JPH10133358A - 露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光マスクおよび露光方法並びに半導体装置 - Google Patents
露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光マスクおよび露光方法並びに半導体装置Info
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- JPH10133358A JPH10133358A JP28621396A JP28621396A JPH10133358A JP H10133358 A JPH10133358 A JP H10133358A JP 28621396 A JP28621396 A JP 28621396A JP 28621396 A JP28621396 A JP 28621396A JP H10133358 A JPH10133358 A JP H10133358A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 163
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 113
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 109
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 80
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 29
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 図形数を増加せず高精度に露光パターンの補
正を行うこと。 【解決手段】 本発明は、リソグラフィー工程におい
て、所望の設計パターンＰに近い転写イメージが得られ
るように露光パターンを変形させる方法であり、所望の
設計パターンＰの外形線を所定のルールに基づいて分割
し、分割された各エッジＥに対して複数個の評価点Ｈを
付加する工程と、露光パターンの露光後のイメージをシ
ミュレーションによって算出し、各エッジＥの各評価点
Ｈと露光後のイメージの各評価点Ｈと対応する位置との
距離を各々算出する工程と、距離を所定の評価関数に入
力し、評価関数の出力値に基づき各エッジＥの位置を補
正して、補正後の露光パターンを決定する工程とから成
る。
正を行うこと。 【解決手段】 本発明は、リソグラフィー工程におい
て、所望の設計パターンＰに近い転写イメージが得られ
るように露光パターンを変形させる方法であり、所望の
設計パターンＰの外形線を所定のルールに基づいて分割
し、分割された各エッジＥに対して複数個の評価点Ｈを
付加する工程と、露光パターンの露光後のイメージをシ
ミュレーションによって算出し、各エッジＥの各評価点
Ｈと露光後のイメージの各評価点Ｈと対応する位置との
距離を各々算出する工程と、距離を所定の評価関数に入
力し、評価関数の出力値に基づき各エッジＥの位置を補
正して、補正後の露光パターンを決定する工程とから成
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等のリ
ソグラフィー工程おける露光パターンの補正方法および
露光パターンの補正装置および露光マスクおよび露光方
法並びに半導体装置に関する。
ソグラフィー工程おける露光パターンの補正方法および
露光パターンの補正装置および露光マスクおよび露光方
法並びに半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置等の製造において適用される
フォトリソグラフィー工程では、所望の設計パターンと
対応するマスクパターンを備えた露光マスクを用意し、
この露光マスクを介して光を照射することでレジスト材
料へ設計パターンを転写している。
フォトリソグラフィー工程では、所望の設計パターンと
対応するマスクパターンを備えた露光マスクを用意し、
この露光マスクを介して光を照射することでレジスト材
料へ設計パターンを転写している。
【０００３】近年、作成する半導体装置の微細化に伴っ
て設計ルールが微細化し、理論的な現像の限界付近での
リソグラフィープロセスが行われるようになってきた。
このため、解像度が不十分となり、マスクパターンと転
写されたレジストパターンとの乖離が問題となってきて
いる。
て設計ルールが微細化し、理論的な現像の限界付近での
リソグラフィープロセスが行われるようになってきた。
このため、解像度が不十分となり、マスクパターンと転
写されたレジストパターンとの乖離が問題となってきて
いる。
【０００４】この現象により、転写パターンの変形によ
るデバイス性能の劣化や、パターンのブリッジや断線に
よる歩留り低下といった問題が生じる。そこで、このよ
うな問題を回避するため、所望のレジストパターンを得
るためにカットアンドトライでマスクパターンを最適し
ている。
るデバイス性能の劣化や、パターンのブリッジや断線に
よる歩留り低下といった問題が生じる。そこで、このよ
うな問題を回避するため、所望のレジストパターンを得
るためにカットアンドトライでマスクパターンを最適し
ている。
【０００５】このマスクパターンの最適化としては、設
計パターンに対して複数の修飾パターンを付加すること
でマスクパターンの補正を行い、転写実験もしくはシミ
ュレーションによって転写パターンを求め、最も設計パ
ターンに近い転写パターンを得るよう修飾パターンを決
定するという処理が成されている。
計パターンに対して複数の修飾パターンを付加すること
でマスクパターンの補正を行い、転写実験もしくはシミ
ュレーションによって転写パターンを求め、最も設計パ
ターンに近い転写パターンを得るよう修飾パターンを決
定するという処理が成されている。
【０００６】しかし、カットアンドトライで最適なマス
クパターンを得る方法は膨大な時間と工数がかかる。こ
のため、限定されたパターンにしか適用できず、ＡＳＩ
Ｃのような不規則なパターンには適用できない。また、
カットアンドトライでは評価できるマスクパターンの数
に限りがあり、最適なマスクパターンを見逃す可能性も
ある。
クパターンを得る方法は膨大な時間と工数がかかる。こ
のため、限定されたパターンにしか適用できず、ＡＳＩ
Ｃのような不規則なパターンには適用できない。また、
カットアンドトライでは評価できるマスクパターンの数
に限りがあり、最適なマスクパターンを見逃す可能性も
ある。
【０００７】そこで、マスクパターンの最適化を計算機
上で自動で行うため、光近接効果補正技術が開発されて
いる。この光近接効果補正においては、入力された設計
パターンに対し、以下の操作を行うことでマスクパター
ンの補正を行っている。 （１）入力された設計パターンの辺を分割する。 （２）分割された各辺（エッジ）の中心に評価点を付加
する。 （３）評価点における転写イメージを求めるとともに、
この評価点と転写イメージの評価点と対応する位置との
ずれを求める。または、評価点におけるエネルギー強度
の所望の値とのずれを求める。 （４）各分割されたエッジを評価点における転写イメー
ジのずれが０となるようにエッジ位置を移動する。
上で自動で行うため、光近接効果補正技術が開発されて
いる。この光近接効果補正においては、入力された設計
パターンに対し、以下の操作を行うことでマスクパター
ンの補正を行っている。 （１）入力された設計パターンの辺を分割する。 （２）分割された各辺（エッジ）の中心に評価点を付加
する。 （３）評価点における転写イメージを求めるとともに、
この評価点と転写イメージの評価点と対応する位置との
ずれを求める。または、評価点におけるエネルギー強度
の所望の値とのずれを求める。 （４）各分割されたエッジを評価点における転写イメー
ジのずれが０となるようにエッジ位置を移動する。
【０００８】上記（１）〜（４）のうち（３）〜（４）
を計算機にて繰り返し行うことで、最適なマスクパター
ンを求めるようにしている。
を計算機にて繰り返し行うことで、最適なマスクパター
ンを求めるようにしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな自動光近接効果技術を用いてマスクパターンの補正
を行うには次のような問題がある。すなわち、評価点に
おけるずれ（エラー）を最小に追い込むに伴い、評価点
の付加されていない部分のエラーが大きくなってしま
い、全体としてのパターンのずれが大きくなってしま
う。
うな自動光近接効果技術を用いてマスクパターンの補正
を行うには次のような問題がある。すなわち、評価点に
おけるずれ（エラー）を最小に追い込むに伴い、評価点
の付加されていない部分のエラーが大きくなってしま
い、全体としてのパターンのずれが大きくなってしま
う。
【００１０】図３６は従来例によるマスクパターンの補
正例を示す図である。このように、図中×印で示される
評価点でのずれを最小にしようとした場合、設計パター
ンＰの形状によっては補正されたマスクパターンによる
転写イメージＩが設計パターンＰに対して大きく膨らん
でしまう部分が発生する。
正例を示す図である。このように、図中×印で示される
評価点でのずれを最小にしようとした場合、設計パター
ンＰの形状によっては補正されたマスクパターンによる
転写イメージＩが設計パターンＰに対して大きく膨らん
でしまう部分が発生する。
【００１１】そこで、設計パターンＰの分割数を増やし
て同時に評価点の間隔を小さくすることが考えられる
が、補正後のマスクパターンが複雑化してしまい、製造
が困難となったりマスクコストの増加を招いてしまう。
さらに、微細パターンの発生により欠陥検査が不可能と
なり、欠陥保証されたマスクの作成が不可能となる場合
もある。
て同時に評価点の間隔を小さくすることが考えられる
が、補正後のマスクパターンが複雑化してしまい、製造
が困難となったりマスクコストの増加を招いてしまう。
さらに、微細パターンの発生により欠陥検査が不可能と
なり、欠陥保証されたマスクの作成が不可能となる場合
もある。
【００１２】また、マスクパターンに対して不必要に段
差が生じることで、転写イメージのコントラストを低下
させるという問題も生じる。図３７（ａ）は設計パター
ンＰに対する転写イメージＩを示し、（ｂ）は設計パタ
ーンＰに補正パターンＰ’を付加した場合の転写イメー
ジＩを示している。（ａ）、（ｂ）ともに転写イメージ
Ｉは変わらないものの、（ｂ）のように補正パターン
Ｐ’が付加されていることによりパターン段差が拡大す
ると、転写イメージＩのコントラストが劣化し、結果と
して露光裕度が縮小してしまうという問題となる。
差が生じることで、転写イメージのコントラストを低下
させるという問題も生じる。図３７（ａ）は設計パター
ンＰに対する転写イメージＩを示し、（ｂ）は設計パタ
ーンＰに補正パターンＰ’を付加した場合の転写イメー
ジＩを示している。（ａ）、（ｂ）ともに転写イメージ
Ｉは変わらないものの、（ｂ）のように補正パターン
Ｐ’が付加されていることによりパターン段差が拡大す
ると、転写イメージＩのコントラストが劣化し、結果と
して露光裕度が縮小してしまうという問題となる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたものである。すなわち、本発
明の露光パターンの補正方法は、リソグラフィー工程に
おいて、所望の設計パターンに近い転写イメージが得ら
れるように露光パターンを変形させる方法であり、所望
の設計パターンの外形線を所定のルールに基づいて分割
し、分割された各辺に対して複数個の評価点を付加する
工程と、露光パターンの露光後のイメージをシミュレー
ションによって算出し、各辺の各評価点と露光後のイメ
ージの各評価点と対応する位置との距離を各々算出する
工程と、距離を所定の評価関数に入力し、評価関数の出
力値に基づき各辺の位置を補正して、補正後の露光パタ
ーンを決定する工程とから成るものである。
を解決するために成されたものである。すなわち、本発
明の露光パターンの補正方法は、リソグラフィー工程に
おいて、所望の設計パターンに近い転写イメージが得ら
れるように露光パターンを変形させる方法であり、所望
の設計パターンの外形線を所定のルールに基づいて分割
し、分割された各辺に対して複数個の評価点を付加する
工程と、露光パターンの露光後のイメージをシミュレー
ションによって算出し、各辺の各評価点と露光後のイメ
ージの各評価点と対応する位置との距離を各々算出する
工程と、距離を所定の評価関数に入力し、評価関数の出
力値に基づき各辺の位置を補正して、補正後の露光パタ
ーンを決定する工程とから成るものである。
【００１４】また、所望の設計パターンの外形線を所定
のルールに基づいて分割し、分割された各辺に対して複
数個の評価点を付加する工程と、露光パターンの露光後
の転写エネルギー強度をシミュレーションによって算出
する工程と、転写エネルギー強度を所定の評価関数に入
力し、この評価関数の出力値に基づき各辺の位置を補正
して、補正後の露光パターンを決定する工程とから成る
ものでもある。
のルールに基づいて分割し、分割された各辺に対して複
数個の評価点を付加する工程と、露光パターンの露光後
の転写エネルギー強度をシミュレーションによって算出
する工程と、転写エネルギー強度を所定の評価関数に入
力し、この評価関数の出力値に基づき各辺の位置を補正
して、補正後の露光パターンを決定する工程とから成る
ものでもある。
【００１５】さらに、本発明は、上記のような補正方法
によって露光パターンの補正を行う補正装置であり、上
記の補正方法を用いて形成されたマスクパターンを備え
ている露光用マスクでもあり、この露光用マスクを用い
て露光を行う露光方法でもあり、この露光用マスクを用
いてリソグラフィー加工を施し製造される半導体装置で
もある。
によって露光パターンの補正を行う補正装置であり、上
記の補正方法を用いて形成されたマスクパターンを備え
ている露光用マスクでもあり、この露光用マスクを用い
て露光を行う露光方法でもあり、この露光用マスクを用
いてリソグラフィー加工を施し製造される半導体装置で
もある。
【００１６】本発明では、設計パターンの外形線を分割
した各辺に対して複数個の評価点を付加しており、各評
価点と露光後のイメージの各評価点に対応する位置との
距離を算出しているため、一つの辺において複数の評価
点と露光イメージとの距離が複数算出でき、これらの値
から露光イメージが設計パターンに対してどのような傾
斜となっているかを判別できるようになる。また、この
距離を所定の評価関数に入力して露光パターンの補正量
を決定するため、設計パターンと露光後のイメージとの
合わせを最適化できるようになる。
した各辺に対して複数個の評価点を付加しており、各評
価点と露光後のイメージの各評価点に対応する位置との
距離を算出しているため、一つの辺において複数の評価
点と露光イメージとの距離が複数算出でき、これらの値
から露光イメージが設計パターンに対してどのような傾
斜となっているかを判別できるようになる。また、この
距離を所定の評価関数に入力して露光パターンの補正量
を決定するため、設計パターンと露光後のイメージとの
合わせを最適化できるようになる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図に
基づいて説明する。本実施形態における露光パターンの
補正方法は、所望の設計パターンに近い転写イメージが
得られるよう露光パターンを変形させる方法である。先
ず、本実施形態における露光パターンの補正方法の概要
を説明する。なお、以下で説明する各処理は、ワークス
