JP2006178458A - リソグラフィ投影装置を使用して描像する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投影システムが生成する迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を確立し、フレアがパターン像に及ぼす効果を考慮に入れる方法で、パターニングデバイスが適用するパターンにPSDを関連づける変調伝達関数(MTF)を、PSDから決定する。MTFを使用して、パターン像の限界寸法(CD)に及ぼすフレアの効果を決定し、パターン像のCDの変化と、パターンのCDの変化との関係を確立する。パターン像のCDへのフレアの効果をオフセットすることにより、複数のパターン形体のCDの均一性に関し、描像性能を可能な限り一定にする。
【選択図】図7
Description
投影システムによって生成される迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を確立することと、
フレアがパターン像に及ぼす効果を考慮して、パターニングデバイスによって適用されたパターンにPSDを関連づける変調伝達関数(MTF)を、PSDから決定することと、
パターン像の限界寸法(CD)に及ぼすフレアの効果を決定するためにMTFを使用することと、
パターン像のCDにおける変化と、パターンのCDにおける変化との関係を確立することと、
パターン像のCDに及ぼすフレアの効果を少なくとも部分的にオフセットするように、パターニングデバイスを設計することとを含む。
時間の関数として迷光放射線を監視することと、
時間の関数として生成された迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を決定するパラメータを確立することと、
時間の関数として、このようなパラメータの傾向を確立することと、
フレアの効果を補償するためにパターニングデバイスに実行すべき調節を決定するために、このようなパラメータを使用することとを含む。
投影システムによって生成された迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を確立することと、
フレアがパターン像に及ぼす効果を考慮して、パターニングデバイスによって適用されたパターンにPSDを関連づける変調伝達関数(MTF)を、PSDから決定することと、
パターン像の限界寸法(CD)に及ぼすフレアの効果を決定するためにMTFを使用することと、
パターン像のCDにおける変化と、パターンのCDにおける変化との関係を確立することと、
パターン像のCDに及ぼすフレアの効果を少なくとも部分的にオフセットするようにして、パターニングデバイスを設計することとを含む。
時間の関数として迷光放射線を監視することと、
所定の寿命最後に生成され得る迷光放射線を仮定することと、
寿命の最後でパターン像の限界寸法(CD)に及ぼし得るフレア効果を決定することと、
寿命の最後でパターン像のCDに及ぼし得るフレアの効果を少なくとも部分的にオフセットするような方法で、パターニングデバイスの設計を設定することと、
生成される迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を確立することと、
迷光放射線の現在のレベルについて、パターン像のCDに及ぼすフレアの効果を確立することと、
像面における振動の効果を示すある量の移動標準偏差MSDxyを、寿命の最後での変化するMSDxyのせいで投影された変化と、寿命の最後でのフレアによるCDの投影された変化との合計が、予想寿命にわたってほぼ一定であるように適用することとを含む。
− 放射線ビームB(例えばUV放射線)を調整するように構成された照明システム(照明装置)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決め装置PMに連結を行った支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジスト塗布したウェハ)Wを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置PWに連結を行った基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射線ビームBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成る)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折性投影レンズシステム)PSとを含む。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が1回で目標部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同時走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向における)幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する間に、基板テーブルWTが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルWTを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
ここで、fは瞳の半径に対する(寸法[1/m]の)空間周波数であり、Aは測定の観察面積であり、z(r)は、粗さ分布の自己補正関数であり、rは空間座標である。
ここでfminは最小空間周波数であり、fmaxは最大空間周波数である。測定した電力スペクトルを記述するために、幾つかのモデルが開発されている。これを図4で概略的に示す。全てのモデルは、E.L.Churchの「仕上げパラメータの最適推定」(”The Optimal Estimation of Finish Parameters”)、SPIE Vol.1530の71から85ページに記載されているように、下式で1つの特定の形状、いわゆるABCまたはK相関モデルに一般化することができる。
ここでA、Bおよびcは、調節可能な仕上げパラメータである。ABCモデルによって記述されたスペクトルは等方性で、滑らかな周波数関数である。さらに、逆電力の法則またはフラクタル状の性質を示す(これは、研磨が特徴的な長さスケールを含まないと予想されるからである)。比較的低い周波数では、このフラクタルな挙動は、部品サイズより短い固有の外部長さスケールのせいで崩壊する。
ここでσxおよびσyは瞳の座標である。
ここでPSFflare(x,y)は、フレアによる点像分布関数であり、kは波のベクトルの長さ2π/λ、σΣは表面高さの根二乗平均であり、fx spおよびfy spは、それぞれσxNA/λおよびσyNA/λによって与えられ、正規化された瞳の座標であり、Τ{PSFflare(x,y)}はMTFとも言う。
この式はIflare(x,y)=Ino flare(x,y)×PSFflare(x,y)のフーリエ変換であり、ここでIflare(x,y)およびIno flare(x,y)はそれぞれ、フレアが存在している場合およびフレアが存在していない場合の像強度である。したがって、フーリエ空間では問題のパターンの空中像のフーリエ変換にMTF(=Τ{PSFflare}(x,y))を掛けて、フレアが描像に及ぼす影響を獲得することができる。
これは、周波数領域における高さhのスペクトルの強度を表す。これはランダム関数でもなお真であるであることは注目に値する[ウィーナーヒンチンの定理]。
ここでkは波数ベクトルk=2π/λであり、<h>は高さhの平均である。したがって、アッベの理論で取り入れられる描像積分において、結果の電界に対する部分的にコヒーレントな描像(およびそれによって像が、各照明ポイントソースによる強度寄与率ΔIとして与えられる)の寄与率ΔIは、位相差全体の集団平均に比例する[以降はティルデ記号が(位相)差を指す]。
ここでσは半径方向の瞳の座標である。
ここでrおよびθは、基板の面における極座標である。
ここでBはベータ関数である。瞳のxに共役な変数は、波長の単位で測定する実空間の変数であることに留意されたい。次に、様々なサイズbへのボックスのシリーズの中心強度の適合が、そこから数字Kおよび/または指数nを決定するのに用いることができる。
1.ABCモデルに関してPSDを確立する(PSDによってフレアを特徴付ける)。
2.このモデルからMTFを評価する。
3.MTFを使用して、印刷すべきパターンのCDに及ぼすフレアの影響を計算する。
4.レチクルCDの変化とマスクのCDとの関係を確立する。概して、これは往々にしてMEF(マスクエラー係数)またはMEEF(マスクエラー強化係数)と呼ばれる増倍係数である。
5.ここで、フレアによるCDの変化を、マスクのCD変化に関して表す。
6.次に、フレアの影響を補償するような方法でマスクの設計を変更/適応する。例えば、前記マスクCD変化が決定されているマスクパターン形体を改造することができる。改造は、これらの形体のサイズ変更でよく、形体のバイアス付与と呼ばれる。例えば、背幅のマスクCD変化がプラスの値ΔCDを有することが判明した場合、マスク形態の線幅を、ΔCDと等しい量で減少させるか、ΔCDの分数に等しい量で減少させることができる。その効果は、パターン像のCDに及ぼすフレアの効果を少なくとも部分的にオフセットすることである。
a)下式を使用する表面粗さ測定技術
b)波面測定
c)複数のボックスまたは線のサイズに基づく実験データの使用(往々にして、カーク法と呼ばれる)。線/ボックスサイズの関数としてのフレア量[%]は、フレア[%]≒(RMS/λ)2・100%)を使用してフラクタルPSDを仮定し、適合させることができる。
d)PSDは、特定の周波数内で適用可能なABCまたはフラクタルモデルを使用しても描くことができる(例えば、1つの傾斜しか使用しないのではなく、2つの傾斜、つまりf=5〜30に関する傾斜とf=30〜200に関する傾斜でPSDを描くことが適切のように見える図9を参照)。
(i)時間の関数として露光ツール内のフレアを監視する。
(ii)時間の関数としてPSDパラメータを確立する。
(iii)時間の関数としてPSDを描くパラメータの傾向を確立する。
(iv)時間依存のPSDパラメータを使用して、上記のステップ1からステップ6のシーケンスで提供されるような将来のマスク調節を予測する。
時間を通して、コントラスト損(寿命の最後)=コントラスト損(MSDxy)+コントラスト損(フレア)=一定
1)時間の関数として露光ツール内のフレアを監視する。
2)露光ツールの寿命の最後におけるフレアレベルを推定する。
3)露光ツールの寿命の最後におけるCDへの影響を計算する。
4)寿命状況の最後に基づいてレチクル設計を確立する。
5)露光ツールに適用可能な瞬間的PSDパラメータを確立する。
6)現在の露光ツールのフレアレベルについてCDへの影響を確立する。
7)寿命性能の最後まで現在の露光ツールの性能を模倣するために必要なMSDxy(xy面におけるレチクルおよび/またはウェハステージの力学的性質)の量を計算する。
8)合計コントラスト(露光ツール)=コントラスト(MSDxy)+コントラスト(フレア)=時間を通して一定、になるような方法で、露光ツール内にMSDxyの量を導入する。
Claims (11)
- パターニングデバイスによってパターン形成された放射線ビームを投影して像面にパターン像を生成するために、リソグラフィ装置の投影システムで使用する際に迷光放射線によるフレアの効果を補償する方法であって、
投影システムによって生成される迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を確立することと、
フレアがパターン像に及ぼす効果を考慮に入れるような方法で、パターニングデバイスによって適用されたパターンにPSDを関連づける変調伝達関数(MTF)を、PSDから決定することと、
パターン像の限界寸法(CD)に及ぼすフレアの効果を決定するためにMTFを使用することと、
パターン像のCDにおける変化と、パターンのCDにおける変化との関係を確立することと、
パターン像のCDに及ぼすフレアの効果を少なくとも部分的にオフセットするような方法で、パターニングデバイスを設計することとを含む方法。 - 投影システムの表面粗さを直接測定することによってPSDを確立する、請求項1に記載の方法。
-
を使用してPSDを確立し、ここでRMSが表面粗さの根二乗平均、fminおよびfmaxが迷光放射線の空間周波数の最小値および最大値である、請求項2に記載の方法。 - 像面に様々なサイズの複数の基準形たちを組み込んだパターン像を生成するために、基準パターニングデバイスによって生成された迷光放射線を、時間に関して監視し、様々なサイズの基準形態に及ぼすフレアの効果の観察結果からPSDを決定することによって、PSDを確立する、請求項1に記載の方法。
- フラクタルモデルを使用してPSDを近似する、請求項1に記載の方法。
-
から自己共分散関数を決定し、次にこれを使用して、点像分布関数(PSFflare)のフーリエ変換Τ{PSFflare(x,y)}からMTFを計算する、請求項1に記載の方法。 - パターン像のフーリエ変換にMTFを掛けることによって、パターン像のCDに及ぼすフレアの効果を決定する、請求項1に記載の方法。
- マスクエラー係数(MEF)を使用して、パターン像のCDとパターンのCDとの関係を決定する、請求項1に記載の方法。
- パターニングデバイスによってパターン形成された放射線ビームを投影して像面にパターン像を生成するために、リソグラフィ装置の投影システムで使用する際に迷光放射線によるフレアの効果を補償する方法であって、
時間の関数として迷光放射線を監視することと、
時間の関数として生成された迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を決定するパラメータを確立することと、
時間の関数として、パラメータの傾向を確立することと、
フレアの効果を補償するためにパターニングデバイスに実行すべき調節を決定するために、パラメータを使用することとを含む方法。 - パターニングデバイスによってパターン形成された放射線ビームを投影して像面にパターン像を生成するために、リソグラフィ装置の投影システムで使用することを含むデバイス製造方法であって、方法が、迷光放射線によるフレアの効果を補償することを含み、その手段が、
投影システムによって生成された迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を確立することと、
フレアがパターン像に及ぼす効果を考慮に入れるような方法で、パターニングデバイスによって適用されたパターンにPSDを関連づける変調伝達関数(MTF)を、PSDから決定することと、
パターン像の限界寸法(CD)に及ぼすフレアの効果を決定するためにMTFを使用することと、
パターン像のCDにおける変化と、パターンのCDにおける変化との関係を確立することと、
パターン像のCDに及ぼすフレアの効果を少なくとも部分的にオフセットするような方法で、パターニングデバイスを設計することとを含む方法。 - パターニングデバイスによってパターン形成された放射線ビームを投影して像面にパターン像を生成するために、リソグラフィ装置の投影システムで使用する際に迷光放射線によるフレアの効果を補償する方法であって、
時間の関数として迷光放射線を監視することと、
寿命の予め決定された最後にて生成されうる迷光放射線を確立することと、
寿命の最後でパターン像の限界寸法(CD)に及ぼすフレアが与えうる効果を決定することと、
寿命の最後でパターン像のCDに及ぼすフレアが与えうる効果を少なくとも部分的にオフセットするような方法で、パターニングデバイスの設計を設定することと、
生成される迷光放射線の空間周波数を示す電力スペクトル密度(PSD)を確立することと、
迷光放射線の電流レベルについて、パターン像のCDに及ぼすフレアの効果を確立することと、
像面における振動の効果を示すある量の移動標準偏差MSDxyを、寿命の最後での変化するMSDxyのせいで投影された変化と、寿命の最後でのフレアによるCDの投影された変化との合計が、予想寿命にわたってほぼ一定であるように適用することとを含む方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006313815A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Nikon Corp | 結像性能シミュレーション方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2008153447A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Nec Electronics Corp | シミュレーション方法およびシミュレーションシステム、ならびにマスクパターンの修正方法 |
JP2011503870A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-01-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置および摂動因子を補償する方法 |
JP2012198411A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラムおよび半導体装置の製造方法 |
US8443311B2 (en) | 2011-01-28 | 2013-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flare value calculation method, flare correction method, and computer program product |
JP2013197497A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | ドーズ量の補正マップの作成方法、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2017116952A (ja) * | 2011-05-02 | 2017-06-29 | シノプシス・インコーポレーテッドSynopsys,Inc. | Euvリソグラフィのフレア計算及び補償 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4272624B2 (ja) * | 2002-12-20 | 2009-06-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 測定装置のための評価及び最適化 |
US7352478B2 (en) * | 2002-12-20 | 2008-04-01 | International Business Machines Corporation | Assessment and optimization for metrology instrument |
US7453583B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-11-18 | International Business Machines Corporation | Assessment and optimization for metrology instrument including uncertainty of total measurement uncertainty |
US7818151B2 (en) * | 2006-05-02 | 2010-10-19 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for obtaining short-range flare model parameters for lithography simulation tool |
US7327859B1 (en) * | 2007-02-14 | 2008-02-05 | Lam Ko Chau | Methods and systems for automated fingerprint recognition |
JP2010256081A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 光学式位置検出器及び光学装置 |
NL2007287A (en) | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Asml Netherlands Bv | Correction for flare effects in lithography system. |
TWI652541B (zh) | 2012-12-28 | 2019-03-01 | 日商Hoya股份有限公司 | Method for manufacturing substrate for mask material, method for manufacturing substrate with multilayer reflective film, method for producing reflective mask material, and method for manufacturing semiconductor device |
JP5767357B1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-08-19 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク及び転写用マスク、並びにそれらの製造方法 |
US10437157B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-10-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for image analysis |
US10607334B2 (en) * | 2014-12-09 | 2020-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for image analysis |
CN107850856B (zh) | 2015-07-17 | 2020-06-26 | Asml荷兰有限公司 | 用于检查和量测的方法及设备 |
WO2017024158A1 (en) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | Kla-Tencor Corporation | Focus metrology and targets which utilize transformations based on aerial images of the targets |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6815129B1 (en) * | 2000-09-26 | 2004-11-09 | Euv Llc | Compensation of flare-induced CD changes EUVL |
US6625802B2 (en) * | 2002-02-01 | 2003-09-23 | Intel Corporation | Method for modifying a chip layout to minimize within-die CD variations caused by flare variations in EUV lithography |
KR100438663B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2004-07-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 플레어 노이즈 검출 방법 |
JP4051240B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-02-20 | 富士通株式会社 | 試験用フォトマスク、フレア評価方法、及びフレア補正方法 |
US7131104B2 (en) * | 2004-05-13 | 2006-10-31 | International Business Machines Coporation | Fast and accurate optical proximity correction engine for incorporating long range flare effects |
-
2004
- 2004-12-21 US US11/017,197 patent/US7199863B2/en active Active
-
2005
- 2005-12-20 JP JP2005366028A patent/JP4328767B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006313815A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Nikon Corp | 結像性能シミュレーション方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2008153447A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Nec Electronics Corp | シミュレーション方法およびシミュレーションシステム、ならびにマスクパターンの修正方法 |
JP2011503870A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-01-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置および摂動因子を補償する方法 |
KR101509553B1 (ko) | 2007-11-08 | 2015-04-06 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 투영 장치 및 섭동 인자들을 보상하는 방법 |
US8443311B2 (en) | 2011-01-28 | 2013-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flare value calculation method, flare correction method, and computer program product |
JP2012198411A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | マスクパターン補正方法、マスクパターン補正プログラムおよび半導体装置の製造方法 |
JP2017116952A (ja) * | 2011-05-02 | 2017-06-29 | シノプシス・インコーポレーテッドSynopsys,Inc. | Euvリソグラフィのフレア計算及び補償 |
JP2013197497A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | ドーズ量の補正マップの作成方法、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
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