JP2012088745A - 高密度opc - Google Patents
高密度opc Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012088745A JP2012088745A JP2012022898A JP2012022898A JP2012088745A JP 2012088745 A JP2012088745 A JP 2012088745A JP 2012022898 A JP2012022898 A JP 2012022898A JP 2012022898 A JP2012022898 A JP 2012022898A JP 2012088745 A JP2012088745 A JP 2012088745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contour curve
- edge segment
- item
- layout
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】プロセス条件が、実質的に均一なグリッドによって、レイアウトデータベース上において推定される。等高S曲線が、推定されたプロセス条件から作成される。次に、等高曲線は、レイアウト内の形態と比較されて、エッジ配置誤差を決定する。エッジ配置誤差から、形態に対するOPCまたは他の補正が行われ得る。
【選択図】なし
Description
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
フォトリソグラフィプロセスにより作成される形態におけるプリンティングのゆがみを補正する方法であって、
レイアウト設計範囲に対応する形態のパターンを受信することと、
1つ以上の形態を多数のエッジセグメントにフラグメント化することと、
該レイアウト設計の該範囲の少なくとも一部分において実質的に均一なパターンのサンプリングポイントでプロセス条件を推定することと、
該推定されたプロセス条件から決定されたポイントの等高曲線を演算することと、
該形態と該等高曲線を比較することと、
フォトリソグラフィのプリンティングのゆがみに対して該形態を補正するために、該等高曲線と該形態との比較を使用することと
を包含する、方法。
(項目2)
前記プロセス条件は、画像の強度である、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記プロセス条件は、画像のコントラストである、項目1に記載の方法。
(項目4)
前記プロセス条件は、画像の傾斜である、項目1に記載の方法。
(項目5)
前記等高曲線は、実質的に同一の推定されたプロセス条件を有する、項目1に記載の方法。
(項目6)
前記等高曲線と前記形態とは、形態のエッジセグメントと等高曲線との間の距離を決定することによって比較される、項目1に記載の方法。
(項目7)
距離は、前記エッジセグメントと前記等高曲線との間の複数のポイントにおいて測定される、項目6に記載の方法。
(項目8)
前記複数の決定された距離の測定から、前記エッジセグメントのエッジ配置誤差を決定することをさらに包含する、項目7に記載の方法。
(項目9)
前記複数の決定された距離の測定の最大距離から、前記エッジセグメントのエッジ配置誤差を決定することをさらに包含する、項目8に記載の方法。
(項目10)
前記複数の決定された距離の測定の最小距離から、エッジ配置誤差を決定することをさらに包含する、項目8に記載の方法。
(項目11)
前記複数の決定された距離の測定の関数から、エッジ配置誤差を決定することをさらに包含する、項目8に記載の方法。
(項目12)
前記関数は、代表である、項目11に記載の方法。
(項目13)
前記関数は、前記複数の距離の平均である、項目11に記載の方法。
(項目14)
高密度である前記レイアウト設計の範囲内で、均一なパターンのサンプルポイントの密度を増加させることをさらに包含する、項目1に記載の方法。
(項目15)
前記レイアウト設計で作成される回路を動作する上で重要な範囲内で、均一なパターンのサンプルポイントの密度を増加させることをさらに包含する、項目1に記載の方法。(項目16)
前記実質的に均一なパターンのサンプリングポイントは、前記フォトリソグラフィプロセスのナイキスト周波数の関数である間隔を有する、項目1に記載の方法。
(項目17)
前記等高曲線とエッジセグメントとの間の距離は、前記フォトリソグラフィプロセスの前記ナイキスト周波数に対応する間隔を有する該エッジセグメント上の多数の位置において決定される、項目1に記載の方法。
(項目18)
形態と等高曲線とが比較されない該形態内の1つ以上の範囲を決定することをさらに包含する、項目1に記載の方法。
(項目19)
等高曲線と比較されない形態内の前記範囲は、
該等高曲線に対する正接線と形態のエッジセグメントの方向との間の角度を決定することと、
該角度が最大の角度を上回る場合には、該等高曲線と形態の該エッジセグメントとを比較しないことと
によって決定される、項目18に記載の方法。
(項目20)
前記フォトリソグラフィのプリンティングのゆがみに対して該形態を補正するために、製造することが現実的であるように形態の範囲を再定義し、等高曲線と該再定義された範囲とを比較することをさらに包含する、項目6に記載の方法。
(項目21)
レイアウト設計の範囲に対応する形態のパターンを受信することと、
1つ以上の形態を多数のエッジセグメントにフラグメント化することと、
該レイアウト設計の該範囲内の実質的に均一なパターンのサンプリングポイントにおけるプロセス条件を推定することと、
該推定されたプロセス条件から決定されたポイントの等高曲線を演算することと、
該形態と該等高曲線を比較することと、
フォトリソグラフィのプリンティングのゆがみに対して該形態を補正するために、該等高曲線と該形態との比較を使用することと
によって、コンピュータによって実行されたときに、フォトリソグラフィプロセスを介して作成される形態内のプリンティングのゆがみを補正する方法をコンピュータに行わせる、一連の命令を含むコンピュータで読み取り可能なメディア。
(項目22)
フォトリソグラフィプロセスにより作成される形態内のプリンティングのゆがみを補正する方法であって、
レイアウト設計の範囲に対応する形態のパターンを受信することと、
遠隔に位置されるコンピュータに該形態のパターンを送信することであって、該遠隔に位置されるコンピュータは、
1つ以上の形態を多数のエッジセグメントにフラグメント化する行為と、
該レイアウト設計の該範囲内の実質的に均一なパターンのサンプリングポイントにおけるプロセス条件を推定する行為と、
該推定されたプロセス条件から決定されたポイントの等高曲線を演算する行為と、
該形態と該等高曲線を比較することと、
フォトリソグラフィのプリンティングのゆがみに対して該形態を補正するために、該等高曲線と該形態との比較を使用する行為と
を行う、ことと
を包含する、方法。
Claims (1)
- 明細書に記載の発明。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/236,208 US7434199B2 (en) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | Dense OPC |
