JP2506144B2 - パタ―ンデ―タ補正方法 - Google Patents
パタ―ンデ―タ補正方法Info
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- JP2506144B2 JP2506144B2 JP7376088A JP7376088A JP2506144B2 JP 2506144 B2 JP2506144 B2 JP 2506144B2 JP 7376088 A JP7376088 A JP 7376088A JP 7376088 A JP7376088 A JP 7376088A JP 2506144 B2 JP2506144 B2 JP 2506144B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 電子ビーム露光用のパターンデータの近接効果に対す
る補正を行なうパターンデータ補正方法に関し、 パターンデータの補正を高速・短時間に行なうことを
目的とし、 電子ビーム露光用のパターンデータの補正を行なうパ
ターンデータ補正方法において、未補正のパターンデー
タを同一パターンが繰り返す繰り返し領域と繰り返しの
ない不規則領域とに分類し、該繰り返し領域及び不規則
領域夫々を電子ビームの偏向可能領域であるサブフィー
ルドに分割し、該不規則領域の全サブフィールド及び該
繰り返し領域の周辺部の全サブフィールド及び該繰り返
し領域の中央部の単一のサブフィールド夫々の各パター
ンについて、夫々に隣接するサブフィールド内の各パタ
ーンの近接効果を考慮して露光照射量及び露光寸法の補
正量を算出し、該繰り返し領域の中央部のサブフィール
ドのうち補正量を算出してない全てのサブフィールド夫
々の各パターンについて該単一のサブフィールドの各パ
ターンの補正量をそのまま設定し構成する。
る補正を行なうパターンデータ補正方法に関し、 パターンデータの補正を高速・短時間に行なうことを
目的とし、 電子ビーム露光用のパターンデータの補正を行なうパ
ターンデータ補正方法において、未補正のパターンデー
タを同一パターンが繰り返す繰り返し領域と繰り返しの
ない不規則領域とに分類し、該繰り返し領域及び不規則
領域夫々を電子ビームの偏向可能領域であるサブフィー
ルドに分割し、該不規則領域の全サブフィールド及び該
繰り返し領域の周辺部の全サブフィールド及び該繰り返
し領域の中央部の単一のサブフィールド夫々の各パター
ンについて、夫々に隣接するサブフィールド内の各パタ
ーンの近接効果を考慮して露光照射量及び露光寸法の補
正量を算出し、該繰り返し領域の中央部のサブフィール
ドのうち補正量を算出してない全てのサブフィールド夫
々の各パターンについて該単一のサブフィールドの各パ
ターンの補正量をそのまま設定し構成する。
本発明はパターンデータ補正方法に関し、電子ビーム
露光用パターンデータの近接効果に対する補正を行なう
パターンデータ補正方法に関する。
露光用パターンデータの近接効果に対する補正を行なう
パターンデータ補正方法に関する。
一般に電子ビーム露光により半導体集積回路のパター
ンを形成する場合には、パターン精度を向上させるため
近接効果を補正することが不可欠である。
ンを形成する場合には、パターン精度を向上させるため
近接効果を補正することが不可欠である。
近接効果は被露光物に塗布されたレジスト層中におけ
る電子ビーム散乱（前方散乱）、及び被露光物である基
板における電子ビーム散乱（後方散乱）によって、描画
レジストパターンが電子ビーム照射パターンよりも大き
く拡がる現象であり、特にパターン間隔が近接効果の影
響範囲である数μｍ以下になるとパターン形状が著しく
歪み精度が低下する。
る電子ビーム散乱（前方散乱）、及び被露光物である基
板における電子ビーム散乱（後方散乱）によって、描画
レジストパターンが電子ビーム照射パターンよりも大き
く拡がる現象であり、特にパターン間隔が近接効果の影
響範囲である数μｍ以下になるとパターン形状が著しく
歪み精度が低下する。
レジスト中での電子ビーム散乱強度分布ｆ（ｒ）は照
射するビーム中心からの距離ｒの関数として次式で表わ
される。
射するビーム中心からの距離ｒの関数として次式で表わ
される。
（１）式の第１項は前方散乱、第２項は後方散乱により
与えられる。なお、a,b,c夫々はレジストの厚さ、レジ
スト及び基板の材料等の条件で決まる定数である。
与えられる。なお、a,b,c夫々はレジストの厚さ、レジ
スト及び基板の材料等の条件で決まる定数である。
従来、近接効果を補正する方法としては、当該パター
ンと隣接パターンとを考慮して、各パターン毎の最適の
照射量を設定し各パターンのパターン寸法を縮小補正す
ることが行なわれている。
ンと隣接パターンとを考慮して、各パターン毎の最適の
照射量を設定し各パターンのパターン寸法を縮小補正す
ることが行なわれている。
第７図に示す如く、パターンPi＝P1,P2,P3を描画する
