JP2010123966A - 定電流マルチビームパターニング - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の露光段階における荷電粒子のビームを利用してターゲットの基板表面上にパターンを形成するための方法に関し、ビームは、パターン形成ビームへと分割され、基板とパターン画定手段の間に相対運動が生じる。これにより、パターン形成粒子ビームが基板表面全面で端から端まで有効に移動し、各露光段階で基板表面上の像要素を露光し、ターゲット上の像要素は、ビームレットに対して複数回、つまり特定のシーケンスに従って、複数の露光段階で何回か露光される。像要素の露光段階のシーケンスは、パターンの露光中、マルチビーム露光装置の光学カラム内の電流変動を小さくする目的で、特定のルールに従って一回の露光段階からその後の露光段階まで非線形に構成される。
【選択図】図6
Description
さらに、特許文献3は、ターゲット上の1つの画素を一列に配置された複数のアパーチャによってその後露光することによるグレイスケールの生成を記載し、いかに効果的にシフトレジスタ方式を適用して、グレイスケールパターン、すなわち、最小露光照射量(黒)と最大露光照射量(白)の間に内挿された露光レベルを作り出すかを示している。
式(4)I(target)=I(source)*AORを使用して確定され、AORは、
式(5)AOR=D・C/Nによる「アパーチャ開口比」であり、Cは、複数の異なるグレイレベルであり、Nは、複数の露光段階である。
マスクレス荷電粒子ビーム処理装置
図1は、それ自体、従来技術から知られているが、本発明を具現化するのに好適であるマスクレス荷電粒子ビーム処理装置PML2の全体の概略図を示す。構成要素は、サイズ通りに示されておらず、特に、粒子ビームlb、pbの横幅は、誇張されている。以下において、これらの詳細は単に、本発明を開示するのに必要とされるとき与えられる。より詳細を求める場合には、読者は、特許文献2および特許文献3を参照されたい。
投影系4全体において、レンズおよび/または偏向手段を色および幾何学的収差に対して広範に補償するための措置が施される。像を全体的に横方向に、すなわち光学軸cxに対して直角の方向に沿ってシフトさせるための手段として、投影系4の中に偏向手段11および12が設けられる。偏向手段は、例えば、第1の偏向手段11で図1に示されるようにクロスオーバ付近に、または図1の第2段偏向手段12の場合のように、投影装置の最終レンズの後のいずれかに配置される多極電極系として実現することができる。この装置において、多極電極は、段の動きに関連して像をシフトさせる、さらにアライメント系と共に結像系を補正する2つの目的の偏向手段として使用される。これらの偏向手段11、12は、パターン形成されたビームpbの選択されたビームレットを「オン」または「オフ」に切り替えるのに使用されるPD系3の偏向アレイ手段と混同されることはなく、これは、前者が全体として粒子ビームを扱うのみであるためである。
グレイスケール
PML2概念によると、基板13は、連続して移動され、ターゲット上の同一の像要素(画素)は、同一の走査移動の間、1シーケンスのアパーチャの像によって何度もカバーされる。ターゲット(すなわち、ターゲット上のレジスト)は典型的には、線形かつ時間不変の露光習性を示すため、画素の露光は、蓄積した照射量に対応する単一の値によって特徴付けることができる。PD系により、ビームレットの2進法制御、すなわちオン/オフ制御が可能になる。異なる照射量のグラデーションを露光するために、各画素の露光時間を変える必要がある。実際の系において、この変動は量子化される必要があり、実際の手法は、数Nのインターバルの継続期間τの中で1つの(および各)画素の露光を行うことを目的とし、各インターバルにおいて、その画素の上に衝突するビームレットを有したり、有さなかったりする。画素の露光は、次いで、その間ビームレットがその上に衝突するこのようなインターバルの数に関連する整数値で表すことができる。ビームレットは、全てのインターバルの中で同一のアパーチャから生じても、異なるアパーチャからの生じてもよい。
トロッティングモード