US11/236,208 | 2005-09-27 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008533315A Division JP2009510517A (ja) | 2005-09-27 | 2005-10-13 | 高密度opc |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014228022A Division JP2015028668A (ja) | 2005-09-27 | 2014-11-10 | 高密度opc |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012088745A true JP2012088745A (ja) | 2012-05-10 |
Family
ID=35695842
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008533315A Pending JP2009510517A (ja) | 2005-09-27 | 2005-10-13 | 高密度opc |
JP2012022898A Withdrawn JP2012088745A (ja) | 2005-09-27 | 2012-02-06 | 高密度opc |
JP2014228022A Pending JP2015028668A (ja) | 2005-09-27 | 2014-11-10 | 高密度opc |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008533315A Pending JP2009510517A (ja) | 2005-09-27 | 2005-10-13 | 高密度opc |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014228022A Pending JP2015028668A (ja) | 2005-09-27 | 2014-11-10 | 高密度opc |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7434199B2 (ja) |
EP (1) | EP1929373A1 (ja) |
JP (3) | JP2009510517A (ja) |
TW (1) | TWI370956B (ja) |
WO (1) | WO2007040544A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112433441A (zh) * | 2019-08-26 | 2021-03-02 | 长鑫存储技术有限公司 | Opc修正方法及opc修正装置 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7293249B2 (en) * | 2002-01-31 | 2007-11-06 | Juan Andres Torres Robles | Contrast based resolution enhancement for photolithographic processing |
JP2007536581A (ja) | 2004-05-07 | 2007-12-13 | メンター・グラフィクス・コーポレーション | プロセス変動バンドを用いた集積回路レイアウト設計法 |
US7240305B2 (en) * | 2004-06-02 | 2007-07-03 | Lippincott George P | OPC conflict identification and edge priority system |
US8037429B2 (en) * | 2005-03-02 | 2011-10-11 | Mentor Graphics Corporation | Model-based SRAF insertion |
US7712068B2 (en) * | 2006-02-17 | 2010-05-04 | Zhuoxiang Ren | Computation of electrical properties of an IC layout |
JP4832201B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2011-12-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4866683B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2012-02-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体デバイスの製造方法、データ作成装置、データ作成方法、およびプログラム |
US8056022B2 (en) * | 2006-11-09 | 2011-11-08 | Mentor Graphics Corporation | Analysis optimizer |
US7966585B2 (en) * | 2006-12-13 | 2011-06-21 | Mentor Graphics Corporation | Selective shielding for multiple exposure masks |
US7802226B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-09-21 | Mentor Graphics Corporation | Data preparation for multiple mask printing |
US7799487B2 (en) * | 2007-02-09 | 2010-09-21 | Ayman Yehia Hamouda | Dual metric OPC |
US7739650B2 (en) * | 2007-02-09 | 2010-06-15 | Juan Andres Torres Robles | Pre-bias optical proximity correction |
US8713483B2 (en) | 2007-06-05 | 2014-04-29 | Mentor Graphics Corporation | IC layout parsing for multiple masks |
US7805699B2 (en) * | 2007-10-11 | 2010-09-28 | Mentor Graphics Corporation | Shape-based photolithographic model calibration |
NL2003716A (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-26 | Brion Tech Inc | Harmonic resist model for use in a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US8321818B2 (en) * | 2009-06-26 | 2012-11-27 | International Business Machines Corporation | Model-based retargeting of layout patterns for sub-wavelength photolithography |
US8146026B2 (en) * | 2009-11-17 | 2012-03-27 | International Business Machines Corporation | Simultaneous photolithographic mask and target optimization |
