JPS6134936A - 電子線描画装置における試料面高さ補正方法 - Google Patents
電子線描画装置における試料面高さ補正方法Info
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- JPS6134936A JPS6134936A JP15634884A JP15634884A JPS6134936A JP S6134936 A JPS6134936 A JP S6134936A JP 15634884 A JP15634884 A JP 15634884A JP 15634884 A JP15634884 A JP 15634884A JP S6134936 A JPS6134936 A JP S6134936A
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- Japan
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- electron beam
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- measured
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子線描画装置に係り、特に試料平担度の腕曲
を補正する方法に関する。
を補正する方法に関する。
電子線描画装置は近年、研究、実験段階を終了し、次第
に生産設備として利用されるようになって来た。従来か
らある光を用いたりソゲサイ−技法に較べ、電子線描画
装置の主たる長所として微、０ 細バタンが作成できることの他に、焦点、偏向位置など
きめ細かい補正が可能であることが挙げられる。電子線
描画装置を用いてマスク上に描写を行なう場合、精度鷺
決定する因子として大きなものは電子線の収束状況と偏
向位置精度であり、これらは電子線光学系とマスクの相
対位置に依存している。一方マスクは近年１００Ｗａｎ
０から１５０− へと大型化の一途をたどっており、マ
スクの平担化が次第に困難になって来ている。したがっ
て最近の電子線描画装置は例えば特開昭５６−６４４３
４号に見られる如く、高さ測定機構を備え、描画目的位
置に試料台を移動するごとに試料面の高さを測定し、偏
向ゲイン、電子線収束に補正をかけている。しかるに高
さ測定機構で高さを測定する場合数１０ｍ５ｅｃの時間
を要し、マスク全体では３１１Ｉ１０毎に計測すると、
約２．３分の無駄時間になる。
に生産設備として利用されるようになって来た。従来か
らある光を用いたりソゲサイ−技法に較べ、電子線描画
装置の主たる長所として微、０ 細バタンが作成できることの他に、焦点、偏向位置など
きめ細かい補正が可能であることが挙げられる。電子線
描画装置を用いてマスク上に描写を行なう場合、精度鷺
決定する因子として大きなものは電子線の収束状況と偏
向位置精度であり、これらは電子線光学系とマスクの相
対位置に依存している。一方マスクは近年１００Ｗａｎ
０から１５０− へと大型化の一途をたどっており、マ
スクの平担化が次第に困難になって来ている。したがっ
て最近の電子線描画装置は例えば特開昭５６−６４４３
４号に見られる如く、高さ測定機構を備え、描画目的位
置に試料台を移動するごとに試料面の高さを測定し、偏
向ゲイン、電子線収束に補正をかけている。しかるに高
さ測定機構で高さを測定する場合数１０ｍ５ｅｃの時間
を要し、マスク全体では３１１Ｉ１０毎に計測すると、
約２．３分の無駄時間になる。
本発明の目的は、品質を均一にし、生産性を向上するこ
とのできる電子線描画装置における試料面高さ補正方法
を提供することにある。
とのできる電子線描画装置における試料面高さ補正方法
を提供することにある。
本発明は、描画対象物の表面の高さを複数点測定し、近
似式によって表面の状態を検出し、該表面高さによって
焦点位置を補正することにより、品質を均一にし、生産
性を向上しようというものである。
似式によって表面の状態を検出し、該表面高さによって
焦点位置を補正することにより、品質を均一にし、生産
性を向上しようというものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図には本発明の一実施例が示されている。
図において、電子銃１から放出される電子線２は電子レ
ンズ４，７と、絞り、３，６によって所望の形状と電流
密度に制御されてマスク１１上に照射される。一方描画
データは通常磁気ディスク等の外部メモリに格納されて
いるが、コンピュータ２３によって順次偏向制御系２４
に送出される。
ンズ４，７と、絞り、３，６によって所望の形状と電流
密度に制御されてマスク１１上に照射される。一方描画
データは通常磁気ディスク等の外部メモリに格納されて
いるが、コンピュータ２３によって順次偏向制御系２４
に送出される。
偏向制御系２４は、偏向位置信号を偏向器８、電子線２