テーション等の計算機上で行われるものである。
基づいて説明する。本実施形態における露光パターンの
補正方法は、所望の設計パターンに近い転写イメージが
得られるよう露光パターンを変形させる方法である。先
ず、本実施形態における露光パターンの補正方法の概要
を説明する。なお、以下で説明する各処理は、ワークス
テーション等の計算機上で行われるものである。
【００１８】初めに、図１に示すように設計パターンＰ
の外形線を分割してエッジＥを形成し、各エッジＥに対
して複数個の評価点Ｈを付加する。これらの評価点Ｈの
間隔を十分に小さくすることで評価点がない部分でのエ
ラーの見逃しを回避できるようになる。
の外形線を分割してエッジＥを形成し、各エッジＥに対
して複数個の評価点Ｈを付加する。これらの評価点Ｈの
間隔を十分に小さくすることで評価点がない部分でのエ
ラーの見逃しを回避できるようになる。
【００１９】次に、図２に示すように現段階での露光パ
ターンの転写イメージＩをシミュレーションによって算
出し、図中矢印で示すような距離すなわち各評価点Ｈと
その評価点Ｈに対応する転写イメージＩとの距離（エラ
ー）を算出する。
ターンの転写イメージＩをシミュレーションによって算
出し、図中矢印で示すような距離すなわち各評価点Ｈと
その評価点Ｈに対応する転写イメージＩとの距離（エラ
ー）を算出する。
【００２０】次いで、各評価点Ｈでの距離（エラー）に
基づき、エッジＥの両端以外で転写イメージＩのピーク
がある場合（転写イメージＩが凸型または凹型となる場
合）には、このピーク位置が設計パターンＰと合うよう
露光パターンへ補正（バイアス）を加える。例えば、図
２（ａ）においてはエッジＥの中央部分にある評価点Ｈ
がピークに対応しており、図２（ｂ）に示すように、こ
の評価点Ｈと対応する転写イメージＩのピークが設計パ
ターンＰと合うようバイアスを加える。
基づき、エッジＥの両端以外で転写イメージＩのピーク
がある場合（転写イメージＩが凸型または凹型となる場
合）には、このピーク位置が設計パターンＰと合うよう
露光パターンへ補正（バイアス）を加える。例えば、図
２（ａ）においてはエッジＥの中央部分にある評価点Ｈ
がピークに対応しており、図２（ｂ）に示すように、こ
の評価点Ｈと対応する転写イメージＩのピークが設計パ
ターンＰと合うようバイアスを加える。
【００２１】本実施形態では、このバイアス量を算出す
るにあたり、所定の評価関数を用いており、設計者の意
図に沿う自然な補正を加えられるようにしている。
るにあたり、所定の評価関数を用いており、設計者の意
図に沿う自然な補正を加えられるようにしている。
【００２２】また、各評価点Ｈでの距離（エラー）にお
いて、エッジＥの両端にピークがくる場合（転写イメー
ジＩが凸型または凹型ではない場合）には、転写イメー
ジＩの設計パターンＰと平行に近い部分が設計パターン
Ｐと一致するように露光パターンへバイアスを加える。
例えば、図３（ａ）に示す例では、エッジＥに対して図
中左端の評価点Ｈが転写イメージＩのピーク位置に対応
し、この部分が設計パターンＰと平行に近くなってい
る。したがって、図３（ｂ）に示すように、この部分が
設計パターンＰと一致するよう露光パターンへバイアス
を加える。
いて、エッジＥの両端にピークがくる場合（転写イメー
ジＩが凸型または凹型ではない場合）には、転写イメー
ジＩの設計パターンＰと平行に近い部分が設計パターン
Ｐと一致するように露光パターンへバイアスを加える。
例えば、図３（ａ）に示す例では、エッジＥに対して図
中左端の評価点Ｈが転写イメージＩのピーク位置に対応
し、この部分が設計パターンＰと平行に近くなってい
る。したがって、図３（ｂ）に示すように、この部分が
設計パターンＰと一致するよう露光パターンへバイアス
を加える。
【００２３】このバイアス量を算出する場合には、転写
イメージＩにおいて設計パターンＰと平行に近い部分の
エラーを重視するような所定の評価関数を用いており、
設計者の意図に沿う自然な補正を加えられるようにして
いる。
イメージＩにおいて設計パターンＰと平行に近い部分の
エラーを重視するような所定の評価関数を用いており、
設計者の意図に沿う自然な補正を加えられるようにして
いる。
【００２４】図４は補正例を示す図である。このように
設計パターンＰの外形線を分割し、分割によって得られ
る各エッジ内に複数の評価点Ｈ（図中×印）を付加す
る。そして、先に説明したように、所定の評価関数によ
って各エッジに補正（バイアス）を加えることで、設計
者の意図に合った自然な（不要に膨らみのない）転写イ
メージＩを得られるようになる。また、線幅の制御も的
確に行われることになる。
設計パターンＰの外形線を分割し、分割によって得られ
る各エッジ内に複数の評価点Ｈ（図中×印）を付加す
る。そして、先に説明したように、所定の評価関数によ
って各エッジに補正（バイアス）を加えることで、設計
者の意図に合った自然な（不要に膨らみのない）転写イ
メージＩを得られるようになる。また、線幅の制御も的
確に行われることになる。
【００２５】次に具体的な実施形態の説明を行う。図５
〜図１０は第１実施形態を説明する図である。第１実施
形態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコ
ンレイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、
σ＝０．６０の条件で露光する場合を例としている。
〜図１０は第１実施形態を説明する図である。第１実施
形態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコ
ンレイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、
σ＝０．６０の条件で露光する場合を例としている。
【００２６】図５は第１実施形態で適用する設計パター
ンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近い
転写パターンが得られるよう露光パターンを補正するこ
とになる。先ず、図６に示すように、設計パターンＰの
外形線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形成す
る。さらに、図７に示すように、この各エッジ内におい
て複数の評価点（図中×印）を付加する。
ンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近い
転写パターンが得られるよう露光パターンを補正するこ
とになる。先ず、図６に示すように、設計パターンＰの
外形線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形成す
る。さらに、図７に示すように、この各エッジ内におい
て複数の評価点（図中×印）を付加する。
【００２７】次に、この設計パターンＰそのままのマス
クをジャストフォーカスで転写した場合に得られる光強
度分布を求め、光強度の所定閾値においてスライスした
等高線を転写イメージとして求める。図８は、この転写
イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものであ
る。
クをジャストフォーカスで転写した場合に得られる光強
度分布を求め、光強度の所定閾値においてスライスした
等高線を転写イメージとして求める。図８は、この転写
イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものであ
る。
【００２８】次いで、各エッジに付加した全ての評価点
において、転写イメージＩの評価点と対応する位置との
ずれ量と、転写イメージＩの評価点と対応する位置での
傾きを求める。この際、転写イメージＩのずれ量を計測
する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向と
し、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
において、転写イメージＩの評価点と対応する位置との
ずれ量と、転写イメージＩの評価点と対応する位置での
傾きを求める。この際、転写イメージＩのずれ量を計測
する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向と
し、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
【００２９】ここで、各評価点に対応して得られるずれ
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
【００３０】次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
【００３１】 Ｂ＝−０．５・Σ（Ｅi ／Ｓi 2 ）／Σ（１／Ｓｉ2 ） ここでＥi はエッジにおけるｉ番目の評価点でのずれ
量、Ｓi はエッジにおけるｉ番目の評価点での傾きを示
す。
量、Ｓi はエッジにおけるｉ番目の評価点での傾きを示
す。
【００３２】なお、この式はエッジにおいて両端の評価
点に対応するずれ量にピークがある場合であり、各評価
点に対応した傾きが小さい（設計パターンＰに対して平
行に近い）ほどバイアスＢへの影響が強くなるよう設定
している。この式の傾きＳにかかるべき乗数を大きくす
ることで、この影響を強くすることができ、反対にべき
乗数を小さくすることで、この影響を弱くすることがで
きる。
点に対応するずれ量にピークがある場合であり、各評価
点に対応した傾きが小さい（設計パターンＰに対して平
行に近い）ほどバイアスＢへの影響が強くなるよう設定
している。この式の傾きＳにかかるべき乗数を大きくす
ることで、この影響を強くすることができ、反対にべき
乗数を小さくすることで、この影響を弱くすることがで
きる。
【００３３】また、この式における−０．５は所定定数
であり、「−」は、ずれ量と反対の方向へバイアスをか
けることを意味し、「０．５」は、一度の計算で行うバ
イアスの量を調整するための係数である。
であり、「−」は、ずれ量と反対の方向へバイアスをか
けることを意味し、「０．５」は、一度の計算で行うバ
イアスの量を調整するための係数である。
【００３４】一方、エッジの両端以外の評価点でずれ量
のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算
する。
のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算
する。
【００３５】Ｂ＝−０．５・Ｅp ここで、Ｅp はピークに対応した評価点でのずれ量を示
している。
している。
【００３６】この式では、エッジの両端以外の評価点で
ずれ量のピークがある場合には、そのピークと対応した
評価点で転写イメージＩと設計パターンＰとを合わせる
ようなバイアス量Ｂを算出している。
ずれ量のピークがある場合には、そのピークと対応した
評価点で転写イメージＩと設計パターンＰとを合わせる
ようなバイアス量Ｂを算出している。
【００３７】各エッジにおける転写イメージＩの傾き形
態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後
は、その各エッジに対応した露光パターンをそのバイア
ス量Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。な
お、この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位
置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最
適な露光パターンを得るようにする。
態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後
は、その各エッジに対応した露光パターンをそのバイア
ス量Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。な
お、この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位
置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最
適な露光パターンを得るようにする。
【００３８】図９はこのような計算によって得られた補
正後の露光パターンを示している。これをマスクパター
ンとして露光マスクに形成することで、図１０に示すよ
うな転写イメージＩを形成することができる。このよう
な補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの
縮みが、図８に示す補正前の転写イメージＩに比べて大
幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
正後の露光パターンを示している。これをマスクパター
ンとして露光マスクに形成することで、図１０に示すよ
うな転写イメージＩを形成することができる。このよう
な補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの
縮みが、図８に示す補正前の転写イメージＩに比べて大
幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
【００３９】また、コンタクトホールが形成される部分
の面積縮小も抑えられ、重ね合わせ裕度も向上してい
る。このようにして露光パターンを補正して露光用マス
クを形成することで、設計者の意図に合ったパターンを
形成することができ、またこの露光用マスクを利用した
露光で半導体装置を製造することにより、電気的特性の
良い製品を歩留り良く製造することができるようにな
る。
の面積縮小も抑えられ、重ね合わせ裕度も向上してい
る。このようにして露光パターンを補正して露光用マス
クを形成することで、設計者の意図に合ったパターンを
形成することができ、またこの露光用マスクを利用した
露光で半導体装置を製造することにより、電気的特性の
良い製品を歩留り良く製造することができるようにな
る。
【００４０】ここで、第１実施形態で適用した設計パタ
ーンを用いて、従来例と本実施形態との補正結果の比較
を行う。図１１は第１実施形態と同様な設計パターンＰ
の外形線を分割し、得られた各エッジの中央に評価点
（図中×印）を１つ付加した例である（従来例）。ま
た、図１２はこの評価点でのずれ量を最小にする補正を
加えた後のマスクパターンを示し、図１３は図１２のマ
スクパターンを用いた転写イメージを示している。
ーンを用いて、従来例と本実施形態との補正結果の比較
を行う。図１１は第１実施形態と同様な設計パターンＰ
の外形線を分割し、得られた各エッジの中央に評価点
（図中×印）を１つ付加した例である（従来例）。ま
た、図１２はこの評価点でのずれ量を最小にする補正を
加えた後のマスクパターンを示し、図１３は図１２のマ
スクパターンを用いた転写イメージを示している。
【００４１】従来例では、各エッジの１つしか評価点が
付加されないため、その評価点でのずれ量を小さくする
補正を進めるため、バイアス量Ｂとして以下の式を用い
ている。
付加されないため、その評価点でのずれ量を小さくする
補正を進めるため、バイアス量Ｂとして以下の式を用い
ている。
【００４２】Ｂ＝−０．５・Ｅ Ｅは評価点におけるずれ量
【００４３】このため、従来例では評価点の付加されて
いない部分のずれ量（エラー）は全く考慮されておら
ず、その結果、評価点でのずれ量は小さくなっているも
のの、図１３に示すように、その周辺のエッジ位置のず
