JP2000235251A - 露光パターンの補正方法、露光方法、露光装置、フォトマスクおよび半導体装置 - Google Patents

露光パターンの補正方法、露光方法、露光装置、フォトマスクおよび半導体装置

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JP2000235251A
JP2000235251A JP3790499A JP3790499A JP2000235251A JP 2000235251 A JP2000235251 A JP 2000235251A JP 3790499 A JP3790499 A JP 3790499A JP 3790499 A JP3790499 A JP 3790499A JP 2000235251 A JP2000235251 A JP 2000235251A
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serif
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Eiju Onuma
英寿 大沼
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Sony Corp
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 遮光膜パターンの光近接効果を補正するうえ
で必要な演算およびデータの処理を簡略にすることを目
的とする。 【解決手段】 レイアウト設計された露光パターン１を
構成している遮光膜パターン３５に関連したセリフ図形
３７を作成し、遮光膜パターン３５とセリフ図形３７を
図形演算してこの遮光膜パターン３５を補正してこの遮
光膜パターン３５により露光する際の光近接効果を補正
できるようにし、遮光膜パターン３５に対して光近接効
果補正をおこなう上で必要な演算処理を簡略にして、光
近接効果補正に要する処理時間を著しく短縮することが
できるようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光パターンの補
正方法、露光方法、露光装置、フォトマスクおよび半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】遮光膜パターンを有するフォトマスクを
用意する場合には、半導体デバイスの製造行程に先だっ
て、予め設計して用意してある遮光膜パターンを有する
露光パターンにかかわるＣＡＤ（computer-aided desig
n ）データを描画装置用のデータに変換し、この描画装
置でこのデータに忠実にパターニングしてこの遮光膜パ
ターンを有する露光パターンを作成する。そしてこの露
光パターンをガラス基板上に写真技術を使用して転写し
てこの露光パターンを有するフォトマスクを生成する。
【０００３】そして半導体デバイスの製造行程におい
て、このフォトマスク上のこの露光パターンを、いわゆ
るフォトリソグラフィ（fhotolithography）によるパタ
ーンの転写技術を使用して予め感光材薄膜が形成されて
いる半導体ウエーハ上に投影してこの感光材薄膜を露光
させ、現像して、半導体ウエーハにこの遮光膜の形状に
忠実に従ったレジストパターンを生成する。
【０００４】参考文献：哲学出版（株）発行「図解超Ｌ
ＳＩ光学」
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体デバイスの製造
プロセスにおけるこのフォトリソグラフィ行程では、こ
の露光に使用する光の波長近傍のパターン幅のレジスト
パターンを半導体ウエーハ上に形成するため、この露光
の際の光の干渉効果が顕著となり、その結果、この設計
時に用意したパターンと、このパターンを用いて先に説
明したようにして半導体ウエーハ上に生成したこのレジ
ストパターンとの間に寸法上の差異が生じる原因となる
光近接効果による欠陥が問題となっている。
【０００６】この光近接効果による欠陥は、繰り返し並
置して形成した複数のレジストラインパターンの間で発
生するこれらレジストパターンの間隔幅の拡大現象や、
孤立したレジストラインパターンの端部に生じるライン
端縮み等の現象として現れ、半導体デバイスの製造上に
おいて、ゲート線幅制御性劣化やアライメント上の合わ
せマージンの減少をもたらす問題が発生する恐れがあ
る。
【０００７】このような問題を持っている製造プロセス
により製造した半導体デバイスでは、トランジスタ特性
のばらつきが増大し、最終的に歩留まり低下となって半
導体チップの生産上著しい悪影響を与える恐れがある。
【０００８】この問題は、高集積性が要求される繰り返
しメモリーセル等の製造プロセス上において特に致命的
問題になることから、0.35μm ルールによる設計デザイ
ンによる製造プロセスで製造されるデバイス世代以降に
おいては、この露光に使用する光の露光波長近傍のパタ
ーン幅を半導体ウエーハ上に露光する必要がある為、光
強度シュミレーションベースの高精度な光近接効果自動
補正（optical proximity effect correction ；略称OP
C ）システムが開発されてきた。
【０００９】この光近接効果に起因する欠陥は、この0.