のオン、オフ信号をプランカー制御系２５へ送出し、プ
ランカー５によってマスク１１上に所望のバタンの描画
を実行する。
のオン、オフ信号をプランカー制御系２５へ送出し、プ
ランカー５によってマスク１１上に所望のバタンの描画
を実行する。
一般に電子ビームの偏向に伴なう収差や偏向歪を考慮す
ると、電子ビーム２をマスク１１の全面に亘って偏向す
ることは不可能であり、数耐の範囲を電子ビームの偏向
でカバーし、それ以上の領域はステージ２２を移動し、
精度良く偏向位置決めを実行することによりマスク１１
全面へ描画を行なう。
ると、電子ビーム２をマスク１１の全面に亘って偏向す
ることは不可能であり、数耐の範囲を電子ビームの偏向
でカバーし、それ以上の領域はステージ２２を移動し、
精度良く偏向位置決めを実行することによりマスク１１
全面へ描画を行なう。
次に偏向位置の位置決め方法について述べる。
ステージ２２の位置はレーザ干渉測長針によって精度良
く計測される。レーザ発振器１６から発したレーザビー
ムはハーフミラ−１７によって基準光と計測光に分けら
れ、基準光は基準ミラー１９に入射する。計測光は計測
ミラー２０に入射し、基準光と−・−フミラー１８で干
渉を行なう。受光器２工で干渉波の明暗をパルス化し、
レーザ干渉測長計２７に位置データとして認識され、さ
らにコンピュータ２３に読み込まれる。現在の技術レベ
ルにおける位置計測精度は約０．０１μｍである。
く計測される。レーザ発振器１６から発したレーザビー
ムはハーフミラ−１７によって基準光と計測光に分けら
れ、基準光は基準ミラー１９に入射する。計測光は計測
ミラー２０に入射し、基準光と−・−フミラー１８で干
渉を行なう。受光器２工で干渉波の明暗をパルス化し、
レーザ干渉測長計２７に位置データとして認識され、さ
らにコンピュータ２３に読み込まれる。現在の技術レベ
ルにおける位置計測精度は約０．０１μｍである。
次にステージ２２の移動制御方法について述べる。レー
ザ干渉測長計２７からステージ駆動系２８に目標位置が
与えられ、モータ１５に起動をかける。ステージ２２が
目標位置に到達するとレーザ干渉測長針２７はステージ
駆動系２８を停止させる。この時コンピュータ２３は停
止誤差をレーザ干渉測長針２７から読み取り、偏向制御
系２４に偏向位置補正データを送出する。このようにし
てビーム偏向とステージ移動をステープアンドリピート
で実行することにより、マスク１１上全面に精度良くバ
タン描画が実施される。
ザ干渉測長計２７からステージ駆動系２８に目標位置が
与えられ、モータ１５に起動をかける。ステージ２２が
目標位置に到達するとレーザ干渉測長針２７はステージ
駆動系２８を停止させる。この時コンピュータ２３は停
止誤差をレーザ干渉測長針２７から読み取り、偏向制御
系２４に偏向位置補正データを送出する。このようにし
てビーム偏向とステージ移動をステープアンドリピート
で実行することにより、マスク１１上全面に精度良くバ
タン描画が実施される。
次にマスク１１表面の高さ補正について述べる。
ポジションセンサー９と高さ測定系２６によりマスク１
１の高さを測定し、偏向制御系２４、焦点補正回路２９
に補正データを転送する。
１の高さを測定し、偏向制御系２４、焦点補正回路２９
に補正データを転送する。
第２図により高さ補正方法を具体的に説明する。
光源１４から出た光はレンズ１２によりマスク表面にフ
ォーカスし、さらにポジションセンサー９上にフォーカ
スする。第２図においてＺ、、ｚ２はマスク１１の表面
位置を表わし、ｚｌ、ｚ２の如く高さが変化するとポジ
ションセンサー９上で光源１４のフォーカス位置がＰ＋
、Ｐ２の如く変化する。ポジションセンサー９はＰ＋
、Ｐ２の変化を電流変化として認識し、コンピュータ
２３から焦点補正データを焦点補正コイル１０に転送し
て補正を行なう。
ォーカスし、さらにポジションセンサー９上にフォーカ
スする。第２図においてＺ、、ｚ２はマスク１１の表面
位置を表わし、ｚｌ、ｚ２の如く高さが変化するとポジ
ションセンサー９上で光源１４のフォーカス位置がＰ＋
、Ｐ２の如く変化する。ポジションセンサー９はＰ＋
、Ｐ２の変化を電流変化として認識し、コンピュータ
２３から焦点補正データを焦点補正コイル１０に転送し
て補正を行なう。
次に第３図により本発明の具体的実施例について説明す
る。先にも述べたようにマスク１１は必ずしも平担では
なく、一般には数１０μｍの凹凸がある。このような状
況下で描画を実施した場合、０．１μｍ〜０．２μｍの
寸法誤差を生じ、描画バタンの精度劣化の原因となる。
る。先にも述べたようにマスク１１は必ずしも平担では
なく、一般には数１０μｍの凹凸がある。このような状
況下で描画を実施した場合、０．１μｍ〜０．２μｍの
寸法誤差を生じ、描画バタンの精度劣化の原因となる。
従って凹凸のあるマスクに高精度に描画を実施するには
高さ計測が必須である。通常電子線を偏向可能な領域は
約３問角でステージを移動する回数は６インチマスクで
