JP2000235248A - リソグラフィ用データ補正装置及びその装置での処理をコンピュータにて行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レイアウト環境に応じた近接効果補正を行な
うことが可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供す
ることを第一の目的とし、近接効果補正によるデータ量
の増加を抑制することが可能なリソグラフィ用データ補
正装置を提供することを第二の目的とする。 【解決手段】 リソグラフィ用データに基づくマスクパ
ターンを所定の部分ごとに分割し（Ｓ１２０，Ｓ１３
０）、その部分の露光による劣化に基づいて補正値を決
定する第一補正値決定手段（Ｓ１５０）と、補正値をそ
の部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整する補正
値調整手段（Ｓ１６０，１７０）とを有することにより
上記課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ用デ
ータ補正装置に係り、特に、半導体集積回路のリソグラ
フィ用データの近接効果補正を行なうリソグラフィ用デ
ータ補正装置に関する。また、本発明は、そのようなリ
ソグラフィ用データ補正装置での処理をコンピュータに
行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】あらゆる産業分野に応用されるようにな
った半導体集積回路，いわゆるＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ），ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａ
ｌｅＩＣ）は、マイクロリソグラフィ（Ｍｉｃｒｏｌｉ
ｔｈｏｇｒａｐｈｙ）とフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒ
ｅｓｉｓｔ）の著しい進歩により更なる高集積化が進ん
でいる。

【０００３】このマイクロリソグラフィの分類は、微細
パターンを形成する装置の線源の種類に従って分けられ
ており、例えばフォトリソグラフィ，Ｘ線リソグラフ
ィ，電子線リソグラフィ，及びイオンビームリソグラフ
ィがある。ここでは、マイクロリソグラフィの一例とし
てフォトリソグラフィについて説明する。フォトリソグ
ラフィは光（可視，紫外，遠紫外光）を光源とする微細
加工法であり、半導体集積回路開発の初期から利用され
ている。フォトリソグラフィは、原図となるマスクパタ
ーンを介して光を照射することにより、レジストを露光
させてレジストパターンを生成している。

【０００４】ところで、ＬＳＩ等の高集積化に伴うマス
クパターンの微細化により、ＬＳＩ等の物理レイアウト
を精度良く描画することが困難となってきており、マス
クパターンの製造データを近接効果補正することが必要
となっている。ここで、近接効果補正とは、パターン幅
や近接するパターンとの距離等のレイアウト上のパラメ
ータにより発生すると予想されるマスクパターン寸法と
レジストパターン寸法との差を補正することを言う。

【０００５】この近接効果補正の方法としては、例えば
図１に示す方法がある。図１（Ａ）は、隣接マスクパタ
ーンとの距離に応じてマスクパターン幅を変化させる方
法である。図１（Ｂ）は、マスクパターンの頂点に矩形
を配設する方法である。また、図１（Ｃ）はマスクパタ
ーン間に解像しない程度のマスクパターンを配設する方
法である。以上、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）によって、マ
スクパターン形状が劣化するのを防いでいた。

【０００６】また、近接効果補正の他の方法としては、
例えばルールベース補正がある。ルールベース補正は、
マスクパターン幅や近接するマスクパターンとの距離等
のレイアウト上のパラメータを軸にとり、その補正量を
予め二次元，又は三次元のテーブルとして作成してお
く。このテ−ブルは、例えば図２に示すように作成され
る。

【０００７】図２のテーブルは、縦軸にマスクパターン
幅，横軸に近接するマスクパターンとの距離がパラメー
タとして選択されており、例えばマスクパターン幅が
０．２μｍ，近接するマスクパターンとの距離が０．２
５μｍである場合、その補正量は０．０１μｍである。
このように、ルールベース補正では、図２に示すような
テーブルに従ってマスクパターンの補正を行なってい
た。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
近接効果補正の方法は、レイアウト環境に応じて適切な
補正を行なうことができないという問題があった。例え
ば、図１（Ａ）の方法では、隣接マスクパターンとの距
離しか考慮していないため、レイアウト環境に応じて適
切な補正を行なうことができない。また、図１（Ｂ），
図１（Ｃ）の方法は、データ量が数倍から数十倍になる
という傾向があり、現在のＬＳＩの高集積化によってデ
ータ量がギガバイト単位になっている現状を考えると記
録媒体等への負担が大きく実用性に乏しい。さらに、レ
イアウト環境が異なる部分を近接効果補正することで、
過剰補正がおこり、マスクパターンにショートが生じる
可能性もあった。

【０００９】一方、ルールベース補正は、図１（Ｂ），
図１（Ｃ）と同様に、きめ細かい近接効果補正を行なう
ほど補正後のマスクパターンの形状が複雑になり、その
データ量が増大するという問題があった。このようなデ
ータ量の増加は、データの保存，転送等を困難にする。
また、マスクパターンの形状の複雑化に伴いデータの類
似部分が減少し、圧縮効率の低下が生じるという問題も
あった。

