JP2005321679A - 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 電気光学装置において、光リーク電流の発生及び特性ばらつきを共に抑制し、高品質な表示を行う。
【解決手段】 基板上の画像表示領域に、表示用電極、配線及び、該配線と電気的に接続されたゲートと、該ゲートとの交差領域にチャネルが形成されている半導体層とを含んで構成された薄膜トランジスタを備えた電気光学装置を製造する。チャネルと交差して配置される本体部と、半導体層の周縁の少なくとも一部に沿って延在するように本体部から導出された支部とを含むように規定されたゲートの形状に応じて開口された主パターンと、本体部と支部とのコーナー部に対応する部分に形成された、本体部の側縁を直線状に転写するための補正パターンとを備えたゲート用マスクを用いた転写により、チャネルと交差する所定領域にゲートを形成する。
【選択図】 図９

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置の製造方法、及び該電気光学装置、並びに該電気光学装置を具備するプロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下適宜“ＴＦＴ”と呼ぶ）等を画素選択用のスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス駆動形式を採ることが多い。ＴＦＴのチャネル領域に入射光が照射されると、光による励起で光リーク電流が発生してＴＦＴの特性が劣化し、表示面における画質の不均一やコントラスト比の低下、フリッカ特性の劣化等の原因となる。ＴＦＴは通常、画素の非開口領域に配置されているが、それにも関わらずＴＦＴに光が当たる。これは、入射光自体が基板に垂直な成分だけではないためである。更に、ＴＦＴアレイ基板上に形成される配線がＡｌ（アルミニウム）を含有する場合には、反射率が高いために、入射光が配線によって乱反射又は多重反射して、ＴＦＴに照射するおそれがある。とりわけ、プロジェクタのライトバルブとして用いる場合は、入射光強度が高いために、このようなＴＦＴへの光の入射は問題となる。

このため従来から、ＴＦＴのチャネル領域やその周辺領域を遮光する各種技術が提案されている。例えば、ＴＦＴよりも上層側の層間絶縁膜上や、ＴＦＴの下地をなす層間絶縁膜の下に遮光膜を設け、チャネル領域やその周辺領域を遮光する構造が提案されている。

特許文献１には、ＴＦＴのゲートに接続されるゲート配線に遮光機能をもたせる技術が提案されている。ゲート配線は、平面的に見て半導体層と重なり合うことでチャネル領域を規定するゲート領域に形成される部分と、そこから引き出される部分とを有する。この技術では、以上の部分を本体部とし、本体部からチャネル領域の周縁に沿って本体部から導出された支部或いは突出部が形成される。そのため、遮光膜が、チャネル領域から離れている分だけ乱反射光や多重反射光を遮ることができないのに対し、このゲート配線によれば、チャネル領域が極近傍で遮光され、大変効率よく遮光を行うことが可能であるとされている。

特開２００２−１５８３６０号公報

しかしながら、上述の如き本体部と支部とを有するゲートは、実際には、本体部と支部とがなすコーナー或いは隅で大きく丸みを帯びた形状となり、チャネル領域の長さを規定する本体部における幅が、チャネル領域で半導体層に交差して延在する方向の位置変化に応じて、大きく変化する。例えば、ゲートの幅は、半導体層の幅方向たるＸ方向の位置座標に対し、半導体層が延在するＹ方向に大きく変化する。このため、ゲートの形成位置が、半導体層に対して相対的にＸ方向に多少でもずれると、ＴＦＴのチャネル長が顕著に変わってしまう。この結果、ＴＦＴの特性のばらつきを無視し得ないほどに増大させかねないという問題点がある。

本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生及び特性ばらつきを共に抑制し、高品位な表示を可能とする電気光学装置、及びその製造方法、並びに、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域に、(I)ゲートと該ゲートにチャネル領域で交差する半導体層とを含んで構成された薄膜トランジスタ及び(II)該薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極を備えており、前記ゲートの前記基板上における平面形状が、前記チャネル領域で前記半導体層に交差して延在する本体部と、前記チャネル領域の周縁に沿った方向に延在するように前記本体部から導出された支部とを含むように規定されている、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程と相前後して、前記平面形状に応じた主パターンと、該主パターンにおける前記本体部及び前記支部がなすコーナーに対応する部分に、前記本体部の側縁を直線状に転写するための補正パターンとを有するゲート用マスクを用いた転写によって、前記基板上に前記ゲートを形成するゲート形成工程とを含む。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、薄膜トランジスタのゲートは、ゲート形成工程において、半導体層のチャネル領域と交差して配置される本体部と、半導体層の周縁の少なくとも一部に沿って延在するように本体部から導出された支部とを含むようにパターン形成される。

この薄膜トランジスタは、表示用電極、表示用電極を駆動するための配線と共に画像表示領域内に設けられており、ゲートに電気的に接続された配線によって駆動される。尚、本発明においていう「ゲート」は、少なくとも、チャネル領域に対向してゲート信号或いは走査信号が供給される電極（即ちゲート電極として機能する部分）を含み、ゲート電極から引き出されたゲート配線までをも含む概念である。また、「本体部」は、このようなゲートにおいて、チャネル領域と正対する部分を含んだ部分であり、ゲート配線として延在する、いわば本線部というべき部分として構成されてよい。ゲートは、例えば、本体部と一体的に構成された走査線を含んでなる、基板上で平面的に見てチャネル領域を囲むように形成されたＨ型の幅広部分のことを意味する。或いは、走査線とは別体で該走査線に接続されたゲート電極として、チャネル領域に対向する部分を含んでなる、基板上で平面的に見てチャネル領域を囲むように形成されたＨ型の幅広部分のことを意味する。これら何れの場合にも、ゲートの本体部又はその一部がＨ型をなす一つの横棒に対応すると共に、ゲートの支部がＨ型をなす４つの縦棒に対応することになる。

尚、「ゲート形成」というのは、ゲート電極ないしゲート電極から引き出されたゲート配線まで含めた部分の形成を指すが、更にその他の配線部分を一体形成する場合や同時形成する場合をも含む。尚、半導体層は、チャネル領域を挟むソース及びドレインを含んでおり、場合によっては、ソース又はドレインに一体化された蓄積容量の片側の電極をも含み得る。

ゲート形成工程は、例えば、ゲート用マスクをフォトマスクとするフォトリソグラフィにより行われる。ゲート用マスクは、ゲートの本体部と支部とに応じた主パターンを有し、マスクを介して露光することによって、基本的に、この主パターンが基板上に転写される。ゲートの本体部は、ゲート本来の機能を果たすためにチャネル領域と相対する位置に形成される部分であり、その幅によってチャネル長が規定される。これに対し、支部は、チャネル領域を遮光するために半導体層の側縁に沿って形成される部分であり、１つ又は複数設けられる。尚、支部は、側縁だけでなく周囲を取り囲むように形成されてよい。

この工程において、露光光源の波長とパターンのサイズとの関係から、光の回折が無視できない場合に、転写後のパターンがマスク上の主パターンとは異なることがある。つまり、解像度が低いために、コーナー部が丸みを帯び、主パターンの輪郭形状が全体になまってしまう。

そこで、本発明に係るゲート用マスクには、こうした転写前後のパターン形状の変化を防止するために補正パターンが設けられている。この補正パターンは、特に、本体部の側縁を直線状に転写することを目的として、本体部と支部とがなすコーナーに対応する部分に形成される。補正パターンは、具体的には、コーナーにおける縁部から突出する突出部、又は、コーナーにおける縁部に対する切り欠きとして形成される。