れが悪化してしまう。
いない部分のずれ量（エラー）は全く考慮されておら
ず、その結果、評価点でのずれ量は小さくなっているも
のの、図１３に示すように、その周辺のエッジ位置のず
れが悪化してしまう。
【００４４】これに対し、第１実施形態の補正方法を適
用することで、図１０に示すように転写イメージＩは設
計パターンＰに対して不要にずれてしまう部分を抑制で
きるようになる。
用することで、図１０に示すように転写イメージＩは設
計パターンＰに対して不要にずれてしまう部分を抑制で
きるようになる。
【００４５】また、図１４は、図１１で適用した従来例
の補正方法に比べ、設計パターンＰを分割して得るエッ
ジの間隔を１／２にした場合である。図１５はこの各エ
ッジの中央に１つの評価点を付加した状態を示してい
る。また、図１６はこの評価点でのずれ量を最小とする
よう補正を加えた後の露光パターンを採用したマスクパ
ターンを示している。さらに、図１７は図１６で示すマ
スクパターンを用いた場合の転写イメージである。
の補正方法に比べ、設計パターンＰを分割して得るエッ
ジの間隔を１／２にした場合である。図１５はこの各エ
ッジの中央に１つの評価点を付加した状態を示してい
る。また、図１６はこの評価点でのずれ量を最小とする
よう補正を加えた後の露光パターンを採用したマスクパ
ターンを示している。さらに、図１７は図１６で示すマ
スクパターンを用いた場合の転写イメージである。
【００４６】このように、エッジ間隔を単に短くするだ
けでは、評価点の周辺の補正に悪影響が発生し、設計パ
ターンＰに対して転写イメージＩがはみ出る部分も発生
している。また、図１６に示すように、エッジ間隔を短
くするほどマスクパターンが複雑化し、マスク作成を困
難とする。
けでは、評価点の周辺の補正に悪影響が発生し、設計パ
ターンＰに対して転写イメージＩがはみ出る部分も発生
している。また、図１６に示すように、エッジ間隔を短
くするほどマスクパターンが複雑化し、マスク作成を困
難とする。
【００４７】これに対し、第１実施形態では、設計パタ
ーンＰに対する転写イメージＩの不要なはみ出しはな
く、またマスクパターンも複雑化しないというメリット
がある。
ーンＰに対する転写イメージＩの不要なはみ出しはな
く、またマスクパターンも複雑化しないというメリット
がある。
【００４８】次に第２実施形態の説明を行う。図１８〜
図２２は第２実施形態を説明する図である。第２実施形
態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコン
レイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、σ
＝０．６０の条件で露光する場合を例としている。
図２２は第２実施形態を説明する図である。第２実施形
態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコン
レイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、σ
＝０．６０の条件で露光する場合を例としている。
【００４９】図１８は第２実施形態で適用する設計パタ
ーンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近
い転写パターンが得られるよう露光パターンを補正する
ことになる。先ず、図１９に示すように、設計パターン
Ｐの外形線に所定のピッチで複数の評価点（図中×印）
を付加する。先に説明した第１実施形態では、初めに設
計パターンＰの外形を分割する際に、所定のピッチで分
割したが、第２実施形態では、エッジ分割を設計パター
ンＰの隅部（コーナー部）のみで行った点に特徴があ
る。
ーンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近
い転写パターンが得られるよう露光パターンを補正する
ことになる。先ず、図１９に示すように、設計パターン
Ｐの外形線に所定のピッチで複数の評価点（図中×印）
を付加する。先に説明した第１実施形態では、初めに設
計パターンＰの外形を分割する際に、所定のピッチで分
割したが、第２実施形態では、エッジ分割を設計パター
ンＰの隅部（コーナー部）のみで行った点に特徴があ
る。
【００５０】次に、この設計パターンＰそのままのマス
クをジャストフォーカスで転写した場合に得られる光強
度分布を求め、光強度の所定閾値においてスライスした
等高線を転写イメージとして求める。図２０は、この転
写イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものであ
る。ただし、この光強度の所定閾値は、図２０における
長さＬがパターンルールである０．２０μｍとなるよう
に設定されている。
クをジャストフォーカスで転写した場合に得られる光強
度分布を求め、光強度の所定閾値においてスライスした
等高線を転写イメージとして求める。図２０は、この転
写イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものであ
る。ただし、この光強度の所定閾値は、図２０における
長さＬがパターンルールである０．２０μｍとなるよう
に設定されている。
【００５１】次いで、全ての評価点において、転写イメ
ージＩの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメ
ージＩの評価点と対応する位置での傾きを求める。この
際、転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パタ
ーンＰの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰ
より外側方向を正方向とする。
ージＩの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメ
ージＩの評価点と対応する位置での傾きを求める。この
際、転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パタ
ーンＰの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰ
より外側方向を正方向とする。
【００５２】ここで、各評価点に対応して得られるずれ
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
【００５３】次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
【００５４】 Ｂ＝−０．５・Σ（Ｅi ／Ｓi 2 ）／Σ（１／Ｓｉ2 ） ここでＥi は設計パターンの外形線における隅部間での
ｉ番目の評価点でのずれ量、Ｓi は設計パターンの外形
線における隅部間でのｉ番目の評価点での傾きを示す。
ｉ番目の評価点でのずれ量、Ｓi は設計パターンの外形
線における隅部間でのｉ番目の評価点での傾きを示す。
【００５５】第２実施形態では、初めに設計パターンＰ
に対して分割を行っていないため、バイアスを加える単
位として、設計パターンの隅部間をエッジとして計算を
行い、そのエッジに対してバイアスを加えるようにして
いる。なお、上記の式は設計パターンの隅部間において
両端の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であ
り、各係数の意味は第１実施形態と同様である。
に対して分割を行っていないため、バイアスを加える単
位として、設計パターンの隅部間をエッジとして計算を
行い、そのエッジに対してバイアスを加えるようにして
いる。なお、上記の式は設計パターンの隅部間において
両端の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であ
り、各係数の意味は第１実施形態と同様である。
【００５６】また、エッジ（設計パターンの隅部間）の
両端以外の評価点でずれ量のピークがある場合は次の式
によってバイアス量を計算する。
両端以外の評価点でずれ量のピークがある場合は次の式
によってバイアス量を計算する。
【００５７】Ｂ＝−０．５・Ｅp ここで、Ｅp はピークに対応した評価点でのずれ量を示
している。この式における意味も第１実施形態と同様で
ある。
している。この式における意味も第１実施形態と同様で
ある。
【００５８】上記式によってバイアス量Ｂを計算した後
は、その各エッジ（設計パターンの隅部間）に対応した
露光パターンをそのバイアス量Ｂだけ移動させて補正後
の露光パターンを得る。なお、この補正後の露光パター
ンを得た後は、評価点の位置はそのままにして同様な計
算を適宜繰り返し行い、最適な露光パターンを得るよう
にする。
は、その各エッジ（設計パターンの隅部間）に対応した
露光パターンをそのバイアス量Ｂだけ移動させて補正後
の露光パターンを得る。なお、この補正後の露光パター
ンを得た後は、評価点の位置はそのままにして同様な計
算を適宜繰り返し行い、最適な露光パターンを得るよう
にする。
【００５９】図２１はこのような計算によって得られた
補正後の露光パターンを示している。これをマスクパタ
ーンとして露光マスクに形成することで、図２２に示す
ような転写イメージＩを形成することができる。このよ
うな補正により、設計パターンＰにおけるラインエンド
の縮みが、図２０に示す補正前の転写イメージＩに比べ
て大幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
補正後の露光パターンを示している。これをマスクパタ
ーンとして露光マスクに形成することで、図２２に示す
ような転写イメージＩを形成することができる。このよ
うな補正により、設計パターンＰにおけるラインエンド
の縮みが、図２０に示す補正前の転写イメージＩに比べ
て大幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
【００６０】また、第２実施形態での補正方法により、
補正前のマスクパターンに対して補正のための小さな補
正用パターンを付加する必要がなくなり、マスクパター
ン図形数を増加させることなく補正できるようになる。
これによって、マスクコストの増加を発生させずに良好
な転写イメージを得ることができるようになる。
補正前のマスクパターンに対して補正のための小さな補
正用パターンを付加する必要がなくなり、マスクパター
ン図形数を増加させることなく補正できるようになる。
これによって、マスクコストの増加を発生させずに良好
な転写イメージを得ることができるようになる。
【００６１】次に第３実施形態の説明を行う。図２３〜
図２９は第３実施形態を説明する図である。第３実施形
態では、０．１５μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコン
レイヤーを、加速電圧５０ｋＶの電子線描画装置で描画
する場合を例としている。
図２９は第３実施形態を説明する図である。第３実施形
態では、０．１５μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコン
レイヤーを、加速電圧５０ｋＶの電子線描画装置で描画
する場合を例としている。
【００６２】図２３は第３実施形態で適用する設計パタ
ーンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近
い転写パターンが得られるよう電子線描画装置による露
光（描画）パターンを補正することになる。先ず、図２
４に示すように、設計パターンＰの外形線を所定のピッ
チで分割し、複数のエッジを形成する。さらに、図２５
に示すように、この各エッジ内において複数の評価点
（図中×印）を付加する。
ーンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近
い転写パターンが得られるよう電子線描画装置による露
光（描画）パターンを補正することになる。先ず、図２
４に示すように、設計パターンＰの外形線を所定のピッ
チで分割し、複数のエッジを形成する。さらに、図２５
に示すように、この各エッジ内において複数の評価点
（図中×印）を付加する。
【００６３】次に、この設計パターンＰをそのままの描
画した場合のエネルギー強度分布を求め、所定閾値にお
いてスライスした等高線を転写イメージとして求める。
図２６は、この転写イメージＩを設計パターンＰに重ね
て示したものである。
画した場合のエネルギー強度分布を求め、所定閾値にお
いてスライスした等高線を転写イメージとして求める。
図２６は、この転写イメージＩを設計パターンＰに重ね
て示したものである。
【００６４】次いで、各エッジに付加した全ての評価点
において、エネルギー強度の等高線である転写イメージ
Ｉの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメージ
Ｉの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、
転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パターン
Ｐの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより
外側方向を正方向とする。
において、エネルギー強度の等高線である転写イメージ
Ｉの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメージ
Ｉの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、
転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パターン
Ｐの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより
外側方向を正方向とする。
【００６５】ここで、各評価点に対応して得られるずれ
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
【００６６】次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
【００６７】 Ｂ＝−０．５・Σ（Ｅi ／Ｓi 2 ）／Σ（１／Ｓｉ2 ） ここでＥi はエッジにおけるｉ番目の評価点でのずれ
量、Ｓi はエッジにおけるｉ番目の評価点での傾きを示
す。なお、この式は設計パターンの隅部間において両端
の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であり、
各係数の意味は第１実施形態と同様である。
量、Ｓi はエッジにおけるｉ番目の評価点での傾きを示
す。なお、この式は設計パターンの隅部間において両端
の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であり、
各係数の意味は第１実施形態と同様である。
【００６８】また、エッジの両端以外の評価点でずれ量
のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算
する。
のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算
する。
【００６９】Ｂ＝−０．５・Ｅp ここで、Ｅp はピークに対応した評価点でのずれ量を示
している。この式における意味も第１実施形態と同様で
ある。
している。この式における意味も第１実施形態と同様で
ある。
【００７０】各エッジにおける転写イメージＩの傾き形