場合、各パターンについて目的とするパターン寸法を得
るための照射量Qiを次式で求める。
場合、各パターンについて目的とするパターン寸法を得
るための照射量Qiを次式で求める。
（但し、パターン内寸法補正量si及び最小現象エネル
ギー強度Ｅはテスト露光により予め求められている。又
Ｆ（ri）は露光強度を表わし、ｆ（ri）は（１）式で与
えられる。また、ai,biは各パターンのパターン幅，パ
ターン長である。） 次に隣接パターンの影響を考慮して、パターン間寸法
補正量ssを求める。パターンP1の周縁におけるサンプル
点Ａでは次式が成立する。
ギー強度Ｅはテスト露光により予め求められている。又
Ｆ（ri）は露光強度を表わし、ｆ（ri）は（１）式で与
えられる。また、ai,biは各パターンのパターン幅，パ
ターン長である。） 次に隣接パターンの影響を考慮して、パターン間寸法
補正量ssを求める。パターンP1の周縁におけるサンプル
点Ａでは次式が成立する。
Ｅ＝Q1・Ｆ（r1,s1,ss）＋Q2・Ｆ（r2,s2,0）＋Q3・Ｆ
（r3,s3,0） …（３） ここで、 （但し、sss＝si＋ss,r1,r2,r3夫々はパターンP1,P2,
P3夫々の中心からサンプル点Ａまでの距離である。） 上記（３）式を満足するようにパターンP1のパターン
間寸法補正量ssを求める。他のパターンP2,P3について
も同様である。
（r3,s3,0） …（３） ここで、 （但し、sss＝si＋ss,r1,r2,r3夫々はパターンP1,P2,
P3夫々の中心からサンプル点Ａまでの距離である。） 上記（３）式を満足するようにパターンP1のパターン
間寸法補正量ssを求める。他のパターンP2,P3について
も同様である。
近年の半導体集積回路の大規模化に伴い、パターン数
は107〜108オーダーとなっている。
は107〜108オーダーとなっている。
従って、全てのパターンについて（１）式〜（３）式
の計算を行なうとすれば、膨大な時間がかかり、高速の
計算機を用いたとしても実現できないという問題があっ
た。
の計算を行なうとすれば、膨大な時間がかかり、高速の
計算機を用いたとしても実現できないという問題があっ
た。
本発明は上記の点に鑑みなされもたので、パターンデ
ータの補正を高速・短時間に行なうパターンデータ補正
方法を提供することを目的とする。
ータの補正を高速・短時間に行なうパターンデータ補正
方法を提供することを目的とする。
第１図は本発明のパターンデータ補正方法の原理ブロ
ック図を示す。
ック図を示す。
同図中、CPU10内の分類手段10aは記憶装置12にある未
補正のパターンデータを同一パターンが繰り返す繰り返
し領域と繰り返しのない不規則領域とに分類する。
補正のパターンデータを同一パターンが繰り返す繰り返
し領域と繰り返しのない不規則領域とに分類する。
分割手段10bは繰り返し領域及び不規則領域夫々を電
子ビームの偏向可能領域であるサブフィールドに分割す
る。
子ビームの偏向可能領域であるサブフィールドに分割す
る。
算出手段10cは不規則領域の全サブフィールド及び繰
り返し領域の周辺部の全サブフィールド及び繰り返し領
域の中央部の単一のサブフィールド夫々の各パターンに
ついて、夫々に隣接するサブフィールド内の各パターン
の近接効果を考慮して露光照射量及び露光寸法の補正量
を算出し補正済パターンデータとして記憶装置13に記憶
させる。
り返し領域の周辺部の全サブフィールド及び繰り返し領
域の中央部の単一のサブフィールド夫々の各パターンに
ついて、夫々に隣接するサブフィールド内の各パターン
の近接効果を考慮して露光照射量及び露光寸法の補正量
を算出し補正済パターンデータとして記憶装置13に記憶
させる。
設定手段10dは繰り返し領域の中央部のサブフィール
ドのうち補正量を算出してない全てのサブフィールド夫
々の各パターンについて算出手段10cで得られた上記単
一のサブフィールドの各パターンの補正量をそのまま設
定し、これによって得られた補正済のパターンデータは
記憶装置13に記憶される。
ドのうち補正量を算出してない全てのサブフィールド夫
々の各パターンについて算出手段10cで得られた上記単
一のサブフィールドの各パターンの補正量をそのまま設
定し、これによって得られた補正済のパターンデータは
記憶装置13に記憶される。
本発明においては、繰り返し領域（36）の中央部のサ
ブフィールドでは、単一のサブフィールドについてのみ
各パターンの補正量の算出が行なわれ、残り全てのサブ
フィールドの各パターンについては上記単一のサブフィ
ールドの各パターンの補正量がそのまま設定される。
ブフィールドでは、単一のサブフィールドについてのみ
各パターンの補正量の算出が行なわれ、残り全てのサブ
フィールドの各パターンについては上記単一のサブフィ
ールドの各パターンの補正量がそのまま設定される。
このため補正量を算出するサブフィールドの数が大幅
に減少し、パターンデータの補正に要する時間が大幅に
短縮できる。