約２０００回である。従来ステージを移動する都度高さ
計測を実施していたが、冒さ計測に要する時間ｔｌ Ｏ
Ｏｍ ８とすると約２００ Ｓｅｃ即ち３分余の無駄時
間があった。
高さ計測が必須である。通常電子線を偏向可能な領域は
約３問角でステージを移動する回数は６インチマスクで
約２０００回である。従来ステージを移動する都度高さ
計測を実施していたが、冒さ計測に要する時間ｔｌ Ｏ
Ｏｍ ８とすると約２００ Ｓｅｃ即ち３分余の無駄時
間があった。
第３図に示すようにあらかじめ（Ｘ＋ 、 Ｙ＋ ）
から（Ｘｎ、Ｙｓ ）まで９点の高さを測定しておく。
から（Ｘｎ、Ｙｓ ）まで９点の高さを測定しておく。
シリコンウェハのそりを２次曲面で近似し、■式のよう
に仮定する。
に仮定する。
Ｚ＝ａＸ２＋ｂＸＹ＋ＣＹ”＋ｄＸ＋ｅＹ＋ｆ −
・・００式において左辺２が試料表面の高さ、Ｘ、Ｙが
レーザ干渉測定計で与えられた試料の位置である。
・・００式において左辺２が試料表面の高さ、Ｘ、Ｙが
レーザ干渉測定計で与えられた試料の位置である。
■式に（ＸＩ 、 Ｙ＋ ）から（Ｘｎ 、 Ｙ３
）までそれぞれの位置とその時の２の値を代入すると以
下に示すような９連の方程式が得られる。
）までそれぞれの位置とその時の２の値を代入すると以
下に示すような９連の方程式が得られる。
ｚ＋＝ａＸ１”＋ｌ）Ｘ＋Ｙ＋＋ＣＹ、”＋ｄＸ＋＋ｅ
Ｙ＋＋Ｌ”■Ｚｉ ＝ ａ ＸＩ”＋ ｂ ＸＩ Ｙ２
＋ ＣＹ２”＋ｄ ＸＩ＋ ｅ Ｙ２＋ｆ −■Ｚｅ
＝ ａＸｓ” ＋ ｂ Ｘｓ’Ｙｓ ＋ ＣＹ３”＋
ｄ Ｘ３＋ ｅＹ３＋ Ｌ＝■弐〇〜式［相］を最小
自家法で解き、係数ａ、ｂ。
Ｙ＋＋Ｌ”■Ｚｉ ＝ ａ ＸＩ”＋ ｂ ＸＩ Ｙ２
＋ ＣＹ２”＋ｄ ＸＩ＋ ｅ Ｙ２＋ｆ −■Ｚｅ
＝ ａＸｓ” ＋ ｂ Ｘｓ’Ｙｓ ＋ ＣＹ３”＋
ｄ Ｘ３＋ ｅＹ３＋ Ｌ＝■弐〇〜式［相］を最小
自家法で解き、係数ａ、ｂ。
ｃ、ｄ、ｅ、ｆを求め−る。
次に試料台を任意の位置（Ｘｎ、Ｙｎ）へ移動する場合
には（Ｘｎ、Ｙｎ）ｆ：■式に代入し、Ｚｎ ” ａ
Ｘｎ”＋ １）ＸｎＹｎ＋ＣＹｎ”＋ｄＸｎ＋ｅ ｆ
ｎ＋１・・・・・・ ■ のようＫしてＺｎ１ｚ求める。この値に基づいて、焦点
及び偏向ゲインの補正を行なう。
には（Ｘｎ、Ｙｎ）ｆ：■式に代入し、Ｚｎ ” ａ
Ｘｎ”＋ １）ＸｎＹｎ＋ＣＹｎ”＋ｄＸｎ＋ｅ ｆ
ｎ＋１・・・・・・ ■ のようＫしてＺｎ１ｚ求める。この値に基づいて、焦点
及び偏向ゲインの補正を行なう。
実際に補正係数を求めた結果は下記のようになった。
Ｚ＝−０，００１５Ｘ”＋０．０００６８ＸＹ＋０．０
００５７Ｙ”＋０．０１３Ｘ−０，００６３Ｙ＋１２
・川・・００式において、Ｘ、Ｙを■単位で代入す
ると、Ｚはμｍ単位で得られる。
００５７Ｙ”＋０．０１３Ｘ−０，００６３Ｙ＋１２
・川・・００式において、Ｘ、Ｙを■単位で代入す
ると、Ｚはμｍ単位で得られる。
本方式で求めたＺ値と、実際に各点毎に計測したＺ値の
差は１２８ｍ以下であり、１２８ｍ以下の高さ誤差は、
焦点補正の誤差が±１／１００μｍ以下、偏向ゲインの
誤差もｉ １／１００μｍ以下であり、十分精度が得ら
れていることが判明した。
差は１２８ｍ以下であり、１２８ｍ以下の高さ誤差は、
焦点補正の誤差が±１／１００μｍ以下、偏向ゲインの
誤差もｉ １／１００μｍ以下であり、十分精度が得ら
れていることが判明した。
したがって、本実施例によれば、試料台を予めほぼ試料
全域に移動する時間が５０＋ｍ当り約１秒で８回、計８
秒Ｚ計測の時間が１００ｍ５ｅｃｘ９回で約１秒、合計
９秒、コンピュータの計算時間を考慮しても１０秒以内
で十分補正式の計算が終了する。
全域に移動する時間が５０＋ｍ当り約１秒で８回、計８
秒Ｚ計測の時間が１００ｍ５ｅｃｘ９回で約１秒、合計
９秒、コンピュータの計算時間を考慮しても１０秒以内
で十分補正式の計算が終了する。
３ｍ移動時の■式の計算は１ｍ５ｅｃ 以下であり殆ど
無視士きる。従って本方式を用いれば、３公金の時間短
縮が可能である。
無視士きる。従って本方式を用いれば、３公金の時間短
縮が可能である。
また、ＩＣチップ等を描画する場合、各ＩＣチップの大
きさが一定しており、描画の位置が最初のＩＣチップの
描画位置がきまることによって、その中心座標がすぐに
わかるので全てのＩＣチップの補正値をあらかじめメモ
リに記憶しておき、描画毎に自動的に補正することも可
能である。このようにしても、前記実施例と同様の効果
を得ることができる。
きさが一定しており、描画の位置が最初のＩＣチップの
描画位置がきまることによって、その中心座標がすぐに
わかるので全てのＩＣチップの補正値をあらかじめメモ
リに記憶しておき、描画毎に自動的に補正することも可
能である。このようにしても、前記実施例と同様の効果
を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、品質を均一にし
、生産性を向上することができる。
