JP7094112B2 - マルチビーム描画機のための改善されたドーズレベルの量子化 - Google Patents
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Description
本発明は、ターゲットに所望のパターンを描画するために、荷電粒子によって形成されるエネルギ放射のビームによって該ターゲットを照射(露光)する方法であって、以下のステップ:
・前記放射に対し透過性の複数のアパーチャを有するパターン定義装置を配すること、
・照明ワイドビームによって前記パターン定義装置を照明し、該照明ワイドビームは前記複数のアパーチャを通過して該パターン定義装置を横切り、以って、対応する複数のビームレットからなるパターン化ビームを形成すること、
・前記ターゲットの位置において前記パターン化ビームからパターン像を形成すること、但し、該パターン像は該ターゲット上の複数のパターンピクセルをカバーする前記複数のアパーチャの少なくとも一部分の像を含み、及び、一連の露光インターバルの間に、前記複数のアパーチャは夫々当該夫々のアパーチャが結像されるパターンピクセルに夫々のドーズ量(dose amounts)を与えるよう選択的に制御され、該ドーズ量は、各ピクセルが前記所望のパターンに応じて公称(nominal)ドーズ量に関連付けられるよう、前記所望のパターンに応じて選択されること、及び、
・前記ターゲットと前記パターン定義装置の間の相対運動を生成し、ビーム露光が実行されるべき領域にわたる経路に沿って前記ターゲット上における前記パターン像のステップ的移動(stepwise movement)を生成すること、但し、該経路はスキャン方向に沿って延在する複数のセクションから構成され、該複数のセクションは順次の露光の際前記領域をカバーする複数の露光ストライプに対応すること、
を含む、方法に関する。
・夫々のピクセルにおける利用可能電流密度が決定される、但し、該利用可能電流密度は、夫々のピクセルに対応するアパーチャを介して放射される照射ビームの実際の電流密度として決定される;
・夫々のピクセルの補正係数はビームアレイフィールド全体にわたる最小電流密度に対する前記利用可能電流密度の比として計算される;及び
・補正係数の平均化がピクセルの夫々のセット内においてなされる、即ちオーバーラップするストライプの前記横オフセットだけのみ異なる位置に位置付けられる複数のピクセルの間で補正係数を平均化することによってなされる。
選択的に、補正係数(複数)の、とりわけ平均化された補正係数(複数)の乗法的再正規化(multiplicative renormalization)が、例えば最大の補正係数又は、好ましくは、最小の(平均化された)補正係数が1に設定されるよう、追加されても良い。
(i)離散パレットを決定すること、
(ii)前記所望のパターンを提供し、公称露光パターンを複数のピクセル要素について定義されるラスターグラフィックスとして計算すること、但し、該公称露光パターンは、該所望のパターンの輪郭ライン(複数)を現実化しかつ各ピクセル要素毎に夫々の公称ドーズ値を含む公称ドーズ分布をターゲット上に生成するのに適合されており、
(iii)各ピクセル要素毎に、夫々のピクセル要素の公称ドーズ値に近似する離散値を決定すること、但し、該離散値は前記離散パレットから選択される、
ステップ(iii)において、離散値を決定することは、所定のサイズのディザマトリクス(dither matrix)、例えばベイヤ(Bayer)マトリクス、を用いる組織的ディザリング(ordered dithering)を使用することを含む。
(形態1)本発明の一視点により、ターゲットに所望のパターンを描画するために、荷電粒子によって形成されるエネルギ放射のビームによって該ターゲットを露光する方法が提供される。該方法は、以下のステップ:
・前記放射に対し透過性の複数のアパーチャを有するパターン定義装置を配すること、
・照明ワイドビームによって前記パターン定義装置を照明し、該照明ワイドビームは前記複数のアパーチャを通過して該パターン定義装置を横切り、以って、対応する複数のビームレットからなるパターン化ビームを形成すること、
・前記ターゲットの位置において前記パターン化ビームからパターン像を形成すること、但し、該パターン像は該ターゲット上の複数のパターンピクセルをカバーする前記複数のアパーチャの少なくとも一部分の像を含み、及び、一連の露光インターバルの間に、前記複数のアパーチャは夫々当該夫々のアパーチャが結像されるパターンピクセルに夫々のドーズ量を与えるよう選択的に制御され、該ドーズ量は、各ピクセルが前記所望のパターンに応じて公称ドーズ量に関連付けられるよう、前記所望のパターンに応じて選択されること、及び、