仮に、補正パターンを設けなければ、コーナー部がなまるのに伴って本体部の側縁はコーナー部側が吊り上るように湾曲する。そのため、ゲートの形成位置が僅かでもずれると、本体部の幅で規定されるチャネル長が設計値からずれてしまい、ＴＦＴの特性がずれることになる。一方、ゲート用マスクに補正パターンを設けておけば、こうした転写後の形状のなまりが抑制され、何らの補正部が設けられていない場合と比較して、本体部の側縁の直線性が向上する。その結果、特に、ゲートの幅のうち支部よりもチャネル領域に近い側に位置する本体部について、このようなゲート用マスクを利用してゲートをパターニングするようにすれば、本体部は、チャネル領域に近接するコーナー付近において側縁が直線状に形成されるために、即ち直線に多少なりとも近付けられるために、チャネル領域付近におけるゲートの幅が概ね一定幅となる。従って、ゲートの形成位置が多少ずれたとしても、それによるチャネル長の変化を許容範囲内に収めることができる。

加えて、ゲートの幅のうち支部よりもチャネル領域から遠い側に位置する本体部について、このようなゲート用マスクを利用してゲートをパターニングするようにすれば、本体部は、コーナー付近において側縁が直線状に形成されるために、チャネル領域から離れた部分におけるゲートの幅についても、概ね一定幅とすることも可能となる。これにより、支部を除く本体部の全域を直線に近付けることが可能となる。

以上説明したように、画像表示領域内のＴＦＴのゲートを、本発明のゲート用マスクを用いて形成するようにすれば、ＴＦＴの特性ばらつきを抑えつつ、支部によってチャネル領域が遮光されるために光リーク電流の発生が抑制された電気光学装置を製造することが可能となる。即ち、この製造方法によれば、製造工程を殆ど改変せずに、高品位な表示が可能な電気光学装置を製造することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記ゲート形成工程は、前記基板上に前駆膜及びレジスト膜を積層させて形成する工程と、前記ゲート用マスクを介して前記基板表面を露光し、前記レジスト膜を感光させることにより、少なくとも前記主パターンを転写する工程と、前記感光したレジスト膜を現像し、前記レジスト膜を少なくとも前記主パターンに応じて残存させる工程と、前記残存したレジスト膜を介し、前記前駆膜をエッチングにより部分的に除去する工程とを含む。

この態様によれば、ゲート形成工程は、ゲート用マスクを用いることを除けば、一般的なフォトリソグラフィとエッチングとを組み合わせて行われる。即ち、ゲート用マスクを介して基板表面を露光し、レジスト膜を感光させることによって、ゲート用マスクの開口形状に応じたパターンが転写される。尚、ゲート用マスクは、ポジ型及びネガ型のいずれであってもよい。

このとき、ゲート用マスクには補正パターンが形成されているので、ゲート用マスクに対する光の回折が補正され、特に本体部の側縁に関しては概ね設計どおりのパターン形状が転写される。尚、ここでいう「パターンを転写する、パターンに応じて残存させる」とは、露光時や感光時における解像度に応じて、主パターン及び補正パターンがレジストに概ね転写され、これに応じて残存させる場合の他、主パターンが概ね転写されると共に補正パターンが殆ど又は全く転写されない場合を含む。

更に、この転写パターンに応じて前駆膜にエッチングを施すことにより、ゲートが形成される。よって、この場合は、ゲートの形成位置が多少ずれたとしても、特性のばらつきを抑えてＴＦＴを形成することが可能となる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記補正パターンは、露光により転写する際の解像度以下のサイズ及び形状に形成されている。

この態様によれば、補正パターンは、ゲート用マスクに形成されてはいるものの、その形状が忠実に転写されることはない。即ち、補正パターンは、マスクを通過する光の回折効果に対して作用することにより、実際のゲート形状を微調整することが出来る。よって、実際に形成されるゲートの位置形状は、補正パターンを余分に考慮する必要性は殆ど無い。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記補正パターンは、前記コーナーにおける前記支部側の縁部に対応して形成されている。

この態様によれば、コーナーにおける本体部側が、優先的に直線状に補正される。前述のように、本体部の平面形状が直接チャネル長を規定することから、このように本体部の側縁における直線部分をできるだけ長くする方が、ゲートの形成位置に対してより大きなマージンを確保することができる。よって、この場合には、ＴＦＴの特性ばらつきを一層確実に抑制することが可能となる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記補正パターンは、前記コーナーにおける前記本体部側の縁部に対応して形成されている。

この態様によれば、コーナーにおける支部側が、本体部側に加えて又は代えて、直線状に補正される。このような場合でも、ゲート用マスクに補正パターンを設ければ、転写パターンにおけるコーナー部形状が補正されるために、それに伴って本体部の側縁の直線性改善にも一定の効果がある。

加えて、支部側の直線性が改善され、支部が半導体層に近接するように形成されることから、チャネル領域が支部によって良好に遮光される構成とすることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記ゲート用マスクには、前記主パターンのうち前記支部の先端に対応する部分に、前記ゲートの出来上がり寸法よりも更に前記チャネル領域の周縁に沿った方向に延びた、前記支部の側縁を直線状に転写するための他の補正パターンが形成されている。

この態様によれば、ゲート用マスクに他の補正パターンが形成されている。そのため、このマスクを用いた露光の際には、光の回折効果に対する他の補正パターンの作用により、ゲートの支部の側縁が、直線状に転写される。即ち、支部は、半導体層に寄り添うように形成されるため、その遮光性能を維持することができる。ちなみに、他の補正パターンが形成されていなければ、支部全体が丸みを帯びた形状に転写されてしまう。その結果、支部は先端にいくほど半導体層から離れるように形成され、遮光性能が低下する。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記支部が、前記半導体層の両側縁に沿って設けられている場合に、前記主パターンのうち前記半導体層を間に隣接する前記支部同士に対応する部分の間隔は、前記チャネル領域の幅の２倍以上に設定されている。

この態様によれば、ゲート用マスクの主パターンにおいて寸法を規定することで、本体部の側縁のうちチャネル領域と交差する部分の長さが、チャネル幅の２倍以上となるゲートが形成される。即ち、この態様では、本体部の形状が補正されるだけでなく、本体部のチャネル領域との交差方向における寸法が長めに設定される。これは、ゲートの形成位置に対するマージンを十分にとることに加え、本体部の側縁の直線性改善にも寄与する。従って、ＴＦＴの特性ばらつきを一層確実に抑制することが可能となる。

本発明のもう一つの電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域に、(I)ゲートと該ゲートにチャネル領域で交差する半導体層とを含んで構成された薄膜トランジスタ及び(II)該薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極を備えており、前記ゲートの前記基板上における平面形状が、前記チャネル領域で前記半導体層に交差して延在する本体部と、前記チャネル領域の周縁に沿った方向に延在するように前記本体部から導出された支部とを含むように規定されている、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程と相前後して、前記平面形状に応じた主パターンと、該主パターンにおける前記本体部及び前記支部がなすコーナーに対応する部分に、前記支部のうち前記チャネル領域の周縁に沿った側の側縁を前記チャネル領域の周縁と略平行な直線状に転写するための補正パターンとを有するゲート用マスクを用いた転写によって、前記基板上に前記ゲートを形成するゲート形成工程とを含む。

本発明のもう一つの電気光学装置の製造方法によれば、ゲート用マスクに形成された補正パターンにより、ゲートの支部の側縁が、チャネル領域の周縁と略平行な直線状に転写される。即ち、支部は、チャネル領域に沿って形成され、その遮光性能を維持することができる。

