KR102327865B1 - 경사진 노출 스트라이프를 사용한 멀티빔 기록 - Google Patents

경사진 노출 스트라이프를 사용한 멀티빔 기록 Download PDF

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Abstract

전기 하전 입자의 빔으로 타겟을 조사하기 위해, 화소로 구성된 패턴 이미지를 생성하는 빔이 타겟에 형성되고 이미지화된다. 이러한 패턴 이미지는 노출의 영역(R2) 위로 타겟 위의 경로를 따라 이동되고, 이러한 이동은 순차 노출로 상기 영역(R2)을 덮고 각각의 폭(y0)을 갖는 다수의 스트라이프(s21 - s2n)를 형성한다. 이러한 다수의 스트라이프는 노출 영역(R2)에 기록되는 스트럭처(80)의 주요 패턴 방향(dh)에 대해 작은 각도(ε)를 갖는 일반적인 방향(d2)을 따라 서로 평행하게 기록된다.

Description

경사진 노출 스트라이프를 사용한 멀티빔 기록{MULTI-BEAM WRITING USING INCLINED EXPOSURE STRIPES}
본 발명은 하전 입자 멀티빔 처리 장치를 사용하여 에너지 전기 하전 입자의 빔에 의해 기재 또는 타겟의 표면에 패턴을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 패턴 위에 소정의 패턴을 기록하기 위한 하전 입자에 의해 형성된 에너지파의 빔으로 상기 타겟을 조사하기 위한 방법에 관한 것이고, 상기 방법은,
상기 에너지파에 투명한 복수의 개구를 갖는 패턴 형성 장치를 제공하는 단계,
상기 개구를 통해 상기 패턴 형성 장치를 횡단하여 상응하는 복수의 빔렛으로 구성된 패턴 빔을 형성하는 조명 넓은 빔에 의해 상기 패턴 형성 수단을 조명하는 단계,
상기 패턴 빔을 상기 타겟의 위치 위의 패턴 이미지에 형성하는 단계로서, 상기 패턴 이미지는 상기 타겟 위의 다수의 패턴 화소를 덮는 상기 복수의 개구의 적어도 일부의 이미지를 포함하는 단계, 및
상기 타겟과 상기 패턴 형성 장치 사이에 상대 이동을 발생시켜, 빔 노출이 실행되는 노출의 적어도 하나의 영역 위의 경로를 따라 상기 타겟 위에서 상기 패턴 이미지를 이동시키는 단계로서, 이러한 경로는 일반적인 방향을 따라 뻗은 섹션으로 구성되어 있고, 이러한 경로 섹션은 순차적인 노출로 상기 영역을 덮는 노출 스트라이프에 상응하고, 상기 영역은 규칙적인 배열로 배열된 복수의 패턴 화소로 구성되어 있고, 상기 일반적인 방향을 따라 측정된 전체 폭을 갖고 있고, 상기 노출 스트라이프는 상기 일반적인 방향을 따라 서로 거의 병렬로 이어지고 상기 일반적인 방향을 따라 측정된 각각의 폭을 갖고 있는 단계를 포함한다.
상술된 타입의 방법 및 이러한 방법을 채용하는 하전 입자 멀티빔 처리 장치는 종래 기술에 주지되어 있다. 특히, 출원인은 하전 입자 광학부, 패턴 형성(PD) 장치, 및 여기에서 채용된 멀티빔 기록 방법에 대해 출원인의 이름으로 다수의 특허에서 기술된 바와 같이 하전 입자 멀티빔 장치를 구현하였다. 예를 들어, 6" 마스크 차단 기재를 노출시키기 위해, eMET (electron Mask Exposure Tool) 또는 MBMW (multi-beam mask writer)로 불리는 EUV 리소그래피용 마스크 및 임프린트 리소그래피용 템플릿(1× 마스크)의, 193nm 액침 노광용 첨단 복잡한 포토마스크를 구현시킬 수 있는 50keV 전자 멀티빔 기록기가 구현되었다. 또한, PML2 (Projection Mask-Less Lithography)로 불리는 멀티빔 시스템이 실리콘 웨이퍼 기재 위의 전자 빔 직접 기록(EBDW)을 위해 구현되었다. 상기 종류의 멀티빔 처리 장치는 이후로 멀티빔 기록기, 또는 간단히 MBW로 부를 것이다.
MBW의 일반적인 구현으로서, 출원인은 상기 기재에 81.92 ㎛ ×81.92㎛의 치수의 빔 어레이 필드에 512×512(=262,144)개의 프로그램가능한 빔렛을 포함하는 20nm의 전체 빔 크기를 구현하는 50keV 전자 기록기 툴을 실현하였다. 이후로 "MBMW 툴"로 부르는 이러한 시스템에서, 상기 기재는, 보통, 전자 빔 감응성 레지스터로 덮힌 (6"　×　6" = 152.4　mm　×　152.4　mm의 면적 및 1"/4 = 6.35　mm의 두께를 갖는) 6" 마스크 블랭크이고; 멀티빔 기록은 레지스트 커버 150mm Si 웨이퍼에도 가능하다.
MBMW 툴과 같은 전형적인 MBW의 전류 밀도는 1A/cm2 보다 높지 않다. 20nm 빔 크기를 사용하고 모든 프로그램가능한 262,144개의 빔렛이 "온"일 때, 최대 전류는 1.05㎂이다. 이러한 구현에서, MBW 컬럼의 1 sigma blur는 실험적으로 검증된 바와 같이 대략 5nm이다.
빔 크기를 예를 들어, 20nm로부터 10nm로 변경할 가능성이 있다. 200:1 감소의 컬럼에 대해, 이것은 4㎛ × 4㎛ 구멍 크기 대신에 2㎛ × 2㎛ 구멍 크기의 개구를 갖는 상이한 개구 어레이 판(AAP)을 사용함으로써 복잡하지 않다. 출원인의 US8,546,767에 언급된 바와 같이, 빔 크기의 변화 역시 전체 크기, 개구 이격, 개구 형상등과 같은 상이한 기하학 파라미터의 다수의 개구 어레이를 갖는 AAP의 공간 조정에 의해 현장에서 실현될 수 있다.
10nm 빔 크기를 사용하고 4A/cm2 보다 높지 않은 전류 밀도를 기재에 제공할 때, (모든 빔렛이 "온"인 상태에서) 262,144 프로그램가능한 빔렛의 전류는 다시 최대 1.05㎂이다. 따라서, 이러한 경우에도 사실상 컬럼을 통한 전류에 의해 컬럼의 1 sigma blur에 아무런 변화도 없다.
1세대 MBW 생산 머신은 "온"인 모든 262,144개의 프로그램가능한 빔에 대해 대략 1㎂에 이르는 전류를 제공하는 20nm 및 10nm 빔을 사용하는 것을 목표로 한다. 차세대의 MBW 생산 머신에 대해 예를 들어, 8nm의 훨씬 더 작은 빔 크기를 사용하고, 동시에 기재에 81.92㎛ × 81.92㎛ 빔 어레이 필드에서 640×640=409,600 개의 빔렛을 제공하는 계획이 있다. 4A/cm2 에서 최대 전류 밀도를 유지함으로써 (모든 빔렛이 "온"일 때) 최대 전류가 1.05㎂가 되는 것이 보장될 것이다. 예를 들어, 5nm 빔 크기를 사용함으로써 기재에서 언급된 빔 어레이 필드에 1024 ×　1024 = 1,048,576 개의 프로그램가능한 빔을 제공할 수 있고; 다시 4A/cm2 의 최대 전류 밀도에서 (모든 빔렛이 "온"일 때) 최대 전류가 1.05㎂가 된다.
산업적 적용을 위해, 작은 임계 치수(Critical Dimension, CD)를 달성하는 것에 대해, 특히, 기재(예를 들어, 6" 마스크 블랭크 또는 300mm 실리콘 웨이퍼) 위의 전체 MBW 기록 필드 위에 글로벌 CD 균일성(Global CD Uniformity, GCDU)의 나노미터 레벨 3sigma 또는 6sigma 변화는 물론 작은 필드(예를 들어, MBW 빔 어레이 필드의 에어리어) 내의 로컬 CD 균일성(Local CD Uniformity, LCDU)의 나노미터 레벨에서 3sigma 또는 6sigma를 달성하는 것에 대해 매우 까다로운 MBW 성능 필요조건이 부과되어 있다.
또한, 특별히 적용된 노출선량 프로파일에 의해 라인 에지 위치를 미세 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 이러한 미세 조정은 MBW 빔 어레이 필드(로컬)에 적용될 뿐만 아니라 기재 위의 전체 MBMW 기록 필드(전체)에도 적용되어야 한다.
출원인의 MBW 구조를 사용하여 낮은 CD 값 및 작은 LCDU 및 GCDU 값이 달성될 수 있다. 그러나, 매우 낮은 LCDU 및 GCDU 값의 매우 까다로운 MBW 사양을 충족시키기 위해, 추가 미세 보정이 필요하다. 여기에서, 용어 "로컬" 및 "글로벌"은 각각 기재 위의 작은 필드(예를 들어, MBW 빔 어레이 필드의 에어리어) 및 전체 MBW 기록 필드를 가리킨다.