【００１０】本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
で、レイアウト環境に応じた近接効果補正を行なうこと
が可能なリソグラフィ用データ補正装置を提供すること
を第一の目的とする。また、近接効果補正によるデータ
量の増加を抑制することが可能なリソグラフィ用データ
補正装置を提供することを第二の目的とする。

【００１１】さらに、そのようなリソグラフィ用データ
補正装置での処理をコンピュータに行なわせるためのプ
ログラムを格納した記録媒体を提供することを第三の目
的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】そこで、上記課題を解決
するため、請求項１記載の本発明は、リソグラフィ用デ
ータを補正するリソグラフィ用データ補正装置におい
て、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターン
を所定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化
に基づいて補正値を決定する第一補正値決定手段と、前
記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて
調整する補正値調整手段とを有することを特徴とする。

【００１３】このように、マスクパターンを同様な形状
を有する部分に分割し、その部分の露光による劣化を予
想して補正値を決定することにより、適切な補正値を得
ることができる。また、その部分の周辺のレイアウト環
境に基づいて第一補正値決定手段により決定された補正
値を調整することにより、周辺のレイアウト環境により
露光による劣化の程度が異なることに対応することが可
能となる。したがって、最適な補正値を得ることが可能
となる。

【００１４】また、請求項２記載の本発明は、前記第一
補正値決定手段は、前記マスクパターンをライン補正す
る辺と先端補正する辺とに分類する辺判定手段と、前記
辺判定手段により先端補正する辺として分類された辺
を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の
辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手段
と、前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化
に応じた補正値が設定されている第一補正テーブルと、
前記第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第
一補正値選択手段とを有することを特徴とする。

【００１５】このように、辺判定手段によりマスクパタ
ーンの各辺をライン補正する辺と先端補正する辺とに分
類し、更に先端補正する辺を周辺レイアウト環境に基づ
いてＩ字型の辺とＴ字型の辺とに分類することにより、
各辺の特徴に応じて補正値を決定することが可能であ
る。また、各辺の特徴に応じた補正値を設定している第
一補正テーブルを有することにより最適な補正値を得る
ことが可能となる。

【００１６】特に、先端補正する辺として分類された辺
を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の
辺とＴ字型の辺とに分類することは、露光時の劣化の程
度の違いに対応することができ、パターンの短絡等を防
止することができる。また、請求項３記載の本発明は、
前記補正値調整手段は、前記決定された補正値に基づき
補正を行なった場合に前記マスクパターンの間隔が所定
の間隔以下となる辺を検出する過剰補正検出手段と、前
記検出された辺の補正を前記所定の間隔以上とし、その
間隔が変化しない方向に補正を行なう補正値変更手段と
を有することを特徴とする。

【００１７】このように、決定された補正値に基づきそ
のまま補正を行なった場合に、マスクパターン同士の間
隔が所定の間隔以下になる部分を検出して補正すること
で、、露光後にレジストパターンが短絡することを防止
することができる。また、請求項４記載の本発明は、前
記補正値変更手段は、前記検出された辺の補正により他
のマスクパターンと短絡する可能性を有する場合、前記
決定された補正値に変わりハンマーヘッドにより補正す
ることを特徴とする。

【００１８】このように、マスクパターンの補正の結
果、露光後にレジストパターンが短絡する可能性がある
補正部分をハンマーヘッドにより補正することにより、
レジストパターンの短絡を防止することができる。ま
た、請求項５記載の本発明は、リソグラフィ用データを
補正するリソグラフィ用データ補正装置において、設計
レイアウト用データからリソグラフィ用データに変換す
る際に発生する丸め計算誤差を補正する誤差補正手段
と、前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターン
を、そのマスクパターンの周辺のレイアウト環境に基づ
いて補正値を決定する第二補正値決定手段と、前記補正
値による補正のうち露光による劣化の補正に影響を与え
ない補正部分を調整する補正部分調整手段とを有するこ
とを特徴とする。

【００１９】このように、丸め計算誤差を補正し、決定
した補正値による補正部分のうち不要な補正部分を調整
することにより、補正後のマスクパターンデータの増加
を抑えることが可能となる。例えば、マスクパターンデ
ータは、ＬＳＩ等の高集積化に伴いそのデータ量は増加
の一途を辿っている。したがって、補正後のマスクパタ
ーンデータの増加を抑えることでデータ検証，転送，加
工等の工程を容易にすることができる。