・前記ターゲットと前記パターン定義装置の間の相対運動を生成し、ビーム露光が実行されるべき領域にわたる経路に沿って前記ターゲット上における前記パターン像のステップ的移動を生成すること、但し、該経路はスキャン方向に沿って延在する複数のセクションから構成され、該複数のセクションは順次の露光の際前記領域をカバーする複数の露光ストライプに対応し、該露光ストライプは相互にオーバーラップし、オーバーラップする露光ストライプは前記スキャン方向に対し横断する方向に沿って見た場合に異なる横オフセットで位置付けられ、かくして、前記領域の各エリアは前記パターン像の少なくとも2つの異なるエリアによって異なる横オフセットで露光されること、
を含み、
該方法は、更に、
各ピクセル毎に、前記公称ドーズ量の値を補正係数で除算することにより補正ドーズ量を計算すること、但し、同じ補正係数が、オーバーラップするストライプの前記横オフセットだけのみ異なる位置(複数)に位置付けられたビームレット(複数)によって描画されるピクセル(複数)によって使用されること
を含む。
(形態2)形態1の方法において、
各ピクセル毎に補正ドーズ量を計算するステップ中に、
・夫々のピクセルにおける利用可能電流密度が決定され、最大利用可能電流密度は夫々のピクセルに対応するアパーチャを通って放射される放射ビームの実際電流密度として決定され、
・夫々のピクセルの補正係数はビームアレイフィールド全体にわたる最小電流密度に対する該利用可能電流密度の比として計算され、及び、
・オーバーラップするストライプの前記横オフセットだけのみ異なる位置(複数)に位置付けられる複数のピクセルの間で複数の補正係数が平均化されることが好ましい。
(形態3)形態1又は2の方法において、
・複数の補正係数の最大値及び最小値の1つが1に再正規化されるよう選択される再正規化係数を用いて、複数の補正係数の乗法的再正規化をすることを更に含むことが好ましい。
(形態4)形態1~3の何れかの方法において、
各ピクセル毎に補正ドーズ量を計算するステップは、夫々の露光ストライプ内のスキャン方向に平行なピクセル列の各ピクセル毎に、ドーズ量(複数)の値を列補正係数で除算することにより補正ドーズ量を計算することを含む、但し、該列補正係数は1つのピクセル列のすべてのピクセルに対し均一に適用されることが好ましい。
(形態5)形態4の方法において、
前記列補正係数は、一連のアパーチャを通って実際に放射される電流ドーズの値に基づいて夫々のピクセル列について計算され、該一連のアパーチャは夫々のピクセル列にドーズ量を与えるパターン定義装置内のすべてのアパーチャを含み、1つのピクセル列の列補正係数は、パターン定義装置の前記複数のアパーチャにわたって一定であると推定される公称電流ドーズ値に対する、対応する一連のアパーチャにわたって平均化された1つのアパーチャの実際電流ドーズの比として計算されることが好ましい。
(形態6)形態1~5の何れかの方法において、
ビーム露光が実行されるべき前記領域は規則的な配置で配置された複数のパターンピクセルから構成され、該領域は前記スキャン方向の横方向に測定される全幅を有し、該領域内の複数の露光ストライプは前記スキャン方向に沿って互いに対し実質的に平行に延伸しかつ前記スキャン方向の横方向に測定される均一幅を有することが好ましい。
(形態7)形態6の方法において、
前記複数の露光ストライプは相互にオーバーラップし、該複数のストライプの位置は前記スキャン方向を横切る方向に横オフセットだけ異なり、複数のピクセル列の列補正係数(複数)は前記横オフセットだけ互いに対しずらされているこれらのピクセル列にわたって平均化されることが好ましい。
(形態8)形態1~7の何れかの方法において、
複数のピクセル群がオーバーラップするストライプの横オフセットに対応しないオフセットだけ異なる場合、前記補正係数は該複数のピクセル群間で異なることが好ましい。
(形態9)形態1の方法において、
ターゲット上の前記領域内の複数のピクセルを露光することにより前記所望のパターンを描画するために前記パターン定義装置を用いてターゲットに該所望のパターンを露光するために適する露光パターンをコンピュータ計算することを含み、
ターゲット上で前記所望のパターンを露光する間に、