출원인의 특허 문헌 US 8,378,320 B2는 타겟(기재)이 일련의 노출 스트라이프로 노출되는, 멀티 빔 기록 방법을 설명하고 있다. 이러한 노출 스트라이프는 타겟이 배치된 타겟 스테이지에 의해 하나의 방향(예를 들어, +X)과 반대 방향(-X)으로 기재를 기계적으로 스캔함으로써 구현된다. 하나의 스트라이프 노출로부터 다음 스트라이프 노출로 이동하기 위해, 기재는 스트라이프 폭에 상응하는 거리 만큼, 또는 중첩 스트라이프의 경우에, 선택된 스트라이프 중첩에 따른 보다 작은 양 만큼 수직 방향으로 이동된다.
그러나, 노출 스트라이프에 의한 멀티빔 기록 방법은 특정 상황에서 "서브스트라이프"로 불리는 효과가 나타날 수 있다. 보다 상세하게, 빔렛은 예를 들어, 패턴 형성 장치의 개구의 형상 또는 면적의 편차로 인한 결함의 영향을 받을 수 있다. 따라서, 스트라이프의 일부는 원점에 대한 에어리어에서 기록 에러를 발생시키면서 다른 에어리어는 영향을 받지 않아서, 노출 에어리어에 대해 스트라이프 변형 패턴("서브스트라이프")을 유발할 수 있다.
본 발명에 따라, 주요 패턴 방향과 스트라이프의 기록의 일반적인 방향 사이에 작은 각을 도입함으로써, 결함에 대해 평균화하여 이러한 종류의 기록 에러를 보상하는 것이 가능하다. 또한, 이러한 방법에 의해 패턴을 기록하는 스트라이프의 시작에서의 서브스트라이프와 그 끝에서의 서브스트라이프 사이의 계통 편차를 피할 수 있다.
이러한 점에서, 본 발명의 목적은 이러한 종래기술의 단점을 극복하는 것이다.
상술된 목적은 주요 패턴 방향을 따라 배향된 에지를 갖는 복수의 스트럭처로 구성된 희망의 패턴에 대해, 이러한 희망의 패턴과 노출 스트라이프의 상대 배향을 얻는 단계를 포함하는, 처음에 기술된 방법에 의해 달성된다. 이러한 상대 배향은 주요 패턴 방향과 노출 스트라이프의 일반적인 방향 사이의 논제로 예각(제로는 아니지만 작다)을 포함한다.
본 발명에 따른 이러한 술루션은 놀랍게 단순한 방법을 사용함으로써 종래 기술의 단점을 극복할 수 있다. 이러한 주요 패턴 방향과 일반적인 방향 사이의 정렬의 작은 편차 덕분에, 하나의 빔렛은 이러한 주요 스트라이프 및 패턴 방향에 수직인 축의 다양한 값에서 타겟에 기록할 것이다. 따라서, 서브스트라이프의 형성을 전체적으로 피하거나 평균화하는 것이 가능하다.
"주요 패턴 방향"은 일반적으로 타겟에 노출되는 패턴의 에지의 상당한 부분의 배향과 관련되어 있다는 것을 유념해야 한다. 보통 이러한 패턴은 다수의 성분을 포함하는 벡터 그래픽스로서 주어진다. 여기에서 관련된 패턴의 종류에 있어서, 대부분의 성분은 에지에 의해 (분명하게) 경계지어지는 다각형이다. (이러한 패턴이 원 또는 고리와 같은, 원형 에지를 갖는 성분을 포함하는 경우에, 이러한 원형 헝상을 무시하는 것이 적절할 것이다). 대부분의 실제 경우에, 이러한 에지의 모두 또는 대부분은 특정 배향을 따라 또는 수직인 배향을 갖고, "주요 방향"으로서 선택된다. 이러한 에지의 다른 배향, 즉, x축에 대해 임의의 각도의 배향 역시 나타날 수 있지만, 통상적인 패턴 레이아웃에서 중요하지 않다.
본 발명의 많은 실시예에서, 이러한 각도의 적절한 선택 값은 라디안으로 표시할 때 노출 스트라이프의 폭에 대한 길이의 비율로 정의된 값 ε1이거나 그 정도이다. 이러한 값의 전형적인 범위는 0.5ε1 내지 2ε1 사이일 것이다.
언급된 바와 같이, 희망의 패턴은 보통 에지에 의해 규정될 수 있는 복수의 스트럭처로 구성되어 있다. 이러한 에지는 다양한 방향을 따라 배향될 수 있는데, 상기 에지의 실질부, 바람직하게는 대부분이 주요 패턴 방향을 따라 배향되어 있다.
본 발명의 다른 적절한 실시예에 따라, 각각의 노출의 영역 내의 스트라이프는 균일한 폭 및 길이를 가질 수 있다.
본 발명의 많은 적용에서, 타겟과 패턴 형성 장치 사이의 상대 운동을 생성하는 동안 타겟 스테이지가 사용되고, 이러한 타겟 스테이지는 주요 패턴 방향 또는 일반적인 방향중 하나와 일치하는 운동 방향을 따라 타겟을 연속으로 이동시키도록 구성되는 것이 적절할 수 있다. 이러한 경우에, 타겟의 위치 위에서 패턴 빔을 패턴 이미지에 형성하기 위해 투사 시스템이 사용되면, 이러한 투사 시스템이 타겟의 이동 방향을 횡단하는 상대 운동의 성분을 생성하도록 하는 것이 유리할 것이다.
본 발명의 다른 특징에 따라, 희망의 패턴과 노출 스트라이프의 경사진 상대 배향은 일반적인 방향이 보통 패턴의 주요 패턴 방향과 일치하는 (타겟 위의 규정 X 방향과 같은) 사전규정된 메인 방향으로부터 작은 논제로 각도 만큼 회전되어 있는 노출 스트라이프의 일반적인 방향을 사용하는 단계를 포함하는 방식으로 생성될 수 있다. 이것은 패턴의 배향이 패턴의 회전과 결합되어 또는 고정 유지되면서 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따라, 희망의 패턴과 노출 스트라이프의 경사진 상대 배향은 빔 노출을 실행하기 전에 작은 논제로 각도 만큼 노출 스트라이프의 일반적인 방향에 대해 희망의 패턴을 회전시키는 단계를 포함하는 방식으로 도입될 수 있다. 이러한 경우에, 보통 이러한 각도 만큼 타겟의 배향 역시 회전시키는 것이 적절할 것이다.
본 발명의 일부 실시예에서, 스트라이프는 중첩될 수 있다는 점에 주목할 필요가 있는데, 2개의 스트라이프의 중첩의 범위에서, 2개의 스트라이프중 하나의 패턴 화소의 공칭 위치는 2개의 화소의 다른 스트라이프의 상응하는 패턴 화소의 공칭 위치와 중첩하고, 패턴 화소는 부과되는 패턴에 대해 보완 방식으로 2개의 중첩 스트라이프에서 노출된다.
각각의 노출 영역에서 복수의 스트라이프를 기록하는 시퀀스는 연속적이지 않을 수 있는데, 즉, 복수의 스트라이프는 적어도 2개의 그룹의 공간적으로 인접한 스트라이프에 분포될 수 있고, 이러한 스트라이프는 각각의 스트라이프가 상이한 그룹의 비인접 스트라이프에 의해 이어지는 시간 순서로, 또는 각각의 스트라이프의 그룹 다음에 비인접 상이한 그룹이 이어지는 그룹의 순서에 따라 스트라이프의 그룹으로 기록되는 시간 순서로 기록될 수 있다.
다음에서, 본 발명은 아래의 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명되어 있다.
도 1은 종래 기술의 MBW 시스템의 길이방향 단면도이다.
도 2는 종래 기술의 패턴 형성 시스템의 길이방향 단면도이다.
도 3은 공통 일반적인 방향을 따라 배치된 스트라이프를 사용하는 타겟상의 기록 방법을 설명하는 도면이다.
도 4는 노출되는 패턴예의 화소 맵의 예를 도시하는 도면이다.
도 5는 타겟에 이미지화된 개구의 배열 예를 도시한 도면이다.
도 6a는 N=2의 개구의 배열을 도시한 도면이다.
도 6b는 "더블 격자" 배열의 화소의 오버샘플링의 예를 도시한 도면이다.
도 7a는 하나의 스트라이프의 노출을 도시한 도면이다.
도 7b는 도 7a의 공정으로부터 얻어진 스트라이프를 도시한 도면이다.
도 7c는 2개의 중첩 스트라이프를 도시한 도면이다.
도 8은 종래 기술에 따른 스트라이프 기반 기록 방법을 사용하는 희망의 패턴의 노출을 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 스트라이프 기록 방법을 설명하는 도면이다.
도 10은 도 9에 도시된 방법에 의해 기록되는 스트라이프를 상세히 도시한 도면이다.
도 11은 비회전 패턴 이미지를 사용하는 방법의 편차에 의해 기록되는 다른 스트라이프를 상세히 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 스트라이프 기록 방법을 설명하는 도면이다.
본 발명은 단지 본 발명의 적절한 실시예를 제공하는 다음에서 설명된 실시예에 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다.