【００２０】また、請求項６記載の本発明は、前記補正
部分調整手段は、前記補正値による補正のうち露光に影
響を与えない微細な補正部分を削除する微細補正部分削
除手段と、前記周辺のレイアウト環境により露光に影響
を与えない冗長な補正部分を削除する冗長補正部分削除
手段とを有することを特徴とする。このように、決定し
た補正値による補正部分のうち露光に影響を与えない微
細な補正部分，及び周辺のレイアウト環境により露光に
影響を与えない冗長な補正部分を削除することにより、
補正の効果を減少させることなく補正後のマスクパター
ンデータの増加を抑えることが可能となる。

【００２１】また、請求項７記載の本発明は、前記誤差
補正手段は、前記リソグラフィ用データに基づくマスク
パターンが構成する角度を４５度の倍角とすることを特
徴とする。このように、リソグラフィ用データに基づく
マスクパターンが構成する角度を４５度の倍角とするこ
とにより、丸め計算誤差を削除することが可能となる。
丸め計算誤差が無くなると、マスクパターンデータに類
似のデータ部分が多くなり、繰り返し処理による大幅な
データ圧縮が可能となる。したがって、補正後のマスク
パターンデータの増加を抑えることが可能となる。

【００２２】また、請求項８記載の本発明は、前記第二
補正値決定手段は、前記マスクパターンの幅及びそのマ
スクパターンと他のマスクパターンとの距離に基づい
て、そのマスクパターンの露光による劣化に応じた補正
値が設定されている第二補正テーブルと、前記第二補正
テーブルからマスクパターンの補正値を選択する第二補
正値選択手段とを有することを特徴とする。

【００２３】このように、マスクパターンの幅及びその
マスクパターンと他のマスクパターンとの距離に基づい
て補正値を設定している第二補正テーブルを有すること
により最適な補正値を得ることが可能となる。また、請
求項９記載の本発明は、リソグラフィ用データを補正す
るリソグラフィ用データ補正装置での処理を当該コンピ
ュータ装置に行なわせるためのプログラムを格納した記
録媒体において、前記リソグラフィ用データに基づくマ
スクパターンを所定の部分ごとに分割し、その部分の露
光による劣化に基づいて補正値を決定する第一補正値決
定手順と、前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環
境に基づいて調整する補正値調整手順とを有するプログ
ラムを格納するように構成される。

【００２４】また、請求項１０記載の本発明は、リソグ
ラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ補正装
置での処理を当該コンピュータ装置に行なわせるための
プログラムを格納した記録媒体において、設計レイアウ
ト用データからリソグラフィ用データに変換する際に発
生する丸め計算誤差を補正する誤差補正手順と、前記リ
ソグラフィ用データに基づくマスクパターンを、そのマ
スクパターンの周辺のレイアウト環境に基づいて補正値
を決定する第二補正値決定手順と、前記補正値による補
正のうち露光による劣化の補正に影響を与えない補正部
分を調整する補正部分調整手順とを有するプログラムを
格納するように構成される。

【００２５】なお、このプログラムを格納する記録媒体
は、ＣＤ−ＲＯＭ、フロッピーディスク、光磁気ディス
ク（ＭＯ）等の様に情報を磁気的に記録する磁気記録媒
体、ＲＯＭ、フラッシュメモリ等の様に情報を電気的に
記録する半導体メモリ等、様々のタイプの記録媒体を用
いることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面に
基づいて説明する。図３は、本発明のリソグラフィ用デ
ータ補正装置の一実施例の構成図を示す。図３のリソグ
ラフィ用データ補正装置１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１０，ＲＡＭ（Ｒ
ａｎｄａｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２，ＲＯ
Ｍ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）１４，及び外
部記憶装置１６を含む構成である。

【００２７】ＣＰＵ１０は、外部記憶装置１６からＬＳ
Ｉの設計レイアウトデータを読み出してＲＡＭ１２に書
き込み、その設計レイアウトデータをマスクパターンデ
ータを変換する。変換されたマスクパターンデータは、
後述するフローチャートにしたがって近接効果補正が行
われ、その後外部記憶装置１６に書き込まれる。本発明
の近接効果補正は、図４のフローチャートに示す手順に
従って行われる。図４は、本発明のリソグラフィ用デー
タ補正装置の処理を示す第一実施例のフローチャートを
示す。ステップＳ１００では、ＣＰＵ１０は設計レイア
ウトデータから生成されたマスクパターンデータを外部
記憶装置１６から読み出し、ＲＡＭ１２に書き込む。

【００２８】ステップＳ１１０では、図５に示すような
テーブルが外部記憶装置１６から読み出され、ＲＡＭ１
２に書き込まれる。また、テーブルはＲＯＭ１４から読
み出すことも可能である。図５のテーブルは、マスクパ
ターン幅の最小限界値，マスクパターン同士の最小限界
距離等の近接効果補正に必要な情報を示す先端補正パラ
メータ，後述するライン補正に利用するライン補正テー
ブル，Ｉ字補正に利用するＩ字補正テーブル，Ｔ字補正
に利用するＴ字補正テーブル，及びハンマーヘッド付加
に利用するハンマーヘッドテーブルを含む。