態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後
は、その各エッジに対応した描画パターンをそのバイア
ス量Ｂだけ移動させて補正後の描画パターンを得る。な
お、この補正後の描画パターンを得た後は、評価点の位
置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最
適な描画パターンを得るようにする。
態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後
は、その各エッジに対応した描画パターンをそのバイア
ス量Ｂだけ移動させて補正後の描画パターンを得る。な
お、この補正後の描画パターンを得た後は、評価点の位
置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最
適な描画パターンを得るようにする。
【００７１】図２７はこのような計算によって得られた
補正後の描画パターンを示している。このような描画パ
ターンで描画を行うことにより、図２８に示すような転
写イメージＩを形成することができる。このような補正
により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが
図２６に示す補正前の転写イメージＩに比べて大幅に解
消され、設計パターンＰに近い転写イメージＩを得るこ
とができる。
補正後の描画パターンを示している。このような描画パ
ターンで描画を行うことにより、図２８に示すような転
写イメージＩを形成することができる。このような補正
により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが
図２６に示す補正前の転写イメージＩに比べて大幅に解
消され、設計パターンＰに近い転写イメージＩを得るこ
とができる。
【００７２】次に、電子線描画装置でこの補正後の描画
パターンでの直接描画を行う。図２９はこの描画パター
ンでの直接描画を行った際の転写イメージＩ’を、設計
パターンＰに重ねて表したものである。このように、電
子線描画を行う場合であっても上記のような描画（露
光）パターン補正を行うことにより、設計パターンＰに
近い転写イメージを得ることができ、高精度な描画を行
うことができるようになる。
パターンでの直接描画を行う。図２９はこの描画パター
ンでの直接描画を行った際の転写イメージＩ’を、設計
パターンＰに重ねて表したものである。このように、電
子線描画を行う場合であっても上記のような描画（露
光）パターン補正を行うことにより、設計パターンＰに
近い転写イメージを得ることができ、高精度な描画を行
うことができるようになる。
【００７３】また、第３実施形態における他の例とし
て、電子線描画装置でステンシルマスクを用いた一括露
光を行う場合を以下に説明する。第３実施形態の他の例
では、０．１５μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレ
イヤーを、加速電圧５０ｋＶの電子線描画装置で描画す
る際、ステンシルマスクパターンを用いる場合例として
いる。
て、電子線描画装置でステンシルマスクを用いた一括露
光を行う場合を以下に説明する。第３実施形態の他の例
では、０．１５μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレ
イヤーを、加速電圧５０ｋＶの電子線描画装置で描画す
る際、ステンシルマスクパターンを用いる場合例として
いる。
【００７４】図２３に示すように、この設計パターンＰ
にできるだけ近い転写パターンが得られるよう電子線描
画装置による露光（描画）パターンを補正することにな
る。先ず、図２４に示すように、設計パターンＰの外形
線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形成する。
さらに、図２５に示すように、この各エッジ内において
複数の評価点（図中×印）を付加する。
にできるだけ近い転写パターンが得られるよう電子線描
画装置による露光（描画）パターンを補正することにな
る。先ず、図２４に示すように、設計パターンＰの外形
線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形成する。
さらに、図２５に示すように、この各エッジ内において
複数の評価点（図中×印）を付加する。
【００７５】次に、この設計パターンＰをそのままの描
画した場合のエネルギー強度分布を求め、所定閾値にお
いてスライスした等高線を転写イメージとして求める。
図２６は、この転写イメージＩを設計パターンＰに重ね
て示したものである。
画した場合のエネルギー強度分布を求め、所定閾値にお
いてスライスした等高線を転写イメージとして求める。
図２６は、この転写イメージＩを設計パターンＰに重ね
て示したものである。
【００７６】次いで、各エッジに付加した全ての評価点
において、エネルギー強度の等高線である転写イメージ
Ｉの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメージ
Ｉの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、
転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パターン
Ｐの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより
外側方向を正方向とする。
において、エネルギー強度の等高線である転写イメージ
Ｉの評価点と対応する位置とのずれ量と、転写イメージ
Ｉの評価点と対応する位置での傾きを求める。この際、
転写イメージＩのずれ量を計測する方向は設計パターン
Ｐの線方向に対して垂直方向とし、設計パターンＰより
外側方向を正方向とする。
【００７７】ここで、各評価点に対応して得られるずれ
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
【００７８】次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
【００７９】 Ｂ＝−０．５・Σ（Ｅi ／Ｓi 2 ）／Σ（１／Ｓｉ2 ） ここでＥi はエッジにおけるｉ番目の評価点でのずれ
量、Ｓi はエッジにおけるｉ番目の評価点での傾きを示
す。なお、この式は設計パターンの隅部間において両端
の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であり、
各係数の意味は第１実施形態と同様である。
量、Ｓi はエッジにおけるｉ番目の評価点での傾きを示
す。なお、この式は設計パターンの隅部間において両端
の評価点に対応するずれ量にピークがある場合であり、
各係数の意味は第１実施形態と同様である。
【００８０】また、エッジの両端以外の評価点でずれ量
のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算
する。
のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算
する。
【００８１】Ｂ＝−０．５・Ｅp ここで、Ｅp はピークに対応した評価点でのずれ量を示
している。この式における意味も第１実施形態と同様で
ある。
している。この式における意味も第１実施形態と同様で
ある。
【００８２】各エッジにおける転写イメージＩの傾き形
態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後
は、その各エッジに対応した描画パターンをそのバイア
ス量Ｂだけ移動させて補正後の描画パターンを得る。な
お、この補正後の描画パターンを得た後は、評価点の位
置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最
適な描画パターンを得るようにする。
態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後
は、その各エッジに対応した描画パターンをそのバイア
ス量Ｂだけ移動させて補正後の描画パターンを得る。な
お、この補正後の描画パターンを得た後は、評価点の位
置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最
適な描画パターンを得るようにする。
【００８３】図２７はこのような計算によって得られた
補正後の描画パターンを示している。このような描画パ
ターンで描画を行うことにより、図２８に示すような転
写イメージＩを形成することができる。このような補正
により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが
図２６に示す補正前の転写イメージＩに比べて大幅に解
消され、設計パターンＰに近い転写イメージＩを得るこ
とができる。
補正後の描画パターンを示している。このような描画パ
ターンで描画を行うことにより、図２８に示すような転
写イメージＩを形成することができる。このような補正
により、設計パターンＰにおけるラインエンドの縮みが
図２６に示す補正前の転写イメージＩに比べて大幅に解
消され、設計パターンＰに近い転写イメージＩを得るこ
とができる。
【００８４】次に、この補正後の描画パターンをもつ電
子線描画装置のステンシルマスクを作成し、電子線描画
装置で一括露光を行う。図２９はこの描画パターンでの
直接描画を行った際の転写イメージＩ’を、設計パター
ンＰに重ねて表したものである。このように、電子線描
画を行う場合であってもステンシルマスク作成において
上記のような描画（露光）パターン補正を行うことによ
り、設計パターンＰに近い転写イメージを得ることがで
き、高スループットで高精度な描画を行うことができる
ようになる。
子線描画装置のステンシルマスクを作成し、電子線描画
装置で一括露光を行う。図２９はこの描画パターンでの
直接描画を行った際の転写イメージＩ’を、設計パター
ンＰに重ねて表したものである。このように、電子線描
画を行う場合であってもステンシルマスク作成において
上記のような描画（露光）パターン補正を行うことによ
り、設計パターンＰに近い転写イメージを得ることがで
き、高スループットで高精度な描画を行うことができる
ようになる。
【００８５】次に第４実施形態の説明を行う。図３０〜
３５は第４実施形態を説明する図である。第４実施形態
では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレ
イヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、σ＝
０．６０の条件で露光する場合を例としている。
３５は第４実施形態を説明する図である。第４実施形態
では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリコンレ
イヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、σ＝
０．６０の条件で露光する場合を例としている。
【００８６】図３０は第４実施形態で適用する設計パタ
ーンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近
い転写パターンが得られるよう露光パターンを補正する
ことになる。先ず、図３１に示すように、設計パターン
Ｐの外形線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形
成する。さらに、図３２に示すように、この各エッジ内
において複数の評価点（図中×印）を付加する。
ーンを示している。この設計パターンＰにできるだけ近
い転写パターンが得られるよう露光パターンを補正する
ことになる。先ず、図３１に示すように、設計パターン
Ｐの外形線を所定のピッチで分割し、複数のエッジを形
成する。さらに、図３２に示すように、この各エッジ内
において複数の評価点（図中×印）を付加する。
【００８７】次に、この設計パターンＰそままのマスク
で露光した場合の光強度を求め、図３２で示すラインの
長さＬがラインルールである０．２０μｍとなるよう光
強度の閾値を設定して、これによりスライスした光強度
の等高線を光強度イメージとして求める。図３３は、こ
の光強度イメージＣを設計パターンＰに重ねて示したも
のである。
で露光した場合の光強度を求め、図３２で示すラインの
長さＬがラインルールである０．２０μｍとなるよう光
強度の閾値を設定して、これによりスライスした光強度
の等高線を光強度イメージとして求める。図３３は、こ
の光強度イメージＣを設計パターンＰに重ねて示したも
のである。
【００８８】次いで、各エッジに付加した全ての評価点
において、光強度イメージＣの評価点と対応する位置と
のずれ量と、光強度イメージＣの評価点と対応する位置
での傾きを求める。この際、光強度イメージＣのずれ量
を計測する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直
方向とし、設計パターンＰより外側方向を正方向とす
る。
において、光強度イメージＣの評価点と対応する位置と
のずれ量と、光強度イメージＣの評価点と対応する位置
での傾きを求める。この際、光強度イメージＣのずれ量
を計測する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直
方向とし、設計パターンＰより外側方向を正方向とす
る。
【００８９】ここで、各評価点に対応して得られるずれ
量をＥ、各評価点に対応した光強度イメージＣの傾きを
Ｓとする。
量をＥ、各評価点に対応した光強度イメージＣの傾きを
Ｓとする。
【００９０】次に、得られたずれ量Ｅと傾きＳを以下の
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
式に代入し、分割されたエッジの補正量（バイアス量
Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光パターンに付
加される補正パターンの量である。
【００９１】 Ｂ＝０．１・Σ（Ｅi ／Ｓi 2 ）／Σ（１／Ｓｉ2 ） ここでＥi はエッジにおけるｉ番目の評価点での光強度
ずれ量（エラー）、Ｓi はエッジにおけるｉ番目の評価
点での光強度のエラーの傾きを示す。
ずれ量（エラー）、Ｓi はエッジにおけるｉ番目の評価
点での光強度のエラーの傾きを示す。
【００９２】なお、この式はエッジにおいて両端の評価
点に対応するずれ量にピークがある場合であり、各係数
の意味は第１実施形態と同様である。
点に対応するずれ量にピークがある場合であり、各係数
の意味は第１実施形態と同様である。
【００９３】一方、エッジの両端以外の評価点でずれ量
のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算
する。
のピークがある場合は次の式によってバイアス量を計算
する。
【００９４】Ｂ＝０．１・Ｅp ここで、Ｅp はピークに対応した評価点での光強度のず
れ量（エラー）を示している。この式における意味も第
１実施形態と同様である。
れ量（エラー）を示している。この式における意味も第
１実施形態と同様である。
【００９５】各エッジにおける光強度イメージＣの傾き
形態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後
は、その各エッジに対応した露光パターンをそのバイア
ス量Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。な