리소그래픽 장치
본 발명의 바람직한 실시예를 채용하기에 적절한 리소그래픽 장치의 개요가 도 1에 도시되어 있다. 다음에서, 본 발명을 개시하는데 필요한 세부사항만이 제시되어 있고, 부품은 도 1에 맞는 크기로 도시되어 있지 않다. 리소그래피 장치(1)의 주요 부품은 (이러한 예에서 도 1에 수직 하방으로 뻗은 리소그래피 빔(lb, pb)의 방향에 상응하는) 조명 시스템(3), 패턴 형성(PD) 시스템(4), 투사 시스템(5), 및 기재(16)를 구비한 타겟 스테이션(6)이다. 전체 장치(1)는 장치의 광축 cw을 따른 하전 입자의 빔 lb, pb의 무차단 전파를 보장하기 위해 높은 진공 상태로 유지되는 진공 하우징(2)에 담겨져 있다. 하전 입자 광학 시스템(3, 5)은 정전 및/또는 자기 렌즈를 사용하여 실현된다.
조명 시스템(3)은 예를 들어, 콘덴서 렌즈 시스템(9)은 물론, 전자총(7), 추출 시스템(8)을 포함하고 있다. 그러나, 전자 대신에, 다른 전기 하전 입자 역시 사용될 수 있다는 것을 유념해야 한다. 예를 들어, 이것들은 전자가 아니고, 수소 이온 또는 보다 무거운 이온, 하전 원자 클러스터, 또는 하전 분자일 수 있다.
추출 시스템(8)은 보통 수 keV, 예를 들어, 5 keV의 규정된 에너지로 입자를 가속화한다. 콘덴서 렌즈 시스템(9)에 의해, 소스(7)로부터 방출된 입자는 리소그래피 빔 lb로서 기능하는 넓은, 사실상 텔레센트릭한 입자 빔(50)으로 형성된다. 그다음, 리소그래피 빔 lb는 (역시 개구으로 불리는) 복수의 구멍을 갖는 다수의 판을 포함하는 PD 시스템(4)을 조사한다. PD 시스템(4)은 리소그래픽 빔 lb의 경로의 특정 위치에 유지되어 복수의 개구 및/또는 구멍을 조사하고 다수의 빔렛으로 분할된다.
개구/구멍의 일부는 "스위치 온" 또는 "개방"되어서 관통 투과되는 빔의 일부, 즉, 빔렛(51)이 타겟에 도달할 수 있도록 한다는 점에서 입사 빔에 투명하고; 다른 개구/구멍은 "스위치 오프" 또는 "닫혀 있다". 즉, 상응하는 빔렛(52)은 타겟에 도달할 수 없어서, 이러한 개구/구멍은 빔에 효과적으로 불투명하다. 따라서, 리소그래피 빔 lb는 PD 시스템(4)으로부터 나오는 패턴화된 빔 pb로 구성된다. 개구에서 스위치되는 패턴(리소그래픽 빔 lb에 투명한 PD 시스템(4)의 부분만)이 하전 입자 감응성 레지스터(17)로 덮힌 기재(16)에 노출되는 패턴에 따라 선택된다. 개구/구멍의 "스위칭 온/오프"가 PD 시스템(4)의 판중 하나에 제공된 적절한 타입의 편향 수단에 의해 보통 실현되는 것을 유념해야 하는데, "스위치 오프" 빔렛(52)은 이들의 경로가 (매우 작은 각일지라도 충분히) 굴절되어 타겟에 도달할 수 없고 리소그래피 장치의 어딘가에서, 예를 들어, 흡수판(11)에서 흡수된다.
그다음, 패턴 빔 pb로 표시된 패턴은 빔이 "스위치 온" 개구 및/또는 구멍의 이미지를 형성하는 기재(16)로 전자광학 투사 시스템(5)에 의해 투사된다. 이러한 투사 시스템(5)은 2개의 크로스오버 c1 및 c2에 의해 예를 들어, 200:1의 축소를 구현한다. 예를 들어, 기재(16)는 입자 감응성 레지스터층(17)에 덮힌 6" 마스크 블랭크 또는 실리콘 웨이퍼이다. 이러한 기재는 척(15)에 의해 유지되고 타겟 스테이션(6)의 기재 스테이지(14)에 의해 위치지정된다. 기재 스테이지(14)는 예를 들어, Y 방향은 물론 X 방향으로 높은 스테이지 속도를 실행할 수 있는 공기베어링 X-Y 진공 스테이지이다.
노출되는 패턴에 관한 정보는 전자 패턴 정보 처리 시스템(18)에 의해 구현되는 데이터 경로에 의해 PD 시스템(4)에 공급된다.
도 1에 도시된 실시예에서, 투사 시스템(5)은 정전 및/또는 자기 렌즈, 및 가능하게는 다른 편향 수단을 포함하는 것이 바람직한 다수의 연속 전자광학 투사 스테이지(10a, 10b, 10c)로 구성되어 있다. 이러한 렌즈 및 수단은 이들의 적용이 종래기술에서 주지되어 있기 때문에 단지 심볼 형태로만 도시되어 있다. 투사 시스템(5)은 크로스오버 c1, c2를 통해 축소 이미징을 채용한다. 이러한 양측 스테이지에 대한 축소 인자는 수백, 예를 들어, 200:1의 전체 축소를 얻도록 선택된다. 이러한 정도의 축소는 특히 리소그래피 설정에 적절하여 PD 장치의 소형화의 문제를 완화한다.
전체 투사 시스템(5)에서, 색수차 및 기하학적 수차에 관해 렌즈 및/또는 편향 수단을 광범위하게 보상하도록 준비한다. 이러한 이미지를 전체적으로 측방향으로, 즉, 광축 cw에 수직인 방향으로 이동시키는 수단으로서, 편향 수단(12a, 12b, 12c)가 콘덴서(3) 및 투사 시스템(5)에 제공되어 있다. 이러한 편향 수단은 예를 들어, 소스 추출 시스템(8) 근방에 또는 도 1에 도시된 바와 같이 편향 수단(12b)에 의해 도시된 바와 같은 크로스오버중 하나 근방에 또는 도 1의 스테이지 편향 수단(12c)의 경우와 같이 각각의 투사기의 최종 렌즈(10c) 이후에 위치된 다극 전극 시스템으로서 구현될 수 있다. 이러한 장치에서, 다극 전극 구성은 스테이지 운동과 관련하여 이미지를 시프트하기 위한, 그리고 하전 입자 광학 정렬 시스템과 연결되어 이미징 시스템의 보정을 위한 편향 수단으로서 사용되어 있다. 이러한 편향 수단(10a, 10b, 10c)은 정지판(11)과 관련되어 PD 시스템(4)의 편향 어레이 수단과 혼동되지 않아야 하는데, 후자는 패턴 빔 pb "온" 또는 "오프"의 선택된 빔렛을 스위치하는데 사용되고 전자는 단지 입자 빔을 전체적으로 처리할 뿐이다. 또한, 축방향 자계를 제공하는 솔레노이드(13)를 사용하여 프로그램가능한 빔의 전체를 회전시킬 수 있다.
도 2의 세부 단면도는 연속 구성: "개구 어레이 판(Aperture Array Plate)" (AAP) (20), "편향 어레이 판" (DAP) (30) 및 "필드 경계 어레이 판" (FAP) (40)으로 쌓인 3개의 판을 포함하는 PD 시스템(4)의 하나의 적절한 실시예를 도시하고 있다. 용어 '판'은 각 장치의 전체 형상을 나타내지만, 후자가 바람직한 실시예일지라도, 반드시 단일 판 구성요소로서 구현되는 것을 나타내는 것은 아니라는 것에 주목할 필요가 있다. 특정 실시예에서, 개구 어레이 판과 같은 '판'은 다수의 서브 판들로 구성될 수 있다. 이러한 판들은 Z 방향(도 2의 수직축)을 따른 상호 거리에서 서로 병렬로 배열되어 있는 것이 바람직하다.
AAP(20)의 편평한 상면은 하전 입자 콘덴서 광학부/조명 시스템(3)에 대한 뚜렷한 전위 인터페이스를 형성한다. 이러한 AAP는 예를 들어, 얇은 중심부(22)를 갖는 실리콘 웨이퍼(대략 1mm 두께)(21)의 정사각형 또는 직사각형 피스로부터 만들어질 수 있다. 이러한 판은 수소 또는 헬륨 이온을 사용할 때 특히 유익할 전기 도전성 보호층(23)에 의해 덮힐 수 있다(US 6,858,118의 라인). 전자 또는 중이온(예를 들어, 아르곤 또는 크세논)을 사용할 때, 보호층(23) 역시 21 및 22의 표면부에 의해 각각 제공된 실리콘일 수 있어서, 보호층(23)과 벌크부(21, 22) 사이에 아무런 경계면도 존재하지 않는다.
AAP(20)에 얇은 부분(22)을 횡단하는 구멍에 의해 형성된 복수의 개구(24)가 제공되어 있다. 개구(24)는 얇은 부분(22)에 제공된 개구 영역에 사전결정된 배열로 배열되어서 개구 어레이(26)를 형성한다. 개구 어레이(26)의 개구의 배열은 예를 들어, 스태거 배열 또는 규칙적인 직사각형 또는 정사각형 어레이(도 4 참조)일 수 있다. 도시된 실시예에서 개구(24)는 보호층(23)에 제조된 직선형 프로파일 및 AAP(20)의 벌크층의 "역행성" 프로파일을 갖도록 구현되어서 구멍의 하방 출구(25)는 개구(24)의 주요 부분에서 보다 넓다. 이러한 직선형 및 역행성 프로파일은 반응성 이온 에칭과 같은 최신 스트럭처링 기술에 의해 제조될 수 있다. 이러한 역행성 프로파일은 구멍을 관통하는 빔의 미러 하전 효과를 강하게 줄인다.