35μm ルールによる設計デザインに基づき半導体デバイ
スを生産する世代以降において、この繰り返しメモリー
セルの領域のみならずメモリー周辺回路の領域やゲート
アレイIC等のASIC(application specific IC) 系半導体
デバイスで生成した１チップランダム回路ICの領域で
も、この並置して形成したラインパターンの線幅のバラ
ツキやこの孤立したラインパターンの端部に生じるライ
ン端縮み等の現象として現れることが原因で、最終的に
歩留まり低下となって、これら半導体ICチップ生産上著
しい悪影響を与える問題がある。
【００１０】しかしながら、このようなランダム回路IC
において１チップの規模で形成されているランダムパタ
ーンにおけるこの光近接効果を補正する為に、この光強
度シュミレーションベースのOPC システムを適用した場
合、この補正データの計算上で膨大な計算時間を必要と
し、半導体チップの設計〜製造工程上のTAT （turn-aro
und time）の所要日数が増大するという悪い影響を及ぼ
す問題がある。
【００１１】例えば、数μm 角程度のセル単位毎のこの
補正は１０秒程度の所要時間であるが、半導体ICチップ
全体のこのセル単位の夫々のこの光近接効果に起因する
欠陥の補正を全て行う場合は数百日程度の所要日数を必
要とする。
【００１２】このような膨大な所要時間を必要とする問
題に対処する為の便宜的手法として、このICチップ全体
のうちの或る程度限られたパターン形状のみを、予め設
定したルールに基づいてこの欠陥の補正を行うルールベ
ース手法が知られているが、現状では、この欠陥の補正
を完全に満足できるレベルに至っていない。
【００１３】次に、図６Ａ，Ｂ、図７Ａ，Ｂ及び図８に
これらパターンの配列の祖密依存性に起因したこの光近
接効果の影響を光強度シュミレーションした結果と、従
来の方法でこの光近接効果の影響を受けたこれらパター
ンを補正した結果を光強度シュミレーションした結果の
例を示して説明する。
【００１４】図６Ａにおいて、１はこのフォトマスクに
形成された露光パターンで、露光パターン１は孤立した
遮光膜パターン部分３と、相互に平行して密に配列され
た遮光膜パターン部分５Ａ，５Ｂ及び５Ｃで構成されて
いる。
【００１５】そして、図６Ｂはこの図６Ａに示して説明
したパターン１を具備したフォトマスクを使用して半導
体ウエーハを露光してこの半導体ウエーハの表面に形成
したレジストパターン７を示し、このレジストパターン
７の内、３Ａは遮光膜パターン部分３に従って形成され
たレジストパターン、７Ａは遮光膜パターン部分５Ａに
従って形成されたレジストパターン、７Ｂは遮光膜パタ
ーン部分５Ｂに従って形成されたレジストパターンそし
て７Ｃは遮光膜パターン部分５Ｃに従って形成されたレ
ジストパターンである。
【００１６】図６Ｂにおいてレジストパターン部分７
Ａ，７Ｂ及び７Ｃの夫々に現れているように、これら各
レジストパターンの部分のパターン幅１０Ａ，１０Ｂ及
び１０Ｃが遮光膜パターン５Ａ，５Ｂ及び５Ｃ夫々の幅
９Ａ，９Ｂ及び９Ｃよりも狭く形成されていることが分
かる。即ち、これらパターン幅１０Ａ，１０Ｂ及び１０
Ｃは、この光近接効果の影響を受けたことに起因してレ
ジストパターン３Ａのレジストパターンパターン幅より
狭い幅で形成されてしまう問題がある。
【００１７】次に図６Ａ，Ｂに示して説明した各パター
ン幅の光近接効果に起因した縮みを光強度シュミレーシ
ョンした結果に基づいて遮光膜パターン５Ａ，５Ｂ及び
５Ｃ夫々の幅９Ａ，９Ｂ及び９Ｃを補正し、この補正し
たフォトマスクを使用して半導体ウエーハを露光して形
成したレジストパターンを光強度シュミレーションした
結果を図７Ａ，Ｂに示して説明する。
【００１８】図７Ａにおいて１１はこの補正したフォト
マスクの露光パターンで、この露光パターン１１は孤立