お、この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位
置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最
適な露光パターンを得るようにする。
形態に応じて上記式によってバイアス量Ｂを計算した後
は、その各エッジに対応した露光パターンをそのバイア
ス量Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。な
お、この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位
置はそのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最
適な露光パターンを得るようにする。
【００９６】図３４はこのような計算によって得られた
補正後の露光パターンを示している。これをマスクパタ
ーンとして露光マスクに形成することで、図３５に示す
ような転写イメージＩを形成することができる。このよ
うな補正により、設計パターンＰにおけるラインエンド
の縮みが大幅に解消され、ライン幅の制御も向上してい
る。
補正後の露光パターンを示している。これをマスクパタ
ーンとして露光マスクに形成することで、図３５に示す
ような転写イメージＩを形成することができる。このよ
うな補正により、設計パターンＰにおけるラインエンド
の縮みが大幅に解消され、ライン幅の制御も向上してい
る。
【００９７】また、コンタクトホールが形成される部分
の面積縮小も抑えられ、重ね合わせ裕度も向上してい
る。このようにして露光パターンを補正して露光用マス
クを形成することで、設計者の意図に合ったパターンを
形成することができ、またこの露光用マスクを利用した
露光で半導体装置を製造することにより、電気的特性の
良い製品を歩留り良く製造することができるようにな
る。
の面積縮小も抑えられ、重ね合わせ裕度も向上してい
る。このようにして露光パターンを補正して露光用マス
クを形成することで、設計者の意図に合ったパターンを
形成することができ、またこの露光用マスクを利用した
露光で半導体装置を製造することにより、電気的特性の
良い製品を歩留り良く製造することができるようにな
る。
【００９８】次に、第５実施形態の説明を行う。第５実
施形態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリ
コンレイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５
５、σ＝０．６０の条件で露光する場合を例とし、設計
パターンに対する転写イメージの傾きが０に近い（設計
パターンと平行に近い）評価点でのずれ量に所定定数を
掛けた値を補正量としている点に特徴がある。
施形態では、０．２０μｍルールのＳＲＡＭのポリシリ
コンレイヤーを、露光波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．５
５、σ＝０．６０の条件で露光する場合を例とし、設計
パターンに対する転写イメージの傾きが０に近い（設計
パターンと平行に近い）評価点でのずれ量に所定定数を
掛けた値を補正量としている点に特徴がある。
【００９９】すなわち、第５実施形態では、図５に示す
設計パターンＰにできるだけ近い転写パターンが得られ
るよう露光パターンを補正することになる。先ず、図６
に示すように、設計パターンＰの外形線を所定のピッチ
で分割し、複数のエッジを形成する。さらに、図７に示
すように、この各エッジ内において複数の評価点（図中
×印）を付加する。
設計パターンＰにできるだけ近い転写パターンが得られ
るよう露光パターンを補正することになる。先ず、図６
に示すように、設計パターンＰの外形線を所定のピッチ
で分割し、複数のエッジを形成する。さらに、図７に示
すように、この各エッジ内において複数の評価点（図中
×印）を付加する。
【０１００】次に、この設計パターンＰそのままのマス
クをジャストフォーカスで転写した場合に得られる光強
度分布を求め、光強度の所定閾値においてスライスした
等高線を転写イメージとして求める。図８は、この転写
イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものであ
る。
クをジャストフォーカスで転写した場合に得られる光強
度分布を求め、光強度の所定閾値においてスライスした
等高線を転写イメージとして求める。図８は、この転写
イメージＩを設計パターンＰに重ねて示したものであ
る。
【０１０１】次いで、各エッジに付加した全ての評価点
において、転写イメージＩの評価点と対応する位置との
ずれ量と、転写イメージＩの評価点と対応する位置での
傾きを求める。この際、転写イメージＩのずれ量を計測
する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向と
し、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
において、転写イメージＩの評価点と対応する位置との
ずれ量と、転写イメージＩの評価点と対応する位置での
傾きを求める。この際、転写イメージＩのずれ量を計測
する方向は設計パターンＰの線方向に対して垂直方向と
し、設計パターンＰより外側方向を正方向とする。
【０１０２】ここで、各評価点に対応して得られるずれ
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
量をＥ、各評価点に対応した転写イメージＩの傾きをＳ
とする。
【０１０３】こうして得られた転写イメージＩのずれ量
Ｅと、各評価点に対応した傾きＳとから、図３６に示す
フローチャートに沿って、各分割されたエッジにおける
エラー値Ｅ’を決定する。
Ｅと、各評価点に対応した傾きＳとから、図３６に示す
フローチャートに沿って、各分割されたエッジにおける
エラー値Ｅ’を決定する。
【０１０４】すなわち、先ず、各評価点におけるずれ量
Ｅを求め（ステップＳ１０１）、次にエッジの両端以外
の評価点に転写イメージＩのピークがあるか否かの判断
を行う（ステップＳ１０２）。エッジの両端以外の評価
点に転写イメージＩのピークがある場合、つまり転写イ
メージＩが凸型または凹型となっている場合、ステップ
Ｓ１０２の判断でＹｅｓとなり、そのピークでのずれ量
ＥをそのエッジのエラーＥ’とする（ステップＳ１０
３）。
Ｅを求め（ステップＳ１０１）、次にエッジの両端以外
の評価点に転写イメージＩのピークがあるか否かの判断
を行う（ステップＳ１０２）。エッジの両端以外の評価
点に転写イメージＩのピークがある場合、つまり転写イ
メージＩが凸型または凹型となっている場合、ステップ
Ｓ１０２の判断でＹｅｓとなり、そのピークでのずれ量
ＥをそのエッジのエラーＥ’とする（ステップＳ１０
３）。
【０１０５】一方、エッジの両端以外の評価点に転写イ
メージＩのピークがない場合、つまり転写イメージＩが
凸型や凹型となっていない場合、ステップＳ１０２の判
断でＮｏとなり、両端における転写イメージＩが設計パ
ターンＰに対して平行に近いか否かを判定する（ステッ
プＳ１０４）。
メージＩのピークがない場合、つまり転写イメージＩが
凸型や凹型となっていない場合、ステップＳ１０２の判
断でＮｏとなり、両端における転写イメージＩが設計パ
ターンＰに対して平行に近いか否かを判定する（ステッ
プＳ１０４）。
【０１０６】このステップＳ１０４では、各評価点に対
応する傾きＳが所定の値より小さいか否かを判定し、こ
の結果に基づいてステップＳ１０５〜Ｓ１０７のいずれ
かへ分岐していく。
応する傾きＳが所定の値より小さいか否かを判定し、こ
の結果に基づいてステップＳ１０５〜Ｓ１０７のいずれ
かへ分岐していく。
【０１０７】例えば、所定の値を１／４として、傾きＳ
との比較を行う。ここで、Ｓ＞１／４となる場合には転
写イメージＩの両端とも設計パターンＰに対して平行に
近くないと判定し（ステップＳ１０５）、そのエッジの
中心となる評価点でのずれ量Ｅを、そのエッジでのエラ
ーＥ’とする（ステップＳ１０９）。
との比較を行う。ここで、Ｓ＞１／４となる場合には転
写イメージＩの両端とも設計パターンＰに対して平行に
近くないと判定し（ステップＳ１０５）、そのエッジの
中心となる評価点でのずれ量Ｅを、そのエッジでのエラ
ーＥ’とする（ステップＳ１０９）。
【０１０８】また、各評価点のうち一方の端となる評価
点での傾きＳがＳ≦１／４となる場合には、転写イメー
ジＩの一方の端が設計パターンＰに対して平行に近いと
判定し（ステップＳ１０６）、そのエッジ端における評
価点でのずれ量ＥをそのエッジでのエラーＥ’とする
（ステップＳ１１０）。
点での傾きＳがＳ≦１／４となる場合には、転写イメー
ジＩの一方の端が設計パターンＰに対して平行に近いと
判定し（ステップＳ１０６）、そのエッジ端における評
価点でのずれ量ＥをそのエッジでのエラーＥ’とする
（ステップＳ１１０）。
【０１０９】また、各評価点のうち両端の評価点での傾
きＳが共にＳ≦１／４となる場合には、転写イメージＩ
の両端が設計パターンＰに対して平行に近いと判定し
（ステップＳ１０７）、この場合には、Ｓの値がより０
に近い方の端に対応する評価点を選択し（ステップＳ１
０８）、その評価点でのずれ量Ｅをそのエッジでのエラ
ーＥ’とする（ステップＳ１１０）。
きＳが共にＳ≦１／４となる場合には、転写イメージＩ
の両端が設計パターンＰに対して平行に近いと判定し
（ステップＳ１０７）、この場合には、Ｓの値がより０
に近い方の端に対応する評価点を選択し（ステップＳ１
０８）、その評価点でのずれ量Ｅをそのエッジでのエラ
ーＥ’とする（ステップＳ１１０）。
【０１１０】そして、このように転写イメージＩの傾き
Ｓに応じて決定した各エラーＥ’をそのエッジでのエラ
ーＥ’とし（ステップＳ１１１）、エラーＥ’の決定処
理を終了する。
Ｓに応じて決定した各エラーＥ’をそのエッジでのエラ
ーＥ’とし（ステップＳ１１１）、エラーＥ’の決定処
理を終了する。
【０１１１】エラーＥ’が決定した後は、そのエラー
Ｅ’を以下の式に代入し、分割されたエッジの補正量
（バイアス量Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光
パターンに付加される補正パターンの量である。
Ｅ’を以下の式に代入し、分割されたエッジの補正量
（バイアス量Ｂ）を算出する。このバイアス量Ｂが露光
パターンに付加される補正パターンの量である。
【０１１２】Ｂ＝−０．５・Ｅ’ なお、この式における−０．５は所定定数であり、
「−」は、ずれ量と反対の方向へバイアスをかけること
を意味し、「０．５」は、一度の計算で行うバイアスの
量を調整するための係数である。
「−」は、ずれ量と反対の方向へバイアスをかけること
を意味し、「０．５」は、一度の計算で行うバイアスの
量を調整するための係数である。
【０１１３】このようにバイアス量Ｂを計算した後は、
その各エッジに対応した露光パターンをそのバイアス量
Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。なお、
この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位置は
そのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最適な
露光パターンを得るようにする。
その各エッジに対応した露光パターンをそのバイアス量
Ｂだけ移動させて補正後の露光パターンを得る。なお、
この補正後の露光パターンを得た後は、評価点の位置は
そのままにして同様な計算を適宜繰り返し行い、最適な
露光パターンを得るようにする。
【０１１４】図９はこのような計算によって得られた補
正後の露光パターンを示している。これをマスクパター
ンとして露光マスクに形成することで、図１０に示すよ
うな転写イメージＩを形成することができる。このよう
な補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの
縮みが、図８に示す補正前の転写イメージＩに比べて大
幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
正後の露光パターンを示している。これをマスクパター
ンとして露光マスクに形成することで、図１０に示すよ
うな転写イメージＩを形成することができる。このよう
な補正により、設計パターンＰにおけるラインエンドの
縮みが、図８に示す補正前の転写イメージＩに比べて大
幅に解消され、ライン幅の制御も向上している。
【０１１５】また、コンタクトホールが形成される部分
の面積縮小も抑えられ、重ね合わせ裕度も向上してい
る。このようにして露光パターンを補正して露光用マス
クを形成することで、設計者の意図に合ったパターンを
形成することができ、またこの露光用マスクを利用した
露光で半導体装置を製造することにより、電気的特性の
良い製品を歩留り良く製造することができるようにな
る。
の面積縮小も抑えられ、重ね合わせ裕度も向上してい
る。このようにして露光パターンを補正して露光用マス
クを形成することで、設計者の意図に合ったパターンを
形成することができ、またこの露光用マスクを利用した
露光で半導体装置を製造することにより、電気的特性の
良い製品を歩留り良く製造することができるようにな
る。
【０１１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。すなわち、露光パターンの補正に
よって転写レジストイメージに不自然な歪みが発生する
ことを防止し、設計者の意図に沿った補正を自動的に行
うことが可能となる。また、露光パターンに付加する補
正パターンを不要に細かくすることがなくなり、転写強
度分布の傾きの劣化による露光裕度の減少を抑制できる
ようにな。これらによって、図形数増加を抑制しながら
より高精度な補正を行うことが可能となる。
のような効果がある。すなわち、露光パターンの補正に
よって転写レジストイメージに不自然な歪みが発生する
ことを防止し、設計者の意図に沿った補正を自動的に行
うことが可能となる。また、露光パターンに付加する補
正パターンを不要に細かくすることがなくなり、転写強
度分布の傾きの劣化による露光裕度の減少を抑制できる
ようにな。これらによって、図形数増加を抑制しながら
より高精度な補正を行うことが可能となる。
【図１】エッジと評価点とを示す図である。
【図２】補正形態を示す図（その１）である。
【図３】補正形態を示す図（その２）である。
【図４】補正例を示す図である。
【図５】第１実施形態を説明する図（その１）である。
【図６】第１実施形態を説明する図（その２）である。
【図７】第１実施形態を説明する図（その３）である。
【図８】第１実施形態を説明する図（その４）である。
【図９】第１実施形態を説明する図（その５）である。
【図１０】第１実施形態を説明する図（その６）であ
る。
る。
【図１１】第１の比較例を説明する図（その１）であ
る。
る。
【図１２】第１の比較例を説明する図（その２）であ
る。
る。
【図１３】第１の比較例を説明する図（その３）であ
る。
る。
【図１４】第２の比較例を説明する図（その１）であ
る。
る。
【図１５】第２の比較例を説明する図（その２）であ
る。
る。
【図１６】第２の比較例を説明する図（その３）であ
る。
る。
【図１７】第２の比較例を説明する図（その４）であ
る。
る。
【図１８】第２実施形態を説明する図（その１）であ
る。
る。
【図１９】第２実施形態を説明する図（その２）であ
る。
る。
【図２０】第２実施形態を説明する図（その３）であ
る。
る。
【図２１】第２実施形態を説明する図（その４）であ