DAP(30)는 AAP(20)의 개구(24)의 위치에 상응하는 위치를 갖고 구멍(33)을 관통하는 개별적인 빔렛을 이들의 각 경로로부터 선택적으로 편향시키도록 구성된 전극(35, 38)이 제공된 복수의 구멍(33)이 제공된 판이다. DAP(30)는 예를 들어, ASIC 회로를 갖는 CMOS 웨이퍼를 후공정처리함으로써 제조될 수 있다. DAP(30)는 예를 들어, 정사각형 또는 직사각형 형상을 갖는 CMOS 웨이퍼의 피스로부터 만들어지고, 얇은(하지만 22의 두께와 비교하여 적절하게 보다 더 두꺼울 수 있다) 중심 부분(32)을 유지하는 프레임을 형성하는 보다 두꺼운 부분(31)을 포함하고 있다. 중심부(32)의 구멍(33)은 24에 비교하여 (예를 들어, 각 사이드에서 대략 2㎛ 만큼) 더 넓다. CMOS 전극(34)은 MEMS 기술에 의해 제공된 전극(35, 38)을 제어하도록 설치되어 있다. 각 구멍(33)에 인접하여 "접지" 전극(35) 및 편향 전극(38)이 제공되어 있다. 이러한 접지 전극(35)은 공통 접지 전위에 접속되어 전기적으로 상호 접속되어 있고, 충전 및 절연부(37)를 차단하도록 역행부(retrograde part, 36)를 포함하여 CMOS 회로로의 원치않는 쇼트커트를 차단한다. 접지 전극(35)은 또한 실리콘 벌크부(31, 32)와 동일한 전위를 갖는 CMOS 회로(34)의 부분에 접속될 수 있다.
편향 전극(38)은 선택적으로 인가된 정전 전위가 되도록 구성되어 있고; 이러한 정전 전위가 전극(38)에 인가될 때, 이것은 상응하는 빔렛에 편향을 유발하는 전계를 생성하여 그 공칭 경로를 벗어나도록 할 것이다. 전극(38) 역시 하전을 피하기 위해 역행부(39)를 가질 수 있다. 전극(38)의 각각은 그 하부에서 CMOS 회로(34) 내의 각 접점 사이트에 접속되어 있다.
접지 전극(35)의 높이는 빔렛 사이의 크로스토크 효과를 억제하기 위해 편향 전극(38)의 높이 보다 높다.
도 2에 도시된 DAP(30)를 갖는 PD 시스템(4)의 구성은 다수의 가능성중 하나에 불과하다. (도시되지 않은) 수정예에서, DAP의 접지 및 편향 전극(35, 38)은 하류 보다는 (상방으로 향하는) 상류로 배향될 수 있다. 예를 들어, 접지 및 편향 전극이 내장된 다른 DAP 구성이 당업자에 의해 구상될 수 있다(US 8,198,601 B2와 같은 본 출원인 명의의 다른 특허 참조).
FAP로서 기능하는 제3 판(40)은 하류 축소 하전 입자 투사 광학부(5)의 제1 렌즈부에 대향하는 평면을 갖고 있어서 투사 광학부의 제1 렌즈(10a)에 규정된 전위 경계면을 제공한다. FAP(40)의 후부(41)는 중심 박부(42)를 갖는, 실리콘 웨이퍼의 일부로부터 제조된 정사각형 또는 직사각형 프레임이다. FAP(40)에는 AAP(20) 및 DAP(30)의 구멍(24, 33)에 상응하지만 이들과 비교하여 보다 넓은 복수의 구멍(43)이 제공되어 있다.
PD 시스템(4), 및 특히 그 제1 판, AAP(20)가 넓은 하전 입자 빔(50)(여기에서, "넓은" 빔은 이러한 빔이 AAP에 형성된 개구 어레이의 전체 면적을 덮을 만큼 충분히 넓다는 것을 의미한다)에 의해 조사되어, 개구(24)를 관통할 때 수천개의 마이크로미터 크기의 빔렛(51)으로 분할된다. 이러한 빔렛(51)은 아무런 방해를 받지 않고 DAP 및 FAP를 횡단할 것이다.
상술된 바와 같이, 편향 전극(38)이 CMOS 전자부를 통해 급전될 때마다, 전계가 편향 전극과 상응하는 접지 전극 사이에 생성되어 각 관통 빔렛(52)을 작지만 충분히 편향시킨다(도 2). 편향된 빔렛은 구멍(33, 43)이 각각 충분히 넓게 제조되어 있어서 아무런 방해를 받지 않고 DAP 및 FAP를 횡단할 수 있다. 그러나, 편향된 빔렛(52)은 서브-컬럼의 정지판(11)에서 걸러진다(도 1). 따라서, DAP에 의해 영향받지 않는 빔렛만이 기재에 도달할 것이다.
축소 하전 입자 광학부(5)의 축소 인자는 빔렛의 치수 및 이들의 PD 장치(4)에서의 상호 거리 및 타겟에서의 구조부의 소정의 치수를 고려하여 적절하게 선택된다. 이로 인해 마이크로미터 크기의 빔렛이 PD 시스템에서 허용되지만 나노미터 크기의 빔렛이 기재에 투사될 것이다.
AAP에 의해 형성된 (미영향) 빔렛(51)의 전체는 투사 하전 입자 광학부의 사전규정된 감소 인자 R로 기재에 투사된다. 따라서, 이러한 기재에서 "빔 어레이 필드"(BAF)는 폭 BX = AX/R 및 BY = AY/R을 각각 갖고 투사되는데, 여기에서 AX 및 AY는 각각 X 및 Y 방향을 따른 개구 어레이 필드의 크기를 나타낸다. 기재에서의 빔렛(즉, 개구 이미지)의 공칭 폭은 각각 bX = aX/R 및 bY = aY/R에 의해 주어지는데, aX 및 aY는 DAP(30)의 레벨에서, 각각 X 및 Y 방향을 따라 측정된 빔렛(51)의 크기를 나타낸다.
도 2에 도시된 개별적인 빔렛(51, 52)은 2차원 X-Y 어레이에 배열된, 훨씬 더 큰 수, 보통 수천의 빔렛을 나타낸다는 것에 주목할 필요가 있다. 출원인은 예를 들어, 수천(예를 들어, 262,144) 개의 프로그램가능한 빔렛을 갖는 전자 멀티빔 컬럼은 물론 이온에 대한 R=200 의 감소 인자를 갖는 멀티빔 하전 입자 광학부를 구현하였다. 출원인은 기재에서 대략 82㎛×82㎛의 빔 어레이 필드를 갖는 이러한 컬럼을 구현하였다. 이러한 예는 설명을 위한 것이고 이에 제한되지 않는다.
도 3에서, BAF는 타겟(16) 위에 패턴 이미지 pm을 형성한다. 하전 입자 감응성 레지스트층(17)에 의해 덮힌 타겟 표면은 노출되는 하나 이상의 에어리어 R1을 포함할 것이다. 일반적으로, BAF pm은 X 및 Y 방향을 따라 각각 측정되는 치수 Rx × Ry를 갖는 노출 에어리어 R1의 폭 보다 보통 훨씬 더 작은 유한 크기 y0을 갖고 있다. 따라서, 타겟이 입사 빔 아래에서 이동되어 타겟 위의 빔의 위치를 끊임없이 변경하여서 이미지 패턴 pm의 위치를 이동시키는 스캐닝 스트라이프 노출 방식이 사용된다. 이러한 빔은 타겟 표면 위에서 효과적으로 스캔된다. 본 발명의 목적을 위해 타겟 위의 패턴 이미지 pm의 상대 운동만이 관련되어 있다는 것이 강조된다. 상대 운동에 의해 패턴 이미지 pm은 폭 y0의 (노출 스트라이프로 불리는) 일련의 스트라이프 s01, s02, s03,...s0n에 의해 형성된 경로를 따라 에어리어 R1 위에서 이동된다. 이러한 스트라이프는 도시된 예에서 X 방향과 일치하는 것으로 도시된 공통 방향 d1을 따라 뻗어 있다. 진행 방향에 있어서, 스캐닝 방향 sd는 균일하거나 교대로 나타날 수 있다(상징적으로, sd = ±1). 특히, 도 3은 스캐닝 방향이 교대로 나타나는 스트라이프 s01 - s0n으로 구성된 경로를 도시하고 있는데, 각각의 스트라이프의 (마지막이 아닌) 끝에서, 타겟 스테이지는 바람직하게는 일반적인 방향 d1을 유지하면서 방향의 반전과 결합되어, 그 다음 스트라이프의 처음으로 턴한다. 따라서, 이러한 타겟 스테이지는 스트라이프 사이에서, 엔드 턴(end turn) u1, u2,...uu를 행한다. 턴 u1 - uu는 타겟 위의 노출 동작을 수반하지 않아서 타겟 위의 패턴 이미지 pm의 경로의 일부로 여겨지지 않는다는 것에 주목해야 한다.
