TW201306090A - 超紫外光微影耀光計算及補償 - Google Patents

超紫外光微影耀光計算及補償 Download PDF

Info

Publication number
TW201306090A
TW201306090A TW101115619A TW101115619A TW201306090A TW 201306090 A TW201306090 A TW 201306090A TW 101115619 A TW101115619 A TW 101115619A TW 101115619 A TW101115619 A TW 101115619A TW 201306090 A TW201306090 A TW 201306090A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flare
mask
layouts
low frequency
modeled
Prior art date
Application number
TW101115619A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI497564B (zh
Inventor
James Shiely
Hua Song
Original Assignee
Synopsys Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Synopsys Inc filed Critical Synopsys Inc
Publication of TW201306090A publication Critical patent/TW201306090A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI497564B publication Critical patent/TWI497564B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70941—Stray fields and charges, e.g. stray light, scattered light, flare, transmission loss

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本文中揭示超紫外光(EUV)微影耀光計算及補償。一種計算供在EUV微影中使用之一遮罩之耀光之方法包含將耀光功率光譜密度(PSD)分解成一低頻分量與一高頻分量。此外，該方法包含在一耀光映圖產生器中接收複數個佈局。該複數個佈局中之每一者對應於該遮罩上之一晶片圖案位置。此外，該方法包含使用該耀光映圖產生器藉由使用快速傅立葉變換(FFT)而自該低頻分量產生該遮罩之一低頻耀光映圖。

Description

超紫外光微影耀光計算及補償
本發明之實施例係關於用於超紫外光(EUV)微影之耀光計算及補償。
隨著積體電路(IC)器件之臨界尺寸(CD)縮小至22 nm及22 nm以下，超紫外光(EUV)微影正變成用於IC製造之一領先技術。然而，EUV微影對電子設計自動化(EDA)遮罩合成工具提出了新挑戰。耀光或由於遮罩上之鏡表面粗糙度造成之雜散光係模型化及自動化遮罩合成之一個主要關注點。舉例而言，由於耀光造成之CD變化可超過一既定CD之10%。因此，EDA遮罩合成工具應準確地模型化並校正此等耀光效應。
計算供在超紫外光(EUV)微影中使用之一遮罩之耀光之一方法的一實例包含將一耀光功率光譜密度(PSD)分解成一低頻分量與一高頻分量。此外，該方法包含在一耀光映圖產生器中接收複數個佈局，其中該複數個佈局中之每一者對應於該遮罩上之一晶片圖案位置。此外，該方法包含使用該耀光映圖產生器藉由使用快速傅立葉變換(FFT)而自該低頻分量產生該遮罩之一低頻耀光映圖。
用於計算供在超紫外光(EUV)微影遮罩合成中使用之一遮罩之耀光之一裝置的一實例包含一或多個處理器。該裝置亦包含編碼於一或多個有形媒體中以供由該一或多個處 理器執行之邏輯。該邏輯在執行時可操作以：將該耀光PSD分解成一低頻分量與一高頻分量；在一耀光映圖產生器中接收複數個佈局，其中該複數個佈局中之每一者對應於該遮罩上之一晶片圖案位置；及使用該耀光映圖產生器藉由使用快速傅立葉變換(FFT)而自該低頻分量產生該遮罩之一低頻耀光映圖。
一電腦可讀儲存媒體之一實例包含一或多個指令，該電腦可讀儲存媒體上編碼有軟體以供由一或多個處理器執行以用於計算供在超紫外光(EUV)微影遮罩合成中使用之一遮罩之耀光。該一或多個指令將該耀光PSD分解成一低頻分量與一高頻分量。此外，該一或多個指令在一耀光映圖產生器中接收複數個佈局。該複數個佈局中之每一者對應於該遮罩上之一晶片圖案位置。此外，該一或多個指令使用該耀光映圖產生器藉由使用快速傅立葉變換(FFT)而自該低頻分量產生該遮罩之一低頻耀光映圖。
在附圖中，類似元件符號可指代相同或在功能上類似元件。在詳細說明中使用此等元件符號來圖解說明各項實施例並解釋本發明之各項態樣及優點。
耀光或由於一遮罩上之鏡表面粗糙度造成之雜散光被視為對超紫外光(EUV)微影之一相對長範圍效應。可使用電子設計自動化(EDA)工具來模擬對於EUV微影而言是否可將一遮罩上之各種圖案正確地印刷於一晶圓上。因此，可將各種物理及化學效應(例如耀光)以及光學效應判定為合 成遮罩之部分。就距一既定評估點之距離而言，儘管光學效應通常係短範圍效應，但耀光係一相對長範圍效應。因此，模擬耀光之效應以達成適當校正可利用一完整光罩(reticle)或遮罩(mask)佈局，從而產生一全光罩耀光映圖。
在特定實施例中，可在其他校正流程之前計算此一耀光映圖。舉例而言，可在一光學接近校正(OPC)步驟之前計算一耀光映圖。接著，可在OPC程序期間讀取來自經計算耀光映圖之值以用於校正遮罩佈局圖案。以此一方式，可適應對全光罩之任何所預期耀光之補償。此外，特定實施例提供確保良好校正品質之一快速且準確耀光解決方案。
耀光(雜散光)係由一遮罩之表面上之鏡表面粗糙度引起，此在使用該遮罩之微影期間產生經散射或雜散光線而非經反射光線。圖1A圖解說明一遮罩之一實例性表面100A。在此實例中，展示一相對平坦遮罩或鏡表面，但亦可因鏡之彎曲或非平坦部分而造成耀光。然而，主要耀光貢獻可因一相對平坦鏡部分上之表面粗糙度造成。如所展示，真實表面102可比理想表面104實質上更粗糙。此粗糙度對標準或舊有UV微影應用而言並非一問題，但對較進階應用(諸如EUV微影)而言越來越係一關注點。