る。
る。
【図２２】第２実施形態を説明する図（その５）であ
る。
る。
【図２３】第３実施形態を説明する図（その１）であ
る。
る。
【図２４】第３実施形態を説明する図（その２）であ
る。
る。
【図２５】第３実施形態を説明する図（その３）であ
る。
る。
【図２６】第３実施形態を説明する図（その４）であ
る。
る。
【図２７】第３実施形態を説明する図（その５）であ
る。
る。
【図２８】第３実施形態を説明する図（その６）であ
る。
る。
【図２９】第３実施形態を説明する図（その７）であ
る。
る。
【図３０】第４実施形態を説明する図（その１）であ
る。
る。
【図３１】第４実施形態を説明する図（その２）であ
る。
る。
【図３２】第４実施形態を説明する図（その３）であ
る。
る。
【図３３】第４実施形態を説明する図（その４）であ
る。
る。
【図３４】第４実施形態を説明する図（その５）であ
る。
る。
【図３５】第４実施形態を説明する図（その６）であ
る。
る。
【図３６】第５実施形態におけるエラーの決定フローチ
ャートである。
ャートである。
【図３７】従来の補正例を示す図（その１）である。
【図３８】従来の補正例を示す図（その２）である。
Ｅ エッジ Ｈ 評価点 Ｉ 転写イメージ Ｐ
設計パターン
設計パターン
Claims (19)
- 【請求項１】 リソグラフィー工程において、所望の設
計パターンに近い転写イメージが得られるように露光パ
ターンを変形させる露光パターンの補正方法であって、 前記所望の設計パターンの外形線を所定のルールに基づ
いて分割し、分割された各辺に対して複数個の評価点を
付加する工程と、 前記露光パターンの露光後のイメージをシミュレーショ
ンによって算出し、前記各辺の各評価点と該露光後のイ
メージの該各評価点と対応する位置との距離を各々算出
する工程と、 前記距離を所定の評価関数に入力し、該評価関数の出力
値に基づき前記各辺の位置を補正して、補正後の露光パ
ターンを決定する工程とを備えていることを特徴とする
露光パターンの補正方法。 - 【請求項２】 前記評価関数は、前記各評価点における
前記距離と所定係数との積の和を前記出力値とすること
を特徴とする請求項１記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項３】 前記設計パターンの外形線の分割を、該
外形線における隅部を境として行うことを特徴とする請
求項１記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項４】 一の辺に付加された前記複数の評価点の
うち、前記距離の最大値もしくは最小値が該複数の評価
点の両端以外の中にある場合、該最大値もしくは最少値
に所定定数を掛けた値を前記評価関数の出力値とするこ
とを特徴とする請求項１記載の露光パターンの補正方
法。 - 【請求項５】 一の辺に付加された前記複数の評価点の
うち、前記露光後のイメージの前記評価点における前記
設計パターンに対する傾きが０に近い評価点での前記距
離に所定定数をかけた値を前記評価関数の出力値とする
ことを特徴とする請求項１記載の露光パターンの補正方
法。 - 【請求項６】 前記所定係数において、前記露光後のイ
メージの前記評価点における前記設計パターンに対する
傾きの絶対値が大きくなるほど該所定係数を小さくし、
該傾きの絶対値が小さくなるほど該所定係数を大きくす
ることを特徴とする請求項２記載の露光パターンの補正
方法。 - 【請求項７】 前記所定係数を、前記露光後のイメージ
の前記評価点における前記設計パターンに対する傾きの
べき乗の絶対値と反比例するよう設定することを特徴と
する請求項２記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項８】 リソグラフィー工程において、所望の設
計パターンに近い転写イメージが得られるように露光パ
ターンを変形させる露光パターンの補正方法であって、 前記所望の設計パターンの外形線を所定のルールに基づ
いて分割し、分割された各辺に対して複数個の評価点を
付加する工程と、 前記露光パターンの露光後の転写エネルギー強度をシミ
ュレーションによって算出する工程と、 前記転写エネルギー強度を所定の評価関数に入力し、該
評価関数の出力値に基づき前記各辺の位置を補正して、
補正後の露光パターンを決定する工程とことを特徴とす
る露光パターンの補正方法。 - 【請求項９】 前記評価関数は、前記各評価点における
前記転写エネルギー強度と所定係数との積の和を前記出
力値とすることを特徴とする請求項８記載の露光パター
ンの補正方法。 - 【請求項１０】 前記設計パターンの外形線の分割を、
該外形線における隅部を境として行うことを特徴とする
請求項８記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項１１】 一の辺に付加された前記複数の評価点
のうち、前記転写エネルギー強度の最大値もしくは最小
値が該複数の評価点の両端以外の中にある場合、該最大
値もしくは最少値を前記評価関数の出力値とすることを
特徴とする請求項８記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項１２】 前記所定係数において、前記評価点に
おける前記転写エネルギー強度の傾きの絶対値が大きく
なるほど該所定係数を小さくし、該傾きの絶対値が小さ
くなるほど該所定係数を大きくすることを特徴とする請
求項９記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項１３】 前記所定係数を、前記評価点における
前記転写エネルギー強度の傾きのべき乗の絶対値と反比
例するよう設定することを特徴とする請求項９記載の露
光パターンの補正方法。 - 【請求項１４】 請求項１〜１３記載のうちいずれか１
項に記載の露光パターンの補正方法によって露光パター
ンの補正を行うことを特徴とする露光パターンの補正装
置。 - 【請求項１５】 請求項１〜１３記載のうちいずれか１
項に記載の露光パターンの補正方法を用いて形成された
マスクパターンを備えていることを特徴とする露光用マ
スク。 - 【請求項１６】 請求項１〜１３記載のうちいずれか１
項に記載の露光パターンの補正方法を用いて形成された
パターンを備えている露光用マスクを用いて露光を行う
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項１７】 請求項１〜１３記載のうちいずれか１
項に記載の露光パターンの補正方法を用いて形成された
露光パターンでの露光を行うことを特徴とする露光方
法。 - 【請求項１８】 請求項１〜１３記載のうちいずれか１
項に記載の露光パターンの補正方法を用いて形成された
パターンを備えている露光用マスクを用いて所定の露光
を行い、製造されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１９】 請求項１〜１３記載のうちいずれか１
項に記載の露光パターンの補正方法を用いて形成された
露光パターンにより所定の露光を行い、製造されている
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28621396A JP3551660B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光方法 |
| US08/957,925 US5991006A (en) | 1996-10-29 | 1997-10-27 | Method and apparatus for correcting exposure patterns, and exposure mask, method of exposing and semiconductor device |
| CA002219630A CA2219630A1 (en) | 1996-10-29 | 1997-10-28 | Method and apparatus for correcting exposure patterns, and exposure mask, method of exposing, and semiconductor device |
| KR1019970055516A KR19980033229A (ko) | 1996-10-29 | 1997-10-28 | 노광패턴의 보정방법 및 노광패턴의 보정장치, 및 노광마스크,노광방법, 및 반도체장치 |
| DE19747773A DE19747773A1 (de) | 1996-10-29 | 1997-10-29 | Verfahren und Vorrichtung zum Korrigieren von Belichtungsmustern und eine Belichtungsmaske, Verfahren zur Belichtung und Halbleitervorrichtung |
| TW086116044A TW486743B (en) | 1996-10-29 | 1997-10-29 | Method and apparatus for correcting exposure patterns, and exposure mask, method of exposing, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28621396A JP3551660B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10133358A true JPH10133358A (ja) | 1998-05-22 |
| JP3551660B2 JP3551660B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=17701446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28621396A Expired - Lifetime JP3551660B2 (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | 露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5991006A (ja) |
| JP (1) | JP3551660B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980033229A (ja) |
| CA (1) | CA2219630A1 (ja) |
| DE (1) | DE19747773A1 (ja) |
| TW (1) | TW486743B (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6869738B2 (en) | 2002-02-28 | 2005-03-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Mask pattern correction method |
| US6892375B2 (en) * | 1999-07-30 | 2005-05-10 | Fujitsu Limited | Data processing method and apparatus, reticle mask, exposing method and apparatus, and recording medium |
| JP2005316486A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Asml Masktools Bv | フォトリソグラフィ・システムを使用して印刷されるフィーチャのうねりを抑制するための、装置、方法、及びプログラム製品 |
| JP2005321679A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2006058464A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Toshiba Corp | パタン計測方法、パタン計測装置、フォトマスクの製造方法およびプログラム |
| JP2006085175A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Kla Tencor Technologies Corp | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
| KR100607779B1 (ko) | 2004-12-28 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조공정에서의 마스크 제작 방법 |
| JP2006523865A (ja) * | 2003-04-14 | 2006-10-19 | フォルティス・システムズ・インコーポレーテッド | 実効的近接効果補正方法論 |
| JP2008053565A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイスの製造方法、データ作成装置、データ作成方法、およびプログラム |
| US7353145B2 (en) | 2001-12-04 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for correcting a mask pattern, a computer program product, a method for producing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device |
| JP2008310333A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Brion Technologies Inc | 光近接効果補正のための多変数解法 |
| JP2009510517A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-12 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | 高密度ｏｐｃ |
| JP2009170743A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置のデータ作成方法、および電子線露光システム |
| JP2016063211A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | ステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法およびインプリント方法 |
| US10022748B2 (en) | 2014-09-12 | 2018-07-17 | Toshiba Memory Corporation | Stencil mask, stencil mask manufacturing method, and imprinting method |
Families Citing this family (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251550B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-06-26 | Ball Semiconductor, Inc. | Maskless photolithography system that digitally shifts mask data responsive to alignment data |