따라서, 노출 에어리어 R1을 기록하는데 사용되는 스트라이프 s01 - s0n은 일반적인 방향 d1을 따라 기본적으로 평행하다. 스트라이프의 온전한 세트는 노출 에어리어 R1의 전체 면적을 커버한다. 용어 "일반적인 방향"은 ±x 또는 ±y와 같은, 타겟 평면 위의 주어진 방향을 따라 이동하는 양측 방향을 말하는데, 여기에서, 부호 ±는 양측 방향이 동일한 일반적인 방향에 속한다는 것을 표시하고 있다. 일반적인 방향 d1을 가로질러 측정되는 스트라이프의 폭 y0이 동일한 방향을 가로지르는 에어리어 R1의 폭 Ry에 비교하여 일반적으로 작기 때문에, 노출 에어리어 R1은 다수의 스트라이프, 보통 복수의 스트라이프를 포함할 것이다. 따라서, 노출 에어리어 R1의 스트라이프의 수는 각각의 적용 및 기록되는 패턴에 따라, 보통 상당히 많다.
도 4는 10×18=180 화소의 크기를 갖는 이미지 패턴 ps의 단순한 예를 도시하고 있는데, 여기에서, 노출 에어리어의 일부 화소 p100는 100%의 그레이 레벨 401로 노출되어 있고, 다른 화소 p50은 완전한 그레이 레벨의 50%로만 노출되어 있다(402). 나머지 화소는 선량(403)의 0%로 노출되어 있다(전혀 노출되지 않았다). 물론, 본 발명의 구현 적용에서, 규격 이미지의 화소의 수는 훨씬 더 높다. 그러나, 도 4에서, 화소의 수는 이해를 위해 단지 180이다. 또한, 일반적으로, 훨씬 더 많은 그레이 레벨이 0% 내지 100%의 스케일에서 사용될 것이다.
따라서, 패턴 이미지 pm(도 3)는 노출되는 소정의 패턴에 따른 선량 값으로 노출되는 복수의 패턴 화소 px로 구성되어 있다. 그러나, 화소 px의 부분집합만이 동시에 노출될 수 있다는 것을 이해해야 하는데, 그 이유는 유한 수의 개구만이 PD 시스템의 개구 필드에 존재하기 때문이다. 스위치-온 개구의 패턴은 기재에 노출되는 패턴에 따라 선택된다. 따라서, 실제 패턴에서 모든 화소가 전체 선량으로 노출되지 않지만, 일부 화소는 실제 패턴에 따라 "스위치 오프"될 것이고; 임의의 화소에 대해서는 (또는, 동일하게 이러한 화소를 덮는 모든 빔렛에 대해) 조사선량은 타겟에 노출되거나 구조화되는 패턴에 따라, 이러한 화소가 "스위치 온" 또는 "스위치 오프"되든 관계없이 하나의 화소 노출 사이클로부터 그 다음 화소 노출 사이클로 변할 수 있다.
기재(16)가 타겟 스테이지(14)에 의해 연속 이동되는 동안, 타겟 위의 패턴 화소 px에 상응하는 동일한 이미지 요소가 일련의 개구의 이미지에 의해 여러번 덮힐 수 있다. 동시에 PD 시스템의 패턴이 PD 시스템의 개구를 통해 한 단계씩 시프트된다. 따라서, 타겟 위의 일부 위치에 하나의 화소를 생각할 때, 모든 개구가 이러한 화소를 덮을 때 스위치온되면, 최대 조사선량 레벨, 즉, 100%에 상응하는 "화이트" 셰이드를 얻게 될 것이다. "화이트" 셰이드에 더해, 최소('블랙')와 최대('화이트') 조사선량 레벨 사이에 보간되는 보다 낮은 선량 레벨(또한 '그레이 셰이드'로 부른다)에 따라 타겟에서 화소를 노출시키는 것이 가능하다. 예를 들어, 그레이 셰이드는 하나의 화소를 기록하는데 수반될 수 있는 개구의 부분집합만을 스위치함으로써 구현될 수 있고; 예를 들어, 16개의 개구중 4개는 25%의 그레이 레벨을 산출한다. 다른 방법은 수반되는 개구에 대한 미차단 노출의 지속시간을 줄이는 것이다. 따라서, 하나의 개구 이미지의 노출 지속 시간은 그레이 스케일 코드, 예를 들어, 정수에 의해 제어된다. 노출 개구 이미지는 제로 및 최대 노출 지속시간 및 선량 레벨에 상응하는 주어진 수의 그레이 셰이드중 하나의 표시이다. 이러한 그레이 스케일은 보통 그레이 값의 세트, 예를 들어, 0,　1/(ny-1)...,i/(ny-1),...,1을 규정한다. 여기에서, ny는 그레이 값의 수이고 i는 정수이다("그레이 지수", 0≤i≤ny). 그러나, 일반적으로, 등거리일 필요가 없고 0과 1 사이에 감소하지 않는 시퀀스를 형성한다.
도 5는 기본 레이아웃에 따른, PD 장치의 개구 필드에서의 개구의 배열을 도시하고 있고 다음에서 사용된 다수의 양 및 수차를 설명한다. 짙은 셰이드로 도시된, 타겟에 투사되는 개구 이미지 b1의 배열이 도시되어 있다. 주축 X 및 Y는 각각 타겟 이동의 진행 방향(스캐닝 방향 sd) 및 수직 방향에 상응한다. 각 개구 이미지는 각각 방향 X 및 Y를 따른 폭 bX 및 bY를 갖고 있다. 이러한 개구는 각각 NX 및 NY인 라인 및 행의 이웃 개구 사이에 오프셋이 있는 상태로, 각각, MX 및 MY를 갖는 라인 및 행을 따라 배열되어 있다. 결과로서, 각 개구 이미지에 NXㆍbXㆍNYㆍbY의 면적을 갖는 개념 셀 C1이 속하고, 이러한 개구 배열은 직사각형 방식으로 배열된 MXㆍMY 셀을 포함하고 있다. 아래에서, 이러한 셀 C1은 "노출 셀"로 부른다. 완전한 개구 배열은 타겟에 투사될 때 BX = MXㆍNXㆍbX × BY = MYㆍNYㆍbY의 치수를 갖고 있다. 이후의 설명에서, 우리는 제한 없이 모든 추가 설명을 위해 정사각형 격자를 직사각형 격자의 특별한 경우로서 생각할 것이고 b　= bX = bY, M　= MX = MY이고 N　= NX = NY라고 설정할 것이다. 여기에서 M은 정수이다. 따라서, "노출 셀"은 타겟 기재 위에 Nㆍb×Nㆍb의 크기를 갖고 있다.
타겟 위에 형성된 단일 개구 이미지의 크기는 b = bX/R이다. 여기에서, bX는 개구 어레이 판(AAP)의 개구의 개방 폭이고 R은 하전 입자 투사 광학부의 감소 요소(reduction factor)이다.
2개의 이웃하는 노출 위치 사이의 거리는 아래에서 e로서 표시한다. 일반적으로, 거리 e는 개구 이미지의 공칭 폭 b와 상이할 수 있다. 가장 단순한 경우에, b=e이고, 이것은 2×2 노출 셀 C3의 배열의 예에 대해 도 6a에 도시되어 있고, 하나의 개구 이미지 bi0는 하나의 화소(의 공칭 위치)를 덮고 있다. 도 6b(US 8,222,621 및 US 7,276,714)에 도시된, 다른 관심의 경우에서, e는 개구 이미지의 폭 b의 분수 b/o일 수 있고, o>1는 오버샘플링 인자로서 부르는 정수인 것이 바람직하다(하지만 반드시 그러한 것은 아니다). 이러한 경우에, 개구 이미지는, 다양한 노출의 과정에서, 공간적으로 중첩되어 패턴의 배치의 해상도를 보다 높게 발달시킬 수 있다. 그래서, 개구의 각 이미지는 동시에 다수의 화소, 즉, o 2 화소를 덮을 것이다. 타겟에 이미지화되는 개구 필드의 전체 영역은 (NMo)2 화소를 포함할 것이다. 개구 이미지의 배치의 관점에서, 이러한 오버샘플링은 (이격이 보다 미세하기 때문에) 타겟 영역을 단순히 덮을 필요가 있는 것과 상이한 소위 배치 격자에 상응한다.
도 6b는 배치 격자와 결합된 o=2의 오버샘플링의 하나의 예를 도시한다. 즉, 파라미터 o=2, N=2를 갖고 있는 노출 셀 C4를 갖는 개구 어레이의 이미지를 도시한다. 따라서, 각 공칭 위치(도 6b의 작은 정사각형 필드)에서 4개의 개구 이미지 bi1(점선)이 인쇄되고, 이것은 X 및 Y 방향으로 피치 e 만큼 규칙적인 격자로 오프셋되어 있다. 개구 이미지의 크기가 여전히 동일한 값 b이지만, 배치 격자의 피치 e는 이제 b/o=b/2이다. 이전의 공칭 위치에 대한 오프셋(배치 격자의 오프셋) 역시 b/2의 크기를 갖는다. 동시에, 각 화소의 선량 및/또는 그레이 셰이드는 각 화소를 덮는 개구 이미지에 대한 적절한 그레이 값을 선택함으로써 적응(감소)될 수 있다. 결과로서, 크기 a의 면적이 인쇄되지만 보다 미세한 배치 격자로 인해 배치 정확도가 강화된다. 도 6b를 도 6a와 직접 비교하면, 개구 이미지 자체는 중첩되지만, 개구 이미지의 위치는 전보다 2배(일반적으로 o배) 미세하게 배치 격자 위에 배열되어 있다. 노출 셀 C4는 이제 기록 공정 동안 주소지정된 (No)2 위치(즉, "화소")를 포함하여서 화소가 o 2의 인수만큼 이전 보다 많다. 이에 상응하여, 개구 이미지 b×b의 크기를 갖는 면적 bi1은 도 6b의 o=2를 갖는 오버샘플링의 경우의 o 2=4와 연관되어 있다(또한 "더블 격자"로 부른다). 물론, o는 임의의 다른 정수값, 특히 4("쿼드 격자", 도시되어 있지 않다) 또는 8, 또는 √2=1.414와 같은 1 보다 큰 비정수 값을 취할 수 있다.