に減少し、パターンデータの補正に要する時間が大幅に
短縮できる。
第２図は本発明方法を実現するためのシステムの構成
図を示す。
図を示す。
同図中、10はCPUであり、11,12,13夫々は記憶装置で
ある。記憶装置11には本発明方法の処理を行なうプログ
ラムが記憶されており、このプログラムはCPU10によっ
てステップ毎に続出されて実行される。
ある。記憶装置11には本発明方法の処理を行なうプログ
ラムが記憶されており、このプログラムはCPU10によっ
てステップ毎に続出されて実行される。
記憶装置12には未補正パターンデータが記憶されてい
る。未補正パターンデータは得ようとする各パターンに
ついてのパターン幅，パターン長及び位置及び照射量
（一定値）及びパターン属性等である。記憶装置13には
未補正パターンデータを処理して得た補正済パターンデ
ータが記憶される。補正済パターンデータは各パターン
についての補正されたパターン幅，パターン長及び位置
及び照射量である。
る。未補正パターンデータは得ようとする各パターンに
ついてのパターン幅，パターン長及び位置及び照射量
（一定値）及びパターン属性等である。記憶装置13には
未補正パターンデータを処理して得た補正済パターンデ
ータが記憶される。補正済パターンデータは各パターン
についての補正されたパターン幅，パターン長及び位置
及び照射量である。
上記の記憶装置11〜13は例えば単一又は複数の磁気デ
ィスク装置で構成される。
ィスク装置で構成される。
第３図は本発明方法の一実施例のフローチャートを示
す。
す。
同図中、分類手段10aであるステップ20では記憶装置1
2から読出された未補正パターンデータのパターン属性
から各パターンが、規則的に繰り返す領域であるか、不
規則な領域であるかを分類する。
2から読出された未補正パターンデータのパターン属性
から各パターンが、規則的に繰り返す領域であるか、不
規則な領域であるかを分類する。
ここで、半導体集積回路内における第４図に示す如き
メモリ回路35はメモリセル形成領域36と周辺回路形成領
域37とよりなり、メモリセル成形領域36では同一のパタ
ーンが規則的に繰り返し、周辺回路形成領域37では各パ
ターンの形状及び並びが不規則である。
メモリ回路35はメモリセル形成領域36と周辺回路形成領
域37とよりなり、メモリセル成形領域36では同一のパタ
ーンが規則的に繰り返し、周辺回路形成領域37では各パ
ターンの形状及び並びが不規則である。
ステップ21ではメモリセル形成領域36の如き繰り返し
領域をサブフィールドに分割し、ステップ22では周辺回
路形成領域37の如き不規則領域をサブフィールドに分割
する。このステップ21,22が分割手段10bに対応する。
領域をサブフィールドに分割し、ステップ22では周辺回
路形成領域37の如き不規則領域をサブフィールドに分割
する。このステップ21,22が分割手段10bに対応する。
ここでサブフィールドとは基板を移動させずに電子ビ
ームで描画できる、例えば一辺が100μｍ程度の矩形状
の範囲である。即ち、サブフィールド内には複数のパタ
ーンが存在する。これによって繰り返し領域であるメモ
リセル形成領域36は、第５図に示す如くサブフィールド
SF11〜SFn mに分割される。
ームで描画できる、例えば一辺が100μｍ程度の矩形状
の範囲である。即ち、サブフィールド内には複数のパタ
ーンが存在する。これによって繰り返し領域であるメモ
リセル形成領域36は、第５図に示す如くサブフィールド
SF11〜SFn mに分割される。
次に、不規則領域に隣接する繰り返し領域の周辺部か
ら任意にサブフィールド（例えばSF11）を選択して（ス
テップ23）、このサブフィールドSF11について、四方に
隣接するサブフィールドのパターンの近接効果を考慮し
て（１）式〜（３）式を用いサブフィールドSF11の各パ
ターンの補正量を算出する（ステップ24）。なお、算出
手段10cはこのステップ24及び後述のステップ28,31に対
応する。
ら任意にサブフィールド（例えばSF11）を選択して（ス
テップ23）、このサブフィールドSF11について、四方に
隣接するサブフィールドのパターンの近接効果を考慮し
て（１）式〜（３）式を用いサブフィールドSF11の各パ
ターンの補正量を算出する（ステップ24）。なお、算出
手段10cはこのステップ24及び後述のステップ28,31に対
応する。
この後、繰り返し領域の周辺部の全てのサブフィール
ドの処理が終了したかどうかを判別し（ステップ25）、
終了していない場合には繰り返し領域の周辺部の隣りの
サブフィールドを選択し（ステップ26）、ステップ24に
進む。
ドの処理が終了したかどうかを判別し（ステップ25）、
終了していない場合には繰り返し領域の周辺部の隣りの
サブフィールドを選択し（ステップ26）、ステップ24に
進む。
これによって第５図における周辺部のサブフィールド
SF11〜SF1 m，SFn 1〜SFn m，SF21〜SFn-1 1，SF2 m〜S