、生産性を向上することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、第２図は高さ補正を
示す図、第３因は本実施例の補正による描画表面図であ
る。 １・・・電子銃、２・・・電子線、３，６・・・絞り、
４，７・・・電子レンズ、５・・・ブランカ−１８・・
・偏向器、９・・・ポジションセンサー、１０・・・焦
点補正コイル、１１ 、、、マス力 １９１ Ｑ、、、
＊＃！ｌノソイ １１．、。 光源、１５・・・モータ、１６・・・レーザ発振器、１
７゜工８・・・ハーフミラ−１１９・・・基準ミラー、
２０・・・計測ミラー、２１・・・受光器、２２・・・
ステージ、２３・・・コンピュータ、２４・・・偏向制
御系、２５・・・プランカー制御系、２６・・・高さ測
定系、２７・・・レーザ干渉測長計、２８・・・ステー
ジ駆動系、２９・・・焦点補正回路。
示す図、第３因は本実施例の補正による描画表面図であ
る。 １・・・電子銃、２・・・電子線、３，６・・・絞り、
４，７・・・電子レンズ、５・・・ブランカ−１８・・
・偏向器、９・・・ポジションセンサー、１０・・・焦
点補正コイル、１１ 、、、マス力 １９１ Ｑ、、、
＊＃！ｌノソイ １１．、。 光源、１５・・・モータ、１６・・・レーザ発振器、１
７゜工８・・・ハーフミラ−１１９・・・基準ミラー、
２０・・・計測ミラー、２１・・・受光器、２２・・・
ステージ、２３・・・コンピュータ、２４・・・偏向制
御系、２５・・・プランカー制御系、２６・・・高さ測
定系、２７・・・レーザ干渉測長計、２８・・・ステー
ジ駆動系、２９・・・焦点補正回路。
Claims (1)
- １、加速された電子ビームを電子レンズを用いて所望の
形状と電流密度に制御し、電子線感光剤を塗布した団体
表面上に、あらかじめ記憶された図形を作成する電子線
描画装置において、固体表面の高さを複数点で測定し、
該測定値と試料平面位置座標とから固体表面全体の高さ
を多項式近似して求め、描画位置における電子ビーム収
束、もしくは偏向条件の補正値とすることを特徴とする
電子線描画装置における試料面高さ補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15634884A JPS6134936A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 電子線描画装置における試料面高さ補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15634884A JPS6134936A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 電子線描画装置における試料面高さ補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134936A true JPS6134936A (ja) | 1986-02-19 |
Family
ID=15625793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15634884A Pending JPS6134936A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | 電子線描画装置における試料面高さ補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134936A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110732A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光における位置合わせ方法 |
| JPH01201919A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Jeol Ltd | 荷電ビーム描画装置 |
| JPH01283831A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Fujitsu Ltd | 荷電ビーム露光方法 |
| JPH0287516A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Toshiba Corp | 電子線描画装置の位置制御方法 |
| JPH03106015A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2007043152A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Asml Netherlands Bv | 基板歪測定 |
| JP2010021339A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Advantest Corp | 電子線描画装置 |