US8230372B2 (en) * | 2009-12-03 | 2012-07-24 | International Business Machines Corporation | Retargeting for electrical yield enhancement |
US8331646B2 (en) * | 2009-12-23 | 2012-12-11 | International Business Machines Corporation | Optical proximity correction for transistors using harmonic mean of gate length |
JP5460479B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-04-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン寸法測定装置及び輪郭線形成装置 |
US8415077B2 (en) | 2010-08-13 | 2013-04-09 | International Business Machines Corporation | Simultaneous optical proximity correction and decomposition for double exposure lithography |
JP5501161B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-05-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、及びコンピュータプログラム |
CN102486606B (zh) * | 2010-12-03 | 2013-03-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻方法 |
CN103105726B (zh) * | 2011-11-11 | 2015-04-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 布局图形校正方法 |
US8510687B1 (en) * | 2012-03-01 | 2013-08-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Error diffusion and grid shift in lithography |
US9646220B2 (en) * | 2013-11-25 | 2017-05-09 | GlobalFoundries, Inc. | Methods and media for averaging contours of wafer feature edges |
CN103605265B (zh) * | 2013-11-26 | 2015-11-18 | 上海宏盾防伪材料有限公司 | 一种基于矢量曲线路径的象元可变角度的曲线光刻加工系统及光刻方法 |
US8881070B1 (en) * | 2014-02-18 | 2014-11-04 | Mentor Graphics Corporation | Optical proximity correction based on edge fragment correlation |
CN106483758B (zh) * | 2015-09-02 | 2019-08-20 | 无锡华润上华科技有限公司 | 光学邻近效应修正方法和系统 |
KR102481295B1 (ko) | 2015-11-12 | 2022-12-27 | 삼성전자주식회사 | 광 근접 보정을 수행하여 마스크를 제작하는 방법 |
CN108319113B (zh) * | 2018-01-31 | 2021-01-08 | 宁波大学 | 一种玻璃毛细管中加工微结构的变形矫正方法 |
KR20210028326A (ko) | 2019-09-03 | 2021-03-12 | 삼성전자주식회사 | 마스크 레이아웃의 보정 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 |
CN111367149B (zh) * | 2020-04-10 | 2021-04-20 | 联合微电子中心有限责任公司 | 曲线图形光学邻近修正方法 |
CN112015045B (zh) * | 2020-08-31 | 2023-11-17 | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 | 一种掩模优化方法及电子设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10133358A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Sony Corp | 露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光マスクおよび露光方法並びに半導体装置 |
JP2003257842A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Fujitsu Ltd | 近接効果補正装置、近接効果補正方法、記憶媒体及びプログラム |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4532650A (en) | 1983-05-12 | 1985-07-30 | Kla Instruments Corporation | Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm |
FR2590376A1 (fr) | 1985-11-21 | 1987-05-22 | Dumant Jean Marc | Procede de masquage et masque utilise |
IL99823A0 (en) | 1990-11-16 | 1992-08-18 | Orbot Instr Ltd | Optical inspection method and apparatus |
JP2531114B2 (ja) | 1993-10-29 | 1996-09-04 | 日本電気株式会社 | 光強度分布解析方法 |
US5646870A (en) | 1995-02-13 | 1997-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for setting and adjusting process parameters to maintain acceptable critical dimensions across each die of mass-produced semiconductor wafers |
US5682323A (en) | 1995-03-06 | 1997-10-28 | Lsi Logic Corporation | System and method for performing optical proximity correction on macrocell libraries |
JP3409493B2 (ja) | 1995-03-13 | 2003-05-26 | ソニー株式会社 | マスクパターンの補正方法および補正装置 |