Fn-1 m夫々についての補正量が求められる。
SF11〜SF1 m，SFn 1〜SFn m，SF21〜SFn-1 1，SF2 m〜S
Fn-1 m夫々についての補正量が求められる。
この後、第５図に示す繰り返し領域の中央部の任意の
サブフィールド（例えばSF22）を選択し（ステップ2
7）、このサブフィールドSF22について四方に隣接する
サブフィールドSF11，SF12，SF13，SF21，SF23，SF31，
SF32，SF33夫々のパターンの近接効果を考慮して（１）
〜（３）式を用いてサブフィールドSF22の各パターンの
補正量を算出する（ステップ28）。
サブフィールド（例えばSF22）を選択し（ステップ2
7）、このサブフィールドSF22について四方に隣接する
サブフィールドSF11，SF12，SF13，SF21，SF23，SF31，
SF32，SF33夫々のパターンの近接効果を考慮して（１）
〜（３）式を用いてサブフィールドSF22の各パターンの
補正量を算出する（ステップ28）。
この後、設定手段10dに対応するステップ29で繰り返
し領域の中央部の全てのサブフィールドの各パターンの
補正量としてサブフィールドの各パターンの補正量とし
てサブフィールドSF22の各パターンの補正量をそのまま
設定する。
し領域の中央部の全てのサブフィールドの各パターンの
補正量としてサブフィールドの各パターンの補正量とし
てサブフィールドSF22の各パターンの補正量をそのまま
設定する。
つまり繰り返し領域の中央部においては単一のサブフ
ィールドについてのみ補正量の算出を行なう。
ィールドについてのみ補正量の算出を行なう。
次に、不規則領域から任意にサブフィールドを選択し
（ステップ30）、このサブフィールドについて、四方に
隣接するサブフィールドを用いこのサブフィールド内の
各パターンの補正量を算出する（ステップ31）。
（ステップ30）、このサブフィールドについて、四方に
隣接するサブフィールドを用いこのサブフィールド内の
各パターンの補正量を算出する（ステップ31）。
この後、不規則領域の全てのサブフィールドの処理が
終了したかどうかを判別し（ステップ32）、終了してい
ない場合には不規則領域の隣りのサブフィールドを選択
し（ステップ33）、ステップ31に進む。
終了したかどうかを判別し（ステップ32）、終了してい
ない場合には不規則領域の隣りのサブフィールドを選択
し（ステップ33）、ステップ31に進む。
これによって全てのサブフィールドの補正量が得られ
ると第３図の処理を終了する。
ると第３図の処理を終了する。
このように、繰り返し領域の中央部のサブフィールド
では、単一のサブフィールドについてのみ各パターンの
補正量の算出が行なわれ、残り全てのサブフィールドの
各パターンについては上記単一のサブフィールドの各パ
ターンの補正量がそのまま設定される。
では、単一のサブフィールドについてのみ各パターンの
補正量の算出が行なわれ、残り全てのサブフィールドの
各パターンについては上記単一のサブフィールドの各パ
ターンの補正量がそのまま設定される。
このため繰り返し領域を考慮していない場合に比して
補正済パターンデータを得るに要する時間が1/10〜1/10
0程度に短縮される。
補正済パターンデータを得るに要する時間が1/10〜1/10
0程度に短縮される。
第３図の処理で得られた補正済パターンデータは第６
図に示す電子ビーム露光装置に供給され、露光が行なわ
れる。
図に示す電子ビーム露光装置に供給され、露光が行なわ
れる。
第６図において、41は露光装置本体、42は電子銃、43
は収束電子レンズ系、44はXY偏向器、45は被露光物、46
はプロセッサ、47はDA変換器、48は増幅器である。
は収束電子レンズ系、44はXY偏向器、45は被露光物、46
はプロセッサ、47はDA変換器、48は増幅器である。
補正済パターンデータはプロセッサ46に格納されてお
り、必要に応じて各パターンデータが読出されDA変換器
47及び増幅器48を介してXY偏向器44に供給される。これ
によって電子ビームスポットが被露光物45上で歩進さ
せ、所定のパターンを塗り潰すように電子ビームが照射
され、描画が行なわれる。なお照射量は電子ビームの歩
進速度を制御することによって可変される。
り、必要に応じて各パターンデータが読出されDA変換器
47及び増幅器48を介してXY偏向器44に供給される。これ
によって電子ビームスポットが被露光物45上で歩進さ
せ、所定のパターンを塗り潰すように電子ビームが照射
され、描画が行なわれる。なお照射量は電子ビームの歩
進速度を制御することによって可変される。
上述の如く、本発明のパターンデータ補正方法によれ
ば、パターンデータの補正を高速・短時間に行なうこと
ができ、大規模な半導体集積回路のパターンデータ補正
が実現可能となり、実用上きわめて有用である。
ば、パターンデータの補正を高速・短時間に行なうこと