圖1B圖解說明自一遮罩之一表面散射之一實例性光線100B。此處，入射光線108撞擊遮罩106之一表面且產生經反射光線110以及經散射光線112。經散射光線112(由虛線指示)可相對於經反射光線110在強度上實質上較弱。經散射光線112表示產生一耀光效應之雜散光。耀光係一全光 罩效應，此乃因遮罩上之表面粗糙度之一相對小區域可產生一相對寬廣範圍耀光效應。舉例而言，不同於具有約1 μm之一影響範圍之傳統光學及/或抗蝕劑效應，一耀光影響範圍可大達約40 mm(其超出諸多EUV光罩之大小)。因此，特定實施例提供一全光罩計算或耀光效應之映圖。
然而，用於光罩耀光映圖計算之某些途徑係極費時的。舉例而言，與提供用於全光罩耀光計算及補償之一相對快速且準確途徑之某些實施例之途徑相比，一常用空間域途徑可係較慢及/或較不準確的。此等空間域途徑涉及基於距一評估點之距離而分離用於耀光計算之分量。
現在參考圖1C，其圖解說明一實例性耀光功率光譜密度(PSD)100C。該耀光PSD表示模型化圍繞遮罩上之一評估點之耀光效應之一迴旋核心/函數。此一耀光PSD可藉由對各種資料(例如與遮罩生產及/或使用此一遮罩之測試晶圓製作相關之粗糙度量測)進行取樣而判定。舉例而言，測試遮罩上之測試圖案可用於製作測試晶圓，該等測試晶圓接著用於藉由形成適當耀光PSD函數而模型化。因此，該耀光PSD函數表示相對於一既定評估點之一預測耀光貢獻特性(在y軸處)。x軸表示距用於評估一特定耀光效應之光罩上之一評估點之一距離，且y軸表示彼距離點對彼效應之一貢獻。在一空間域途徑中，可基於距該評估點之距離或空間而分解耀光PSD函數120/122。舉例而言，區段132及134可表示不同空間域區段，而區段130表示在無一實質耀光貢獻或一以其他方式漸進預測之貢獻之情況下距該評 估點之一空間。
然而，由於此等空間域區段之邊緣處之尖銳截止，因此在自此PSD計算一耀光中由於可能之混淆誤差而未使用快速傅立葉變換(FFT)。如此，可使用針對遠離中心之PSD段具有逐漸變大之柵格大小之一空間域迴旋以加速此一耀光計算。然而，並未準確地內插一所得耀光，此乃因未根據奈奎斯特準則對該所得耀光取樣。
由於鏡或遮罩(例如UV鏡及經調變鏡)表面之粗糙度，因此可在該遮罩上之任何點處發生經散射光線112。迴旋係用以計算此等效應之一統計學方式。由於光線可散射相對較遠，因此在耀光PSD函數120/122上發現表示距該評估點相對長距離處之最小但仍顯著耀光效應之長尾部。耀光PSD函數120/122亦表示係一空間座標(x,y)函數之旋轉對稱PSD函數之一切段。
現在參考圖2，其圖解說明耀光PSD之一實例性空間域分離200。此一空間域計算不使用FFT，此乃因自每一區段截止之尖銳邊緣不允許。如所展示，可將耀光PSD函數120/122分割成多個部分，諸如較靠近評估點之第一部分202/204及較遠離該評估點之第二部分206/208。在一種途徑中，第二部分或平坦長範圍部分206/208可使用較不準確或大的柵格以減小總耀光計算時間。如此，可需要大量記憶體或較小柵格大小以改良計算準確度。在任何情況下，可需要實質大量時間(諸如在某些情形下甚至需要幾天運行時間)來完成以此一途徑進行之耀光計算。
因此，耀光計算係一需要大量運算之任務。該計算涉及對具有耀光PSD之一完整光罩進行迴旋運算。耀光PSD可具有可與光罩本身之大小相當或大於光罩本身之大小之一域以計及跨越場及跨越晶圓之耀光。在一典型EUV光罩大小(例如33 mm×26 mm)及耀光PSD中之高頻率之情況下，奈奎斯特取樣理論需要一亞微米取樣柵格大小，此可使運算過於需要記憶體而變得不可行。通常，將迴旋劃分成「短範圍」與「長範圍」部分，如圖2中所展示。在某些情形下，在空間域途徑中，連同隨越來越長之範圍而增加之取樣柵格大小一起，亦使用介於短範圍部分與長範圍部分之間的一「中間範圍」部分。然而，此一途徑仍太慢而不能用於生產EUV遮罩合成流程中。另外，此一途徑中之柵格大小選擇主要藉由試錯且缺乏理論嚴格性。因此，無法安全地使用FFT來加速耀光計算而不關注可能之混淆誤差。
在特定實施例中，可採用取樣理論及FFT來確保速度及準確度兩者。該途徑係相對快速的(例如小於約1小時運行時間)且適合於全光罩耀光效應校正。某些實施例涉及將耀光PSD分解成低頻與高頻部分。然而，在特定實施例中亦可適應頻域內之額外分解(舉例而言，低頻、中頻與高頻部分或任何適合數目個基於頻率之劃分)。由於遠離中心或評估點之PSD係相對平滑且平坦的，因此遠離中心之高頻部分係極小的，且可因此藉由基於一短範圍(例如約1 μm)之函數準確地估計該高頻部分。
可藉助遮罩圖案對低頻PSD進行迴旋運算且以一相對大的柵格大小(例如約1 μm)對該低頻PSD取樣。可藉助遮罩圖案以一相對小的柵格大小(例如10 nm)對高頻PSD進行迴旋運算，且兩者皆遵循奈奎斯特準則。另外，低頻耀光映圖可支援快速且準確內插，此乃因該低頻耀光映圖係遵循奈奎斯特準則而適當地取樣。
現在參考圖3，其圖解說明根據一項實施例之耀光PSD之一實例性頻域分解300。在實例300中，可將耀光PSD函數120/122分解或分離成低頻部分302與高頻部分304。相對平滑低頻部分302包含指示較遠離評估點之減小之貢獻之一長尾部。相比而言，高頻部分304表示預測評估點附近之短範圍耀光效應之一粗糙或高低不平之類型之曲線。
特定實施例係基於分離成一低頻PSD分量(例如低頻部分302)與一高頻PSD分量(例如高頻部分304)之耀光PSD之一頻域分離。對於該低頻分量，奈奎斯特理論不僅允許使用對柵格大小之相對大的取樣而且確保可安全地使用FFT來產生低頻耀光。對於該高頻分量，「核心」或分量由於耀光PSD之某些本質特性而具有一小得多的域，因此此處可使用小得多的柵格大小。總耀光PSD係高頻耀光PSD與低頻耀光PSD之總和。此外，在特定實施例中可採用任何適合數目個基於頻率之劃分。
可將特定實施例插入至一現有遮罩合成流程中以補償由於EUV微影中之耀光造成之CD變化，因此產生改良之積體電路(IC)良率。另外，特定實施例並不嚴格限於EUV微 影應用，而且亦可適合於在其他領域中使用，諸如舉幾個而言，電子束直寫(EBDW)微影、遮罩誤差校正(MEC)及蝕刻模擬中之密度效應模型化。
