲は、Y方向に沿って、基本幅yp0のn=3個の副領域Ra、Rb、Rcに分割される(一般に、nは、1よりも大きい任意の整数値を取ることができる)。したがって、領域R4の全幅は、Ry4=n・yp0である。前の例と同様に、領域R4内のすべてのストライプが、平行に向けられ、好ましくは同じ長さRxを有する。各副領域は、各パス毎にm本のストライプによって露光されるが、図14Bでタイプ#iの符号#1、#2、…によって示されるような時間的順序であり、ここで、整数iは、「時間指数」と解釈することができる。したがって、第1のパスは、以下の順序で、n・m本のストライプを備える。k1a1、k1b1、k1c1、k1a2、k1b2、k1c2、…k1am、k1bm、k1cm(文字a、b、cはそれぞれ、図14Bでのn=3個の副領域Ra、Rb、Rcを表す)。その後、第2のパスのストライプk2a1、…k2am、k2b1、…が、同様の順序で実施される。第2のパスkp2の第1のストライプk2a1は、第1のパスの最後のストライプk1cmの直後に続くので、1+n・mの「時間指数」を有すると見ることができ、第2のパスのさらなるストライプに関しても以下同様である。図14Bでは、より見やすくするために、すべてのストライプが図示されているわけではない。さらに、第1のパスkp1に関する各副領域の最後のストライプk1am、k1bm、k1cmが、一点鎖線で示され、第2のパスkp2の第1の副領域の最後のストライプk2amが、点線で示されている。
本発明のさらなる態様によれば、(典型的な実装形態では、6×6インチの標準のマスクブランクでよい)基板上に書き込むべきレイアウトを、適切な様式でストライプ形状のセグメントに分割できるようにする方法が提案される。これは、図18を参照して以下に述べるように、適切なソフトウェアプログラムに実装することができるアルゴリズムによって行われる。アルゴリズムは、入力800として、基板上に形成すべきレイアウト、例えば大きな1組の多角形状のベクトルデータを受け取る。
Claims (18)
- 荷電粒子によって生成されるエネルギー放射のビームを用いてターゲットを照射するための方法であって、
前記放射に対して透明な複数のアパーチャ(20)を有するパターン定義手段(102)を提供するステップと、
照明ワイドビーム(lb)によって前記パターン定義手段を照明するステップであって、前記照明ワイドビーム(lb)が、前記アパーチャを通って前記パターン定義手段を横切り、それにより、対応する複数のビームレットからなるパターン形成ビーム(pb)を形成するステップと、
前記パターン形成ビームを前記ターゲット(14)の位置でのパターン像(pm)に成形するステップであって、前記パターン像が、前記ターゲット上のいくつかのパターン画素(px)をカバーする前記複数のアパーチャの少なくとも一部の像(p1)を備えるステップと、
前記ターゲット(14)と前記パターン定義手段(102)の相対移動を生じさせ、ビーム露光が行われる領域(r1、SR)にわたる経路に沿って前記ターゲット上で前記パターン像を移動させるステップとを含み、前記領域が、規則的配列で配列された複数のパターン画素(px)から構成され、前記相対移動の主方向(sd)を横切って測定される全幅(Ry、YR)を有し、前記移動が、前記領域を順次露光でカバーするいくつかのストライプ(s11〜s22、u11〜u22、sa1〜sc2)を画定し、前記ストライプが、前記主方向に沿って互いに実質的に平行に延び、前記主方向を横切って測定されるそれぞれの幅(y0)を有し、
前記いくつかのストライプ(s11〜s22、u11〜u22、sa1〜sc2)が、少なくとも2つのパス(ps1、ps2、psa〜psc)で連続的な順序で書き込まれ、各ストライプが、前記パスのただ1つに属し、
各パスに関して、1つのパスのストライプの幅(y0)が、組み合わさって、前記全幅(Ry、YR)をカバーし、
各パス(ps1、ps2、psa〜psc、pp1、pp2、kp1、kp2)が、パターン画素のいくつかの部分グリッド(G1、G2、Ga〜Gc)の1つに関連付けられ、前記パターン画素が、それぞれのパス中に露光可能であり、前記部分グリッド(G1、G2、Ga〜Gc)が互いに異なり、まとめ合わせると、ビーム露光が実施される前記領域を構成する複数のパターン画素(px)全体に組み合わさる
方法。 - 各パスの前記ストライプが、空間的に隣接するストライプの少なくとも2つのグループ(A1a、A1b、A1c、A2a、A2b、Ra、Rb、Rc)に分散され、前記ストライプが、各ストライプの後に異なるグループの隣接していないストライプが続く時間シーケンス、または、前記グループの順序に従ってストライプのグループとして前記ストライプが書き込まれ、前記ストライプの各グループの後に、隣接していない異なるグループが続く時間シーケンスで書き込まれる請求項1に記載の方法。
- 前記パス(ps1、ps2、pp1、pp2)が、前記パス(pp1、pp2)のそれぞれ1つに属する少なくとも2つのストライプ(s1a1〜s1a4、s2a1〜s2b4、s1a1〜s1b4、s2b1〜s2b4)のグループ(t1a、t2a、t1b、t2b)を直に連続的な順序で書き込むことによって、時間的に織り交ざる順序で書き込まれ、交互に替わるパスに関してストライプのグループ(t1a、t2a、t1b、t2b)が書き込まれる請求項2に記載の方法。
- 前記ターゲット上の実質的に同じ領域(A1a、A1b)をカバーするストライプのグループ(t1a、t2a、t1b、t2b)が、直に連続的な順序で書き込まれる請求項3に記載の方法。
- 前記同じパスに属するストライプのグループが、時間的に連続して書き込まれる請求項1のいずれか一項に記載の方法。