ができ、大規模な半導体集積回路のパターンデータ補正
が実現可能となり、実用上きわめて有用である。
第１図は本発明方法の原理ブロック図、 第２図は本発明方法を実現するためのシステムの構成
図、 第３図は本発明方法の一実施例のフローチャート、 第４図，第５図夫々は本発明方法を説明するための図、 第６図は電子ビーム露光装置の概略図、 第７図は補正量算出を説明するための図である。 図において、 10はCPU、10aは分類手段、10bは分割手段、10cは算出手
段、10dは設定手段、11〜13は記憶装置、20〜33はステ
ップ、36はメモリセル形成領域（繰り返し領域）、37は
周辺回路形成領域（不規則領域）、SF11〜SFn mはサブ
フィールド を示す。
図、 第３図は本発明方法の一実施例のフローチャート、 第４図，第５図夫々は本発明方法を説明するための図、 第６図は電子ビーム露光装置の概略図、 第７図は補正量算出を説明するための図である。 図において、 10はCPU、10aは分類手段、10bは分割手段、10cは算出手
段、10dは設定手段、11〜13は記憶装置、20〜33はステ
ップ、36はメモリセル形成領域（繰り返し領域）、37は
周辺回路形成領域（不規則領域）、SF11〜SFn mはサブ
フィールド を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】電子ビーム露光用のパターンデータの補正
を行なうパターンデータ補正方法において、 未補正のパターンデータを同一パターンが繰り返す繰り
返し領域と繰り返しのない不規則領域とに分類し（10
a）、 該繰り返し領域及び不規則領域夫々を電子ビームの偏向
可能領域であるサブフィールドに分割し（10b）、 該不規則領域の全サブフィールド及び該繰り返し領域の
周辺部の全サブフィールド及び該繰り返し領域の中央部
の単一のサブフィールド夫々の各パターンについて、夫
々に隣接するサブフィールド内の各パターンの近接効果
を考慮して露光照射量及び露光寸法の補正量を算出し
（10c）、 該繰り返し領域の中央部のサブフィールドのうち補正量
を算出してない全てのサブフィールド夫々の各パターン
について該単一のサブフィールドの各パターンの補正量
をそのまま設定し（10d）、 補正済のパターンデータを得ることを特徴とするパター
ンデータ補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7376088A JP2506144B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | パタ―ンデ―タ補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7376088A JP2506144B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | パタ―ンデ―タ補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245522A JPH01245522A (ja) | 1989-09-29 |
| JP2506144B2 true JP2506144B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=13527507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7376088A Expired - Lifetime JP2506144B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | パタ―ンデ―タ補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506144B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2830330B2 (ja) * | 1989-04-04 | 1998-12-02 | 松下電器産業株式会社 | 近接効果補正方法 |
| JPH03206638A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム描画の補正方法 |
| JP2534383B2 (ja) * | 1990-08-18 | 1996-09-11 | 富士通株式会社 | 露光デ―タ処理方法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP7376088A patent/JP2506144B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01245522A (ja) | 1989-09-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |