JP2017116952A - Euvリソグラフィのフレア計算及び補償 - Google Patents
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Abstract
Description
故に、ここでは特定の実施形態を説明したが、以上の開示には様々な変更、変形及び代用が許容されのであり、認識されるように、一部の例において、特定の実施形態の一部の特徴が、開示の範囲及び精神を逸脱することなく、対応して他の特徴を用いることなく使用され得る。従って、具体的な状況又は素材を本質的な範囲及び精神に適応させるように数多くの変更が為され得る。
[付記1]
極紫外(EUV)リソグラフィで使用されるマスクのフレアを計算する方法であって、
フレアのパワースペクトル密度(PSD)を低周波成分と高周波成分とに分解するステップと、
フレアマップ生成部にて複数のレイアウトを受信するステップであり、該複数のレイアウトの各々は上記マスク上のチップパターン位置に対応する、ステップと、
上記フレアマップ生成部にて、高速フーリエ変換(FFT)を用いて、上記低周波成分から上記マスクの低周波フレアマップを生成するステップと、
を有する方法。
[付記2]
上記複数のレイアウトからレチクルデータファイルを作成するステップであり、該レチクルデータファイルは、上記マスク上の各チップパターン位置の向き及び配置についての情報を含む、ステップ、
を更に有する付記1に記載の方法。
[付記3]
上記低周波フレアマップを生成するステップは、上記レチクルデータファイルを用いて、上記複数のレイアウトの各々についての情報を決定する、付記2に記載の方法。
[付記4]
上記高周波成分とテストパターンとに基づいて高周波フレアをモデル化するステップと、
上記テストパターンとプロセス情報とに基づいて光強度をモデル化するステップと、
上記低周波フレアマップを読み取ることに基づいて低周波フレアをモデル化するステップと、
を更に有する付記3に記載の方法。
[付記5]
上記モデル化された高周波フレアと、上記モデル化された光強度と、上記モデル化された低周波フレアとを結合することによって、モデル化された光強度及びフレアを生成するステップ、
を更に有する付記4に記載の方法。
[付記6]
上記プロセス情報を用いてレジスト及びエッチングをモデル化するステップと、
上記モデル化されたレジスト及びエッチングを用いて、モデル化されたウエハクリティカルディメンジョン(CD)を生成するステップと、
を更に有する付記5に記載の方法。
[付記7]
計測データを用いてモデルパラメータを最適化することによってマスクモデルを生成するステップ、
を更に有する付記6に記載の方法。
[付記8]
上記マスクモデルと、上記低周波フレアマップと、上記レチクルデータファイルとを用いて、上記複数のレイアウトについての補正を実行するステップ、
を更に有する付記7に記載の方法。
[付記9]
上記補正を実行するステップは、
上記複数のレイアウトの、光近接効果補正(OPC)及びフレア効果補正を実行することと、
上記複数のレイアウトを、生成された上記OPCを有する対応する複数のレイアウトで置換することと、
上記レチクルデータファイルから、修正されたレチクルデータファイルを生成することと
を有する、付記8に記載の方法。
[付記10]
上記置換された複数のレイアウトを用いて上記マスクを描画するステップ、
を更に有する付記9に記載の方法。
[付記11]
極紫外(EUV)リソグラフィで使用されるマスクのフレアを計算する装置であって、
1つ以上のプロセッサと、
上記1つ以上のプロセッサによって実行される、1つ以上の有形媒体に符号化されたロジックと
を有し、上記ロジックは、実行されるときに:
フレアのパワースペクトル密度(PSD)を低周波成分と高周波成分とに分解し、
フレアマップ生成部にて複数のレイアウトを受信し、該複数のレイアウトの各々は上記マスク上のチップパターン位置に対応し、且つ
上記フレアマップ生成部にて、高速フーリエ変換(FFT)を用いて、上記低周波成分から上記マスクの低周波フレアマップを生成する
ように作用する、装置。
[付記12]
上記ロジックは、実行されるときに更に:
上記複数のレイアウトからレチクルデータファイルを作成し、該レチクルデータファイルは、上記マスク上の各チップパターン位置の向き及び配置についての情報を含み、該レチクルデータファイルは、上記低周波フレアマップを生成するのに使用される、
ように作用する、付記11に記載の装置。
[付記13]
上記ロジックは、実行されるときに更に:
上記高周波成分とテストパターンとに基づいて高周波フレアをモデル化し、
上記テストパターンとプロセス情報とに基づいて光強度をモデル化し、
上記低周波フレアマップを読み取ることに基づいて低周波フレアをモデル化し、且つ
上記モデル化された高周波フレアと、上記モデル化された光強度と、上記モデル化された低周波フレアとを結合することによって、モデル化された光強度及びフレアを生成する