- 各ストライプに関して、前記主方向(sd)に平行な向きを有する前記ストライプの境界が異なるパスのストライプの中央領域内に入るように前記ストライプが位置される請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 各パスの前記ストライプが、均一な幅(y0)を有し、異なるパスの前記ストライプが、オフセット値だけ互いにオフセットされ、前記オフセット値が、前記幅の整数倍と前記幅(y0)の分数との和に実質的に等しく、前記分数が、パス(ng)の数の逆数に対応する請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 各パスにおいて、連続するストライプが、前記ストライプのそれぞれの幅(y0)に対応する相互の側方オフセットで露光される請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記パスの少なくとも1つの前記ストライプ(u11〜u13;u21、u22)が重畳しており、前記同じパスの2つのストライプの重畳範囲(m12、m23;m2)内で、
前記2つのストライプの一方のパターン画素の公称位置が、前記2つのストライプの他方の対応するパターン画素の公称位置と重畳しており、
パターン画素が、2つの重畳するストライプで、付与されるパターンに関して相補的な様式で露光される
請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。 - 各ストライプ内で、前記パターン画素(px)が、露光される実際のパターン(15)に従って選択的に露光され、前記実際のパターン(15)の異なる画素位置が、異なる部分グリッド(G1、G2、Ga〜Gc)の画素(p11、p12、p21、p22;p1a〜p3c)によって露光可能である請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記全幅が、いくつかの領域(SR1、SR2、SR3)に分割され、各領域に関して、それぞれの領域内での前記実際のパターン(15)に基づいて評価されるパターン画素密度と、所定のしきい値(PPDlimit)との比較に基づいて、および/または、それぞれの領域内でのパス毎のグループの数と、所定の定数(A1)との比較に基づいて、前記ストライプを書き込む時間シーケンスに関する決定が成され、すなわち、各ストライプの後に異なるグループの隣接していないストライプが続く時間シーケンスと、グループの順序に従ってストライプのグループとしてストライプが書き込まれ、ストライプの各グループの後に、隣接していない異なるグループが続く時間シーケンスとの間で決定が成される請求項10に記載の方法。
- 前記全幅が、いくつかの領域(SR1、SR2、SR3)に分割され、各領域に関して、それぞれの領域内での前記実際のパターン(15)に基づいて評価されるパターン画素密度と、所定のしきい値(PPDlimit)との比較に基づいて、および/または、それぞれの領域内でのパス毎のグループの数と、所定の定数(A1)との比較に基づいて、前記ストライプを書き込む時間シーケンスに関する決定が成され、各パスの前記ストライプが直に連続的な順序で書き込まれる時間シーケンスと、各ストライプの後に異なるグループの隣接していないストライプが続く時間シーケンス、またはグループの順序に従ってストライプのグループとしてストライプが書き込まれ、ストライプの各グループの後に、隣接していない異なるグループが続く時間シーケンスとの間で決定が成される請求項10または11に記載の方法。
- それぞれのパターン画素が前記ターゲット上に露光される前記均一にタイミングを取られた露光ステップ(T1)中に、前記パターン像の位置が、少なくとも前記主方向に沿った前記相対移動に対して前記ターゲットと共に移動され、露光ステップ(T1)の合間に、前記パターン像の前記位置が前記ターゲットに対して変化され、前記パターン定義手段の前記位置に対する前記パターン像の前記位置の移動を概して補償し、前記露光ステップの期間が、前記主方向に沿った均一な前進距離(LG)に対応し、前記前進距離が、前記主方向に沿った同じ部分グリッド内部のアパーチャ像のサイズよりも大きい請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ターゲット(p1)上のアパーチャの前記像の前記位置が、前記パターン定義手段(102)で定義される2次元の規則的配列に従って配列される請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記部分グリッド(G1、G2、Ga〜Gc)が、パターン画素(p11、p12、p21、p22;p1a〜p3c)を定義するアパーチャの像の公称位置に関して互いに素である請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記部分グリッドが、前記ターゲット上のアパーチャの前記像の幅と等しい、またはそれよりも小さいピッチを有する請求項1から15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記規則的な部分グリッドが、オーバーサンプリング率o>1を有するオーバーサンプリングを採用する配置グリッドである請求項16に記載の方法。
- 前記ピッチが、前記ターゲット上のアパーチャの前記像の幅に1/2keを乗算した値に等しく、keが正の整数である請求項16に記載の方法。
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