・前記パターン定義装置において、複数のブランキングアパーチャは当該複数のブランキングアパーチャの相互の位置を定義する所定の配置で配置されており、各ブランキングアパーチャは夫々の露光インターバル中に夫々のブランキングアパーチャを通ってターゲットの対応するアパーチャ像に露光されるべきドーズ値に関し選択的に調整可能であり、該ドーズ値は離散パレットに応じて夫々の値を取り、該離散パレットは最小値から最大値に及ぶスケールを形成する複数のグレー値を含み、
・前記所望のパターンの描画プロセスの間に、一連の露光インターバルが形成され、各露光インターバルにおいて前記複数のブランキングアパーチャはターゲットに結像され、かくして、対応する複数のアパーチャ像を生成し、アパーチャ像(複数)の位置は露光インターバル中に1つのピクセルの位置においてターゲットに対し相対的に固定的に維持されるが、露光インターバルの間においてはアパーチャ像(複数)の位置はターゲットにわたってシフトされ、かくして、ターゲット上の複数のピクセルが露光され、及び、
・前記複数のアパーチャ像はターゲット上で相互にオーバーラップし、及び、該複数のアパーチャ像は1より大きいオーバーサンプリング係数だけターゲット上の隣り合うアパーチャ像のピクセル位置間の距離より大きい公称幅を有し、
前記露光パターンをコンピュータ計算することは、
(i)前記離散パレットを決定すること、
(ii)前記所望のパターンを提供し、及び、公称露光パターンを複数のピクセル要素について定義されるラスターグラフィックスとして計算すること、但し、該公称露光パターンは前記所望のパターンの輪郭ライン(複数)を現実化しかつ各ピクセル要素毎に夫々の公称ドーズ値を含む公称ドーズ分布をターゲット上に生成するのに適合されること、及び、
(iii)各ピクセル要素毎に、それぞれのピクセル要素の公称ドーズ値に近似する離散値を決定すること、但し、該離散値は前記離散パレットから選択されること、
を含み、
ステップ(iii)において、前記離散値を決定することは、所定のサイズのディザマトリクスを用いる組織的ディザリングを使用することを含むことが好ましい。
(形態10)形態9の方法において、
前記ディザマトリクスはベイヤマトリクスであることが好ましい。
(形態11)本発明の更なる一視点により、ターゲットに所望のパターンを描画するために、荷電粒子によって形成されるエネルギ放射のビームによって該ターゲットを露光する方法が提供される。該方法は、以下のステップ:
・前記放射に対し透過性の複数のアパーチャを有するパターン定義装置を配すること、
・照明ワイドビームによって前記パターン定義装置を照明し、該照明ワイドビームは前記複数のアパーチャを通過して該パターン定義装置を横切り、以って、対応する複数のビームレットからなるパターン化ビームを形成すること、
・前記ターゲットの位置において前記パターン化ビームからパターン像を形成すること、但し、該パターン像は該ターゲット上の複数のパターンピクセルをカバーする前記複数のアパーチャの少なくとも一部分の像を含み、及び、一連の露光インターバルの間に、前記複数のアパーチャは夫々当該夫々のアパーチャが結像されるパターンピクセルに夫々のドーズ量を与えるよう選択的に制御され、該ドーズ量は、各ピクセルが前記所望のパターンに応じて公称ドーズ量に関連付けられるよう、前記所望のパターンに応じて選択されること、及び、
・前記ターゲットと前記パターン定義装置の間の相対運動を生成し、ビーム露光が実行されるべき領域にわたる経路に沿って前記ターゲット上における前記パターン像のステップ的移動を生成すること、但し、該経路はスキャン方向に沿って延在する複数のセクションから構成され、該複数のセクションは順次の露光の際前記領域をカバーする複数の露光ストライプに対応し、該露光ストライプは相互にオーバーラップし、オーバーラップする露光ストライプは前記スキャン方向に対し横断する方向に沿って見た場合に異なる横オフセットで位置付けられ、かくして、前記領域の各エリアは前記パターン像の少なくとも2つの異なるエリアによって異なる横オフセットで露光されること、
を含み、
該方法は、更に、
各ピクセル毎に、前記公称ドーズ量の値を補正係数で除算することにより補正ドーズ量を計算すること、但し、同じ補正係数が、オーバーラップするストライプの前記横オフセットだけのみ異なる位置(複数)に位置付けられたビームレット(複数)によって描画されるピクセル(複数)によって使用されること
を含み、
各ピクセル毎に補正ドーズ量を計算するステップ中に、