図2は、公開済みの特許文献4で考察される「トロッティング」戦略の概念を図示する。ターゲット40、例えば、露光すべきレジストで被覆されたシリコンウェーハが、速度vで移動し、それと同時に複数のビームレット(明確にするために、AからEで表された5つのビームレットのみが示される)が、ターゲット上に衝突する。各ビームレットは、一つの画素露光サイクルT1の中で、1つの画素に対する完全な照射量をレジストに送り、図2の最も上のフレームと最も下のフレームの間で推移する。図面の中で網掛けされたフィールドは、完全に照明された(プログラムされたパターンに従って)画素を表し、単に斜線が引かれたフィールドは、現在露光され、したがって合計して必要な照射量になりつつある画素を指す。方法の説明を簡素化するために、図2は、グレイスケールを考慮せず、むしろ図2では、完全な露光(100パーセントのグレイスケール、「白」シェードに匹敵する)のみが示される。
上記の記載において、全ての画素は、100パーセントのグレイ値まで完全に露光されることが推測された。実際のケースでは、当然のことながら、各画素は、露光すべきパターンによって決定される個々のグレイ値に属する。したがって、グレイスケールが含まれる際、いくつかのビームレットは、記載される露光段階のいくつかではスイッチオフされ、1つの画素から次の画素までのグレイスケールに従って堆積する照射量は異なるであろう。PD系内の全てのブランカーのオン/オフ切り替えは、各画素露光サイクル中、プログラムされたパターンに従って制御される。例えば、その対応するビームレットによって照明された1つの画素が、最大値の25パーセントの照射量を受ける場合、そのビームレットに関するブランカーは、その画素をカバーする画素露光サイクルの25パーセントの間開放される必要がある。
アパーチャと開口部の比
粒子ソースから放出される一定の電流を維持することは比較的容易であるが、PD系の後のビーム電流を制御またはさらには測定することは、はるかにより困難である。総電流が低いことから、またこの測定値が、測定されるビームに対して何の遡及効果も持つことができないことに起因して、電流の測定は元々困難である。したがって、ビーム電流を測定するために間接的な方法を使用する必要がある。
すなわち、Dmax=I(source)・Tminである。
AOR=D・Tmin/Texpとなる。
ビットシャッフリングレベル1
電流変動を克服するために、本発明による、いわゆる「ビットシャッフリングレベル1」が採用される。
異なるグレイスケールが均等に分散されることで、これは、露光中の電流につながり、図11に見ることができるにように、概してこれは一定である。
ビットシャッフリングレベル2
マトリクスGは、像の全ての画素に関して均等または均一である必要はない。むしろ、像内の全ての画素に対して異なるマトリクスGを割り当てることができる。当然のことながら、割り当てられたマトリクスのそれぞれは、式(1)を満たす必要がある。
∀j∈{0、1、...C}、i∈{1、2、...、N}、
card(Sxy)≧nmin
において定義される。
ビットシャッフリング最適化問題に対する好ましい解法
以下において、マトリクスGxyのマッピングの例示の方法が示され、これは有効に実施することができる。このセクションは、N=Cを設定しており、N≧Cへの拡大およびその利益は、次のセクションで示される。
露光分散の経時的変動
ビットシャッフリング手法からのパラメータを使用すると、上述のAORとパターン密度Dとの関係は、AOR=D・C/Nとなる。
サブリミナル露光パターン修正
AORを一定に維持するためのさらに別の方法は、露光の結果に対して何の影響も持たない領域内で露光像をサブリミナルに修正することによってパターン密度Dを変えることである。これは通常、大半のレジストが、高い「コントラスト」を有するため、レジスト露光によって可能である、すなわち、レジストの化学的変形を引き起こすのに達する必要のある照射量閾値が、厳密に定義される。これにより、完全な露光の範囲において送達照射量をわずかに減少させ、非露光(「暗い」)領域内の送達照射量をわずかに増加させることはいずれも、露光結果、すなわち現像後の輪郭線または残りのレジスト層の厚みに顕著な影響を与えない。
露光タイミング適合によるソース電流変動
