JP2014524135A - Euvリソグラフィのフレア計算及び補償 - Google Patents
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Abstract
Description
故に、ここでは特定の実施形態を説明したが、以上の開示には様々な変更、変形及び代用が許容されのであり、認識されるように、一部の例において、特定の実施形態の一部の特徴が、開示の範囲及び精神を逸脱することなく、対応して他の特徴を用いることなく使用され得る。従って、具体的な状況又は素材を本質的な範囲及び精神に適応させるように数多くの変更が為され得る。
Claims (20)
- 極紫外(EUV)リソグラフィで使用されるマスクのフレアを計算する方法であって、
フレアのパワースペクトル密度(PSD)を低周波成分と高周波成分とに分解するステップと、
フレアマップ生成部にて複数のレイアウトを受信するステップであり、該複数のレイアウトの各々は前記マスク上のチップパターン位置に対応する、ステップと、
前記フレアマップ生成部にて、高速フーリエ変換(FFT)を用いて、前記低周波成分から前記マスクの低周波フレアマップを生成するステップと、
を有する方法。 - 前記複数のレイアウトからレチクルデータファイルを作成するステップであり、該レチクルデータファイルは、前記マスク上の各チップパターン位置の向き及び配置についての情報を含む、ステップ、
を更に有する請求項1に記載の方法。 - 前記低周波フレアマップを生成するステップは、前記レチクルデータファイルを用いて、前記複数のレイアウトの各々についての情報を決定する、請求項2に記載の方法。
- 前記高周波成分とテストパターンとに基づいて高周波フレアをモデル化するステップと、
前記テストパターンとプロセス情報とに基づいて光強度をモデル化するステップと、
前記低周波フレアマップを読み取ることに基づいて低周波フレアをモデル化するステップと、
を更に有する請求項3に記載の方法。 - 前記モデル化された高周波フレアと、前記モデル化された光強度と、前記モデル化された低周波フレアとを結合することによって、モデル化された光強度及びフレアを生成するステップ、
を更に有する請求項4に記載の方法。 - 前記プロセス情報を用いてレジスト及びエッチングをモデル化するステップと、
前記モデル化されたレジスト及びエッチングを用いて、モデル化されたウエハクリティカルディメンジョン(CD)を生成するステップと、
を更に有する請求項5に記載の方法。 - 計測データを用いてモデルパラメータを最適化することによってマスクモデルを生成するステップ、
を更に有する請求項6に記載の方法。 - 前記マスクモデルと、前記低周波フレアマップと、前記レチクルデータファイルとを用いて、前記複数のレイアウトについての補正を実行するステップ、
を更に有する請求項7に記載の方法。 - 前記補正を実行するステップは、
前記複数のレイアウトの、光近接効果補正(OPC)及びフレア効果補正を実行することと、
前記複数のレイアウトを、生成された前記OPCを有する対応する複数のレイアウトで置換することと、
前記レチクルデータファイルから、修正されたレチクルデータファイルを生成することと
を有する、請求項8に記載の方法。 - 前記置換された複数のレイアウトを用いて前記マスクを描画するステップ、
を更に有する請求項9に記載の方法。 - 極紫外(EUV)リソグラフィで使用されるマスクのフレアを計算する装置であって、
1つ以上のプロセッサと、
前記1つ以上のプロセッサによって実行される、1つ以上の有形媒体に符号化されたロジックと
を有し、前記ロジックは、実行されるときに:
フレアのパワースペクトル密度(PSD)を低周波成分と高周波成分とに分解し、
フレアマップ生成部にて複数のレイアウトを受信し、該複数のレイアウトの各々は前記マスク上のチップパターン位置に対応し、且つ
前記フレアマップ生成部にて、高速フーリエ変換(FFT)を用いて、前記低周波成分から前記マスクの低周波フレアマップを生成する
ように作用する、装置。 - 前記ロジックは、実行されるときに更に:
前記複数のレイアウトからレチクルデータファイルを作成し、該レチクルデータファイルは、前記マスク上の各チップパターン位置の向き及び配置についての情報を含み、該レチクルデータファイルは、前記低周波フレアマップを生成するのに使用される、
ように作用する、請求項11に記載の装置。 - 前記ロジックは、実行されるときに更に:
前記高周波成分とテストパターンとに基づいて高周波フレアをモデル化し、
前記テストパターンとプロセス情報とに基づいて光強度をモデル化し、
前記低周波フレアマップを読み取ることに基づいて低周波フレアをモデル化し、且つ
前記モデル化された高周波フレアと、前記モデル化された光強度と、前記モデル化された低周波フレアとを結合することによって、モデル化された光強度及びフレアを生成する
ように作用する、請求項12に記載の装置。 - 前記ロジックは、実行されるときに更に:
前記プロセス情報を用いてレジスト及びエッチングをモデル化し、
前記モデル化されたレジスト及びエッチングを用いて、モデル化されたウエハクリティカルディメンジョン(CD)を生成し、且つ
計測データを用いてモデルパラメータを最適化することによってマスクモデルを生成する
ように作用する、請求項13に記載の装置。 - 前記ロジックは、実行されるときに更に、前記マスクモデルと、前記低周波フレアマップと、前記レチクルデータファイルとを用いて、前記複数のレイアウトについての補正を実行するように作用し、前記補正を実行することは:
前記複数のレイアウトの、光近接効果補正(OPC)及びフレア効果補正を実行し、
前記複数のレイアウトを、生成された前記OPCを有する対応する複数のレイアウトで置換し、該置換された複数のレイアウトを用いて前記マスクは描画され、且つ
前記レチクルデータファイルから、修正されたレチクルデータファイルを生成する
ことを有する、請求項14に記載の装置。 - 極紫外(EUV)リソグラフィで使用されるマスクのフレアを計算するように1つ以上のプロセッサによって実行されるソフトウェアを格納したコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、当該コンピュータ読み取り可能記憶媒体は:
フレアのパワースペクトル密度(PSD)を低周波成分と高周波成分とに分解し、
フレアマップ生成部にて複数のレイアウトを受信し、該複数のレイアウトの各々は前記マスク上のチップパターン位置に対応し、且つ
前記フレアマップ生成部にて、高速フーリエ変換(FFT)を用いて、前記低周波成分から前記マスクの低周波フレアマップを生成する
ための1つ以上の命令を有する、コンピュータ読み取り可能記憶媒体。 - 前記複数のレイアウトからレチクルデータファイルを作成し、該レチクルデータファイルは、前記マスク上の各チップパターン位置の向き及び配置についての情報を含み、該レチクルデータファイルは、前記低周波フレアマップを生成するのに使用される、
ための1つ以上の命令を更に有する請求項16に記載のコンピュータ読み取り可能記憶媒体。 - 前記高周波成分とテストパターンとに基づいて高周波フレアをモデル化し、
前記テストパターンとプロセス情報とに基づいて光強度をモデル化し、
前記低周波フレアマップを読み取ることに基づいて低周波フレアをモデル化し、且つ
前記モデル化された高周波フレアと、前記モデル化された光強度と、前記モデル化された低周波フレアとを結合することによって、モデル化された光強度及びフレアを生成する
ための1つ以上の命令を更に有する請求項17に記載のコンピュータ読み取り可能記憶媒体。 - 前記プロセス情報を用いてレジスト及びエッチングをモデル化し、
前記モデル化されたレジスト及びエッチングを用いて、モデル化されたウエハクリティカルディメンジョン(CD)を生成し、且つ
計測データを用いてモデルパラメータを最適化することによってマスクモデルを生成する
ための1つ以上の命令を更に有する請求項18に記載のコンピュータ読み取り可能記憶媒体。 - 前記マスクモデルと、前記低周波フレアマップと、前記レチクルデータファイルとを用いて、前記複数のレイアウトについての補正を実行する、ための1つ以上の命令を更に有し、前記補正を実行することは:
前記複数のレイアウトの、光近接効果補正(OPC)及びフレア効果補正を実行し、
前記複数のレイアウトを、生成された前記OPCを有する対応する複数のレイアウトで置換し、該置換された複数のレイアウトを用いて前記マスクは描画され、且つ
前記レチクルデータファイルから、修正されたレチクルデータファイルを生成する
ことを有する、請求項19に記載のコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
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