・夫々のピクセルにおける利用可能電流密度が決定され、最大利用可能電流密度は夫々のピクセルに対応するアパーチャを通って放射される放射ビームの実際電流密度として決定され、
・夫々のピクセルの補正係数はビームアレイフィールド全体にわたる最小電流密度に対する該利用可能電流密度の比として計算され、及び、
・オーバーラップするストライプの前記横オフセットだけのみ異なる位置(複数)に位置付けられる複数のピクセルの間で複数の補正係数が平均化される。
以下に、本発明を更に説明するために、図面に示されるような、例示的かつ非限定的な実施例(ないし実施形態)について説明する。
・ベクトルベースの物理的補正プロセス(ステップ160)、
・ベクトルをピクセルデータに変換するラスタ化(rasterization)プロセス(ステップ161~164)、及び
・描画プロセスのための一時的記憶のためのピクセルデータのバッファリング(ステップ165及び166)。
で与えられる。ここで、dはディザリング次数即ちディザリングマトリクスのサイズであり、通常は2次である。ディザリング次数dは、オーバーサンプリング係数oに等しいものが選択されると好都合であり得る。図17Aの基本ベイヤマトリクスB2が与えられる場合、2の累乗である任意の次元のベイヤマトリクスは、再帰的に、即ち、2×2マトリクスB2=B2から出発しかつ以下の再帰ルール(recursion rule)
を用いることにより計算することができる。ここで、Bnはn×n次元のベイヤマトリクスである。
1.各公称ドーズ値を式(form)y=c*k+rに分解する。ここで、被除数(dividend)kはビット数nによって決定されるステップサイズ即ちグレースケールのステップ幅即ちk=1/(2n-1)であり、整数の商(quotient)c及び(正の実数の)剰余(remainder)rはユークリッド除法原理に応じて一意的に決定される。とりわけ、商cは非負の整数であり、剰余は非負の数r<kである。
2.値v=r/kとディザリング閾値マトリクスの関連する成分(entry)を比較する。この値vがディザリング閾値マトリクスからの成分より大きい場合、ピクセルには、離散的グレーレベルh=(c+1)*kが割り当てられる;他方、vが当該閾値以下の場合、ピクセルには離散的グレーレベルh=c*kが割り当てられる。
従って、第2ステップにおいて、浮動小数点公称ドーズ値yは(グレースケールパレットの値の1つと既に一致している場合を除き)、ステップサイズkを有する離散的グレーレベルスケールに対して、切り上げられるか又は切り下げられる。
Claims (11)
- ターゲットに所望のパターンを描画するために、荷電粒子によって形成されるエネルギ放射のビームによって該ターゲットを露光する方法であって、以下のステップ:
・前記放射に対し透過性の複数のアパーチャ(24)を有するパターン定義装置(4)を配すること、
・照明ワイドビーム(lb)によって前記パターン定義装置を照明し、該照明ワイドビームは前記複数のアパーチャを通過して該パターン定義装置を横切り、以って、対応する複数のビームレット(51)からなるパターン化ビーム(pb)を形成すること、
・前記ターゲット(16)の位置において前記パターン化ビームからパターン像(pm)を形成すること、但し、該パターン像は該ターゲット上の複数のパターンピクセル(px)をカバーする前記複数のアパーチャの少なくとも一部分の像(b1)を含み、及び、一連の露光インターバルの間に、前記複数のアパーチャは夫々当該夫々のアパーチャが結像されるパターンピクセル(px)に夫々のドーズ量を与えるよう選択的に制御され、該ドーズ量(y)は、各ピクセルが前記所望のパターンに応じて公称ドーズ量(y)に関連付けられるよう、前記所望のパターンに応じて選択されること、及び、
・前記ターゲット(16)と前記パターン定義装置(4)の間の相対運動を生成し、ビーム露光が実行されるべき領域(r1,Rr)にわたる経路に沿って前記ターゲット上における前記パターン像のステップ的移動を生成すること、但し、該経路はスキャン方向(sd)に沿って延在する複数のセクションから構成され、該複数のセクションは順次の露光の際前記領域をカバーする複数の露光ストライプ(s11,s12,s13;s20,s21,s22)に対応し、該露光ストライプ(s11,s12,s13;s20,s21,s22)は相互にオーバーラップし、オーバーラップする露光ストライプは前記スキャン方向に対し横断する方向(Y)に沿って見た場合に異なる横オフセットで位置付けられ、かくして、前記領域の各エリアは前記パターン像の少なくとも2つの異なるエリアによって異なる横オフセット(Y1)で露光されること、
を含み、
該方法は、更に、
各ピクセル毎に、前記公称ドーズ量(y)の値を補正係数(q)で除算することにより補正ドーズ量(y’)を計算すること、但し、同じ補正係数(q)が、オーバーラップするストライプの前記横オフセット(Y1)だけのみ異なる位置(複数)に位置付けられたビームレット(複数)によって描画されるピクセル(複数)によって使用されること
を含む、
方法。 - 請求項1に記載の方法において、
各ピクセル毎に補正ドーズ量を計算するステップ中に、
・夫々のピクセルにおける利用可能電流密度が決定され、最大利用可能電流密度は夫々のピクセルに対応するアパーチャを通って放射される放射ビームの実際電流密度として決定され、
・夫々のピクセルの補正係数(q)はビームアレイフィールド全体にわたる最小電流密度に対する該利用可能電流密度の比として計算され、及び、
・オーバーラップするストライプの前記横オフセット(Y1)だけのみ異なる位置(複数)に位置付けられる複数のピクセルの間で複数の補正係数(q)が平均化される、
方法。 - 請求項1又は2に記載の方法において、
・複数の補正係数の最大値及び最小値の1つが1に再正規化されるよう選択される再正規化係数を用いて、複数の補正係数(q)の乗法的再正規化をすること
を更に含む、
方法。 - 請求項1~3の何れかに記載の方法において、
各ピクセル毎に補正ドーズ量を計算するステップは、夫々の露光ストライプ内のスキャン方向に平行なピクセル列の各ピクセル毎に、ドーズ量(複数)の値を列補正係数(q)で除算することにより補正ドーズ量(y’)を計算することを含む、但し、該列補正係数は1つのピクセル列のすべてのピクセルに対し均一に適用される、
方法。 - 請求項4に記載の方法において、
前記列補正係数(q)は、一連のアパーチャを通って実際に放射される電流ドーズの値に基づいて夫々のピクセル列について計算され、該一連のアパーチャは夫々のピクセル列にドーズ量を与えるパターン定義装置(4)内のすべてのアパーチャを含み、1つのピクセル列の列補正係数(q)は、パターン定義装置(4)の前記複数のアパーチャ(24)にわたって一定であると推定される公称電流ドーズ値に対する、対応する一連のアパーチャにわたって平均化された1つのアパーチャの実際電流ドーズの比として計算される、
方法。 - 請求項1~5の何れかに記載の方法において、
ビーム露光が実行されるべき前記領域(Rr)は規則的な配置で配置された複数のパターンピクセル(px)から構成され、該領域は前記スキャン方向の横方向に測定される全幅(Ry)を有し、該領域内の複数の露光ストライプは前記スキャン方向に沿って互いに対し実質的に平行に延伸しかつ前記スキャン方向の横方向に測定される均一幅(y0)を有する、
方法。 - 請求項6に記載の方法において、
前記複数の露光ストライプ(s11,s12,s13;s20,s21,s22)は相互にオーバーラップし、該複数のストライプの位置は前記スキャン方向を横切る方向に横オフセット(Y1)だけ異なり、複数のピクセル列の列補正係数(複数)は前記横オフセット(Y1)だけ互いに対しずらされているこれらのピクセル列にわたって平均化される、
方法。 - 請求項1~7の何れかに記載の方法において、
複数のピクセル群がオーバーラップするストライプの横オフセット(Y1)に対応しないオフセットだけ異なる場合、前記補正係数(q)は該複数のピクセル群間で異なる、
方法。 - 請求項1に記載の方法において、
ターゲット上の前記領域(r1,Rr)内の複数のピクセル(px)を露光することにより前記所望のパターンを描画するために前記パターン定義装置(4)を用いてターゲット(16)に該所望のパターンを露光するために適する露光パターンをコンピュータ計算することを含み、
ターゲット上で前記所望のパターンを露光する間に、
・前記パターン定義装置において、複数のブランキングアパーチャ(24、33、43)は当該複数のブランキングアパーチャの相互の位置を定義する所定の配置で配置されており、各ブランキングアパーチャは夫々の露光インターバル中に夫々のブランキングアパーチャを通ってターゲットの対応するアパーチャ像に露光されるべきドーズ値に関し選択的に調整可能であり、該ドーズ値は離散パレットに応じて夫々の値を取り、該離散パレットは最小値から最大値に及ぶスケールを形成する複数のグレー値(h)を含み、
・前記所望のパターンの描画プロセスの間に、一連の露光インターバル(T1)が形成され、各露光インターバルにおいて前記複数のブランキングアパーチャはターゲット(16)に結像され、かくして、対応する複数のアパーチャ像(b1,bi0,bi1)を生成し、アパーチャ像(複数)の位置は露光インターバル中に1つのピクセルの位置においてターゲットに対し相対的に固定的に維持されるが、露光インターバルの間においてはアパーチャ像(複数)の位置はターゲットにわたってシフトされ、かくして、ターゲット上の複数のピクセルが露光され、及び、
・前記複数のアパーチャ像はターゲット上で相互にオーバーラップし、及び、該複数のアパーチャ像は1より大きいオーバーサンプリング係数(o)だけターゲット上の隣り合うアパーチャ像のピクセル位置間の距離(e)より大きい公称幅(b)を有し、
前記露光パターンをコンピュータ計算することは、
(i)前記離散パレットを決定すること、
(ii)前記所望のパターンを提供し、及び、公称露光パターンを複数のピクセル要素について定義されるラスターグラフィックス(NP2,NP4)として計算すること、但し、該公称露光パターンは前記所望のパターンの輪郭ライン(複数)を現実化しかつ各ピクセル要素毎に夫々の公称ドーズ値(y)を含む公称ドーズ分布をターゲット上に生成するのに適合されること、及び、
(iii)各ピクセル要素毎に、それぞれのピクセル要素の公称ドーズ値(y)に近似する離散値(h)を決定すること、但し、該離散値は前記離散パレットから選択されること、
を含み、
ステップ(iii)において、前記離散値を決定することは、所定のサイズ(d)のディザマトリクス(T2,T4)を用いる組織的ディザリングを使用することを含む、
方法。 - 前記ディザマトリクス(T2,T4)はベイヤマトリクスである、
請求項9に記載の方法。 - ターゲットに所望のパターンを描画するために、荷電粒子によって形成されるエネルギ放射のビームによって該ターゲットを露光する方法であって、以下のステップ:
・前記放射に対し透過性の複数のアパーチャ(24)を有するパターン定義装置(4)を配すること、
・照明ワイドビーム(lb)によって前記パターン定義装置を照明し、該照明ワイドビームは前記複数のアパーチャを通過して該パターン定義装置を横切り、以って、対応する複数のビームレット(51)からなるパターン化ビーム(pb)を形成すること、
・前記ターゲット(16)の位置において前記パターン化ビームからパターン像(pm)を形成すること、但し、該パターン像は該ターゲット上の複数のパターンピクセル(px)をカバーする前記複数のアパーチャの少なくとも一部分の像(b1)を含み、及び、一連の露光インターバルの間に、前記複数のアパーチャは夫々当該夫々のアパーチャが結像されるパターンピクセル(px)に夫々のドーズ量を与えるよう選択的に制御され、該ドーズ量(y)は、各ピクセルが前記所望のパターンに応じて公称ドーズ量(y)に関連付けられるよう、前記所望のパターンに応じて選択されること、及び、
・前記ターゲット(16)と前記パターン定義装置(4)の間の相対運動を生成し、ビーム露光が実行されるべき領域(r1,Rr)にわたる経路に沿って前記ターゲット上における前記パターン像のステップ的移動を生成すること、但し、該経路はスキャン方向(sd)に沿って延在する複数のセクションから構成され、該複数のセクションは順次の露光の際前記領域をカバーする複数の露光ストライプ(s11,s12,s13;s20,s21,s22)に対応し、該露光ストライプ(s11,s12,s13;s20,s21,s22)は相互にオーバーラップし、オーバーラップする露光ストライプは前記スキャン方向に対し横断する方向(Y)に沿って見た場合に異なる横オフセットで位置付けられ、かくして、前記領域の各エリアは前記パターン像の少なくとも2つの異なるエリアによって異なる横オフセット(Y1)で露光されること、
を含み、
該方法は、更に、
各ピクセル毎に、前記公称ドーズ量(y)の値を補正係数(q)で除算することにより補正ドーズ量(y’)を計算すること、但し、同じ補正係数(q)が、オーバーラップするストライプの前記横オフセット(Y1)だけのみ異なる位置(複数)に位置付けられたビームレット(複数)によって描画されるピクセル(複数)によって使用されること
を含み、
各ピクセル毎に補正ドーズ量を計算するステップ中に、
・夫々のピクセルにおける利用可能電流密度が決定され、最大利用可能電流密度は夫々のピクセルに対応するアパーチャを通って放射される放射ビームの実際電流密度として決定され、
・夫々のピクセルの補正係数(q)はビームアレイフィールド全体にわたる最小電流密度に対する該利用可能電流密度の比として計算され、及び、