| JP4160203B2 (ja) * | 1998-07-23 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | マスクパターン補正方法及びマスクパターン補正プログラムを記録した記録媒体 |
| US6094256A (en) * | 1998-09-29 | 2000-07-25 | Nikon Precision Inc. | Method for forming a critical dimension test structure and its use |
| US6467076B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-10-15 | Nicolas Bailey Cobb | Method and apparatus for submicron IC design |
| US6492066B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-12-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Characterization and synthesis of OPC structures by fourier space analysis and/or wavelet transform expansion |
| US6187483B1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-02-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Mask quality measurements by fourier space analysis |
| US6301698B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for creating the sub-resolution phase shifting pattern for outrigger type phase shifting masks |
| US6584609B1 (en) | 2000-02-28 | 2003-06-24 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction |
| JP2001350250A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | パターン歪み補正装置、パターン歪み補正方法、およびパターン歪み補正プログラムを記録した記録媒体 |
| US6444373B1 (en) | 2000-06-16 | 2002-09-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Modification of mask layout data to improve mask fidelity |
| DE10044257A1 (de) * | 2000-09-07 | 2002-04-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Erzeugen von Masken-Layout-Daten für die Lithografiesimulation und von optimierten Masken-Layout-Daten sowie zugehörige Vorrichtung und Programme |
| US6539521B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-03-25 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects |
| US6453457B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-09-17 | Numerical Technologies, Inc. | Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout |
| US6792590B1 (en) * | 2000-09-29 | 2004-09-14 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of edges with projection points in a fabrication layout for correcting proximity effects |
| US6625801B1 (en) | 2000-09-29 | 2003-09-23 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects |
| JP2002122978A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Sony Corp | マスクデータの検証方法および検証プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| US6665856B1 (en) * | 2000-12-01 | 2003-12-16 | Numerical Technologies, Inc. | Displacing edge segments on a fabrication layout based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects |
| JP4460794B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2010-05-12 | 株式会社東芝 | 露光マスクのパターン補正方法、パターン形成方法およびプログラム |
| US6789237B1 (en) * | 2001-05-11 | 2004-09-07 | Northwestern University | Efficient model order reduction via multi-point moment matching |
| US6956659B2 (en) * | 2001-05-22 | 2005-10-18 | Nikon Precision Inc. | Measurement of critical dimensions of etched features |
| DE10133127C2 (de) * | 2001-07-07 | 2003-06-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske und Verfahren zum Optimieren eines Simulationsverfahrens |
| US6684382B2 (en) | 2001-08-31 | 2004-01-27 | Numerical Technologies, Inc. | Microloading effect correction |
| KR100506106B1 (ko) * | 2001-09-29 | 2005-08-05 | 가부시끼가이샤 도시바 | 마스크 패턴 작성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6670082B2 (en) | 2001-10-09 | 2003-12-30 | Numerical Technologies, Inc. | System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask |
| US6880135B2 (en) * | 2001-11-07 | 2005-04-12 | Synopsys, Inc. | Method of incorporating lens aberration information into various process flows |
| US6763514B2 (en) * | 2001-12-12 | 2004-07-13 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for controlling rippling during optical proximity correction |
| US6753115B2 (en) | 2001-12-20 | 2004-06-22 | Numerical Technologies, Inc. | Facilitating minimum spacing and/or width control optical proximity correction |
| US7293249B2 (en) * | 2002-01-31 | 2007-11-06 | Juan Andres Torres Robles | Contrast based resolution enhancement for photolithographic processing |
| US7386433B2 (en) * | 2002-03-15 | 2008-06-10 | Synopsys, Inc. | Using a suggested solution to speed up a process for simulating and correcting an integrated circuit layout |
| US6974653B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-12-13 | Nikon Precision Inc. | Methods for critical dimension and focus mapping using critical dimension test marks |
| US6687895B2 (en) | 2002-07-03 | 2004-02-03 | Numerical Technologies Inc. | Method and apparatus for reducing optical proximity correction output file size |
| JP2004047755A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp | 露光条件決定システム |
| US7000208B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-02-14 | Synopsys,Inc. | Repetition recognition using segments |
| US6792592B2 (en) | 2002-08-30 | 2004-09-14 | Numerical Technologies, Inc. | Considering mask writer properties during the optical proximity correction process |
| US6807663B2 (en) | 2002-09-23 | 2004-10-19 | Numerical Technologies, Inc. | Accelerated layout processing using OPC pre-processing |
| US6928635B2 (en) | 2002-09-25 | 2005-08-09 | Numerical Technologies, Inc. | Selectively applying resolution enhancement techniques to improve performance and manufacturing cost of integrated circuits |
| US7172838B2 (en) * | 2002-09-27 | 2007-02-06 | Wilhelm Maurer | Chromeless phase mask layout generation |
| US6794096B2 (en) * | 2002-10-09 | 2004-09-21 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shifting mask topography effect correction based on near-field image properties |
| JP4335563B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-09-30 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | マスクパターン検証方法、マスクパターン検証用プログラム、及びマスク製造方法 |
| JP2005181663A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | マスクパターンの修正方法 |
| US7861207B2 (en) | 2004-02-25 | 2010-12-28 | Mentor Graphics Corporation | Fragmentation point and simulation site adjustment for resolution enhancement techniques |
| WO2005111874A2 (en) | 2004-05-07 | 2005-11-24 | Mentor Graphics Corporation | Integrated circuit layout design methodology with process variation bands |
| US7240305B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-07-03 | Lippincott George P | OPC conflict identification and edge priority system |
| US7507661B2 (en) * | 2004-08-11 | 2009-03-24 | Spansion Llc | Method of forming narrowly spaced flash memory contact openings and lithography masks |
| US7546558B2 (en) * | 2004-09-29 | 2009-06-09 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for determining a process model that uses feature detection |
| US7493587B2 (en) * | 2005-03-02 | 2009-02-17 | James Word | Chromeless phase shifting mask for integrated circuits using interior region |