また、この場合においても、ゲートのコーナー部形状が補正されるのに伴い、本体部の側縁の直線性改善にも一定の効果がある。

従って、この製造方法によれば、ＴＦＴの特性ばらつきを抑えつつ、支部によってチャネル領域が遮光されるために光リーク電流の発生が抑制された電気光学装置を製造することが可能となる。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を適用して製造された電気光学装置であって、前記薄膜トランジスタ及び前記表示用電極を備え、前記ゲートは、前記本体部と前記支部とを含んで構成されており、前記本体部の側縁が、前記チャネル領域に交差する位置において前記チャネル領域の幅方向となす角が２０度以下である。

本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置の製造方法を適用して製造されるので、画像表示領域内の薄膜トランジスタは、ゲートが、半導体層のチャネル領域と交差して配置される本体部と、半導体層の周縁の少なくとも一部に沿って延在するように本体部から導出された支部とを含むようにパターン形成されている。このうち支部は、チャネル領域を遮光するように機能する。

そのうえ、このゲートは、本発明のゲート用マスクを用いて形成されることで、本体部の側縁が、チャネル領域に交差する位置においてチャネル領域の幅方向となす角が２０度以下であるように形成されている。即ち、本体部の側縁は、チャネル領域に対する直線性が良好なために、ゲートの形成位置に対して十分なマージンが確保される。

従って、本発明の電気光学装置は、ＴＦＴの特性ばらつきを抑えつつも、支部によってチャネル領域が遮光されるために光リーク電流の発生が抑制されるために、これが原因となって生じる画質の不均一やコントラスト比の低下、フリッカ特性の劣化等を防止することができる。即ち、高品位な表示が可能となる。

尚、このような電気光学装置においては、通常、走査線やデータ線等の配線が遮光膜として利用されることも多い。そうした場合、遮光膜はＴＦＴとの間に層間絶縁膜を介して設ける必要があり、どうしてもＴＦＴから離間してしまう。そして、わずかなりとも生じた間隙に入った光は、ＴＦＴに照射される。こうしたＴＦＴへの光の入射経路を予測することも考えられるが、装置内部で反射した光の進行方向は複雑であり、反射光が当たることが予期される部位に遮光膜を設けることは現実的な対策とはいえない。これに対し、本発明の電気光学装置では、ＴＦＴのゲートに支部を設けるようにしたので、ＴＦＴの中でも特にチャネル領域を極近傍で遮光することが可能である。そのため、効率よく遮断することができる。例えば、近年の液晶装置においては、高精細化に伴い、低抵抗のアルミニウム（Ａｌ）が配線材料として用いられるようになっている。しかしながら、Ａｌの反射率が高いので、Ａｌ系配線は入射光を乱反射させ、上記のコントラスト比低下や光リーク電流の発生といった問題を発生させている。よって、本発明の如く、ＴＦＴとしてチャネル領域をゲートが遮光する構造を採用するのは、非常に有効である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記支部は、前記半導体層の両側縁に沿って設けられており、前記半導体層を間に隣接する前記支部同士の間隔は、前記チャネル領域の幅の２倍以上である。

この態様によれば、ＴＦＴのゲートにおいて、本体部の側縁のうちチャネル領域と交差する部分の長さは、チャネル幅の２倍以上に設定されている。よって、本体部は、側縁の直線性が改善されたうえに、チャネル領域との交差方向における寸法が長くなることから、ゲートの形成位置に対するマージンが十分に確保される。従って、本態様においては、ＴＦＴの特性ばらつきを一層確実に抑制することが可能となる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位な表示が可能な各種電子機器を実現できる。

本発明のこのような作用及び他の利得は、次に説明する実施形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。尚、以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

＜１：第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の液晶装置について、図１から図１１を参照して説明する。

＜１−１：液晶装置の全体構成＞
最初に、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を、図１及び図２を参照して説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、一例として、液晶装置を駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式としている。

図１及び図２における液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０により構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、互いに画像表示領域１０ａの周囲の周辺領域に配設されたシール材５２によって接着されており、その間には液晶層５０が封入されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。また、対向基板２０におけるシール材５２の内側に対応する領域に、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

更に、周辺領域のうち、シール材５２が配置された領域の外側には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるように設けられた複数の配線１０５により、相互に接続されている。

また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素選択用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、最上層の配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間において所定の配向状態をとる。

尚、このような液晶装置においては、光が入射する対向基板２０側及び透過光が射出されるＴＦＴアレイ基板１０側の夫々に、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などを配置してもよい。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

＜１−２：液晶装置の主要部の構成＞
次に、本実施形態に係る液晶装置の主要部の構成について、図３から図６を参照して説明する。

図３は、本実施形態に係る液晶装置のうち、画素部の等価回路を示している。図４は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る構成を部分的に表しており、図５は、図４のＡ−Ａ’線における断面を表している。尚、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材の縮尺比率を適宜に変えてある。図６（ａ）、（ｂ）は、図４の中でも本実施形態に係る走査線を表しており、（ｂ）は（ａ）の一部を拡大している。

＜１−２−１：画素部の原理的構成＞
図３に示したように、画像表示領域１０ａにおいては、複数の走査線１１ａ及び複数のデータ線６ａが相交差して配列しており、その線間に、走査線１１ａ，データ線６ａの各一により選択される画素部が設けられている。各画素部は、ＴＦＴ３０、画素電極９ａ及び蓄積容量７０を含んで構成されている。ＴＦＴ３０は、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを選択画素に印加するために設けられ、ゲートが走査線１１ａに接続され、ソースがデータ線６ａに接続され、ドレインが画素電極９ａに接続されている。画素電極９ａは、後述の対向電極２１との間で液晶容量を形成し、入力される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを一定期間保持するようになっている。即ち、画素電極９ａにより画素毎の表示領域（以下では、“画素領域”と呼ぶ）が画定される。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。

この電気光学装置は、例えばＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式を採り、走査線駆動回路１０４（図１参照）から各走査線１１ａに走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを線順次に印加すると共に、それによってＴＦＴ３０がオン状態となる水平方向の選択画素部の列に対し、データ線駆動回路１０１（図１参照）からの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線６ａを通じて印加するようになっている。これにより、画像信号が選択画素に対応する画素電極９ａに供給される。ＴＦＴアレイ基板１０は、液晶層５０を介して対向基板２０と対向配置されているので（図２参照）、以上のようにして区画配列された画素部毎に液晶層５０に電界を印加することにより、両基板間の透過光量が画素毎に制御され、画像が階調表示される。また、このとき各画素部に保持された画像信号は、蓄積容量７０によりリークが防止される。

このように、アクティブマトリクス方式では、画素部毎に電荷を保持することで画質を維持しているため、画素部における電荷の流出（即ち、光リーク電流）はできるだけ低く抑える必要がある。ところが、ＴＦＴ３０は一般的なポリシリコンＴＦＴとして構成されており、光吸収等に起因する光リーク電流を、わずかながら発生させる可能性がある。本実施形態では、このようなＴＦＴ３０を、本発明に係る「薄膜トランジスタ」の一例としている。
＜１−２−２：画素部の具体的構成＞
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について図４から図６を参照して説明する。

図４において、液晶装置のＴＦＴアレイ基板上では、開口領域に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）がマトリクス状に設けられている。また、格子状の非開口領域には、画素電極９ａの縦横の境界の夫々に沿うようにして、データ線６ａ（図中Ｙ方向）及び走査線３ａ（図中Ｘ方向）が設けられている。そして、走査線３ａとデータ線６ａとの交差領域には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

ＴＦＴ３０は、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造であり、半導体層１ａ、半導体層１ａとゲート電極を絶縁するゲート絶縁膜２を備えている。また、ここでは、走査線３ａは、チャネル領域１ａ’と交差するように延在しており、その一部が、ゲート電極としてチャネル領域１ａ’と対向配置されている。即ち、本実施形態においては、走査線３ａが本発明の「ゲート」の一具体例に対応している。