・オーバーラップするストライプの前記横オフセット(Y1)だけのみ異なる位置(複数)に位置付けられる複数のピクセルの間で複数の補正係数(q)が平均化される、
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP17153506 | 2017-01-27 | ||
EP17153506.5 | 2017-01-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018121060A JP2018121060A (ja) | 2018-08-02 |
JP7094112B2 true JP7094112B2 (ja) | 2022-07-01 |
Family
ID=57914831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018011698A Active JP7094112B2 (ja) | 2017-01-27 | 2018-01-26 | マルチビーム描画機のための改善されたドーズレベルの量子化 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3355337B8 (ja) |
JP (1) | JP7094112B2 (ja) |
KR (1) | KR102519434B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10854424B2 (en) | 2019-02-28 | 2020-12-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-electron beam device |
JP7196792B2 (ja) | 2019-07-11 | 2022-12-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 |
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JP2015228501A (ja) | 2014-05-30 | 2015-12-17 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | 重複する露光スポットを使用する線量不均一性の補償 |
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JP2011199279A (ja) | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Ims Nanofabrication Ag | ターゲット上へのマルチビーム露光のための方法 |
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EP3096342B1 (en) | 2015-03-18 | 2017-09-20 | IMS Nanofabrication AG | Bi-directional double-pass multi-beam writing |
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2018
- 2018-01-25 EP EP18153340.7A patent/EP3355337B8/en active Active
- 2018-01-26 JP JP2018011698A patent/JP7094112B2/ja active Active
- 2018-01-26 KR KR1020180010148A patent/KR102519434B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018121060A (ja) | 2018-08-02 |
KR20180088600A (ko) | 2018-08-06 |
EP3355337B1 (en) | 2024-03-06 |
EP3355337B8 (en) | 2024-04-10 |
KR102519434B1 (ko) | 2023-04-07 |
EP3355337A1 (en) | 2018-08-01 |
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