| JP2010192538A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
| US8610096B2 (en) | 2011-01-31 | 2013-12-17 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562632A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-12 | Philips Nv | Device for writing pattern |
| JPS5760205A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-12 | Jeol Ltd | Exposure be electron beam |
| JPS59107512A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビ−ムによるパタン描画方法および荷電ビ−ム露光装置 |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP15634884A patent/JPS6134936A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562632A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-12 | Philips Nv | Device for writing pattern |
| JPS5760205A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-12 | Jeol Ltd | Exposure be electron beam |
| JPS59107512A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビ−ムによるパタン描画方法および荷電ビ−ム露光装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110732A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-27 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光における位置合わせ方法 |
| JPH01201919A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Jeol Ltd | 荷電ビーム描画装置 |
| JPH01283831A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Fujitsu Ltd | 荷電ビーム露光方法 |
| JPH0287516A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Toshiba Corp | 電子線描画装置の位置制御方法 |
| JPH03106015A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP2007043152A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Asml Netherlands Bv | 基板歪測定 |
| JP4571601B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2010-10-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 基板歪測定 |
| JP2010021339A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Advantest Corp | 電子線描画装置 |
| JP2010192538A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
| US8614428B2 (en) | 2009-02-16 | 2013-12-24 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus |
| US8610096B2 (en) | 2011-01-31 | 2013-12-17 | Nuflare Technology, Inc. | Charged particle beam writing apparatus and method |
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