배치 격자에서 화소 위치는 "부분 격자"로 불리는 2개 이상의 그룹으로 분할될 수 있다. 예를 들어, 도 6a의 배치 격자의 화소는 2개의 부분 격자에, 즉, 체커판에 따른 대안의 방식으로 속할 수 있다. 배치 격자는 US 8,222,621에 더 설명되어 있고, 부분 격자는 US 2015-0028230 A1에 보다 상세하게 설명되어 있고, 당업자는 배치 격자 및 부분 격자에 대해 각각 이러한 문서들을 참조할 수 있고; 이러한 배치 격자 및 부분 격자 각각에 대한 2개의 문서는 여기에 언급되어 포함되어 있다.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 적절한 타겟 위의 에어리어를 노출하기 위한 화소의 노출 방식을 도시하고 있다. 상부(이전)로부터 하부(나중)로 시간이 증가하는 일련의 프레임이 도시되어 있다. 이러한 도면의 파라미터 값은 o=1, N=2이고; 직사각형 빔 어레이가 MX=8 및 MY=6을 갖는 것으로 한다. 타겟은 연속으로 좌측으로 이동하지만, 빔 편향은 도면의 좌측에 도시된 바와 같이 톱니 함수에 의해 제어된다. 길이 T1의 각 시간 간격 동안, 빔 이미지는 ("배치 격자"의 위치에 상응하는) 타겟 위의 위치에 고정되어 있다. 따라서, 빔 이미지는 배치 격자 시퀀스 p11, p21, p31를 관통하는 것으로 도시되어 있다. 배치 격자의 하나의 사이클은 타겟 이동 v 덕분에 시간 간격 L/v　= NMb/v 내에서 노출된다. 각 배치 격자에서의 노출을 위한 시간 T1은 "노출 길이"로 부르는 길이 LG　= vT1 = L/(No)2 = bM/No 2　에 상응한다.
빔렛은 타겟과 함께 하나의 세트의 이미지 요소의 노출 동안 LG의 거리를 이동한다. 즉, 모든 빔렛은 시간 간격 T1 동안 기재의 표면에 대해 고정 위치를 유지한다. 거리 LG를 따라 타겟과 함께 빔렛을 이동시킨 후에, 빔렛은 그 다음 배치 격자의 이미지 요소의 노출을 시작하기 위해 (초단 시간에) 순간적으로 재위치된다. 배치 격자 사이클의 위치 p11...p31를 통한 완전한 사이클 후에, 시퀀스는 새롭게 시작하고, 추가 길이 오프셋 L=bNM은 X 방향(스캐닝 방향)에 대해 병렬 관계를 갖는다. 스트라이프의 시작 및 종료에서, 노출 방법은 인접 커버링을 생성할 수 없어서, 완전히 채워지지 않은 길이 L의 마진이 존재할 수 있다.
이러한 방법에 의해 임의의 길이의 스트라이프를 기록하여, 격자 G1과 연관된 스트라이프 s11의 예에 대해 도 7b에 도시된 바와 같이, 하나의 부분 격자 G1의 모든 화소를 노출시킬 수 있다. 스트라이프의 시작 및 끝에서 노출 방법은 인접 커버링을 생성하지 않아, 완전히 채워지지 않는 길이 L-LG의 마진 mr이 존재한다.
도 7c에 도시된 바와 같이, 다른 부분 격자 G2(또는 격자의 수가 2보다 큰 경우에 다른 부분 격자)에 속하는 화소가 다른 스트라이프 s21을 기록함으로써 노출된다. 본 발명에서, 상이한 격자의 스트라이프의 배치는 스캔 방향에 수직으로 오프셋될 수 있다. 스트라이프 s1, s2의 중첩의 영역에서, 이렇게 노출된 화소는 완전한 범위의 노출되는 화소로 결합될 수 있다. 그러나, 스트라이프 s1, s2는 아래에 보다 상세하게 설명되는 바와 같이, 일반적으로 바로 연속되는 순서로 노출되지 않을 것이다.
도 8은 종래 기술에 따른 스트라이프 기반 기록 방법을 사용하는 희망의 패턴(80)의 노출의 주요 요소를 요약하여 도시하고 있다. 도 8의 점선 직사각형에 의해 표시된 전용 에어리어와 연관될 수 있는 패턴(80)은 노출 에어리어로 불리는, 한정된 크기의 에어리어 R1 안에 배치되어 있고, 일반적으로, 타겟은 노출되는 동일하거나 상이한 패턴을 포함할 수 있는 다수의 노출 에어리어를 포함할 수 있다. 이러한 노출 에어리어는 노출 방법의 상술된 설명에 따라 일련의 스트라이프 s01 - s0n에 의해 기록된다. 이해를 위해 노출 에어리어 R1를 덮는 스트라이프중 첫 2개와 마지막 2개만(s01, s02, s0u, s0n)이 도 8에 도시되어 있다. 스트라이프 s01 - s0n은 예를 들어, 진행 방향이 변경되는(±d1) 공통 일반적인 방향 d1을 따라 기록된다. 또한, 종래의 실시에 따라, 일반적인 방향 d1이 타겟 스테이지(14)의 주요 이동 방향 X, 즉, X축을 따라 평행하게 정렬되도록 선택되어, 이동 방향 X를 따라 타겟(16)의 고속 이동 및 정밀 위치지정이 가능하다. 대부분의 종래 타겟 스테이지에서, 주요 방향과 정렬되지 않은 운동의 정밀도는 감소되고, X축에 수직인 Y축을 따르는, X축을 가로지르는 운동 성분은 자주 X 방향 보다 상당히 느리다.
또한, 당업계의 일반적인 실시예에 따라, 패턴(80)은 직사각형상의 긴 라인(82), 대략 정방형의 패드 에어리어, 서로 결합된 다수의 직방형상으로 구성된 갈라지거나 갈라지지 않은 복합 라인(도시되지 않음), 및/또는 보다 복잡한 형상(81)과 같은 다수의 성분 스트럭처로 구성되어 있다. 이러한 성분은 벡터 데이터와 같이 이들의 에지에 의해 규정되고, 보통 이러한 에지는 이러한 성분의 윤곽을 나타낸다. 보통 이러한 에지는 (로컬) x 또는 y축을 따라 배향되어 있고; 복잡한 형상(81)의 에지를 포함하여, 그 윤곽은 각각 x 및 y 방향을 따른 에지 섹션으로 구성되어 있다. 에지의 다른 방향, 즉, x축에 대한 임의의 각도의 방향이 있을 수 있지만(도 8에 도시되지 않았다), 중요하지 않다. 성분 스트럭처(81, 82)의 주요 패턴 방향이 도 8에서 dh로 표시되어 있고, 이것은 도시된 예에서 (로컬) x축과 일치한다. 이러한 주요한 패턴 방향 dh는 성분 스트럭처의 에지의 상당한 부분의 방향과 상응하고, 이러한 스트럭처에서 가장 자주 일어나는 에지의 방향이 적절한 선택이 될 것이다. 이러한 빈도수는 각각의 방향을 따라 뻗은 에지의 길이(의 합)에 의해 또는 에지의 수에 의해 계수될 수 있다. 보통의 경우에, 이러한 주요 패턴 방향 dh는 패턴(80)의 x 또는 y 방향중 하나가 될 것이다.
종래에 패턴(80)의 방향은 패턴(80)의 성분(81, 82)의 주요 패턴 방향 dh가 일반적인 방향 d1과 함께 정렬되도록 선택되었다. 제1 정렬은 타겟 스테이지로의, 레지스트로 덮힌 기재와 같은, 타겟의 로딩 프로세스의 허용범위 내에서 이루어진다. 온라인으로 결정되는, 로딩된 타겟의 회전 보정은 물론, BAF의 이미지의 회전의, 투사 시스템의 교정에 의해, 스트라이프 방향이 타겟의 X 방향에 정렬된다. 이러한 방식으로 얻어진 (각도) 정렬의 전형적인 값은 15 nrad(나노라디안) 정도 또는 바람직하게는 이보다 양호한 매우 낮은 각도에 있다. 출발점으로서 이러한 정확한 정렬에 의해, 500 μrad(마이크로라디안) 이상에 이르는 수십 정도의 μrad의 정밀한 작은, 예리한 각도를 도입하는 것이 가능하다.
이러한 정렬의 선택을 통해 래스터화로부터 일어나는 얼라이싱 에러를 피하는 것은 물론 기록 프로시져 동안 처리되는 패턴 데이터 및 설계 데이터의 양을 줄일 수 있다.