先に詳細に記載したように、ターゲット電流は、AOR=D・C/Nで、Itarget=Isource・AORとして計算することができる。AORを変えること以外に、変動するパターン密度に対してターゲット電流を安定させて維持する目的で、Isourceを変えることによってターゲット電流に対して影響を与えることも可能である。上述のように、パターン形成されないビームlbに対するビーム光学機器は、パターン形成されたビームに対するものよりも適合させやすい。ソース電流が変えられた場合、異なる電流が開放アパーチャ内を通過するため、同一の照射量dmax〜Isource/(τ/C)を送達させるために、露光タイミングを適合させる必要がある。
Claims (9)
- 複数の露光段階における荷電粒子のビームを利用してターゲットの表面上にパターンを形成するための方法であって、各段階が、
前記粒子ビームを生成するステップと、
前記粒子ビームをパターン画定手段内に向け、ビームレットの形状および相対位置を画定する複数の規則的に配置された同一形状のアパーチャを有する前記パターン画定手段のアパーチャアレイを使用して複数の前記ビームレットを生成し、さらに前記パターン画定手段の電気制御が可能なブランキング手段を使用して前記ターゲットに向かう選択されたビームレットの経路を有効にスイッチオフし、残りのビームレットが全体としてパターン形成された粒子ビームを形成するステップと、
制御可能な粒体光学手段を備える光学カラムを利用して前記パターン形成された粒子ビームを前記基板表面上に投影して、これらのスイッチオンされたアパーチャの像を形成するステップであって、各アパーチャが、均一に時間調整された各露光段階において前記基板表面上の1つの像要素に対応するステップとを含み、
前記基板表面上の1シーケンスの隣接する像要素にわたる前記ビームレットの移動に従って前記ターゲットと前記パターン画定手段の相対運動が起こり、その結果、パターン形成された粒子ビームが前記ターゲット表面全面で端から端まで有効に移動し、各露光段階で表面上の前記像要素を露光し、前記ターゲット上の像要素が、前記ビームレットに対して複数回、つまり特定のシーケンスに従って複数の露光段階において何回か露光され、前記パターンの露光中、マルチビーム露光装置の光学カラム内の電流変動を減少させる目的で、前記像要素の露光段階のシーケンスが、特定のルールに従って時間軸の上に非線形に配列される方法。 - 前記特定のルールによって、全てが前記ターゲットに同一の照射量を送達するいくつかの置換が可能になる、請求項1に記載の方法。
- 前記露光パターンが、露光中の前記光学カラム内の全体の電流変動を減少させる目的で、露光段階のシーケンスにおけるダミー露光として選択された像要素の付加的な露光を含むことによって修正され、ダミー露光は、露光されることを目的とせず、これに対して前記修正が露光効果を変えることのない前記基板の領域上の像要素の露光であり、像要素当たりの総照射量が、特定の閾値を下回ったままである、請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲット上の前記像要素が、特定の数C+1の異なるグレイレベル、すなわち最小(「黒」)露光照射量と最大(「白」)露光照射量の間に内挿された露光レベルまで露光され、前記各グレイレベルは、各像要素の前記アパーチャが、実際のグレイレベルによってそれぞれスイッチオンまたはスイッチオフされる露光段階のシーケンスによって実現され、露光段階の前記シーケンスが特定のルールに従って非線形に並べられる、請求項1に記載の方法。
- パターン密度Dの変動によって生じるターゲット電流変動を補償する目的で、前記切り替えシーケンスが露光すべきパターン密度Dから独立して調整され、前記ターゲット電流I(ターゲット)が、式I(target)=I(source)*AORを使用して確定され、AORは、式AOR=D・C/Nによる「アパーチャ開口比」であり、Cは、複数の異なるグレイレベルであり、Nは、複数の露光段階である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 種々の露光段階において、パターン形成されない荷電粒子のビームが遮断される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
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