した遮光膜パターン部分１３と、相互に平行して密に配
列された遮光膜パターン部分１５Ａ，１５Ｂ及び１５Ｃ
で構成されている。
【００１９】そして、図７Ａに示した露光パターン１１
においては、図６Ａに示して説明した各パターンの光近
接効果に起因したこの縮みを光強度シュミレーションし
た結果に基づいて、孤立した遮光膜パターン部分１３の
パターン幅１３Ａを補正し、この遮光膜パターン部分１
３のパターン幅１３Ａを、相互に平行して密に配列され
た遮光膜パターン部分１５Ａ，１５Ｂ及び１５Ｃのパタ
ーン幅１９Ａ，１９Ｂおよび１９Ｃより狭くしている。
【００２０】そして、図７Ｂはこの図７Ａに示して説明
したパターン１１を具備したフォトマスクを使用して半
導体ウエーハを露光してこの半導体ウエーハの表面に形
成したレジストパターン１７を示し、このレジストパタ
ーン１７の内、１６Ａは遮光膜パターン部分１３に従っ
て形成されたレジストパターン、１７Ａは遮光膜パター
ン部分１５Ａに従って形成されたレジストパターン、１
７Ｂは遮光膜パターン部分１５Ｂに従って形成されたレ
ジストパターンそして１７Ｃは遮光膜パターン部分１５
Ｃに従って形成されたレジストパターンである。
【００２１】図７Ｂにおいてレジストパターン部分１７
Ａ，１７Ｂ及び１７Ｃの夫々にみられるように、この光
近接効果の影響を受けたことに起因して、これら各レジ
ストパターンの部分のパターン幅２０Ａ，２０Ｂ及び２
０Ｃが、遮光膜パターン１５Ａ，１５Ｂ及び１５Ｃ夫々
の幅１９Ａ，１９Ｂ及び１９Ｃよりも狭く形成される。
しかしながらこの光強度シュミレーションした結果に基
づいて遮光膜パターン部分１３のパターン幅１３Ａを補
正しているので、このパターン幅１６Ｂをパターン幅２
０Ｂと同等の幅に形成することができ、図６Ｂに示して
説明したような問題点を解決することができる。
【００２２】次に、図８の（１）に２７で示したパター
ンは、フォトマスク上に作られた孤立した遮光膜パター
ン、同図の（２）に２９Ａで示したパターンは、このフ
ォトマスク上に作られた孤立した遮光膜パターン２７を
半導体ウエーハに露光してこの半導体ウエーハの表面に
レジストパターンを形成した際に、この光近接効果の影
響を受けたことに起因してその端部に縮みを生じている
レジストパターンである。
【００２３】そして同図の（２）に１点鎖線２９で示し
たパターンは、この半導体ウエーハに露光してこの半導
体ウエーハの表面に形成したレジストパターンがこのよ
うに縮みを生じなかった場合に形成される筈であったと
仮定したレジストパターンである。
【００２４】そして同図の（３）に３１で示したパター
ンは、この縮みを光強度シュミレーションした結果に基
づいて、この孤立した遮光膜パターン部分２７の長手方
向のパターン幅２７Ａを伸ばす方向に補正したパターン
である。したがってこのパターン３１を半導体ウエーハ
に露光してこの半導体ウエーハの表面に形成したレジス
トパターンは、同図の（４）に示した如く、この１点鎖
線２９で示したパターンとその長さ方向が一致したパタ
ーン３３として生成することができる。
【００２５】しかしながら、これら従来の補正方法で
は、この露光に使用する光の露光波長近傍のサイズのパ
ターン幅を半導体ウエーハ上に露光する必要がある場合
に、これらパターンのエッジを分割し、フォトマスク上
に作られた遮光膜パターンをこの分割されたパターンの
エッジ毎にこの半導体ウエーハに対して露光して生成し
た半導体転写レジストパターンが、所望のパターン形状
として得られるように、この分割されたエッジ毎にバイ
アスをかけることによりこの補正をおこなうようにして
いる。
【００２６】なお、このバイアスをかける方法として
は、この分割したエッジ毎に図形パターンを読み取って
データ化し演算しこの補正データを得る方法、このエッ
ジ単位で移動して後にこれら移動したエッジの間を繋ぐ