본 발명의 하나의 출발점은 상술된 바와 같은 멀티빔 기록 방식과 함께 일어날 수 있는 가능한 기록 에러의 관찰이다. 도 8에 설도시된 기록 방법에 의해, 오직 제한된 수의 빔렛이 주요 패턴 방향 dh를 따라 정렬되는 패턴 엘리먼트에 기여할 것이다. 이것은 패턴 이미지 내의 빔렛의 위치(도 5 참조)가 주요 패턴 방향 dh에 수직인 방향을 따른 위치에 대해 고정되어 있기 때문이다. 따라서, 이러한 타겟에서의 주어진 화소는 패턴 형성 장치(4)의 일련의 개구에 의해 생성된 빔렛만을 "볼" 것이고, 상이한 Y-위치에서의 화소는 상이한 라인의 개구에 의해 기록될 것이다. 그러나, 이러한 빔렛은 예를 들어, 개구 치수의 편차에 의해 유발된 개별적인 빔렛의 편차는 물론 DAP(30)의 인입 주요 빔 업스트림의 선량의 보다 큰 공간적인 스케일에 대한 편차에 의해 도입되는, 선량 불균일 효과에 의해 유발되거나 DAP(30)의 편향 전극의 결함, 패턴 형성 장치(4)의 개구의 형상 또는 면적의 편차로 인한 불완전성에 의해 영향을 받을 수 있다. 따라서, 스트라이프의 일부는 Y축(보다 일반적으로, 방향 dh를 가로지르는 방향)에 대해 특정 범위에서 기록 에러를 유발할 수 있다. 이것은 도 5에서와 같은 규치적인 어레이 또는 스태거 배치와 같은, 개구 필드 내의 개구의 배치의 특정 타입과 관련이 없다. 이러한 종류의 기록 에러는 Y축을 따른 스트라이프 s01-s0n의 각각에 대해 반복될, 노출 에어리어 R1 위의 스트라이프 변화 패턴("서브스트라이프")을 형성할 수 있을 것이다.
본 발명은 주요 패턴 방향과 스트라이프의 기록의 일반적인 방향 사이에 작은 각도를 도입함으로써 이러한 종류의 기록 에러를 다루는 방법을 제공한다. 이러한 작은 각도는 패턴(80)의 주요 패턴 방향 dh와의 스트라이프의 기록의 방향(즉, 일반적인 방향)의 정렬을 향상시킨다. (스트라이프 기록의) 일반적입 방향과 주요 패턴 방향 dh 사이의 정렬을 향상시키는데 충분한 각도가 "작지만", 언급된 바와 같이 15 nrad 정도 또는 그 보다 큰, (각도) 정렬의 정확도 보다 상당히 크다.
도 9의 예에서 볼 수 있는 바와 같이, 기록 스트라이프 S21, s22, ... s2n에 있어서, 기록되는 패턴(80)의 주요 패턴 방향 dh에 상응하는 축(여기에서는 X축)에 대해 경미하게 경사진 일반적인 방향 d2가 선택된다. 이러한 방향 d2와 dh 사이의 정렬의 작은 편차로 인해 빔렛의 각각은 Y축의 다양한 값에서 타겟에 기록될 것이다. 따라서, 주요 패턴 방향 dh에 수직인 방향의, Y축에 대해 소정의 높이의 패턴 엘리먼트에 대해, 개구 어레이의 모든 개구는 이러한 패턴 엘리먼트에 선량을 부여할 것이다. 결국, 주어진, 긴 스트라이프의 상이한 서브스트라이프와 비교할 때 서브스트라이프의 형성을 전체적으로 피하거나 평균화하는 것이 가능하다.
작은 각도 ε= tanε = y0/Rx를 이용하여 경사각 ε이 라디안으로 계산된다고 할 때, 스트라이프의 길이 Rx에 대한 (타겟 위의 빔에 의해 생성되는 패턴 이미지의 폭인) 스트라이프의 폭 y0의 비율에 의해 경사각 ε의 하나의 적절한 선택값이 결정된다. 이러한 선택에 의해 스트라이프의 끝에서, Y축을 따른 상대 변위가 폭 y0에 상응하도록 보장된다. 전형적인 실시를 위해, 이러한 선택에 의해 매우 작은 각도가 주어진다. 예를 들어, 빔 어레이 필드가 기재에서 81.92 ㎛의 폭을 갖고 있고 기록되는 전형적인 영역이 수 다이 또는 심지어 전체 기재를 커버하여 140mm에 이르는 크기를 갖는, 상술된 MBW에서, 각도 ε는 82/140000 = 0.0005 rad(보다 정확하게, 585 μrad)로서 계산된다. 또한, y0/Rx = ε1의 정수배 또는 그 분수와 같은 다른 선택이 적용에 따라 적절할 수 있다. 일반적으로, 각도 ε는 값 ε1 = y0/Rx 정도일 것으로 예상된다. 스트라이프 길이의 실제값이 미리 알려지지 않을 수 있기 때문에, 기록되는 스트럭처의 레이아웃에 의존하고 MBW 장치의 설정에 의존하지 않음에 따라, 이러한 각도는 예를 들어, 약 0.5ε1 내지 2ε1의 전형적인 범위에 매치하도록 선택될 수 있다.
일반적으로, 각도 ε는 ε1/MY 보다 크도록 선택될 것인데, 여기에서, MY는 빔 어레이 내의 Y 방향을 따라 배치되는 빔렛의 수이다(도 5 참조). (스트라이프 기록의) 일반적인 방향과 주요 패턴 방향 dh 사이의 정렬을 향상시키기 위해 이러한 최소 값이 요구되는데; 이것은 오직 이러한 최소 각도에 의해서, 하나의 빔렛에 의해 커버되는 Y 값의 범위(도 5 참조)가 (주요 방향에 수직인 Y 방향을 따라 볼 수 있는 바와 같이) 이웃 빔렛의 이웃 Y 값 범위와 연결될 것이기 때문이다. 언급된 예에서, ε1/MY = 585 μrad/512 ≒ 1.1 μrad이다. 한편, 각도 ε는 패턴 이미지의 에지를 따른 상당한 얼라이싱 효과를 피할 수 있도록 하는 상한 εmax에 대해 ε<εmax이므로 작도록 선택되어야 하고; εmax에 대한 양호한 상한 추정값은 패턴 이미지 pm이 X 방향을 따라 MX 빔렛을 포함하는 표시(도 5 참조)로부터 얻어져, εmax = 1/MX이다. 언급된 예에서, εmax = 1/512 ≒ 1.9 mrad(≒ 3.3 ε1).
로컬 패턴 이미지는 스트라이프와 함께 회전될 수 있거나, 스트라이프의 방향만이 이러한 패턴 이미지의 방향을 유지하면서 기울어진다. 이것은 하나의 스트라이프를 기록하는 패턴 이미지의 개략적인 세부사항을 도시하는 도 10 및 도 11에 각각 도시되어 있다.
도 10에서, 패턴 이미지 pm2의 방향은 동일한 경사각도 만큼 회전되어 이러한 방향은 스트라이프 s11의 일반적인 방향에 평행할 수 있다. 이러한 레이아웃은 화소의 래스터 격자가 스트라이프의 방향과 어울리는 장점을 갖고 있다. 이러한 패턴 이미지 pm2의 회전은 예를 들어, 경사각 ε 만큼 패턴 형성 장치에서 개구 어레이 필드를 실제로 회전시킴으로써, 또는 예를 들어, 이러한 개구 어레이 필드를 고정한 상태에서 자기 렌즈를 사용하여 투사 시스템(5)에서 이미지를 회전시킴으로써 가능하다.
도 11은 스트라이프 s12가 경사진 일반적인 방향 d2로 기록되지만, 패턴 이미지 pm3의 방향이 X축과 일치하는, 즉, 주요 패턴 방향 dh에 상응하는 변화를 설명하고 있다. 일반적인 방향 d2는 X축을 따라 패턴 이미지 pm3를 이동시킴으로써 모방될 수 있고, 패턴 이미지의 길이와 같은 특정 거리 만큼 운동 진행될 때마다, (Y축을 따른) 측방향 오프셋이 만들어진다. 이러한 측방향 오프셋은 각도 ε에 의해 규정되는 경사를 생성하도록 선택된다. 최종 경로는 도 11의 화살 라인 83에 의해 도시된 바와 같이, 계단 경로이다. 이러한 측방향 오프셋은 예를 들어, 투사 시스템(5)의 편향 수단(12a-c)중 하나를 사용하여 타겟 위에서 패턴 이미지를 시프트함으로써 또는 타겟 스테이지의 이동에 의해 생성될 수 있다.
도 12는 경사가 희망의 패턴을 회전시킴으로써 실현되는 본 발명의 다른 실시예를 설명하고 있는데, 이러한 회전은 회전된 중간의 패턴을 취하기 위해 툴에 온라인으로 실행될 수 있다. 희망의 패턴(80')은 기본적으로 이전의 경우(도 9)의 각도 ε의 반대가 되도록 선택될 수 있는 경사 ε'의 각도에 의해 회전된다. 따라서, 주요 패턴 방향 dh' 역시 각도 ε' 만큼 기울어진다. 이러한 경우에, 스트라이프 s31, s32,...,s3n의 일반적인 방향 d3는 X 방향과 정렬된 상태로 유지된다. 패턴(80')이 노출 에어리어 R3의 경계 위에서 회전되는 엘리먼트를 포함하는 경우(여기에 도시되어 있지 않다)에, 그에 따라 노출 에어리어 R3의 크기를 적용할 필요가 있다. 동시에, 기재는 처음에 요구된 대로 스트럭처의 정확한 방향을 유지하기 위해, 동일한 방향으로 동일한 양 만큼 회전된다.