【００２９】ステップＳ１１０に続いてステップＳ１２
０に進み、マスクパターン幅を制御するためのライン補
正を行なう辺と、マスクパターンの先端部分を制御する
ための先端補正を行なう辺とを分類する。なお、そのラ
イン補正を行なう辺と先端補正を行なう辺との分類は、
例えば図６に示すレジストパターンの幅Ｘ及び長さＹの
比に従って分類することが可能である。この分類は、細
長いマスクパターンで特に生じる現象であるが、レジス
トを露光させてレジストパターンを生成する場合、その
長辺と短辺とでは劣化の程度が異なることに対応するも
のである。

【００３０】例えば、図７は細長いマスクパターンから
レジストパターンを生成した場合の劣化の様子を示す一
例の説明図を示す。図７のマスクパターンに基づいてレ
ジストを露光させてレジストパターンを生成した場合、
長辺部分は元のマスクパターンに比べて増加する方向に
劣化し、短辺部分に相当する先端部分は元のマスクパタ
ーンに比べて減少する方向に劣化している。したがっ
て、細長いマスクパターンの長辺部分と短辺部分，言い
換えればマスクパターンのライン補正を行なう辺と、先
端補正を行なう辺とを分類する。

【００３１】ステップＳ１２０に続いてステップＳ１３
０に進み、ステップＳ１２０にて分類した先端補正を行
なう辺を更にＩ字型とＴ字型とに分類する。この分類
は、マスクパターン同士の間隔が同じであってもレイア
ウト環境が異なると、レジストパターンを生成した場合
の劣化の程度が異なることに対応するものである。例え
ば、図８は異なるレイアウト環境でマスクパターンから
レジストパターンを生成する場合の一例の説明図を示
す。図８（Ａ）に示すレイアウト環境及び図８（Ｂ）に
示すレイアウト環境に同様の近接効果補正を行い、実際
にマスクパターンからレジストパターンを生成すると、
そのレイアウト環境の違いにより劣化の程度が異なる。

【００３２】具体的には、図８（Ａ）に示すレイアウト
環境の場合の方が劣化の程度が大きく、図８（Ｂ）に示
すレイアウト環境の場合の方は劣化の程度が小さいた
め、図８（Ａ）では適切に補正がされたとしても、図８
（Ｂ）では過剰補正によりショートする可能性が生じて
しまう。したがって、レイアウト環境の違いにより、図
９に示すようにＩ字型先端とＴ字型先端とに分類する。
図９は、Ｉ字型先端とＴ字型先端との一例の説明図を示
す。

【００３３】ステップＳ１３０に続いてステップＳ１４
０に進み、補正ルールに従ってマスクパターンの辺を分
割する。ステップＳ１４０に続いてステップＳ１５０に
進み、ステップＳ１４０にて分割された辺の補正値を、
図５に示すライン補正に利用するライン補正テーブル，
Ｉ字補正に利用するＩ字補正テーブル，Ｔ字補正に利用
するＴ字補正テーブルに従って決定する。なお、各テー
ブルに記載されている負の補正値は図面を縮小する補正
を示し、正の補正値は図面を拡大する補正を示してい
る。

【００３４】ステップＳ１５０に続いてステップＳ１６
０に進み、ステップＳ１５０にて決定された補正値で実
際に補正を行なうと解像限界を下回る距離になる部分を
検出する。ここで、解像限界とは、レチクルライタの解
像限界とレジストの露光解像限界とにより決定されるも
のであり、例えば図５に示す先端補正パラメータに設定
されている。

【００３５】これは、先端補正パラメータにも示すよう
に、Ｉ字型先端とＴ字型先端とではその解像限界が異な
り、そのままの補正値で補正を行なうとＴ字補正部分で
は過剰補正によりショートする可能性が生じてしまうこ
とに対応するための処理である。ステップＳ１６０に続
いてステップＳ１７０に進み、ステップＳ１６０にて検
出した部分の補正量を減少させ、図１０に示すようにそ
の減少分を補償するハンマーヘッドを付加する。図１０
は、ハンマーヘッドを付加する処理の一例の説明図を示
す。

【００３６】図１０のマスクパターンのＴ字型先端の部
分は、本来近接効果補正に従って決定された補正値によ
り補正パターン部分２０が補正される。しかし、この補
正値による補正ではマスクパターン同士の間隔が解像限
界を下回る距離になっており、そのままの補正値で補正
を行なうとＴ字補正部分では過剰補正によりショートす
る可能性が生じてしまう。したがって、近接効果補正に
従って決定された補正パターン部分２０の補正量を減少
させ、その減少分を補償するハンマーヘッド２１を付加
している。