ように作用する、付記12に記載の装置。
[付記14]
上記ロジックは、実行されるときに更に:
上記プロセス情報を用いてレジスト及びエッチングをモデル化し、
上記モデル化されたレジスト及びエッチングを用いて、モデル化されたウエハクリティカルディメンジョン(CD)を生成し、且つ
計測データを用いてモデルパラメータを最適化することによってマスクモデルを生成する
ように作用する、付記13に記載の装置。
[付記15]
上記ロジックは、実行されるときに更に、上記マスクモデルと、上記低周波フレアマップと、上記レチクルデータファイルとを用いて、上記複数のレイアウトについての補正を実行するように作用し、上記補正を実行することは:
上記複数のレイアウトの、光近接効果補正(OPC)及びフレア効果補正を実行し、
上記複数のレイアウトを、生成された上記OPCを有する対応する複数のレイアウトで置換し、該置換された複数のレイアウトを用いて上記マスクは描画され、且つ
上記レチクルデータファイルから、修正されたレチクルデータファイルを生成する
ことを有する、付記14に記載の装置。
[付記16]
極紫外(EUV)リソグラフィで使用されるマスクのフレアを計算するように1つ以上のプロセッサによって実行されるソフトウェアを格納したコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、当該コンピュータ読み取り可能記憶媒体は:
フレアのパワースペクトル密度(PSD)を低周波成分と高周波成分とに分解し、
フレアマップ生成部にて複数のレイアウトを受信し、該複数のレイアウトの各々は上記マスク上のチップパターン位置に対応し、且つ
上記フレアマップ生成部にて、高速フーリエ変換(FFT)を用いて、上記低周波成分から上記マスクの低周波フレアマップを生成する
ための1つ以上の命令を有する、コンピュータ読み取り可能記憶媒体。
[付記17]
上記複数のレイアウトからレチクルデータファイルを作成し、該レチクルデータファイルは、上記マスク上の各チップパターン位置の向き及び配置についての情報を含み、該レチクルデータファイルは、上記低周波フレアマップを生成するのに使用される、
ための1つ以上の命令を更に有する付記16に記載のコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
[付記18]
上記高周波成分とテストパターンとに基づいて高周波フレアをモデル化し、
上記テストパターンとプロセス情報とに基づいて光強度をモデル化し、
上記低周波フレアマップを読み取ることに基づいて低周波フレアをモデル化し、且つ
上記モデル化された高周波フレアと、上記モデル化された光強度と、上記モデル化された低周波フレアとを結合することによって、モデル化された光強度及びフレアを生成する
ための1つ以上の命令を更に有する付記17に記載のコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
[付記19]
上記プロセス情報を用いてレジスト及びエッチングをモデル化し、
上記モデル化されたレジスト及びエッチングを用いて、モデル化されたウエハクリティカルディメンジョン(CD)を生成し、且つ
計測データを用いて上記モデル化されたウエハCDを最適化することによってマスクモデルを生成する
ための1つ以上の命令を更に有する付記18に記載のコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
[付記20]
上記マスクモデルと、上記低周波フレアマップと、上記レチクルデータファイルとを用いて、上記複数のレイアウトについての補正を実行する、ための1つ以上の命令を更に有し、上記補正を実行することは:
上記複数のレイアウトの、光近接効果補正(OPC)及びフレア効果補正を実行し、
上記複数のレイアウトを、生成された上記OPCを有する対応する複数のレイアウトで置換し、該置換された複数のレイアウトを用いて上記マスクは描画され、且つ
上記レチクルデータファイルから、修正されたレチクルデータファイルを生成する
ことを有する、付記19に記載のコンピュータ読み取り可能記憶媒体。
Claims (1)
- 極紫外(EUV)リソグラフィで使用されるマスクのフレアを計算する方法であって、
フレアのパワースペクトル密度(PSD)を低周波成分と高周波成分とに分解するステップと、
フレアマップ生成部にて複数のレイアウトを受信するステップであり、該複数のレイアウトの各々は前記マスク上のチップパターン位置に対応する、ステップと、
前記フレアマップ生成部にて、前記高周波成分について高速フーリエ変換(FFT)を用いずに前記低周波成分について高速フーリエ変換(FFT)を用いて、前記低周波成分から前記マスクの低周波フレアマップを生成するステップと、
を有する方法。
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