方法によりこの補正データを得る方法等が提案されてい
る。
【００２７】しかしながら、これら周知の方法の何れを
使用するにしても、このフォトマスク上に作られた半導
体ウエーハあたりのパターン全部についてこの様な演算
を逐一実行しこの補正データを生成することは、その為
の処理時間が甚大になること、さらに、この演算により
生成したパターンデータの格納の為に大量のメモリを必
要とするため、このメモリ内容を他の大容量メモリ手段
に移し替えながらこの演算を行う必要がある等多大な時
間を必要とする問題があり、実用上許容できる範囲のＴ
ＡＴ内で演算処理を行ってこの補正データを得ることが
困難である問題がある。
【００２８】
【課題を解決する為の手段】本発明は、露光パターンの
補正方法において、レイアウト設計された露光パターン
に関するセリフ図形を作成し、これらレイアウト設計さ
れた露光パターンとセリフ図形を図形演算してこのレイ
アウト設計された露光パターンを補正することにより、
このレイアウト設計された露光パターンにより露光する
際の光近接効果を補正するようにして、この光近接効果
を補正する為の演算処理の敏速化を図った。
【００２９】また本発明は、露光方法において、レイア
ウト設計された露光パターンに関するセリフ図形を作成
し、これらレイアウト設計された露光パターンとセリフ
図形を図形演算してこのレイアウト設計された露光パタ
ーンを補正した露光パターンを得て露光パターンとして
使用することにより、この露光パターンの光近接効果を
補正する為の演算処理の敏速化を実現した。
【００３０】また本発明は、露光装置において、レイア
ウト設計された露光パターンに関するセリフ図形を作成
し、これらレイアウト設計された露光パターンとセリフ
図形を図形演算する手段によりこのレイアウト設計され
た露光パターンを補正して得た露光パターンを使用し
て、この露光装置の露光パターンの光近接効果を補正す
る為の演算処理の敏速化を実現した。
【００３１】また本発明は、露光パターンを有するフォ
トマスクにおいて、レイアウト設計されたこの露光パタ
ーンに関するセリフ図形を作成し、これらレイアウト設
計された露光パターンとセリフ図形を図形演算してこの
露光パターンの光近接効果を補正する手段により、露光
パターンの光近接効果を補正する為の演算処理を敏速化
したフォトマスクを実現した。
【００３２】また本発明は、レイアウト設計された露光
パターンに関するセリフ図形を作成し、これらレイアウ
ト設計された露光パターンとセリフ図形を図形演算して
このレイアウト設計された露光パターンを補正する手段
により、露光パターンの光近接効果を補正する為の演算
処理を敏速化した補正露光パターンを使用した半導体装
置を提供することを可能とした。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５を参照しながら
本発明の露光パターンの補正方法、露光方法、露光装
置、フォトマスクおよび半導体装置の実施の形態の一例
について図６〜図８と同一な部分には同一符号を付与し
て詳細な説明を省略して説明する。
【００３４】図１及び図２は遮光膜パターンにかかわる
データを忠実にパターニングし、フォトマスクに投射し
て、この遮光膜パターンを有する露光パターンを作成す
る描画装置の要部を示したブロック図である。
【００３５】図３Ａ，Ｂ，Ｃは、レイアウト設計された
露光パターン３５とセリフ図形３７を図形演算すること
によりこのレイアウト設計された露光パターン３５を補
正した露光パターン３６を得る手順を説明する為のパタ
ーン図、図４Ｄ，Ｅ，Ｆは、レイアウト設計された露光
パターン３５とセリフ図形３７を図形演算することによ
りこのレイアウト設計された露光パターン３５を補正し
た他の露光パターン３９を得る手順を説明する為のパタ
ーン図である。
【００３６】そして図５Ｇ，Ｈ，Ｉは、レイアウト設計
された露光パターン３５とセリフ図形４５Ｃを図形演算
することによりこのレイアウト設計された露光パターン
３５を補正した露光パターン４６を得る手順を説明する
為のパターン図である。
【００３７】先ず、露光パターンを使用して半導体ウエ
ーハを露光してレジストパターンを形成したとき、この
露光パターン側の遮光膜パターン３５のコーナ部３５Ａ
の外側部３５Ｂに相当するこのレジストパターン側の部
分に、光近接効果により形成される丸みを抑圧するよう
に遮光膜パターン３５を補正する場合の動作について、
図１，図３Ａ，Ｂ，Ｃを参照しながら説明する。
【００３８】図１に示したこの描画装置は、パターンデ
ータ入力部５０と、補正セリフ図形生成部５２と、補正
前図形とセリフ図形の演算部５４と、パターンデータ出
力部５６とよりなり、この入力部５０の出力側が補正セ
リフ図形生成部５２の入力側に接続され、この図形生成
部５２の出力側が補正前図形とセリフ図形の演算部５４
の入力側に接続され、この演算部５４の出力側がパター
ンデータ出力部５６の入力側に接続され、そしてこの入
力部５０の他の出力側がこの演算部５４の他の入力側に
接続されて構成されている。
【００３９】図３Ａ，Ｂ及びＣにおいて、３５はこのレ
イアウト設計された露光パターンに含まれている多数の
遮光膜パターン内の一例を示した遮光膜パターン、３７
はセリフ（serif ）図形のパターンである。またこの遮
光膜パターン３５は、この遮光膜パターン３５とこのセ
リフ図形３７を図形演算することによりこのレイアウト
設計された露光パターンを補正する前の遮光膜パターン
の形状を示し、この遮光膜パターン３５は全体として逆
Ｌ字状のパターンに形成されている。
【００４０】そしてこの遮光膜パターン３５のコーナ部
３５Ａの外側部３５Ｂに対応したこのレジストパターン
側の部分に光近接効果により形成される丸みを抑圧する
為に、図３Ｂに示す如くコーナ部３５Ａの内側部３５Ｃ
にこのセリフ図形３７を重ねた状態における遮光膜パタ
ーン３５の図形・位置データとセリフ図形３７の図形・
位置データを得て、この遮光膜パターン３５の図形・位
置データに対してこのセリフ図形３７の図形・位置デー
タが重なる部分を演算して得、そしてこの重なる部分を
遮光膜パターン３５の図形・位置データから切除する演
算をおこなうことにより、光近接効果を補正した図３Ｃ
に示した如き図形の遮光膜パターン３６を生成する。
【００４１】なお以下の説明においては、遮光膜パター
ン３５の図形・位置データをＡと表し、セリフ図形３７
の図形・位置データをＢと表したときに、この光近接効
果を補正した図形位置データを得る為のこれらの図形演
算を、A SUB B と表すものとする。
【００４２】次に、パターン３６を生成する動作を図１
を参照しながら説明する。
【００４３】補正前の遮光膜パターン３５のパターン・
位置データ５０Ａをパターンデータ入力部５０の出力側
から補正セリフ図形生成部５２に入力し、この図形生成
部５２において、セリフ図形３７を補正前の遮光膜パタ
ーン３５のコーナ部３５Ａの内側部３５Ｃの位置に合わ
せた状態におけるセリフ図形３７のセリフ図形・位置デ
ータ５２Ａを生成し、このデータ５２Ａを演算部５４に
入力する。
【００４４】そして、この演算部５４の他の入力側に、
補正前の遮光膜パターン３５の図形・位置データ５０Ａ
を入力し、演算部５４においてこのデータ５２Ａで表さ
れるパターン・位置データＡとこのデータ５０Ａで表さ
れるパターン・位置データＢの間のA SUB B を図形演算
し、パターン・位置データ５４Ａとして、図３Ｃに示し
た如き光近接効果を補正した遮光膜パターン３６を生成
する。
【００４５】そして、このパターン・位置データ５４Ａ
をパターンデータ出力部５６に供給し、パターンデータ
出力部５６でこのパターン・位置データ５４Ａに基づき
図３Ｃに示した如き図形の遮光膜パターン３６を具備し
た露光パターンデータを生成し、この露光パターンデー
タを電子ビームに変換し、この電子ビームにより図３Ｃ
に示した如き図形の露光パターンをフォトマスク上に生
成する。
【００４６】次に、露光パターンを使用して半導体ウエ
ーハを露光してレジストパターンを形成したときに、こ
の遮光膜パターン３５のコーナ部３５Ａの内側部３５Ｃ
に相当するこのレジストパターン側の部分に光近接効果
により形成される丸みを抑圧する場合の動作について、
図３Ａ，Ｂ，Ｃと同一な部分には同一符号を付与して詳
細な説明を省略して図１、図４Ｄ，Ｅ，Ｆを参照しなが
ら説明する。
【００４７】図４Ｄ，Ｅ，Ｆにおいて、３５はこのレイ
アウト設計された露光パターンに含まれる複数の遮光膜
パターン内の一例として示したこの補正前の遮光膜パタ
ーン、３７はセリフ図形のパターンである。
【００４８】そして図４Ｄ，Ｅ，Ｆに示した例では、こ
の遮光膜パターン３５のコーナ部３５Ａの内側部３５Ｃ
に対応したレジストパターン側の部分に光近接効果によ
って形成される丸みの抑圧を行う為に、このレジストパ
ターン側が受ける光近接効果を補正した図４Ｆに示した
如き図形の遮光膜パターン３９を具備した露光パターン
を生成するようにしたものである。
【００４９】次に、図４Ｆに示した如き遮光膜パターン
３９を生成する動作を図１を参照しながら説明する。
【００５０】この補正前の遮光膜パターン３５の図形・
位置データ５０Ａを、パターンデータ入力部５０の出力
側から補正セリフ図形生成部５２に入力し、この図形・
位置データ５０Ａにおける遮光膜パターン３５のコーナ
部３５Ａの外側部３５Ｂの位置においてセリフ図形３７
のセリフ図形・位置データ５２Ａを生成し、このデータ
５２Ａを演算部５４に入力する。
【００５１】そして、この演算部５４の他の入力側にこ
の補正前の遮光膜パターン３５の図形・位置データ５０
Ａを入力し、このセリフ図形・位置データ５２Ａとこの
補正前の遮光膜パターン３５の図形・位置データ５０Ａ
をこの演算部５４において論理ＯＲで図形演算してこの
補正前の遮光膜パターン３５の図形・位置データ５０Ａ
を補正し、露光する際の光近接効果を補正した図４Ｆに
示した図形の遮光膜パターン３９の図形・位置データ５
４Ａを生成する。
【００５２】そして、このデータ５４Ａをパターンデー
タ出力部５６に供給し、このデータを電子ビームに変換
し、フォトマスク上に図４Ｆに示した如き図形の遮光膜
パターン３９をこの電子ビームにより転写する。
【００５３】したがって、これら図１、図３Ａ，Ｂ，Ｃ
及び図４Ｄ，Ｅ，Ｆに示して説明した例によれば、この
遮光膜パターン３５のコーナ部３５Ａの内側部３５Ｃ及
び外側部３５Ｂに対応したレジストパターン側の部分
に、光近接効果に起因して丸みが形成される欠陥を敏速
に補正することができる。
【００５４】次に、この遮光膜パターン３５のコーナ部
３５Ａの外側部３５Ｂに対応したこのレジストパターン
側の部分に、光近接効果により形成される丸みを抑圧す
るようにする場合の他の例について、図２，図５Ｇ，
Ｈ，Ｉを参照しながら説明する。
【００５５】図２に示した描画装置は、パターンデータ
入力部５８と、パターンデータ反転部６０と、補正セリ
フ図形生成部６２と、パターンデータ変転部６４と、補
正前図形とセリフ図形の演算部６６と、パターンデータ
出力部６８とより構成される。
【００５６】そしてこの入力部５８の出力側がパターン
データ反転部６０及び補正前図形とセリフ図形の演算部
６６夫々の入力側に接続され、パターンデータ反転部６
０の出力側が補正セリフ図形生成部６２の入力側に接続
され、補正セリフ図形生成部６２の出力側がパターンデ
ータ変転部６４の入力側に接続され、パターンデータ変
転部６４の出力側が補正前図形とセリフ図形の演算部６
６の他の入力側に接続され、そしてこの演算部６６の出
力側がパターンデータ出力部６８の入力側に接続されて
構成されている。
【００５７】次にこの描画装置の動作について説明す
る。
【００５８】図５Ｇに示したこの補正前の遮光膜パター
ン３５の図形・位置データ５８Ａをパターンデータ反転
部６０に供給して反転し、図５Ｈに示した如き反転図形
４１の遮光膜パターン図形・位置データを出力６０Ａと
してパターンデータ反転部６０の出力側から得る。
【００５９】そしてこのデータ出力６０Ａを補正セリフ
図形生成部６２に供給し、図５Ｈに示した如くこの反転
図形の遮光膜パターン４１のコーナ部４５Ａの内側部４
５Ｃの位置においてこの遮光膜パターン４１と重なる部
分に位置させて得たセリフ図形の図形・位置データ６２
Ａを補正セリフ図形生成部６２において生成し、このデ
ータ６２Ａをパターンデータ変転部６４に供給し、この
データ６２Ａを変転して変転セリフ図形・位置データ６
４Ａを生成する。
【００６０】そして、この変転セリフ図形・位置データ
６４Ａを補正前図形とセリフ図形の演算部６６に供給
し、補正前の遮光膜パターン３５の図形・位置データ５
８Ａで表される画像領域とこの変転セリフ図形・位置デ
ータ６４Ａで表される画像領域をこの演算部６６におい
て論理ＯＲで図形演算し、図５Ｉに示した如く、露光す
る際の光近接効果を補正した遮光膜パターン４６の図形
・位置データ６６Ａを生成する。
【００６１】そして、この図形・位置データ６６Ａをパ
ターンデータ出力部６８に供給して電子ビームに変換
し、フォトマスク上に転写して図５Ｉに示した如き図３
Ｃのそれと同一図形の遮光膜パターンをフォトマスク上
に生成する。
【００６２】よって、図１、図３Ａ〜Ｃ及び図２、図５
Ｇ〜Ｉに示して説明した例では、露光する際の光近接効
果を補正した図形の遮光膜パターン４６を具備した露光
パターンデータ６６Ａを生成するうえでの演算処理にお
いて図１、図３Ａ〜Ｃに示して説明した如きA SUB B の
演算を行う必要がなく、論理ＯＲ演算によってこれら図
形・位置データ５４Ａ，６６Ａを生成することができ
る。
【００６３】よって図１、図４Ｄ〜Ｆ及び図２、図５Ｇ
〜Ｉに示して説明した例を組み合わせて、この遮光膜パ
ターン３５のコーナ部３５Ａの内側部３５Ｃ及び外側部
３５Ｂに対応したレジストパターン側の部分に形成され
るこれらの丸みを抑圧するために光近接効果を補正した
図形・位置データに応じた遮光膜パターンデータを得て
このデータを電子ビームに変換し、フォトマスク上に転
写して遮光膜パターンを生成する際に、この論理ＯＲデ
ータに応じてこの電子ビームのオンオフ状態を直接制御
し、この光近接効果を補正したこの遮光膜パターンデー
タをフォトマスク上に転写して遮光膜パターン３９，４
６を生成することができる。
【００６４】したがってこの制御方法によれば、これら
図形パターンをフォトマスク上に転写して描画を行って
いるこの描画装置の構成を簡素化することができ、かつ
光近接効果起因して丸みが形成される欠陥を敏速に補正
することができる。
【００６５】なお、補正前図形とセリフ図形の演算部５
４，６４の動作の実行は、遮光膜パターン全体の内で光
近接効果を補正する必要のある遮光膜パターンの全てに
ついて、これらセリフ図形・位置データ５２Ａ，６４Ａ
を得て後に一括して行う。
【００６６】また遮光膜パターン３５においてこの光近
接効果を補正する点はこの逆Ｌ字状の遮光膜パターンに
限定されることなく、この光近接効果の補正を必要とす
る形状の遮光膜パターンの全てに適用し得るものであ
る。
【００６７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体デバイスの製造
行程において、フォトマスク上に露光パターンを生成す
る際に、この露光パターンに対して光近接効果補正をお