【００３７】また、ステップＳ１７０では更に、補正前
のマスクパターンのＴ字型先端の部分であって、マスク
パターン同士の間隔が解像限界を下回る距離になってい
る部分についても図１１に示すようにＴ字型先端の部分
を後退させる方向に補正し、そのその減少分を補償する
ハンマーヘッド２１を付加している。ステップＳ１７０
に続いてステップＳ１８０に進み、ハンマーヘッドを付
加したことにより、そのハンマーヘッドとハンマーヘッ
ドに隣接するマスクパターンとの間隔が解像限界を下回
る距離になる部分を検出する。

【００３８】ステップＳ１８０に続いてステップＳ１９
０に進み、図１２に示すように、ステップＳ１８０にて
検出された部分のハンマーヘッドの幅を小さくして、そ
のハンマーヘッドとハンマーヘッドに隣接するマスクパ
ターンとの間隔が解像限界を下回る距離にならないよう
に補正を行なう。図１２は、ハンマーヘッドの幅を補正
する一例の説明図を示す。

【００３９】以上、図４のフローチャートに示すような
処理により、最適な近接効果補正が可能となる。次に、
本発明の他の実施例について図面に基づいて説明する。
この実施例は、図１３のフローチャートに示す手順に従
って行われる。図１３は、本発明のリソグラフィ用デー
タ補正装置の処理を示す第二実施例のフローチャートを
示す。

【００４０】ステップＳ２００では、設計レイアウトデ
ータをマスクパターンデータに変換する。一般に、設計
レイアウトデータはマスクパターンデータで表現できる
単位より細かい単位で設計されていることが多く、デー
タの変換のときに丸め計算誤差が発生する。図１４は、
丸め計算誤差が発生する原因の一例の説明図を示す。例
えば、図１４（Ａ）に示す設計レイアウトデータをマス
クパターンデータに変換する場合、その単位の違いによ
り図１４（Ｂ），図１４（Ｃ）のような丸め計算誤差が
発生するのは避けられない。

【００４１】しかし、この丸め計算誤差によるマスクパ
ターン形状のバラツキは、データ量を増大させる原因と
なる。図１５は、マスクパターン形状によるデータ量の
違いの一例の説明図を示す。例えば、図１５（Ａ）のよ
うに同一形状のマスクパターンであれば同一データの繰
り返しにより表現できるためデータ量は少ないが、図１
５（Ｂ）のようにマスクパターン形状にバラツキがある
と同一データの繰り返しによる表現ができないため、そ
のデータ量は増大する。

【００４２】そこで、ステップＳ２１０では、データの
変換時に生じる丸め計算誤差に基づくマスクパターン形
状のバラツキを補正により削除する。図１６は、マスク
パターン形状のバラツキを補正する一例の説明図を示
す。一般に、細かい単位から粗い単位への変換により生
じる丸め計算誤差は、１単位となる。また、設計レイア
ウトデータは、一般に４５度の倍角が使用されている。

【００４３】したがって、例えば図１６（Ａ），図１６
（Ｂ）の場合、頂点３０，３１の角度が４５度の倍角と
なるようにその位置を補正することにより、図１６
（Ｃ）に示すように丸め計算誤差をなくすことが可能で
ある。ステップＳ２１０に続いてステップＳ２２０に進
み、図２に示すようなテーブルに示される補正ルールに
従って近接効果補正が行われる。図１７は、近接効果補
正の一例の説明図を示す。図１７（Ａ）に示すようなマ
スクパターンを図２のテーブルに示す補正ルールに従っ
て近接効果補正すると、図１７（Ｂ）のようなマスクパ
ターンに補正される。

【００４４】具体的には、図１７（Ａ）のマスクパター
ンは、上側のマスクパターン３５，下側のマスクパター
ン３６より構成されており、マスクパターン３６のマス
クパターン３５に対向する辺は、そのマスクパターン幅
及びマスクパターン同士の距離により３つのレイアウト
環境３７，３８，及び３９が存在する。レイアウト環境
３７は、マスクパターン幅０．２μｍ，マスクパターン
同士の距離０．２５μｍであり、図２のテーブルから補
正量０．０１μｍが求まる。レイアウト環境３８は、マ
スクパターン幅０．２μｍ，マスクパターン同士の距離
が０．３μｍを超える距離であり、図２のテーブルから
補正量０．０３μｍが求まる。