| US8037429B2 (en) * | 2005-03-02 | 2011-10-11 | Mentor Graphics Corporation | Model-based SRAF insertion |
| US7349066B2 (en) * | 2005-05-05 | 2008-03-25 | Asml Masktools B.V. | Apparatus, method and computer program product for performing a model based optical proximity correction factoring neighbor influence |
| US7712068B2 (en) | 2006-02-17 | 2010-05-04 | Zhuoxiang Ren | Computation of electrical properties of an IC layout |
| US7506285B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-03-17 | Mohamed Al-Imam | Multi-dimensional analysis for predicting RET model accuracy |
| US8056022B2 (en) | 2006-11-09 | 2011-11-08 | Mentor Graphics Corporation | Analysis optimizer |
| US7966585B2 (en) * | 2006-12-13 | 2011-06-21 | Mentor Graphics Corporation | Selective shielding for multiple exposure masks |
| US7802226B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-09-21 | Mentor Graphics Corporation | Data preparation for multiple mask printing |
| US7739650B2 (en) * | 2007-02-09 | 2010-06-15 | Juan Andres Torres Robles | Pre-bias optical proximity correction |
| US7799487B2 (en) * | 2007-02-09 | 2010-09-21 | Ayman Yehia Hamouda | Dual metric OPC |
| US8713483B2 (en) | 2007-06-05 | 2014-04-29 | Mentor Graphics Corporation | IC layout parsing for multiple masks |
| US7805699B2 (en) * | 2007-10-11 | 2010-09-28 | Mentor Graphics Corporation | Shape-based photolithographic model calibration |
| JP5200602B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-06-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 露光用データ作成方法及びフォトマスク製造方法 |
| TWI372984B (en) * | 2008-10-17 | 2012-09-21 | Nanya Technology Corp | Method for modifying mask layout |
| CN101750877B (zh) * | 2008-12-22 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于光学临近修正的确定图形外轮廓的方法 |
| US7944545B2 (en) * | 2009-05-11 | 2011-05-17 | International Business Machines Corporation | High contrast lithographic masks |
| US8266556B2 (en) * | 2010-08-03 | 2012-09-11 | International Business Machines Corporation | Fracturing continuous photolithography masks |
| KR101949412B1 (ko) | 2011-05-24 | 2019-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 감광막 패턴 및 그 제조 방법 |
| CN110709779B (zh) | 2017-06-06 | 2022-02-22 | Asml荷兰有限公司 | 测量方法和设备 |
| CN117348334B (zh) * | 2023-12-04 | 2024-04-16 | 华芯程(杭州)科技有限公司 | 一种光学临近效应修正方法、装置、设备及介质 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5422491A (en) * | 1988-11-04 | 1995-06-06 | Fujitsu Limited | Mask and charged particle beam exposure method using the mask |
| JPH03174716A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-07-29 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画装置および描画方式 |
| JP2902506B2 (ja) * | 1990-08-24 | 1999-06-07 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| US5561317A (en) * | 1990-08-24 | 1996-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor devices |
| JPH06273915A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Fujitsu Ltd | 露光用レチクルのパターン検査方法 |
| JPH0778737A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
| KR960002536A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-26 | ||
| JPH08297692A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光近接補正装置及び方法並びにパタン形成方法 |
| JPH08202020A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-08-09 | Sony Corp | フォトマスクにおけるパターン形状評価方法、フォトマスク、フォトマスクの作製方法、フォトマスクのパターン形成方法、並びに露光方法 |
| JP3409493B2 (ja) * | 1995-03-13 | 2003-05-26 | ソニー株式会社 | マスクパターンの補正方法および補正装置 |
| JP3432639B2 (ja) * | 1995-06-23 | 2003-08-04 | 三菱電機株式会社 | マスクパターンの作成方法 |
| JP3334441B2 (ja) * | 1995-08-01 | 2002-10-15 | ソニー株式会社 | フォトマスク描画用パターンデータ補正方法と補正装置 |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP28621396A patent/JP3551660B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-27 US US08/957,925 patent/US5991006A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-28 KR KR1019970055516A patent/KR19980033229A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-10-28 CA CA002219630A patent/CA2219630A1/en not_active Abandoned
- 1997-10-29 TW TW086116044A patent/TW486743B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-10-29 DE DE19747773A patent/DE19747773A1/de not_active Withdrawn
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6892375B2 (en) * | 1999-07-30 | 2005-05-10 | Fujitsu Limited | Data processing method and apparatus, reticle mask, exposing method and apparatus, and recording medium |
| US7353145B2 (en) | 2001-12-04 | 2008-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for correcting a mask pattern, a computer program product, a method for producing a photomask, and method for manufacturing a semiconductor device |
| US6869738B2 (en) | 2002-02-28 | 2005-03-22 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Mask pattern correction method |
| JP2006523865A (ja) * | 2003-04-14 | 2006-10-19 | フォルティス・システムズ・インコーポレーテッド | 実効的近接効果補正方法論 |
| JP2005316486A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-10 | Asml Masktools Bv | フォトリソグラフィ・システムを使用して印刷されるフィーチャのうねりを抑制するための、装置、方法、及びプログラム製品 |
| JP4561173B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2010-10-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2005321679A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2006058464A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Toshiba Corp | パタン計測方法、パタン計測装置、フォトマスクの製造方法およびプログラム |
| JP2006085175A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Kla Tencor Technologies Corp | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
| KR100607779B1 (ko) | 2004-12-28 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조공정에서의 마스크 제작 방법 |
| JP2012088745A (ja) * | 2005-09-27 | 2012-05-10 | Mentor Graphics Corp | 高密度ｏｐｃ |
| JP2009510517A (ja) * | 2005-09-27 | 2009-03-12 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | 高密度ｏｐｃ |
| JP2008053565A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイスの製造方法、データ作成装置、データ作成方法、およびプログラム |
| JP2011076119A (ja) * | 2007-06-15 | 2011-04-14 | Asml Netherlands Bv | 光近接効果補正のための多変数解法 |
| JP4746649B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2011-08-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 光近接効果補正のための多変数解法 |
| JP2008310333A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Brion Technologies Inc | 光近接効果補正のための多変数解法 |
| JP2009170743A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置のデータ作成方法、および電子線露光システム |
| JP2016063211A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | ステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法およびインプリント方法 |
| US10022748B2 (en) | 2014-09-12 | 2018-07-17 | Toshiba Memory Corporation | Stencil mask, stencil mask manufacturing method, and imprinting method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19747773A1 (de) | 1998-04-30 |
| US5991006A (en) | 1999-11-23 |
| CA2219630A1 (en) | 1998-04-29 |
| KR19980033229A (ko) | 1998-07-25 |
| TW486743B (en) | 2002-05-11 |
| JP3551660B2 (ja) | 2004-08-11 |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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