某些實施例有利地考量PSD之高頻部分係防止以其他途徑高效地計算(就記憶體使用及運行時間兩者而言)全光罩耀光映圖之部分。因此，特定實施例產生全光罩或遮罩之低頻耀光，而將高頻部分留下至其中僅處理一小圖案以達成校正或驗證且可使用小得多的柵格大小之階段。因此，可藉由使用FFT將一全光罩低頻耀光映圖計算為光罩佈局與低頻耀光PSD之間的一迴旋。此外，可在遮罩校正之前執行此低頻耀光映圖計算(例如)以用於OPC。
可接著在模擬期間自該耀光映圖查找或直接讀取低頻耀光值以便校正或驗證，且將該等值添加至光學信號以達成適當校正及/或補償。在模擬時間，可將高頻耀光值計算為晶片佈局與高頻PSD之間的一迴旋，正如其他短範圍效應計算一樣。由於FFT可比空間域迴旋快數萬倍，因此此一頻域途徑可產生總減小之處理時間。此外，任何適合非FFT途徑皆可用於高頻分量。
亦可將高頻耀光值添加至光學信號(諸如)以用於OPC。因此，長範圍效應及短範圍耀光效應兩者可完全包含於晶圓影像模擬中，因此慮及遮罩校正及微影驗證。
下文在等式1至6中展示特定實施例之途徑中之更多細節。在理論上，如下文等式1中所展示地計算受耀光影響之光學強度。
在等式1中，TIS表示總經整合散射(PSD之體積)，且I0係無耀光光學強度。等式1之右手側之第二項表示耀光，其通常係如下文等式2中所展示地估計。
在等式2中，M表示設計意圖佈局之透射函數。特定實施例之一項態樣係耀光(x,y)之快速且準確計算。沿此等線，將PSD分解成低頻(LF)與高頻(HF)部分，如下文等式3中所展示。
PSD=PSDLF+PSDHF (3)
舉例而言，可首先判定PSDLF，如下文等式4中所展示。
舉例而言，flare_PSD_AA_filter可表示一抗混淆濾波器，例如一窗化正弦函數，其中一截止頻率係藉由一合理大的耀光映圖柵格大小與剩餘部分之域大小-高頻分量之間的一折衷而判定，如下文等式5中所展示。
PSDHF=PSD-PSDLF (5)
現在，可計算耀光，如下文等式6中所展示。
耀光PSD、PSDLF之低頻分量可具有可與原始PSD之彼域大小相當之一域大小(範圍)。一旦根據PSDLF之頻寬及奈奎斯特準則將遮罩M及PSDLF離散化，便可藉由使用FFT來計算低頻耀光=M(x,y)PSDLF(x,y)。此外，可將全光罩之低頻耀光值保存至一低頻耀光映圖檔案以供稍後在模型校準、遮罩合成及/或驗證中使用。
耀光PSD、PSDHF之高頻分量可具有約1 μm或小於1 μm之一域大小(範圍)。舉例而言，可以與多數模型化工具配備有之其他短範圍效應(諸如光學及抗蝕劑效應)實質上相同之方式計算高頻耀光=M(x,y) PSDHF(x,y)。
現在參考圖4，其圖解說明根據一項實施例之一耀光映圖創建實例之一流程圖400。可在頻域中將耀光PSD 402分解(406)以產生一高頻耀光PSD分量408及一低頻耀光PSD分量410。此等耀光PSD分量408及410可係「核心」或數學函數，諸如迴旋核心。舉例而言，低頻耀光PSD分量410可表示為耀光PSD分量302，且高頻耀光PSD分量408可表示為耀光PSD分量304。
OPC前佈局404-0至404-N可表示位於遮罩或光罩上之不同晶片圖案或例項。舉例而言，可在正經歷耀光模型化及校正之遮罩上發現N+1個不同晶片圖案。在該遮罩上可適應任何適合數目個晶片圖案或同一晶片圖案之若干例項。可黏貼或以其他方式收集不同晶片之OPC前佈局404-0至404-N以用於光罩本身之模型化。遮罩資料準備(MDP)作 業卡片組創建工具或產生器414可接收OPC前佈局404-0至404-N且自其創建作業卡片組或光罩資料檔案416。舉例而言，光罩資料檔案416可指定每一晶片(例如20至30個晶片/例項)在該光罩上之放置及定向。作業卡片組或光罩資料檔案416亦可包含與相對於遮罩或光罩之個別晶片佈局特性相關之任何其他適合資訊。如此，可使用作業卡片組或光罩資料檔案416來傳達一全光罩佈局以便計算或產生低頻耀光映圖418以判定關於該光罩上之每一晶片佈局之資訊。除其他計算或函數之外，耀光映圖產生器412亦可接著利用FFT來製作或產生低頻耀光映圖418。
因此，可在執行任何晶片校正(例如OPC)之前使用OPC前佈局計算一全光罩低頻耀光映圖。在晶片校正期間，可自該低頻耀光映圖查找或讀取低頻耀光值並將該等值適當地添加至光學強度。如下文將參考圖5更詳細地論述，可在OPC計算期間「即時」計算高頻耀光部分且將其添加至光學強度，該高頻耀光部分預測一短範圍判定中之每一點處之光學信號。因此，在進行關於短範圍效應之其他計算之OPC校正程序期間計算該高頻部分。因此，可作為OPC流程或任何其他此短範圍判定之部分或者以其他方式與該OPC流程或任何其他此短範圍判定整合在一起而自動地補償耀光效應。
現在參考圖5，其圖解說明根據一項實施例之一模型校準實例之一流程圖500。在該模型校準實例中，用於模型化之低頻耀光映圖418係針對一測試光罩。然而，低頻耀 光映圖418亦可針對一非測試或真實光罩而判定。使用測試圖案502，可運行測試並進行量測以(例如)使用程序資訊504建立關於製作程序之一數學模型。舉例而言，計量資料528可包含關於使用測試光罩製作之晶圓之資料，諸如在晶圓本身上形成之線/圖案之臨界尺寸(CD)。程序資訊504對OPC計算而言可係特別重要的，且可基於欲用以基於在遮罩中發現之圖案而製作晶片之特定半導體製造程序(舉例而言，EUV微影)而包含任何適合程序相關之資料，例如光學系統設定、光阻劑性質及蝕刻特性。
圖5之實例係用以判定耀光及光學效應之一數學模型，此可基於來自一測試晶圓之量測。下文圖6之實例展示一實際OPC或校正流程，藉由該實際OPC或校正流程計算耀光映圖以用於製作晶片。圖6表示實際上改變佈局以使得遮罩上之佈局圖案可補償所預測耀光以及其他效應之一校正流程。因此，圖6中所使用之耀光映圖係針對真實晶片，而圖5中之耀光映圖(例如低頻耀光映圖418)可係針對一測試光罩而判定。低頻耀光映圖418亦可針對一真實或非測試光罩而判定。
在圖5之模型校準流程實例中，模型化工具可執行(例如)一測試光罩之低頻耀光映圖418之耀光映圖讀取(510)以產生低頻耀光516。舉例而言，可藉由讀取低頻耀光映圖418而存取表示光罩上之每一適當點處之耀光之資料值。可藉由該模型化工具之高頻計算508而存取高頻耀光PSD分量408及測試圖案502以產生高頻耀光514。可藉由該模 型化工具而存取測試圖案502及程序資訊504以進行光學模型化506以產生無耀光之光學強度512。舉例而言，可使用無耀光之光學強度512來判定適合於OPC操作之校正。