본 발명으로 설계 데이터로부터 래스터 패턴의 레이아웃을 계산하기 위해, 다수의 방법이 가능하다. 예를 들어, 벡터 그래픽스 데이터로서 주어진 설계 데이터는 경사각 ε' 만큼 데이터경로에서 회전될 수 있다. (이것은 기본적으로 도 12에 상응한다.) 대안으로, X축과 Y축을 따라 패턴 성분의 표준 방향을 사용하고, 타겟(16)으로서 로딩된 기재의 기계적 회전을 제공하는 로딩 시스템을 사용하여, 경사각 ε 만큼 타겟 스테이지(14)를 회전시키는 것이 가능하다.
US 2015/0028230 A1에 지적된 바와 같이, 동일한 에어리어 R1에서의 스트라이프의 노출이 번갈아 이루어질 필요는 없고, 그룹 사이에 거리가 있는 상태로, 예를 들어, 3개의 스트라이프 각각의 그룹으로 이루어질 수 있고; 그다음, 제2 런(run)에서, 이전에 스킵된 에어리가 기록된다. 물론, 각각의 그룹의 스트라이프의 수는 임의의 적절한 정수 값을 취할 수 있다.
여기에 개시된 본 발명 및 방법에 의해, 특히 기재 가열에 대한 에러를 추가로 감소시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 전기 하전 입자에 의해 형성된 에너지파의 빔으로 타겟에 소정의 패턴을 노출시키기 위한 패턴 노출 방법에 있어서,
    상기 에너지파에 투명한 복수의 개구(24)를 갖는 패턴 형성 장치(4)를 제공하는 단계,
    상기 개구를 통해 상기 패턴 형성 장치를 횡단하여, 상기 소정의 패턴(tp)에 따라 상응하는 복수의 빔렛으로 구성된 패턴 빔(pb)을 형성하는 조명 넓은 빔(lb)에 의해 패턴 형성 수단을 조명하는 단계,
    상기 패턴 빔을 상기 타겟(16)의 위치 위의 패턴 이미지(pm)에 형성하는 단계로서, 상기 패턴 이미지는 상기 타겟 위의 다수의 패턴 화소(px)를 덮는 상기 복수의 개구의 적어도 일부의 이미지(b1)를 포함하는 단계, 및
    상기 타겟(16)과 상기 패턴 형성 장치(4) 사이에 상대 이동을 발생시켜, 빔 노출이 실행되는 적어도 하나의 노출 영역(R1, R2, R3) 위의 경로를 따라 상기 타겟 위에서 상기 패턴 이미지를 이동시키는 단계로서, 상기 경로는 일반적인 방향(d1, d2, d3)을 따라 뻗은 섹션으로 구성되어 있고, 상기 섹션은 상기 노출 영역을 순차적인 노출로 커버하는 노출 스트라이프(s01 - s0n, s21 - s2n, s31 - s3n)에 상응하고, 상기 노출 영역(R1, R2, R3)은 규칙적인 배열로 배열되어 있는 복수의 패턴 화소(px)로 구성되어 있고 상기 노출 영역은 상기 일반적인 방향(d1, d2, d3)을 가로질러 측정된 전체 폭(Ry)을 갖고 있고, 상기 노출 스트라이프는 상기 일반적인 방향을 따라 서로 거의 평행하게 달리고 상기 일반적인 방향을 가로질러 측정된 각각의 폭(y0)을 갖고 있고,
    상기 소정의 패턴(tp, 80, 80')은 주요 패턴 방향(dh, dh')을 따라 배향된 에지를 갖는 복수의 스트럭처(81, 82)로 구성되어 있고,
    상기 방법은 상기 소정의 패턴(tp, 80, 80')과 상기 노출 스트라이프의 상대 배향(orientation)을 달성하는 단계를 포함하고, 상기 상대 배향은 상기 주요 패턴 방향(dh, dh')과 상기 노출 스트라이프(s21 - s2n, s31 - s3n)의 일반적인 방향(d2, d3) 사이에 논제로 작은 각도(ε, ε')를 포함하고,
    상기 소정의 패턴(80)과 상기 노출 스트라이프의 상대 배향을 달성하는 단계는 상기 일반적인 방향(d2)이 상기 주요 패턴 방향(dh)과 일치하는 사전규정된 메인 방향(X)으로부터 상기 논제로 작은 각도(ε) 만큼 회전되는 노출 스트라이프(s21 - s2n)의 일반적인 방향(d2)을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 작은 각도는 상기 일반적인 방향(d1, d2, d3)과 상기 주요 패턴 방향(dh, dh') 사이의 정렬을 향상시키기에 충분한 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 각도(ε, ε')의 값은, 라디안으로 표시될 때, 상기 노출 스트라이프의 길이(Rx)에 대한 폭(y0)의 비율에 의해 규정된 값의 정도인 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 각도(ε, ε')의 값은 상기 노출 스트라이프의 길이(Rx)에 대한 폭(y0)의 비율의 0.5 내지 2 배의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 타겟(16)과 상기 패턴 형성 장치(4) 사이의 상대 운동을 생성하는 동안, 타겟 스테이지(6)가 사용되고, 상기 타겟 스테이지(6)는 상기 주요 패턴 방향(dh, dh') 및 상기 일반적인 방향(d2, d3)중 하나와 일치하는 운동 방향을 따라 상기 타겟(16)을 연속으로 이동시키도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 패턴 빔을 상기 타겟(16)의 위치 위의 패턴 이미지(pm)에 형성하도록 투사 시스템(5)이 사용되고, 상기 타겟(16)의 운동 방향을 횡단하는 상대 운동의 성분이 상기 투사 시스템(5)에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
  7. 삭제
  8. 전기 하전 입자에 의해 형성된 에너지파의 빔으로 타겟에 소정의 패턴을 노출시키기 위한 패턴 노출 방법에 있어서,
    상기 에너지파에 투명한 복수의 개구(24)를 갖는 패턴 형성 장치(4)를 제공하는 단계,
    상기 개구를 통해 상기 패턴 형성 장치를 횡단하여, 상기 소정의 패턴(tp)에 따라 상응하는 복수의 빔렛으로 구성된 패턴 빔(pb)을 형성하는 조명 넓은 빔(lb)에 의해 패턴 형성 수단을 조명하는 단계,
    상기 패턴 빔을 상기 타겟(16)의 위치 위의 패턴 이미지(pm)에 형성하는 단계로서, 상기 패턴 이미지는 상기 타겟 위의 다수의 패턴 화소(px)를 덮는 상기 복수의 개구의 적어도 일부의 이미지(b1)를 포함하는 단계, 및
    상기 타겟(16)과 상기 패턴 형성 장치(4) 사이에 상대 이동을 발생시켜, 빔 노출이 실행되는 적어도 하나의 노출 영역(R1, R2, R3) 위의 경로를 따라 상기 타겟 위에서 상기 패턴 이미지를 이동시키는 단계로서, 상기 경로는 일반적인 방향(d1, d2, d3)을 따라 뻗은 섹션으로 구성되어 있고, 상기 섹션은 상기 노출 영역을 순차적인 노출로 커버하는 노출 스트라이프(s01 - s0n, s21 - s2n, s31 - s3n)에 상응하고, 상기 노출 영역(R1, R2, R3)은 규칙적인 배열로 배열되어 있는 복수의 패턴 화소(px)로 구성되어 있고 상기 노출 영역은 상기 일반적인 방향(d1, d2, d3)을 가로질러 측정된 전체 폭(Ry)을 갖고 있고, 상기 노출 스트라이프는 상기 일반적인 방향을 따라 서로 거의 평행하게 달리고 상기 일반적인 방향을 가로질러 측정된 각각의 폭(y0)을 갖고 있고,
    상기 소정의 패턴(tp, 80, 80')은 주요 패턴 방향(dh, dh')을 따라 배향된 에지를 갖는 복수의 스트럭처(81, 82)로 구성되어 있고,
    상기 방법은 상기 소정의 패턴(tp, 80, 80')과 상기 노출 스트라이프의 상대 배향(orientation)을 달성하는 단계를 포함하고, 상기 상대 배향은 상기 주요 패턴 방향(dh, dh')과 상기 노출 스트라이프(s21 - s2n, s31 - s3n)의 일반적인 방향(d2, d3) 사이에 논제로 작은 각도(ε, ε')를 포함하고,
    상기 소정의 패턴(80')과 상기 노출 스트라이프의 상대 배향을 달성하는 단계는 빔 노출을 실행하기 전에 논제로 작은 각도(ε') 만큼 상기 노출 스트라이프(s31 - s3n)의 일반적인 방향(d3)에 대해 상기 소정의 패턴을 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 타겟(16)의 배향 역시 상기 논제로 각도(ε') 만큼 회전되는 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 복수의 스트럭처(81, 82)는 상기 에지에 의해 규정되고, 상기 에지는 다양한 방향을 따라 배향되어 있고, 상기 에지의 실질부, 바람직하게는 대부분은 상기 주요 패턴 방향(dh, dh')을 따라 배향되어 있는 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
  11. 제1항에 있어서, 각각의 노출 영역(R2, R3) 내의 스트라이프는 균일한 폭 및 길이(y0, Rx)를 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 노출 방법.
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