ゲート絶縁膜２は、例えば、ＨＴＯ（High Temperature Oxide）等の熱酸化されたシリコン酸化膜からなる。半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ’、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。また、ゲート電極を兼ねる走査線３ａは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。

ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ、特にチャネル領域１ａ’に光が照射されると、光励起により光リーク電流が生じる。そこで、本実施形態では、チャネル領域１ａ’を遮光するために、図６（ａ）に示したように、走査線３ａに、本体部分から半導体層１ａの側縁に沿って導出された支部３ｂを設けている。即ち、液晶装置内部に斜めに入射する入射光及び戻り光、更にはそれらの内面反射光や多重反射光などが、チャネル領域１ａ’及びその隣接領域に入射しようとしても、その上面及び側面は走査線３ａにより極近傍で遮蔽されているために、効果的に遮光される。

このような走査線３ａは、例えばフォトリソグラフィ等を用いて形成されるが、後述するように、現状ではステッパの解像度等の関係から、支部３ｂとその周辺部分の形状がなまってしまう場合がある（図１１参照）。そうなると、走査線３ａのうちチャネル領域１ａ’上に位置する部分の幅寸法が漸近的に変化するために、走査線３ａの形成位置がずれるとＴＦＴ３０のチャネル長が変わってしまい、特性にばらつきが生じるおそれがある。また、支部３ｂは、形状に丸みを帯びることで、チャネル領域１ａ’に対する遮光効果が減少すると考えられる。

これに対し、本実施形態では、フォトマスク１３（図８参照）を用いてパターニングするため、走査線３ａ、特に支部３ｂとその周辺の形状は、図９に示したように、殆ど図６（ａ）の通りに再現されるため、良好な遮光効果が維持できる。

また、パターニングの際の形状再現性が良いことから、実際に形成される走査線３ａの側縁、即ち、図６（ｂ）において走査線３ａが延在する方向であるＸ方向或いは横方向に沿って延びる縁部分が、チャネル領域１ａ’との交差位置においてチャネル領域１ａ’の幅方向となす角θは、２０度以下になる。つまり、走査線３ａのうちチャネル領域１ａ’と交差する部分は、側縁が直線状に形成されていることを意味している。この部分は、チャネル長を規定することから、所定値かつ一定の幅寸法であることが求められるが、本実施形態では、このように形状を制御することにより、この部分の幅が概ね一定とされる。

従って、走査線３ａの形成位置のずれによるＴＦＴ３０の特性変動を、よく抑制することができる。同時に、形状になまりが殆どないことから、支部３ｂのチャネル領域１ａ’に対する遮光能の低下も抑制される。

図５において、ＴＦＴ３０の上層側には、例えば一般的な構成をとる、蓄積容量７０、データ線６ａ及び画素電極９ａが設けられている。

蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部容量電極７１と、固定電位側容量電極としての上部容量電極３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されて形成されている。

上部容量電極３００は、例えば金属又は合金を含む導電性材料からなり、上側遮光膜の一例としてＴＦＴ３０の上側に設けられている。また、この上部容量電極３００は、固定電位側容量電極としても機能する。上部容量電極３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、上部容量電極３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の他の金属を含んでもよい。

下部容量電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。下部容量電極７１は、容量電極としての機能に加え、上側遮光膜として機能すると共に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を兼ね備えている。但し、下部容量電極７１も、上部容量電極３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜若しくは多層膜から構成してもよい。

容量電極としての下部容量電極７１と上部容量電極３００との間に配置される誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ（ナノメートル）程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。

また上部容量電極３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための後述の走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御する後述のデータ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。

データ線６ａは、その上面が平坦化された第２層間絶縁膜４２を下地として形成されており、コンタクトホール８１を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１の内部は、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、若しくはＡｌ単体からなる。データ線６ａには、配線抵抗を下げるために、低抵抗で安価なＡｌが好適に用いられる。また、Ａｌを用いたデータ線６ａは、遮光膜としても機能するものとして設計される場合がある。

しかしながら、Ａｌは反射率が高いために、入射光の一部がデータ線６ａに当たればこれが乱反射され、コントラスト比が低下したり、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’又は半導体層１ａに光が入射して光リーク電流が発生したりして、画質が劣化する可能性がある。これに対し、本実施形態では、蓄積容量７０の電極層による遮光に加え、上述のように走査線３ａを用いてＴＦＴ３０を極近傍で遮光するようにしたので、このような反射光のチャネル領域１ａ’及びその周辺に対する入射を効率よく防止することができる。

画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性膜からなり、下部容量電極７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。画素電極９ａの上層には、ポリイミド膜などの有機膜からなり、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。

一方、ＴＦＴ３０の下層側には、下地絶縁膜１２を介して下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。

下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光するために設けられている。この下側遮光膜１１ａは、上側遮光膜の一例を構成する上部容量電極３００と同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。更に、下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、上部容量電極３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。

このように、開口領域の周囲は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に設けられた遮光膜によって遮光され、非開口領域に規定されている。非開口領域では、液晶装置における入射光（図５参照）のうち直進成分が遮られる。

下地絶縁膜１２は、例えばＨＴＯ等のシリコン酸化膜、或いはＮＳＧ（ノンシリケートガラス）膜からなり、下側遮光膜１１ａとＴＦＴ３０とを絶縁する他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすＴＦＴ３０の素子特性の変化を防止する機能を有している。

尚、走査線３ａの直上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には下部容量電極７１及び上部容量電極３００が形成されており、これらの上には、コンタクトホール８１及び８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。第２層間絶縁膜４２上には反射防止膜６１ａ及び６２ａで被覆されたデータ線６ａが形成されており、これらの上には、下部容量電極７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。

対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。

対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、反射防止膜６１ａ、６２ａや上部容量電極３００として設けられた上側遮光膜と併せ、ＴＦＴアレイ基板１０側からの入射光のチャネル領域１ａ’ないしその周辺への侵入を阻止するのをより確実に阻止することができる。

更に、画素電極９ａと対向電極２１とを対面させるようにして対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が設けられている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。

以上説明したように本実施形態の液晶装置によれば、支部３ｂを備えた走査線３ａを、フォトマスク１３を用いて形成し、走査線３ａの側縁がチャネル領域１ａ’との交差位置においてチャネル領域１ａ’の幅方向となす角を２０度以下としたので、走査線３ａの形成位置のずれによるＴＦＴ３０の特性変動と、チャネル領域１ａ’に対する遮光効果の低減との双方がよく抑制される。従って、ＴＦＴ３０を介して供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが画素領域毎にばらつくのを抑えつつ、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制することができ、良好な表示品質を保つことが可能となる。

＜１−３：液晶装置の製造方法＞
次に、このような液晶装置の製造方法について、図７から図１１を参照して説明する。図７（ａ）、（ｂ）の夫々は、本実施形態の液晶装置の製造工程を表している。尚、図７は、図４のＡ−Ａ’線断面に対応する断面によって示されている。図８は、本実施形態の製造方法に係るフォトマスクの平面形状を表し、図９は、それによってパターン形成された走査線の形状を示している。尚、図１０は、本実施形態の比較例として、一般的に用いられるフォトマスクの平面形状を表し、図１１は、それによってパターン形成された配線の形状を示している。

先ず、図７（ａ）に示したように、石英基板、ガラス基板、或いはシリコン基板を、ＴＦＴアレイ基板１０として用意する。ここで、窒素等の不活性ガス雰囲気中で、約９００〜１３００℃の熱処理を施し、基板の歪みをとっておくことが好ましい。続いて、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の高融点金属や、金属シリサイド等のスパッタリングを行い、１００〜５００ｍｍ程度の膜厚の遮光膜を形成する。その後、例えばフォトリソグラフィとエッチングとにより、格子状の下側遮光膜１１ａをパターン形成する。

次に、下側遮光膜１１ａ上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成する。

次に、下地絶縁膜１２上に、減圧ＣＶＤ等によりアモルファスシリコン膜を形成しアニール処理を施すことにより、ポリシリコン膜を固相成長させる。或いは、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を直接形成する。次に、このポリシリコン膜に対し、フォトリソグラフィ及びエッチング等を施すことにより、半導体層１ａを形成する。更に、半導体層１ａの表層部分を熱酸化すること等により、ゲート絶縁膜２を形成する。この結果、半導体層１ａの厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、ゲート絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。

次に、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を約１００〜５００ｎｍの厚さに堆積し、更にＰ（リン）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化した後、フォトリソグラフィ及びエッチング等を施すことにより、図４及び図６に示したパターン形状に走査線３ａを形成する。

＜１−３−１：走査線の形成工程＞
本実施形態においては、この走査線３ａの形成は、より具体的には次のようにして行われる。

上述のポリシリコン膜にフォトリソグラフィを施す際に、ここでは、本発明の「ゲート用マスク」の一例たるフォトマスク１３を用いる。図８において、フォトマスク１３は、基本的には走査線３ａの形状に対応したパターンの開口部１３ａを有している。即ち、開口部１３ａは、走査線３ａのうちチャネル領域１ａ’と交差するように設けられる本体部分に対応する開口部分と、半導体層１ａの延在方向に導出された支部３ｂに対応する開口部分とからなる。そして、開口部１３ａは、本体部分と支部３ｂとのコーナー部のうち半導体層１ａの側縁に近接するコーナー部に、突出部１３ｂを備えている。また、支部３ｂに対応する開口部分の先端には、走査線３ａの出来上がり寸法よりも更に半導体層１ａの延在方向に延びる切れ込み部１３ｃが形成されている。ここで、突出部１３ｂ及び切れ込み部１３ｃは夫々、本発明の「補正パターン」及び「他の補正パターン」の一具体例に対応している。

突出部１３ｂ及び切れ込み部１３ｃは、走査線３ａを所望の形状に形成するために設けられている。即ち、走査線３ａのパターン形状が、露光源の波長に比べて十分に微細な場合、光の回折により転写パターンが変形する。そのため、図１０のように、走査線３ａの平面形状に完全に対応する形状に開口したフォトマスク１４を用いた場合には、図１１のように、フォトマスク１４の形状がなまって転写されるので、走査線３ａを意図した形状に形成することができない。そこで、本実施形態では、露光後の転写パターンが意図した形状となるように、突出部１３ｂにより予め補正を加えたフォトマスク１３を採用しているのである。

突出部１３ｂは、コーナー部のうち支部３ｂの側縁側に形成されている。これは、コーナー部の丸みを減らすように、またチャネル領域１ａ’の上に位置する部分の側縁を構成する縁部３Ｓ（図９参照）を直線に矯正するように機能する。切れ込み部１３ｃは、特にその半導体層１ａに沿った側縁が所定範囲で近接するように、支部３ｂの形状をなまらせないように機能する。

このようなフォトマスク１３を用いることによって、ここで得られる走査線３ａは、図９に示した形状となる。図９と図１１とを比較するとわかるように、まず、突出部１３ｂの存在によって光の回折が抑えられ、このフォトマスク１３による露光領域においては、図９に示したように、走査線３ａの縁部３Ｓが直線状に転写される。

通常の場合は、図１１のように、縁部３Ｓに対応する縁部３Ｓ’は支部３ｂ’の側縁と連続して湾曲するように変形してしまう。即ち、走査線３ａ’のうちチャネル領域１ａ’の直上に位置する部分の幅寸法が漸近的に変化するため、走査線３ａ’のチャネル領域１ａに対する形成位置が僅かでもずれると、ＴＦＴのチャネル長が変わってしまうという問題がある。言い換えると、走査線３ａ’の形成位置に対するマージンΔＸ１が極めて小さいことから、製造上生じるＴＦＴ３０の特性ばらつきが許容範囲内に抑え切れないおそれがある。ここでマージンΔＸ１は、例えばチャネル長Ｌ_０を基準とする特性変動の許容範囲ΔＬで規定される、縁部３Ｓ’の幅寸法のマージンである。

これに対し、本実施形態の場合は、縁部３Ｓの直線性が良好なために、走査線３ａには、チャネル長Ｌ_０に対するマージンΔＸ２が十分に確保できる。具体的には、側縁３Ｓは、チャネル領域１ａ’との交差位置においてチャネル領域１ａ’の幅方向となす角θが、２０度以下であるように形成されている。また、ここでは、チャネル領域１ａ’を間に、その両側縁に沿って隣接して設けられた支部３ｂ同士の間隔が、チャネル幅の２倍以上となるようにしている。このように支部３ｂをチャネル領域１ａ’から離間させると、支部３ｂの遮光性能を低下させることにつながるおそれがあるが、適切な範囲であれば、これも縁部３Ｓの直線性を高めるのに寄与する。

以上の結果、走査線３ａの形成位置が多少ずれたとしても、マージンΔＸ２のおかげでチャネル長Ｌ_０の変動が許容範囲内に抑え込まれるため、ＴＦＴ３０の特性ばらつきを、確実に防止することが可能となる。

また、切れ込み部１３ｃの存在によって光の回折が抑えられ、支部３ｂのコーナー部側の側縁は、図９に示したように、はっきりと縁部３Ｓから立ち上がった状態に転写される。よって、支部３ｂは、半導体層１ａの近傍にあっても接触することなく半導体層１ａの側縁に沿って設けられることから、チャネル領域１ａ’を良好に遮光することができる。一方、図１１に示した支部３ｂ’のように、縁部３Ｓ’からの立ち上がりが鈍いと、半導体層１ａの近傍に寄り添うことができず、十分な遮光性能が得られない。

このように本実施形態では、突出部１３ｂと切れ込み部１３ｃとを備えたフォトマスク１３を用いてパターニングを行うようにしたので、走査線３ａ、特に支部３ｂとその周辺の形状は、殆ど意図した通りに再現される。この部分は、チャネル領域１ａ’のチャネル長を規定するため、所定値かつ一定の幅寸法であることが求められるが、そのために必要な走査線３ａの形成位置のチャネル領域１ａ’に対するマージンは、突出部１３ｂにもたらされた縁部３Ｓの直線部分によって十分に確保される。従って、走査線３ａの形成位置のずれによるＴＦＴ３０の特性変動を、よく抑制することができる。

また、切れ込み部１３ｃにより、支部３ｂの形状になまりが殆どないことから、支部３ｂのチャネル領域１ａ’に対する遮光能の低下も抑制される。

以下、再び図７を参照し、走査線３ａの形成以降の工程について説明する。

ここでは、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造をもつので、まず、走査線３ａをマスクとして、Ｐイオン等の不純物イオンを低濃度でドープし、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成する。このとき、同時にチャネル領域１ａ’が規定される。更に、走査線３ａよりも幅広のレジストマスクを用いて、Ｐイオン等の不純物イオンを高濃度でドープし、高濃度ソース領域１ｄ及び低濃度ドレイン領域１ｅを形成する。

次に、図７（ｂ）に示したように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１を形成する。続いて、ドライエッチング又はウエットエッチング若しくはこれらの組み合わせにより、第１層間絶縁膜４１にコンタクトホール８１、８３等を開孔する。

次に、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化して下部容量電極７１を形成する。更に、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる誘電体膜７５を膜厚５０ｎｍ程度の比較的薄い厚さに堆積した後、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の高融点金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより上部容量電極３００を形成する。これらにより、蓄積容量７０を形成する。

次に、例えば常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる層間絶縁膜４２を形成する。

次に、第２層間絶縁膜４２に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、コンタクトホール８１を開孔する。その後、第２層間絶縁膜４２上の全面に、スパッタリング等によりＴｉＮ単層或いはＴｉＮ／Ｔｉ積層膜を堆積し、更にその上に、ＡｌないしＡｌ合金等のＡｌを含有した配線材料を堆積する。そして、これらの堆積膜にフォトリソグラフィ及びエッチングを施し、所定パターンを有するデータ線６ａ及び反射防止膜６２ａを形成する。

次に、第２層間絶縁膜４２上の全面にスパッタリング等によりＴｉＮ単層或いはＴｉＮ／Ｔｉ積層膜を堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、この膜にデータ線６ａのパターンに合わせてパターニングを行い、反射防止膜６２ａを形成する。

次に、例えば常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜４３を形成する。続いて、第３層間絶縁膜４３に対する反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、下部容量電極７１に至るコンタクトホール８５を開孔し、スパッタ処理等によりＩＴＯ膜を形成し、更にフォトリソグラフィ及びエッチングを行なうことにより、画素電極９ａを形成する。その後、この上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布し、更に所定のプレティルト角を持つように所定方向にラビング処理を施すこと等により、配向膜１６が形成される。

このようにして、ＴＦＴアレイ基板１０が歩留まり良く製造される。

他方、対向基板２０については、対向基板２０としてガラス基板等を先ず用意し、その全面にスパッタ処理等を用いてＩＴＯ膜を約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される。

最後に、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材により貼り合わされる。こうして両基板間に形成された空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が注入され、所定層厚の液晶５０が形成される。

以上説明した製造プロセスにより、上述の液晶装置を製造することができる。

＜２：変形例＞
次に、第１実施形態に係る変形例について説明する。尚、以下の変形例においては、第１実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付して、その説明を省略するものとする。

＜２−１：第１変形例＞
先ず、第１変形例について、図１２及び図１３を参照して説明する。図１２は、第１変形例に係る液晶装置の製造方法に係るフォトマスクの平面形状を表し、図１３は、それによってパターン形成された走査線の形状を示している。

図１２に示したように、フォトマスク１３に代えてフォトマスク１５を用いて、走査線３２を形成するようにしてもよい。フォトマスク１５は、基本的には走査線３２の形状に対応したパターン（図１３参照）の開口部１５ａを有しており、開口部１５ａにおける、本体部分と支部３２ｂとのコーナー部に、突出部１５ｂが形成されている。

突出部１５ｂは、コーナー部のうち支部３２ｂの側縁から導出された四角形状の部分と、本体部分の側縁から導出された四角形状の部分とが一体化して、階段状に構成されている。この突出部１５ｂは、突出部１３ｂと同様に、形成される走査線における、コーナー部の丸みを減らすように作用すると共に、チャネル領域１ａ’の上に位置する部分の側縁を構成する縁部３２Ｓを直線に矯正するように作用する。

この突出部１５ｂが付設されたフォトマスク１５を用いると、図１３に示したように、走査線３２がパターン形成される。走査線３２は、突出部１５ｂの存在によって光の回折が抑えられるため、コーナー部が所望の形状に転写される。即ち、縁部３２Ｓと支部３２ｂのコーナー部側の側縁とは夫々、所望の方向に直線状に延びるように転写される。

つまり、縁部３２Ｓは、チャネル領域１ａ’との交差位置においてチャネル領域１ａ’の幅方向となす角θが、２０度以下であるように形成され、チャネル長Ｌ_０に対するマージンΔＸ３が十分に確保できる。また、支部３２ｂは、コーナー部側の側縁が縁部３２Ｓから立ち上がった状態に転写されることで、半導体層１ａの側縁に沿って設けられることから、チャネル領域１ａ’を良好に遮光することができる。

従って、フォトマスク１５を用いて走査線３２を形成する場合も、第１実施形態と同様の作用及び効果が得られる。

＜２−２：第２変形例＞
次いで、第２変形例について、図１４及び図１５を参照して説明する。図１４は、第２変形例に係る液晶装置の製造方法に係るフォトマスクの平面形状を表し、図１５は、それによってパターン形成された走査線の形状を示している。

図１４に示したように、フォトマスク１３に代えてフォトマスク１７を用いて、走査線３３を形成するようにしてもよい。フォトマスク１７は、基本的には走査線３３の形状に対応したパターン（図１５参照）の開口部１７ａを有しており、開口部１７ａにおける、本体部分と支部３３ｂとのコーナー部に、突出部１７ｂが形成されている。

突出部１７ｂは、突出部１３ｂが四角形状であったのに対して、三角形状に形成されている。このような突出部１７ｂが付設されたフォトマスク１７によれば、図１５に示したように、走査線３３がパターン形成される。

走査線３３においてもまた、突出部１７ｂの存在によって光の回折が抑えられるため、コーナー部が所望の形状に転写される。そのため、縁部３３Ｓにおける角θは２０度以下になり、チャネル長Ｌ_０に対するマージンΔＸ４が十分に確保できる。また、支部３３ｂは、コーナー部側の側縁が縁部３２Ｓから立ち上がった状態に転写されることで、半導体層１ａの側縁に沿って設けられることから、チャネル領域１ａ’を良好に遮光することができる。

従って、フォトマスク１７を用いて走査線３３を形成する場合も、第１実施形態と同様の作用及び効果が得られる。

尚、本発明においては、走査線の「突出部」が、コーナー部のどの位置からどのような形状で導出されるかについては限定されておらず、以上に示した態様以外にも種々の変形実施が可能である。即ち、「突出部」は、第１実施形態におけるフォトマスク１３の突出部１３ｂのように支部３ｂの側縁だけから導出されるほか、本体部分の側縁だけから導出されていてもよく、第１変形例におけるフォトマスク１５の突出部１５ｂのように両側縁からの導出部分を含んでいてもよい。

＜３：第２実施形態＞
本発明の第２実施形態について、図１６から図２０を参照して説明する。
＜３−１：液晶装置の具体的構成＞
先ず、本実施形態の液晶装置の構成について、図１６及び図１７を参照して説明する。ここに、図１６は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部のうち蓄積容量７０よりも下層側の構成を表しており、図１７は、図１６のＢ−Ｂ’線に対応する画素部の断面を表しており、第１実施形態における図４に対応している。尚、図１６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材の縮尺比率を適宜に変えてある。また、図１７は、本実施形態に係る液晶装置の主要部を表している。

この電気光学装置の基本的な構造は、概ね上述した第１実施形態の場合と同様である。よって、以下の説明では、第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を適宜省略することにする。

図１６及び図１７において、ＴＦＴ３０は、チャネル１ａ’を含んだ半導体層１ａと、本発明の「ゲート」の一例たるゲート電極３ａから構成されている。ＴＦＴ３０の下層側に設けられた遮光膜１１ａは、走査線としても機能し、コンタクトホール１２ｃｖによってゲート電極３ａに接続されている。即ち、第１実施形態におけるＴＦＴ３０では、ゲート電極と走査線３ａとが一体化していたため、支部３ｂを走査線３ａの一部として説明したが、ここでは、ゲート電極３ａと遮光膜１１ａ（走査線）がこれに対応する。

更に、本実施形態では、第３層間絶縁膜４３の上に更に第４層間絶縁膜４４を設け、この第４層間絶縁膜４４上に画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、コンタクトホール８９、中継電極４０２、コンタクトホール８０４、中継電極６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、及びコンタクトホール８８１を介して、ＴＦＴ３０の下部容量電極７１に接続されている。

また、第３層間絶縁膜４３上には、非開口領域に対応した格子形状に容量配線４００が形成されている。容量配線４００は、画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて固定電位とされており、上部容量電極３００に対し、コンタクトホール８０１、中継電極６ａ１、及びコンタクトホール８０３を介して接続されている。尚、容量配線４００は、遮光膜としても機能し、下層のデータ線６ａ、走査線１１ａ、ＴＦＴ３０等を覆うように、これらの回路要素よりも幅広に形成されており、非開口領域を最終に規定する形状となっている。

図１８に示したように、本実施形態においては、ゲート電極３ａは、半導体層１ａと交差して配置される本体部３ａａと、半導体層１ａの周縁の少なくとも一部に沿って延在するように本体部３ａａから導出された支部３ｂ１及び３ｂ２とを含んでなる。支部３ｂ１及び３ｂ２による作用及び効果は、第１実施形態の走査線３ａにおける支部３ｂと同様である。尚、支部３ｂ１及び３ｂ２は、ＴＦＴ３０の配置等を考慮して、本体部３ａａからの長さが互いに異なるように形成されている。

ここでは、例えばフォトマスク１９（図１９参照）を用いてパターニングされるために、ゲート電極３ａは、図１８に示した形状を再現するように形成される。
＜３−２：液晶装置の製造方法＞
次に、このような液晶装置の製造方法について、更に図１９及び図２０を参照して説明する。ここに、図１９は、本実施形態の製造方法に係るフォトマスクの平面形状を表している。図２０（ａ）、（ｂ）の夫々は、本実施形態の液晶装置の製造工程を表している。尚、図２０は、図１７におけるＢ−Ｂ’線断面と対応する断面によって示されている。

先ず、図２０（ａ）に示した工程において、ＴＦＴアレイ基板１０上に下地絶縁膜１２、半導体層１ａ、ゲート絶縁膜２を順次形成する。次に、下地絶縁膜１２を貫通するようにコンタクトホール１２ｃｖを開口し、半導体層１ａを跨ぐ所定領域に、ゲート電極３ａをパターン形成する。

その際、本実施形態では、図１９に示したフォトマスク１９が用いられる。フォトマスク１９における開口部１９ａは、第１実施形態のフォトマスク１３（図８参照）のうち半導体層１ａ近傍の開口部分に対応した形状をしている。即ち、フォトマスク１９の開口部１９ａにおいては、コーナー部に突出部１９ｂが形成されている。また、支部３ｂ１又は３ｂ２に対応する開口部分の先端には、ゲート電極３ａの出来上がり寸法よりも更に半導体層１ａの延在方向に延びる切れ込み部１９ｃが形成されている。即ち、本実施形態におけるフォトマスク１９は、本発明の「ゲート用マスク」の一具体例に対応しており、開口部１９ａ、突出部１９ｂ、切り込み部１９ｃが夫々、本発明の「主パターン」、「補正パターン」、「他の補正パターン」の一具体例に対応している。

このように形状を補正されたフォトマスク１９によれば、露光時の回折等によって転写されるパターンがなまるのが防止される。その結果、縁部３４Ｓにおける角θは２０度以下になり、支部３ｂ１及び３ｂ２は、コーナー部側の側縁が縁部３４Ｓから立ち上がった状態に転写される。

尚、この工程において、ゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９を形成してもよい。また、その後の工程は、通常と同様に行えばよい。

このようにして製造された液晶装置では、図１８に示したように、ゲート電極３ａにおける縁部３４Ｓの直線性が高く、チャネル長Ｌ_０に対するマージンΔＸ５が十分に確保できる。こうしたゲート電極３ａにおいては、形成時に多少の位置ずれが起きてもマージンΔＸ５によって誤差範囲内に吸収されるため、それに応じてチャネル長Ｌ_０が変化し、ＴＦＴの特性にばらつきが生じることが防止される。その結果、良好な表示品質を維持することが可能となる。

同時に、このようにして製造された液晶装置では、ゲート電極３ａから導出される支部３ｂ１及び３ｂ２が、半導体層１ａの側縁に沿って延びているので、チャネル領域１ａ’の極近傍を側面側から遮光することができる。ＴＦＴ３０に向かって進入する光には、駆動中に開口領域に入射する光のうち、配線等における乱反射や多重反射の結果、層間やコンタクトホール内を通って非開口領域内のＴＦＴ３０に向かって進入する成分や、戻り光などがある。こうした光の入射経路は通常予測し難く、チャネル領域１ａ’から離間するほど遮光効果は得られない。しかしながら、ゲート電極３ａの支部３ｂ１及び３ｂ２は、チャネル領域１ａ’の極近傍に配置されているので、チャネル領域１ａ’に進入する光を、確実に遮ることができる。よって、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生が抑制又は防止され、画質むらやコントラスト比の低下、フリッカ等のない高品質な表示が可能となる。

尚、このゲート電極３ａの遮光性能が良好であれば、遮光膜を減らす或いは無くすことが可能である。即ち、走査線１１ａ等の配線や蓄積容量７０は、遮光膜として機能する必要がなくなることで、その位置形状及び材料等の設計自由度が生じる。例えば、ＴＦＴ３０より上層の配線には、画素ピッチの微細化のために良導体であるＡｌが用いられる。ところが、Ａｌの反射率は高く、通常の構成であれば上記のような反射光の発生が助長されてＴＦＴへの照射光が増えるという問題が生じる。しかし、本実施形態に係る構成においては、ゲート電極３ａの遮光性能が高ければ、そうした問題は軽減或いは未然防止されることから、Ａｌを多用することが可能となる。

また、上記第２実施形態では、ゲート電極３ａを、フォトマスク１３に対応するフォトマスク１９を用いてパターン形成するようにしたが、このような形状のゲート電極３ａは、例えばフォトマスク１５（図１２）或いはフォトマスク１７（図１４）等、更にその他の形状で補正を施したマスクを用いても、光の回折等によって形状がなまるのを防止し、図１８に示した通りに再現することが可能である。

以上、実施形態及び変形例を挙げて本発明について説明したが、本発明の電気光学装置及びその製造方法は、以上の説明に限定されることなく、種々の変形実施が可能である。例えば、実施形態における走査線３ａないしゲート電極３ａは、形状が補正されたフォトマスクの使用により、所定の形状に形成され、その結果として、(1) 縁部３Ｓないし縁部３４Ｓの直線性が得られると共に、(2) 支部３ｂ、ないし支部３ｂ１及び３ｂ２は側縁が半導体層１ａに沿った形状とされたが、本発明に係るゲートにおいては、本体部の側縁の直線性を極力高めることと、支部がよく半導体層の側縁に沿って形成されることが肝要であるから、ゲート（実施形態における走査線ないしゲート電極）全体が当初予定していた形状であるか否かは特に問わない。

また、上記実施形態及び変形例では、１つのチャネル領域１ａ’に対して、本体部から４つの支部が導出されている場合について説明したが、本発明における「支部」は、必ずしも４つ設ける必要はなく、１つ以上あればよい。更に、支部は、実施形態等においては半導体層１ａの側縁に沿って設けるようにしたが、半導体層の側縁だけでなく、その周囲を取り囲むように形成してもよい。

更に、上記実施形態及び変形例では、フォトマスクがネガ型である場合、即ち、露光により感光した部分がパターンになる場合について説明したが、本発明に係るマスクはポジ型であっても構わない。その場合の開口部は、例えば、実施形態や変形例におけるフォトマスクの開口部ではない領域に対応した形状となる。

尚、上記実施形態等におけるＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造のほか、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ａをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

また上記実施形態及び変形例では、ポリシリコンＴＦＴであるＴＦＴ３０を、本発明に係る「薄膜トランジスタ」の一例としたが、本発明の薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンＴＦＴ等の他のＴＦＴであってもよく、光の照射によって不具合が生じるＴＦＴ全般に広く適用が可能である。

＜４：電子機器＞
以上に説明した液晶装置は、例えばプロジェクタに適用することができる。ここでは、本発明の電子機器の一例として、上記実施形態の液晶装置をライトバルブに適用したプロジェクタについて説明する。図２１は、そのようなプロジェクタの構成例を示している。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１００Ｒ、１００Ｂ及び１００Ｇに入射される。液晶装置１００Ｒ、１００Ｂ及び１００Ｇの構成は上述した液晶装置と同等であり、それぞれにおいて画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２では、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。これにより各色の画像が合成され、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン１１２０等にカラー画像が投写される。

尚、上記実施形態の液晶装置は、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー表示装置に適用することもできる。その場合、対向基板２０上における画素電極９ａに対向する領域に、ＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に形成すればよい。或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。更に、以上の各場合において、対向基板２０上に画素と１対１に対応するマイクロレンズを設けるようにすれば、入射光の集光効率が向上し、表示輝度を向上させることができる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用してＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るい表示が可能となる。

以上では、液晶装置及び液晶プロジェクタを例に挙げて本発明について説明したが、本発明の電気光学装置は、液晶装置の他にも、例えば、電子ペーパなどの電気泳動装置や、電子放出素子を用いた表示装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等として実現することができる。また、本発明の電子機器は、このような本発明の電気光学装置を備えることで実現され、上述したプロジェクタの他に、テレビジョン受像機や、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の各種の電子機器として実現可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の製造方法及び該電気光学装置、並びにこれを備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明の実施形態に係る液晶装置の全体構成を表す平面図である。 図１のＨ−Ｈ’断面図である。 本発明の実施形態に係る液晶装置における画素表示領域の構成を示す等価回路図である。 第１実施形態に係る液晶装置の画素群を表す部分平面図である。 図４のＡ−Ａ’線における断面図である。 図４の画素群におけるＴＦＴの構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の製造工程を表す断面図である。 第１実施形態に係るフォトマスクを表す平面図である。 第１実施形態に係る液晶装置のＴＦＴの構成を示す平面図である。 第１実施形態の比較例に係るフォトマスクを表す平面図である。 第１実施形態の比較例に係るＴＦＴの構成を示す平面図である。 第１実施形態の第１変形例に係るフォトマスクを表す平面図である。 第１実施形態の第１変形例に係るＴＦＴの構成を示す平面図である。 第１実施形態の第２変形例に係るフォトマスクを表す平面図である。 第１実施形態の第２変形例に係るＴＦＴの構成を示す平面図である。 第２実施形態に係る液晶装置の画素群を表す平面図である。 図１６のＢ−Ｂ’線における断面図である。 図１６の画素群におけるＴＦＴの構成を示す平面図である。 第２実施形態に係るフォトマスクを表す平面図である。 第２実施形態に係る液晶装置の製造工程を表す断面図である。 本発明の電子機器の一実施形態に係る液晶プロジェクタの構成を表す断面図である。

符号の説明

１０…ＴＦＴアレイ基板、１ａ…半導体層、１ａ’…チャネル領域、３ａ…ゲート電極、３２、３３…走査線、３ａａ…本体部、３ｂ、３ｂ１、３ｂ２、３２ｂ、３３ｂ…支部、３Ｓ、３２Ｓ、３３Ｓ、３４Ｓ…（本体部の）縁部、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１１ａ…遮光膜（走査線）、１３、１５、１７、１９…フォトマスク、１３ａ、１５ａ、１７ａ、１９ａ…開口部、１３ｂ、１５ｂ、１７ｂ、１９ｂ…突出部、１３ｃ、１９ｃ…切り込み部、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、４１〜４４…層間絶縁膜、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…下部電極、８１、８３、１２ｃｖ…コンタクトホール、３００…容量電極、４００…容量配線。

Claims (11)

1. 基板上の画像表示領域に、(I)ゲートと該ゲートにチャネル領域で交差する半導体層とを含んで構成された薄膜トランジスタ及び(II)該薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極を備えており、前記ゲートの前記基板上における平面形状が、前記チャネル領域で前記半導体層に交差して延在する本体部と、前記チャネル領域の周縁に沿った方向に延在するように前記本体部から導出された支部とを含むように規定されている、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
   前記基板上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、
   前記半導体層形成工程と相前後して、前記平面形状に応じた主パターンと、該主パターンにおける前記本体部及び前記支部がなすコーナーに対応する部分に、前記本体部の側縁を直線状に転写するための補正パターンとを有するゲート用マスクを用いた転写によって、前記基板上に前記ゲートを形成するゲート形成工程と
   を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記ゲート形成工程は、
   前記基板上に前駆膜及びレジスト膜を積層させて形成する工程と、
   前記ゲート用マスクを介して前記基板表面を露光し、前記レジスト膜を感光させることにより、少なくとも前記主パターンを転写する工程と、
   前記感光したレジスト膜を現像し、前記レジスト膜を少なくとも前記主パターンに応じて残存させる工程と、
   前記残存したレジスト膜を介し、前記前駆膜をエッチングにより部分的に除去する工程と
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記補正パターンは、露光により転写する際の解像度以下のサイズ及び形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記補正パターンは、前記コーナーにおける前記支部側の縁部に対応して形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記補正パターンは、前記コーナーにおける前記本体部側の縁部に対応して形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
6. 前記ゲート用マスクには、前記主パターンのうち前記支部の先端に対応する部分に、前記ゲートの出来上がり寸法よりも更に前記チャネル領域の周縁に沿った方向に延びた、前記支部の側縁を直線状に転写するための他の補正パターンが形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
7. 前記支部が、前記半導体層の両側縁に沿って設けられている場合に、
   前記主パターンのうち前記半導体層を間に隣接する前記支部同士に対応する部分の間隔は、前記チャネル領域の幅の２倍以上に設定されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 基板上の画像表示領域に、(I)ゲートと該ゲートにチャネル領域で交差する半導体層とを含んで構成された薄膜トランジスタ及び(II)該薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極を備えており、前記ゲートの前記基板上における平面形状が、前記チャネル領域で前記半導体層に交差して延在する本体部と、前記チャネル領域の周縁に沿った方向に延在するように前記本体部から導出された支部とを含むように規定されている、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
   前記基板上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、
   前記半導体層形成工程と相前後して、前記平面形状に応じた主パターンと、該主パターンにおける前記本体部及び前記支部がなすコーナーに対応する部分に、前記支部のうち前記チャネル領域の周縁に沿った側の側縁を前記チャネル領域の周縁と略平行な直線状に転写するための補正パターンとを有するゲート用マスクを用いた転写によって、前記基板上に前記ゲートを形成するゲート形成工程と
   を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を適用して製造された電気光学装置であって、
   前記薄膜トランジスタ及び前記表示用電極を備え、
   前記ゲートは、前記本体部と前記支部とを含んで構成されており、前記本体部の側縁が、前記チャネル領域に交差する位置において前記チャネル領域の幅方向となす角が２０度以下である
   ことを特徴とする電気光学装置。
10. 前記支部は、前記半導体層の両側縁に沿って設けられており、前記半導体層を間に隣接する前記支部同士の間隔は、前記チャネル領域の幅の２倍以上であることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
11. 請求項９又は１０に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
    

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