可組合光學強度與耀光(高頻耀光及低頻耀光兩者)518以產生具有耀光之光學強度520。因此，具有耀光之光學強度520可表示短範圍預測效應(例如高頻耀光分量及後續OPC之光學效應)以及長範圍預測效應(例如低頻耀光分量)兩者。抗蝕劑/蝕刻模型化522可存取具有耀光之光學強度520以及程序資訊504以產生經模型化晶圓CD 524。經模型化晶圓CD 524可因此基於光學及耀光類型之效應兩者而表示欲模型化之光罩上之各種圖案之預測尺寸。模型校準程序526判定模型參數值以使得經模型化晶圓CD 524儘可能接近計量資料528，從而產生遮罩模型530。
現在參考圖6，其圖解說明根據一項實施例之一遮罩合成及遮罩資料準備(MDP)實例之一流程圖600。圖6展示用以補償所預測耀光效應之一可能校正流程之一項實例。遮罩合成OPC 602(例如一次對一個晶片例項操作)可接收模型530、低頻耀光映圖418、光罩資料檔案416及OPC前佈局404-0至404-N。如上文參考圖4所論述，MDP作業卡片組產生器414可接收OPC前佈局404-0至404-N以創建光罩資料檔案416以供由耀光映圖產生器412用以產生低頻耀光映圖418。光罩資料檔案416可包含與遮罩上之晶片佈局放置相關之資訊，諸如晶片例項放置及晶片定向之細節。
遮罩合成OPC 602可自對應OPC前佈局404-0至404-N產 生OPC後佈局604-0至604-N。OPC後佈局604-0至604-N可因此包含經測試以補償光學效應之佈局圖案。此處，在某些實施例中亦可包含基於短範圍判定之其他適合效應。可(例如)一次一個晶片例項地執行之遮罩合成驗證608可接收OPC後佈局604-0至604-N以及經修改作業卡片組606(來自遮罩合成OPC 602)以驗證OPC後佈局604。此驗證可包含任何標準佈局及遮罩圖案驗證操作。經修改作業卡片組606針對每一例項用對應OPC後佈局替換OPC前佈局610。舉例而言，經修改作業卡片組606可包含晶片例項位置及定向以用於替換晶片例項佈局(舉例而言，OPC後佈局604-0至604-N)。一旦如此替換晶片例項佈局，便可形成破碎資料612以使得遮罩廠可書寫遮罩614以產生最終經校正/經補償遮罩616。以此一方式，遮罩616可在其上包含補償由於耀光、光學接近等造成之所預測效應之佈局圖案。
雖然已關於本說明之特定實施例闡述了該說明，但此等特定實施例僅係說明性的且不具限制性。舉例而言，在特定實施例中可利用任何類型之預測耀光函數或其他類型之模型化。另外，可改變各種特定操作次序，諸如在OPC操作之前發生低頻耀光映圖產生。此外，亦可以一實質上並行方式全部或部分地執行指示為一次一個晶片例項地執行之操作(舉例而言，遮罩合成驗證608及針對每一例項用OPC後佈局替換OPC前佈局610)。本文中之技術可用於任何適合微影程序以及任何適合遮罩製作、校正及/或模型化工具。
在前述論述中，術語「電路」意指至少一單個組件或連接在一起以提供一所期望功能之眾多組件。術語「信號」意指至少一個電流、電壓、電荷、資料或其他信號。
可使用任何適合程序設計語言來實施特定實施例之常式，包含C、C++、Java、彙編語言等。可採用不同程式化技術，諸如程序或目標導向的。該等常式可在一單個處理器件或多個處理器上執行。雖然可以一特定次序呈現該等步驟、操作或運算，但在不同特定實施例中可改變此次序。在某些特定實施例中，可同時執行本說明書中順序地展示之多個步驟。
特定實施例可實施於一電腦可讀儲存媒體中以供由指令執行系統、裝置或器件使用或與指令執行系統、裝置、或器件一起使用。特定實施例可以控制邏輯之形式實施於軟體或硬體或者兩者之一組合中。該控制邏輯在由一或多個處理器執行時可操作以執行特定實施例中所闡述之操作。
可藉由使用一經程式化通用數位電腦、藉由使用特殊應用積體電路、可程式化邏輯器件、場可程式化閘陣列來實施特定實施例，可使用光學、化學、生物學、量子論或奈米工程系統、組件及機構。一般而言，可藉由如此項技術中已知之任何構件來達成特定實施例之功能。可使用散佈式網路化系統、組件及/或電路。資料通信或傳送可係有線的、無線的或藉由任何其他構件。
將瞭解，圖示/圖式中所圖解說明之元件中之一或多者亦可以一較分離或整合方式或者甚至在某些情形下卸除或 使成為不可操作地實施，如根據一特定應用適用。實施可儲存於一機器可讀媒體中以准許一電腦執行上文所闡述之方法中之任一者之一程式或碼亦屬於精神及範疇內。
一「處理器」在使用時包含任何適合硬體及/或軟體系統、機構或處理資料、信號或其他資訊之組件。一處理器可包含具有一通用中央處理單元、多個處理單元、用於達成功能性之專用電路之一系統或其他系統。處理不必限於一地理位置或具有時間限制。舉例而言，一處理器可「即時」、「離線」、以一「間歇模式」等執行其功能。可在不同時間且在不同位置處由不同(或相同)處理系統執行處理之部分。一電腦可係與一記憶體通信之任何處理器。該記憶體可係任何適合處理器及/或電腦可讀儲存媒體，諸如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、磁碟或光碟或者適合於儲存指令以供由處理器執行之其他有形媒體。
除非上下文另外明確指出，否則如本文中之說明及以下整個申請專利範圍中所使用，「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」包含複數個參考。同樣，除非上下文另外明確指出，否則如本文中之說明及以下整個申請專利範圍中所使用，「在......中」之意義包含「在......中」及「在......上」。
因此，儘管本文中已闡述特定實施例，但前述揭示內容中意欲涵蓋修改寬容度、各種改變及替代，且將瞭解，在某些例項中，在不背離如所闡明之範疇及精神之情況下，將採用特定實施例之某些特徵而不具有其他特徵之一對應使用。因此，可做出諸多修改以使一特定情況或材料適應 基本範疇及精神。
前述說明闡明眾多特定細節以傳達對本發明之實施例之一透徹理解。然而，熟習此項技術者將明瞭可在不具有此等特定細節之情況下實踐本發明之實施例。未詳細闡述某些眾所周知之特徵以避免使本發明模糊。根據上文教示之其他變化形式及實施例係可能的，且因此意欲本發明之範疇不受此具體實施方式限制而是僅受申請專利範圍限制。
102‧‧‧真實表面
104‧‧‧理想表面
106‧‧‧遮罩
108‧‧‧入射光線
110‧‧‧經反射光線
112‧‧‧經散射光線
120‧‧‧耀光功率光譜密度函數
122‧‧‧耀光功率光譜密度函數
130‧‧‧區段
132‧‧‧區段
134‧‧‧區段
202‧‧‧第一部分
204‧‧‧第一部分
206‧‧‧第二部分/平坦長範圍部分
208‧‧‧第二部分/平坦長範圍部分
302‧‧‧低頻部分/相對平滑低頻部分/低頻功率光譜密度分量/耀光功率光譜密度分量
304‧‧‧高頻部分/高頻功率光譜密度分量/耀光功率光譜密度分量
402‧‧‧耀光功率光譜密度
404-0至 404-N‧‧‧光學接近校正前佈局
408‧‧‧高頻耀光功率光譜密度分量/耀光功率光譜 密度分量
410‧‧‧低頻耀光功率光譜密度分量/耀光功率光譜密度分量
412‧‧‧耀光映圖產生器
414‧‧‧遮罩資料準備作業卡片組創建工具/遮罩資料準備作業卡片組產生器
416‧‧‧作業卡片組/光罩資料檔案
418‧‧‧低頻耀光映圖
502‧‧‧測試圖案
504‧‧‧程序資訊
512‧‧‧無耀光之光學強度
514‧‧‧高頻耀光
516‧‧‧低頻耀光
520‧‧‧具有耀光之光學強度
524‧‧‧經模型化晶圓臨界尺寸
528‧‧‧計量資料
530‧‧‧遮罩模型/模型
604-0至 604-N‧‧‧光學接近校正後佈局
606‧‧‧經修改作業卡片組
612‧‧‧破碎資料
616‧‧‧經校正/經補償遮罩/遮罩
圖1A圖解說明根據一項實施例之一遮罩之一例示性表面；圖1B圖解說明根據一項實施例之自一遮罩之一表面散射之一例示性光線；圖1C圖解說明根據一項實施例之一例示性耀光功率光譜密度(PSD)；圖2圖解說明根據一項實施例之耀光PSD之一例示性空間域分離；圖3圖解說明根據一項實施例之耀光PSD之一例示性頻域分解；圖4圖解說明根據一項實施例之一耀光映圖創建實例之一流程圖；圖5圖解說明根據一項實施例之一模型校準實例之一流程圖；及圖6圖解說明根據一項實施例之一遮罩合成及資料準備實例之一流程圖。
408‧‧‧高頻耀光功率光譜密度分量/耀光功率光譜密度分量
418‧‧‧低頻耀光映圖
502‧‧‧測試圖案
504‧‧‧程序資訊
512‧‧‧無耀光之光學強度
514‧‧‧高頻耀光
516‧‧‧低頻耀光
520‧‧‧具有耀光之光學強度
524‧‧‧經模型化晶圓臨界尺寸
528‧‧‧計量資料
530‧‧‧遮罩模型/模型

Claims (20)

  1. 一種計算供在超紫外光(EUV)微影中使用之一遮罩之耀光之方法，該方法包括：將一耀光功率光譜密度(PSD)分解成一低頻分量與一高頻分量；在一耀光映圖產生器中接收複數個佈局，其中該複數個佈局中之每一者對應於該遮罩上之一晶片圖案位置；及使用該耀光映圖產生器藉由使用快速傅立葉變換(FFT)而自該低頻分量產生該遮罩之一低頻耀光映圖。
  2. 如請求項1之方法，且其進一步包括：自該複數個佈局創建一光罩資料檔案，其中該光罩資料檔案包含關於每一晶片圖案位置在該遮罩上之定向及定位之資訊。
  3. 如請求項2之方法，其中產生該低頻耀光映圖包括：使用該光罩資料檔案來判定關於該複數個佈局中之每一者之資訊。
  4. 如請求項3之方法，且其進一步包括：基於該高頻分量及一測試圖案而模型化一高頻耀光；基於該測試圖案及程序資訊而模型化光學強度；及基於讀取該低頻耀光映圖而模型化一低頻耀光。
  5. 如請求項4之方法，且其進一步包括：藉由組合該經模型化高頻耀光、該經模型化光學強度與該經模型化低頻耀光來產生一經模型化光學強度與耀光。
  6. 如請求項5之方法，且其進一步包括：使用該程序資訊模型化抗蝕劑及蝕刻；及使用該經模型化抗蝕劑及蝕刻產生經模型化晶圓臨界尺寸(CD)。
  7. 如請求項6之方法，且其進一步包括：藉由使用計量資料最佳化模型參數來產生一遮罩模型。
  8. 如請求項7之方法，且其進一步包括：使用該遮罩模型、該低頻耀光映圖及該光罩資料檔案對該複數個佈局執行校正。
  9. 如請求項8之方法，其中執行該校正包括：針對該複數個佈局執行光學接近校正(OPC)及耀光效應校正；及用其中具有所產生OPC之對應複數個佈局替換該複數個佈局；及自該光罩資料檔案產生一經修改光罩資料檔案。
  10. 如請求項9之方法，且其進一步包括：使用該經替換複數個佈局書寫該遮罩。
  11. 一種用於計算供在超紫外光(EUV)微影中使用之一遮罩之耀光之裝置，該裝置包括：一或多個處理器；及邏輯，其編碼於一或多個有形媒體中以供由該一或多個處理器執行且在執行時可操作以：將一耀光功率光譜密度(PSD)分解成一低頻分量與 一高頻分量；在一耀光映圖產生器中接收複數個佈局，其中該複數個佈局中之每一者對應於該遮罩上之一晶片圖案位置；及使用該耀光映圖產生器藉由使用快速傅立葉變換(FFT)而自該低頻分量產生該遮罩之一低頻耀光映圖。
  12. 如請求項11之裝置，其中該邏輯在執行時可進一步操作以：自該複數個佈局創建一光罩資料檔案，其中該光罩資料檔案包含關於每一晶片圖案位置在該遮罩上之定向及定位之資訊，該光罩資料檔案係用以產生該低頻耀光映圖。
  13. 如請求項12之裝置，其中該邏輯在執行時可進一步操作以：基於該高頻分量及一測試圖案而模型化一高頻耀光；基於該測試圖案及程序資訊而模型化光學強度；基於讀取該低頻耀光映圖而模型化一低頻耀光；及藉由組合該經模型化高頻耀光、該經模型化光學強度與該經模型化低頻耀光而產生一經模型化光學強度與耀光；
  14. 如請求項13之裝置，其中該邏輯在執行時可進一步操作以：使用該程序資訊模型化抗蝕劑及蝕刻； 使用該經模型化抗蝕劑及蝕刻產生經模型化晶圓臨界尺寸(CD)；及藉由使用計量資料最佳化模型參數來產生一遮罩模型。
  15. 如請求項14之裝置，其中該邏輯在執行時可進一步操作以使用該遮罩模型、該低頻耀光映圖及該光罩資料檔案對該複數個佈局執行校正，其中執行該校正包括：針對該複數個佈局執行光學接近校正(OPC)及耀光效應校正；用其中具有所產生OPC之對應複數個佈局替換該複數個佈局，其中使用該經替換複數個佈局來書寫該遮罩；及自該光罩資料檔案產生一經修改光罩資料檔案。
  16. 一種電腦可讀儲存媒體，其上編碼有軟體以供由一或多個處理器執行以用於計算供在超紫外光(EUV)微影中使用之一遮罩之耀光，該電腦可讀儲存媒體包括一或多個指令以用於：將一耀光功率光譜密度(PSD)分解成一低頻分量與一高頻分量；在一耀光映圖產生器中接收複數個佈局，其中該複數個佈局中之每一者對應於該遮罩上之一晶片圖案位置；及使用該耀光映圖產生器藉由使用快速傅立葉變換(FFT)而自該低頻分量產生該遮罩之一低頻耀光映圖。
  17. 如請求項16之電腦可讀儲存媒體，且其進一步包括一或多個指令以用於： 自該複數個佈局創建一光罩資料檔案，其中該光罩資料檔案包含關於每一晶片圖案位置在該遮罩上之定向及定位之資訊，該光罩資料檔案係用以產生該低頻耀光映圖。
  18. 如請求項17之電腦可讀儲存媒體，且其進一步包括一或多個指令以用於：基於該高頻分量及一測試圖案而模型化一高頻耀光；基於該測試圖案及程序資訊而模型化光學強度；基於讀取該低頻耀光映圖而模型化一低頻耀光；及藉由組合該經模型化高頻耀光、該經模型化光學強度與該經模型化低頻耀光來產生一經模型化光學強度與耀光。
  19. 如請求項18之電腦可讀儲存媒體，且其進一步包括一或多個指令以用於：使用該程序資訊模型化抗蝕劑及蝕刻；使用該經模型化抗蝕劑及蝕刻產生經模型化晶圓臨界尺寸(CD)；及藉由使用計量資料最佳化該經模型化晶圓CD來產生一遮罩模型。
  20. 如請求項19之電腦可讀儲存媒體，且其進一步包括一或多個指令以用於使用該遮罩模型、該低頻耀光映圖及該光罩資料檔案對該複數個佈局執行校正，其中執行該校正包括：針對該複數個佈局執行光學接近校正(OPC)及耀光效 應校正；用其中具有所產生OPC之對應複數個佈局替換該複數個佈局，其中使用該經替換複數個佈局來書寫該遮罩；及自該光罩資料檔案產生一經修改光罩資料檔案。
TW101115619A 2011-05-02 2012-05-02 超紫外光微影耀光計算及補償 TWI497564B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/098,495 US8443308B2 (en) 2011-05-02 2011-05-02 EUV lithography flare calculation and compensation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201306090A true TW201306090A (zh) 2013-02-01
TWI497564B TWI497564B (zh) 2015-08-21

Family

ID=47091136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101115619A TWI497564B (zh) 2011-05-02 2012-05-02 超紫外光微影耀光計算及補償

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8443308B2 (zh)
EP (1) EP2705526B1 (zh)
JP (2) JP2014524135A (zh)
KR (1) KR101999865B1 (zh)
CN (1) CN103597579B (zh)
TW (1) TWI497564B (zh)
WO (1) WO2012151167A2 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8683394B2 (en) * 2012-01-31 2014-03-25 Mentor Graphics Corporation Pattern matching optical proximity correction
US8775981B1 (en) 2013-02-19 2014-07-08 Globalfoundries Inc. Correcting for overexposure due to overlapping exposures in lithography
CN103617309B (zh) * 2013-10-31 2016-07-06 中国科学院上海光学精密机械研究所 极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱快速严格仿真方法
WO2015127459A1 (en) 2014-02-24 2015-08-27 Tokyo Electron Limited Methods and techniques to use with photosensitized chemically amplified resist chemicals and processes
DE112015000546T5 (de) 2014-02-25 2016-11-10 Tokyo Electron Limited Chemische Verstärkungsverfahren und -methoden für entwickelbare untere Antireflexbeläge und gefärbte Implantationsresists
EP2952963B1 (en) * 2014-06-03 2020-12-30 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for calculating the metrics of an ic manufacturing process
KR102193687B1 (ko) 2014-09-15 2020-12-21 삼성전자주식회사 슬릿 효과를 반영한 opc 방법과 그 opc 방법을 이용한 euv 마스크 제조방법 및 반도체 소자 제조방법
CN104317168B (zh) * 2014-10-28 2016-03-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 极紫外光刻系统中与杂散光有关的镜面加工误差分析方法
KR102491578B1 (ko) 2015-11-02 2023-01-25 삼성전자주식회사 Ｏｐｃ 방법 및 그 ｏｐｃ 방법을 이용한 마스크 제조방법
CN105574293B (zh) * 2016-02-01 2019-12-03 中国科学院微电子研究所 Euv设计规则、光源和掩模的联合优化和成像建模方法
US10429745B2 (en) 2016-02-19 2019-10-01 Osaka University Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) simulation
US10048594B2 (en) 2016-02-19 2018-08-14 Tokyo Electron Limited Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) model calibration
WO2017197279A1 (en) 2016-05-13 2017-11-16 Tokyo Electron Limited Critical dimension control by use of photo-sensitized chemicals or photo-sensitized chemically amplified resist
US10096528B2 (en) 2016-05-13 2018-10-09 Tokyo Electron Limited Critical dimension control by use of a photo agent
EP3906495B1 (en) * 2019-02-08 2024-07-24 Siemens Industry Software Inc. Die yield assessment based on pattern-failure rate simulation
KR20210008678A (ko) 2019-07-15 2021-01-25 삼성전자주식회사 포토 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20220046598A (ko) 2019-08-16 2022-04-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 확률 중심 결함 교정을 위한 방법 및 공정
EP4055444A1 (en) * 2019-11-04 2022-09-14 Synopsys, Inc. Using mask fabrication models in correction of lithographic masks
KR20210077215A (ko) 2019-12-17 2021-06-25 삼성전자주식회사 포토마스크 제작 방법
KR20220039917A (ko) 2020-09-21 2022-03-30 삼성전자주식회사 반사형 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6100978A (en) * 1998-10-21 2000-08-08 Naulleau; Patrick P. Dual-domain point diffraction interferometer
US6815129B1 (en) * 2000-09-26 2004-11-09 Euv Llc Compensation of flare-induced CD changes EUVL
US6625802B2 (en) * 2002-02-01 2003-09-23 Intel Corporation Method for modifying a chip layout to minimize within-die CD variations caused by flare variations in EUV lithography
US7010776B2 (en) * 2003-10-27 2006-03-07 International Business Machines Corporation Extending the range of lithographic simulation integrals
US7343271B2 (en) * 2003-10-27 2008-03-11 International Business Machines Corporation Incorporation of a phase map into fast model-based optical proximity correction simulation kernels to account for near and mid-range flare
US7131104B2 (en) * 2004-05-13 2006-10-31 International Business Machines Coporation Fast and accurate optical proximity correction engine for incorporating long range flare effects
US7199863B2 (en) * 2004-12-21 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Method of imaging using lithographic projection apparatus
JP2006313815A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Nikon Corp 結像性能シミュレーション方法及び装置、並びに露光方法及び装置
DE102008001800A1 (de) * 2007-05-25 2008-11-27 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie, Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Projektionsobjektiv, mikrolithographisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
EP2110707A1 (en) * 2008-04-19 2009-10-21 Imec Flare mapping in lithography
US7966582B2 (en) * 2008-05-23 2011-06-21 Synopsys, Inc. Method and apparatus for modeling long-range EUVL flare
DE102009045008A1 (de) * 2008-10-15 2010-04-29 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske
JP5330019B2 (ja) * 2009-02-18 2013-10-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マスクパターンの検査方法およびマスクパターン検査装置
US8945802B2 (en) * 2009-03-03 2015-02-03 Nikon Corporation Flare-measuring mask, flare-measuring method, and exposure method
JP5491777B2 (ja) * 2009-06-19 2014-05-14 株式会社東芝 フレア補正方法およびフレア補正プログラム
JP5407623B2 (ja) * 2009-07-16 2014-02-05 富士通セミコンダクター株式会社 マスクパターン評価方法、マスクパターン補正方法及びマスクパターン発生装置
JP2011066079A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Toshiba Corp フレア補正方法及び半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2705526A2 (en) 2014-03-12
KR20140027377A (ko) 2014-03-06
JP6542278B2 (ja) 2019-07-10
JP2014524135A (ja) 2014-09-18
US20120284675A1 (en) 2012-11-08
EP2705526A4 (en) 2015-01-21
CN103597579A (zh) 2014-02-19
WO2012151167A2 (en) 2012-11-08
KR101999865B1 (ko) 2019-07-12
JP2017116952A (ja) 2017-06-29
CN103597579B (zh) 2016-10-12
EP2705526B1 (en) 2016-06-22
US8443308B2 (en) 2013-05-14
WO2012151167A3 (en) 2013-01-24
TWI497564B (zh) 2015-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI497564B (zh) 超紫外光微影耀光計算及補償
JP4954211B2 (ja) 個別マスクエラーモデルを使用するマスク検証を行うシステムおよび方法
TWI524374B (zh) 模型化臨界尺寸掃描電子顯微鏡抽取的方法
CN110622069A (zh) 用于预测器件制造工艺的良率的方法
US7873504B1 (en) Computer-implemented methods, carrier media, and systems for creating a metrology target structure design for a reticle layout
JP5436487B2 (ja) フォトリソグラフィマスクの検出方法
TWI846635B (zh) 光阻及蝕刻模型建立
KR20090008223A (ko) 레티클 레이아웃용 메트롤로지 타깃 구조 디자인을 생성하기 위한 컴퓨터 구현방법, 전송매체, 및 시스템
CN104950568B (zh) 光学邻近校正方法及双重图形曝光方法
KR20180100170A (ko) 패터닝 공정들을 위한 측정 위치들의 선택
KR102205879B1 (ko) 디자인 레이아웃들의 컴퓨터 분석의 성능 메트릭 시각화
CN113759668A (zh) 在紧凑建模中校准随机信号
US9500945B1 (en) Pattern classification based proximity corrections for reticle fabrication
US11366397B2 (en) Method and apparatus for simulation of lithography overlay
US7966580B2 (en) Process-model generation method, computer program product, and pattern correction method
US9026956B1 (en) Method of lithographic process evaluation
US20240219847A1 (en) Real-time patterning hotspot analyzer
US8146022B2 (en) Mask pattern data generation method, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and pattern data generation program
US11194951B1 (en) Optical proximity correction model verification
US11023644B1 (en) Optical proximity correction modeling with density-based gauge weighting
Zhang et al. Efficient full-chip mask 3D model for off-axis illumination
US20120127442A1 (en) Determining lithographic set point using optical proximity correction verification simulation
KR101090473B1 (ko) 광 근접효과 보정방법
JP2009288497A (ja) パターン検証方法、パターン決定方法、製造条件決定方法、パターン検証プログラム及び製造条件検証プログラム
US20210150114A1 (en) Simulation apparatus, simulation method, and storage medium