【００４５】また、レイアウト環境３９は、マスクパタ
ーン幅０．６μｍ，マスクパターン同士の距離が０．３
μｍを超える距離であり、図２のテーブルから補正量０
μｍが求まる。したがって、図１７（Ａ）に示すような
マスクパターンは、図１７（Ｂ）のようなマスクパター
ンに補正される。しかし、図１７（Ｂ）の補正部分４２
のように微細な補正部分はレジストの露光解像限界等に
より、作成されるレジストパターンに反映されないこと
が予想される。一方、このような複雑で微細な部分が増
加すると、データ量の増加を生じるため問題となる。

【００４６】そこで、ステップＳ２２０に続いてステッ
プＳ２３０に進み、補正により作成されるレジストパタ
ーンに反映されないような複雑で微細な部分を削除する
補正を行なう。ステップＳ２３０の処理を行なうと、図
１７（Ｂ）のマスクパターンは、図１７（Ｃ）に示すよ
うな単純なマスクパターンとなる。ステップＳ２３０に
続いてステップＳ２４０に進み、ステップＳ２２０での
近接効果補正により作成されるマスクパターンから冗長
部分を削除する補正を行なう。図１８は、近接効果補正
の一例の説明図を示す。

【００４７】図１８（Ａ）に示すマスクパターンを近接
効果補正すると図１８（Ｂ）に示すように補正される。
図１８（Ｂ）の補正部分４５，４７は、そのマスクパタ
ーン幅及びマスクパターン同士の距離が同一であり、そ
の補正量は同一である。また、図１８（Ｂ）の補正部分
４６，４８は、そのマスクパターン幅及びマスクパター
ン同士の距離が同一であり、その補正量は同一である。

【００４８】しかし、実際に作成されるレジストパター
ンは、補正部分４５，４６が劣化する程度に比べて、補
正部分４７，４８が劣化しないことが確認されている。
したがって、劣化の程度が少ない補正部分を削除する補
正を行なう。ステップＳ２４０の処理を行なうと、図１
８（Ｃ）に示すようなマスクパターンとなる。ステップ
Ｓ２４０に続いてステップＳ２５０に進み、近接効果補
正後のマスクパターンデータを圧縮する。ステップＳ２
５０の圧縮処理は、既にマスクパターンのデータ量削減
のための処理をステップＳ２００〜ステップＳ２４０に
て行なっており、マスクパターンデータの大幅な圧縮が
可能である。

【００４９】以上、図４のフローチャートと図１３のフ
ローチャートを別々に説明したが、二つの処理を組み合
わせて行なうことは当然可能であり、効率的な近接効果
補正とデータ量削減が可能となる。なお、特許請求の範
囲に記載した第一補正値決定手段はステップＳ１２０〜
Ｓ１５０での処理に対応し、補正値調整手段はステップ
Ｓ１６０〜Ｓ１９０での処理に対応し、辺判定手段はス
テップＳ１２０での処理に対応し、レイアウト環境決定
手段はステップＳ１３０での処理に対応し、第一補正テ
ーブルは図５のテーブルに対応し、第一補正値選択手段
はステップＳ１５０での処理に対応し、過剰補正検出手
段はステップＳ１６０，Ｓ１８０での処理に対応し、補
正値変更手段はステップＳ１７０，Ｓ１９０での処理に
対応する。

【００５０】また、誤差補正手段はステップＳ２１０で
の処理に対応し、第二補正値決定手段はステップＳ２２
０での処理に対応し、補正部分調整手段はステップＳ２
３０〜Ｓ２４０での処理に対応し、微細補正部分削除手
段はステップＳ２３０での処理に対応し、冗長補正部分
削除手段はステップＳ２４０での処理に対応し、第二補
正テーブルは図２のテーブルに対応し、第二補正値選択
手段はステップＳ２２０での処理に対応する。

【００５１】

【発明の効果】上述の如く、請求項１記載の本発明によ
れば、マスクパターンを同様な形状を有する部分に分割
し、その部分の露光による劣化を予想して補正値を決定
することにより、適切な補正値を得ることができる。ま
た、その部分の周辺のレイアウト環境に基づいて第一補
正値決定手段により決定された補正値を調整することに
より、周辺のレイアウト環境により露光による劣化の程
度が異なることに対応することが可能となる。したがっ
て、最適な補正値を得ることが可能となる。

【００５２】また、請求項２記載の本発明によれば、辺
判定手段によりマスクパターンの各辺をライン補正する
辺と先端補正する辺とに分類し、更に先端補正する辺を
周辺レイアウト環境に基づいてＩ字型の辺とＴ字型の辺
とに分類することにより、各辺の特徴に応じて補正値を
決定することが可能である。また、各辺の特徴に応じた
補正値を設定している第一補正テーブルを有することに
より最適な補正値を得ることが可能となる。