JP3934719B2 (ja) | 1995-12-22 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 光近接効果補正方法 |
US5723233A (en) | 1996-02-27 | 1998-03-03 | Lsi Logic Corporation | Optical proximity correction method and apparatus |
US6269472B1 (en) | 1996-02-27 | 2001-07-31 | Lsi Logic Corporation | Optical proximity correction method and apparatus |
KR100257710B1 (ko) | 1996-12-27 | 2000-06-01 | 김영환 | 리소그라피 공정의 시물레이션 방법 |
US6016357A (en) | 1997-06-16 | 2000-01-18 | International Business Machines Corporation | Feedback method to repair phase shift masks |
US6453452B1 (en) | 1997-12-12 | 2002-09-17 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for data hierarchy maintenance in a system for mask description |
US6370679B1 (en) | 1997-09-17 | 2002-04-09 | Numerical Technologies, Inc. | Data hierarchy layout correction and verification method and apparatus |
US6243855B1 (en) | 1997-09-30 | 2001-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask data design method |
US6499003B2 (en) | 1998-03-03 | 2002-12-24 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for application of proximity correction with unitary segmentation |
US6128067A (en) | 1998-04-28 | 2000-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Correcting method and correcting system for mask pattern |
US6120952A (en) | 1998-10-01 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Methods of reducing proximity effects in lithographic processes |
US6263299B1 (en) | 1999-01-19 | 2001-07-17 | Lsi Logic Corporation | Geometric aerial image simulation |
US6249904B1 (en) | 1999-04-30 | 2001-06-19 | Nicolas Bailey Cobb | Method and apparatus for submicron IC design using edge fragment tagging to correct edge placement distortion |
US6467076B1 (en) | 1999-04-30 | 2002-10-15 | Nicolas Bailey Cobb | Method and apparatus for submicron IC design |
US6301697B1 (en) | 1999-04-30 | 2001-10-09 | Nicolas B. Cobb | Streamlined IC mask layout optical and process correction through correction reuse |
US6187483B1 (en) | 1999-05-28 | 2001-02-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Mask quality measurements by fourier space analysis |
US6317859B1 (en) | 1999-06-09 | 2001-11-13 | International Business Machines Corporation | Method and system for determining critical area for circuit layouts |
US6643616B1 (en) | 1999-12-07 | 2003-11-04 | Yuri Granik | Integrated device structure prediction based on model curvature |
US6792159B1 (en) | 1999-12-29 | 2004-09-14 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Correction of defective pixels in a detector using temporal gradients |
US6665845B1 (en) | 2000-02-25 | 2003-12-16 | Sun Microsystems, Inc. | System and method for topology based noise estimation of submicron integrated circuit designs |
US6584609B1 (en) | 2000-02-28 | 2003-06-24 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction |
US6792590B1 (en) | 2000-09-29 | 2004-09-14 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of edges with projection points in a fabrication layout for correcting proximity effects |
US6453457B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-09-17 | Numerical Technologies, Inc. | Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout |
US7013439B2 (en) | 2002-01-31 | 2006-03-14 | Juan Andres Torres Robles | Contrast based resolution enhancing technology |
-
2005
- 2005-09-27 US US11/236,208 patent/US7434199B2/en active Active