こなう上で必要な演算およびこの演算に必要なデータの
処理を簡素化でき、光近接効果補正をおこなう為の処理
時間を著しく短縮することができ、特に集積度の高いＬ
ＳＩデバイスの生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の描画装置の要部を示したブロック図で
ある。
【図２】本発明の描画装置の要部を示した他のブロック
図である。
【図３】本発明による遮光膜のパターン図である。
【図４】本発明による遮光膜の他のパターン図である。
【図５】本発明による遮光膜の更に他のパターン図であ
る。
【図６】従来方法により生成した遮光膜及びレジストの
パターン図である。
【図７】従来方法により生成した遮光膜及びレジストの
他のパターン図である。
【図８】従来方法により生成した遮光膜及びレジストの
更に他のパターン図である。
【符号の説明】
１‥‥露光パターン、３５‥‥遮光膜パターン、セリフ
図形３７、５０‥‥パターンデータ入力部、５２‥‥補
正セリフ図形生成部、５４‥‥補正前図形セリフ図形の
演算部、５６‥‥パターンデータ出力部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 露光パターンの補正方法であって、レイ
    アウト設計された露光パターンに関するセリフ図形を作
    成し、前記レイアウト設計された露光パターンと前記セ
    リフ図形を図形演算することにより前記レイアウト設計
    された露光パターンを補正し、前記レイアウト設計され
    た露光パターンにより露光する際の光近接効果を補正す
    るようにしたことを特徴とする露光パターンの補正方
    法。
  2. 【請求項２】 露光パターンを用いた露光方法であっ
    て、レイアウト設計された露光パターンに関するセリフ
    図形を作成し、前記レイアウト設計された露光パターン
    と前記セリフ図形を図形演算することにより前記レイア
    ウト設計された露光パターンを補正し、前記レイアウト
    設計された露光パターンにより露光する際の光近接効果
    を補正した露光パターンを使用することを特徴とする露
    光方法。
  3. 【請求項３】 露光パターンを用いた露光装置であっ
    て、レイアウト設計された露光パターンに関するセリフ
    図形を作成し、前記レイアウト設計された露光パターン
    と前記セリフ図形を図形演算することにより前記レイア
    ウト設計された露光パターンを補正し、前記レイアウト
    設計された露光パターンにより露光する際の光近接効果
    を補正した露光パターンを使用することを特徴とする露
    光装置。
  4. 【請求項４】 露光パターンを具備したフォトマスクで
    あって、レイアウト設計された露光パターンに関するセ
    リフ図形を作成し、前記レイアウト設計された露光パタ
    ーンと前記セリフ図形を図形演算することにより前記レ
    イアウト設計された露光パターンを補正し、前記レイア
    ウト設計された露光パターンにより露光する際の光近接
    効果を補正した露光パターンを具備することを特徴とす
    るフォトマスク。
  5. 【請求項５】 半導体装置であって、レイアウト設計さ
    れた露光パターンに関するセリフ図形を作成し、前記レ
    イアウト設計された露光パターンと前記セリフ図形を図
    形演算することにより前記レイアウト設計された露光パ
    ターンを補正し、前記レイアウト設計された露光パター
    ンにより露光する際の光近接効果を補正した露光パター
    ンを使用して製造したことを特徴とする半導体装置。
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