【００５３】特に、先端補正する辺として分類された辺
を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型の
辺とＴ字型の辺とに分類することは、露光時の劣化の程
度の違いに対応することができ、パターンの短絡等を防
止することができる。また、請求項３記載の本発明によ
れば、決定された補正値に基づきそのまま補正を行なっ
た場合に、マスクパターン同士の間隔が所定の間隔以下
になる部分を検出して補正することで、、露光後にレジ
ストパターンが短絡することを防止することができる。

【００５４】また、請求項４記載の本発明によれば、マ
スクパターンの補正の結果、露光後にレジストパターン
が短絡する可能性がある補正部分をハンマーヘッドによ
り補正することにより、レジストパターンの短絡を防止
することができる。また、請求項５記載の本発明によれ
ば、丸め計算誤差を補正し、決定した補正値による補正
部分のうち不要な補正部分を調整することにより、補正
後のマスクパターンデータの増加を抑えることが可能と
なる。

【００５５】例えば、マスクパターンデータは、ＬＳＩ
等の高集積化に伴いそのデータ量は増加の一途を辿って
いる。したがって、補正後のマスクパターンデータの増
加を抑えることでデータ検証，転送，加工等の工程を容
易にすることができる。また、請求項６記載の本発明に
よれば、決定した補正値による補正部分のうち露光に影
響を与えない微細な補正部分，及び周辺のレイアウト環
境により露光に影響を与えない冗長な補正部分を削除す
ることにより、補正の効果を減少させることなく補正後
のマスクパターンデータの増加を抑えることが可能とな
る。

【００５６】また、請求項７記載の本発明によれば、リ
ソグラフィ用データに基づくマスクパターンが構成する
角度を４５度の倍角とすることにより、丸め計算誤差を
削除することが可能となる。丸め計算誤差が無くなる
と、マスクパターンデータに類似のデータ部分が多くな
り、繰り返し処理による大幅なデータ圧縮が可能とな
る。したがって、補正後のマスクパターンデータの増加
を抑えることが可能となる。

【００５７】また、請求項８記載の本発明によれば、マ
スクパターンの幅及びそのマスクパターンと他のマスク
パターンとの距離に基づいて補正値を設定している第二
補正テーブルを有することにより最適な補正値を得るこ
とが可能となる。また、請求項９記載の本発明によれ
ば、リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用デ
ータ補正装置での処理を当該コンピュータ装置に行なわ
せるためのプログラムを格納した記録媒体において、前
記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所定
の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基づ
いて補正値を決定する第一補正値決定手順と、前記補正
値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づいて調整す
る補正値調整手順とを有するプログラムを格納するよう
に構成される。

【００５８】また、請求項１０記載の本発明によれば、
リソグラフィ用データを補正するリソグラフィ用データ
補正装置での処理を当該コンピュータ装置に行なわせる
ためのプログラムを格納した記録媒体において、設計レ
イアウト用データからリソグラフィ用データに変換する
際に発生する丸め計算誤差を補正する誤差補正手順と、
前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを、
そのマスクパターンの周辺のレイアウト環境に基づいて
補正値を決定する第二補正値決定手順と、前記補正値に
よる補正のうち露光による劣化の補正に影響を与えない
補正部分を調整する補正部分調整手順とを有するプログ
ラムを格納するように構成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】近接効果補正の一例の説明図である。

【図２】ルールベース補正用テーブルの一例の説明図で
ある。

【図３】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の一実
施例の構成図である。

【図４】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処理
を示す第一実施例のフローチャートである。

【図５】補正ルールを示す一例のテーブルである。

【図６】先端補正及びライン補正の対象となる辺の一例
の説明図である。

【図７】細長いマスクパターンからレジストパターンを
生成した場合の劣化の様子を示す一例の説明図である。

【図８】異なるレイアウト環境でマスクパターンからレ
ジストパターンを生成する場合の一例の説明図である。

【図９】Ｉ字型先端とＴ字型先端との一例の説明図であ
る。

【図１０】ハンマーヘッドを付加する一例の説明図であ
る。

【図１１】ハンマーヘッドを付加する一例の説明図であ
る。

【図１２】ハンマーヘッドの幅を補正する一例の説明図
である。

【図１３】本発明のリソグラフィ用データ補正装置の処
理を示す第二実施例のフローチャートである。

【図１４】丸め計算誤差が発生する原因の一例の説明図
である。

【図１５】マスクパターン形状によるデータ量の違いの
一例の説明図である。

【図１６】マスクパターン形状のバラツキを補正する一
例の説明図である。

【図１７】近接効果補正の一例の説明図である。

【図１８】近接効果補正の一例の説明図である。

【符号の説明】

１ リソグラフィ用データ補正装置 １０ ＣＰＵ １２ ＲＡＭ １４ ＲＯＭ １６ 外部記憶装置 ２０ 補正パターン部分 ２１ ハンマーヘッド ３０，３１ 頂点 ３５，３６ マスクパターン ３７，３８，３９ レイアウト環境 ４２ 補正部分 ４５，４６，４７，４８ 補正部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 直理 修久 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 長谷川 秀明 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA01 BB02 BD04 BD31 5B046 AA08 BA04 FA04

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リソグラフィ用データを補正するリソグ
   ラフィ用データ補正装置において、 前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所
   定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基
   づいて補正値を決定する第一補正値決定手段と、 前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づい
   て調整する補正値調整手段とを有することを特徴とする
   リソグラフィ用データ補正装置。
2. 【請求項２】 前記第一補正値決定手段は、 前記マスクパターンをライン補正する辺と先端補正する
   辺とに分類する辺判定手段と、 前記辺判定手段により先端補正する辺として分類された
   辺を、その辺の周辺のレイアウト環境に基づいてＩ字型
   の辺とＴ字型の辺とに分類するレイアウト環境決定手段
   と、 前記分類された辺ごとに、その辺の露光による劣化に応
   じた補正値が設定されている第一補正テーブルと、 前記第一補正テーブルからその辺の補正値を選択する第
   一補正値選択手段とを有することを特徴とする請求項１
   記載のリソグラフィ用データ補正装置。
3. 【請求項３】 前記補正値調整手段は、 前記決定された補正値に基づき補正を行なった場合に前
   記マスクパターンの間隔が所定の間隔以下となる辺を検
   出する過剰補正検出手段と、 前記検出された辺の補正を前記所定の間隔以上とし、そ
   の間隔が変化しない方向に補正を行なう補正値変更手段
   とを有することを特徴とする請求項２記載のリソグラフ
   ィ用データ補正装置。
4. 【請求項４】 前記補正値変更手段は、 前記検出された辺の補正により他のマスクパターンと短
   絡する可能性を有する場合、前記決定された補正値に変
   わりハンマーヘッドにより補正することを特徴とする請
   求項３記載のリソグラフィ用データ補正装置。
5. 【請求項５】 リソグラフィ用データを補正するリソグ
   ラフィ用データ補正装置において、 設計レイアウト用データからリソグラフィ用データに変
   換する際に発生する丸め計算誤差を補正する誤差補正手
   段と、 前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを、
   そのマスクパターンの周辺のレイアウト環境に基づいて
   補正値を決定する第二補正値決定手段と、 前記補正値による補正のうち露光による劣化の補正に影
   響を与えない補正部分を調整する補正部分調整手段とを
   有することを特徴とするリソグラフィ用データ補正装
   置。
6. 【請求項６】 前記補正部分調整手段は、 前記補正値による補正のうち露光に影響を与えない微細
   な補正部分を削除する微細補正部分削除手段と、 前記周辺のレイアウト環境により露光に影響を与えない
   冗長な補正部分を削除する冗長補正部分削除手段とを有
   することを特徴とする請求項５記載のリソグラフィ用デ
   ータ補正装置。
7. 【請求項７】 前記誤差補正手段は、 前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンが構
   成する角度を４５度の倍角とすることを特徴とする請求
   項６記載のリソグラフィ用データ補正装置。
8. 【請求項８】 前記第二補正値決定手段は、 前記マスクパターンの幅及びそのマスクパターンと他の
   マスクパターンとの距離に基づいて、そのマスクパター
   ンの露光による劣化に応じた補正値が設定されている第
   二補正テーブルと、 前記第二補正テーブルからマスクパターンの補正値を選
   択する第二補正値選択手段とを有することを特徴とする
   請求項７記載のリソグラフィ用データ補正装置。
9. 【請求項９】 リソグラフィ用データを補正するリソグ
   ラフィ用データ補正装置での処理を当該コンピュータ装
   置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体に
   おいて、 前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを所
   定の部分ごとに分割し、その部分の露光による劣化に基
   づいて補正値を決定する第一補正値決定手順と、 前記補正値をその部分の周辺のレイアウト環境に基づい
   て調整する補正値調整手順とを有するプログラムを格納
   した記録媒体。
10. 【請求項１０】 リソグラフィ用データを補正するリソ
    グラフィ用データ補正装置での処理を当該コンピュータ
    装置に行なわせるためのプログラムを格納した記録媒体
    において、 設計レイアウト用データからリソグラフィ用データに変
    換する際に発生する丸め計算誤差を補正する誤差補正手
    順と、 前記リソグラフィ用データに基づくマスクパターンを、
    そのマスクパターンの周辺のレイアウト環境に基づいて
    補正値を決定する第二補正値決定手順と、 前記補正値による補正のうち露光による劣化の補正に影
    響を与えない補正部分を調整する補正部分調整手順とを
    有するプログラムを格納した記録媒体。