- 2005-10-13 EP EP05811822A patent/EP1929373A1/en not_active Withdrawn
- 2005-10-13 WO PCT/US2005/037128 patent/WO2007040544A1/en active Application Filing
- 2005-10-13 JP JP2008533315A patent/JP2009510517A/ja active Pending
-
2006
- 2006-09-26 TW TW095135534A patent/TWI370956B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-02-06 JP JP2012022898A patent/JP2012088745A/ja not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-11-10 JP JP2014228022A patent/JP2015028668A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10133358A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Sony Corp | 露光パターンの補正方法および露光パターンの補正装置および露光マスクおよび露光方法並びに半導体装置 |
JP2003257842A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-12 | Fujitsu Ltd | 近接効果補正装置、近接効果補正方法、記憶媒体及びプログラム |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112433441A (zh) * | 2019-08-26 | 2021-03-02 | 长鑫存储技术有限公司 | Opc修正方法及opc修正装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1929373A1 (en) | 2008-06-11 |
US20070074143A1 (en) | 2007-03-29 |
JP2015028668A (ja) | 2015-02-12 |
TW200720851A (en) | 2007-06-01 |
TWI370956B (en) | 2012-08-21 |
US7434199B2 (en) | 2008-10-07 |
WO2007040544A1 (en) | 2007-04-12 |
JP2009510517A (ja) | 2009-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015028668A (ja) | 高密度opc | |
US11119401B2 (en) | Simulating near field image in optical lithography | |
JP5680588B2 (ja) | 費用関数ベースの同時opc及びsbar最適化のための方法及び装置 | |
JP4806020B2 (ja) | リソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを作成するための方法、公称条件で使用するためのリソグラフィプロセスの単一のモデルを作成するための方法、およびコンピュータ読取可能媒体 | |
US7799487B2 (en) | Dual metric OPC | |
TWI443448B (zh) | 用於裝置製造之光罩設計及光學接近修正 | |
US9910348B2 (en) | Method of simultaneous lithography and etch correction flow | |
US11379647B2 (en) | Multilayer optical proximity correction (OPC) model for OPC correction | |
JP2014524135A (ja) | Euvリソグラフィのフレア計算及び補償 | |
KR100655428B1 (ko) | 광근접효과보정 시스템 및 방법 | |
US20070111112A1 (en) | Systems and methods for fabricating photo masks | |
WO2015023610A1 (en) | An edge-based full chip mask topography modeling | |
JP5052625B2 (ja) | マスクのレイアウトを設計する方法及びプログラム | |
US7805699B2 (en) | Shape-based photolithographic model calibration | |
US20200096876A1 (en) | Dose Map Optimization for Mask Making | |
TW202022485A (zh) | 對微影最佳化之黑塞矩陣及向量之乘積的黑塞自由運算 | |
CN114326288A (zh) | 增大光刻工艺窗口的方法、电子设备和存储介质 | |
JP2000214577A (ja) | パタ―ン歪検出方法、パタ―ン歪検出装置およびその記録媒体 | |
US7251377B2 (en) | Cell library that can automatically avoid forbidden pitches | |
US20100082313A1 (en) | Optical Lithographic Process Model Calibration | |
KR100989746B1 (ko) | 광학 파라미터와 리스크 함수를 이용한 광학적 근접 보정 검증 방법 | |
KR20210046459A (ko) | 멀티-opc 모델을 이용한 opc 방법, 및 그 opc 방법을 이용한 마스크 제조방법 | |
CN117311080B (zh) | 用于拆分版图图案的方法、设备和介质 | |
US11899358B2 (en) | Method for measuring photomasks | |
KR20240031314A (ko) | 소스 마스크 최적화 및 타겟 최적화를 위한 패턴 선택 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131031 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140130 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140204 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140227 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140304 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140328 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140402 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140710 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20150812 |