JP2015028668A

JP2015028668A - 高密度ｏｐｃ

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Publication number: JP2015028668A
Application number: JP2014228022A
Authority: JP
Inventors: ビー．コブニコラス; B Cobb Nicholas; ドゥダードラゴス; Duda Dragos
Original assignee: Mentor Graphics Corp
Current assignee: Mentor Graphics Corp
Priority date: 2005-09-27
Filing date: 2014-11-10
Publication date: 2015-02-12
Also published as: US7434199B2; EP1929373A1; WO2007040544A1; JP2009510517A; TW200720851A; TWI370956B; JP2012088745A; US20070074143A1

Abstract

【課題】レイアウト設計に対して、光学補正およびプロセス補正（ＯＰＣ）または他の解像度向上技術を行うために、プロセス条件を計算する方法を提供すること。
【解決手段】プロセス条件が、実質的に均一なグリッドによって、レイアウトデータベース上において推定される。等高Ｓ曲線が、推定されたプロセス条件から作成される。次に、等高曲線は、レイアウト内の形態と比較されて、エッジ配置誤差を決定する。エッジ配置誤差から、形態に対するＯＰＣまたは他の補正が行われ得る。
【選択図】なし

Description

本発明は、フォトリソグラフィプロセスに関し、特に、光学補正およびプロセス補正に関する。

従来のフォトリソグラフィプロセスにおいて、集積回路は、マスクまたはレチクル上にプリントされた形態のパターンを用いてウェアを露光することによって半導体ウェハに作成される。形態のパターンはウェハ上の感光性の化学物質を選択的に露光し、次に、該ウェハは、化学的かつ機械的にさらに処理され、集積回路の層を築き上げる。

マスク上の形態が小さくなれば小さくなるほど、光学的なゆがみが生じ得、それによってウェハ上の露光パターンはマスク上の形態のパターンに一致しなくなる。これを補正するために、準解像度補助形態の追加、移相マスク、ならびに光学補正およびプロセス補正（ＯＰＣ）などの多数の解像度向上技術が、ウェハ上に画像化されたパターンが、対応する、マスク上の形態のパターンにより忠実に一致するように、画像の忠実度を改善するために利用され得る。

ＯＰＣにおいて、マスク形態のエッジがウェハ上のどこにプリントされるかが、推定される。次に、見込まれたプリンティング位置が所望の位置と比較され、エッジ配置誤差（ＥＰＥ）が決定される。ウェハ上の見込みの誤差に対して事前に補償するために、フォトリソグラフィマスク上のエッジの対応する位置が動かされなければならない場合には、ＥＰＥから、決定が行われる。

図１は、半導体ウェハ上に対応する対象を作成するレイアウト設計の単純化された目標の形態１０を例示する。形態１０は、一般的に、ＧＤＳ−ＩＩまたはＯＡＳＩＳ^ＴＭのような標準的なレイアウトデータベース言語で、多角形と定義される。形態がウェハ上に作成される方法をシミュレーションするために、形態１０がコンピュータプログラムによって解析され、該コンピュータプログラムは、形態の周辺を多数のフラグメンテーションのエンドポイント１２で分割する。フラグメンテーションのエンドポイント１２は、対応するエッジセグメント１４、１６、１８などを定義し、該エッジセグメント１４、１６、１８は、形態１０を定義する多角形の周辺の一部分を表す。次に、シミュレーション部位２０が、１つ以上のエッジセグメントに対して定義される。シミュレーション部位２０は、画像強度の値または他のプロセスパラメータが計算される多数のポイントを定義する。シミュレーション部位における計算された画像強度から、対応するエッジセグメントに対するＥＰＥが計算される。ＥＰＥから、ＯＰＣソフトウェアツールは、レイアウト内の１つ以上のエッジセグメントが、ウェハ上のプリンティングの忠実度を改善するために動かされるべきか否かを決定する。１つ以上のエッジセグメントを動かしたあとに、ＥＰＥが再計算され、他の調整が反復して行われ得る。全てのＥＰＥが許容可能な誤差の範囲内にあると、補正された形態のパターンが、対応する集積回路を作成する際に使用するフォトリソグラフィマスク上にプリントされる。

図２Ａは、レイアウト設計のパターンと対応するシミュレーション部位のパターンとのより現実的な例を例示する。設計形態３０のパターンは、エッジセグメントにフラグメント化され、対応するシミュレーション部位３２に割り当てられ、該シミュレーション部位３２において、対応するエッジセグメントに対するプロセスパラメータが計算される。図２Ａに示された例において、個々のシミュレーション部位間の空間は、レイアウト形態によって占められた範囲に対して比較的に大きい。しかしながら、図２Ｂは、図２Ａに示された設計形態４０と同じレイアウトを例示しているが、形態が半分のサイズである点で異なる。形態４０が図２Ａにおける形態と同じ波長の光にさらされた場合には、シミュレーション部位のサイズは、概ね同じままであるべきである。理解され得るように、シミュレーション部位４２のパターンは、様々なシミュレーションがレイアウト内の非常に近接したほぼ同じ位置で行われるということを要求する。シミュレーションは、一部の範囲では重なり得るが、他の範囲では存在しないことがあり得、それにより、形態をプリントする方法を推定することが非効率的で時間のかかるプロセスという結果をもたらす。

これらの問題を考慮すると、小さい形態に対する光学補正およびプロセス補正または他の解像度の向上を計算するために、プロセス条件の推定を単純化する方法がある。

上記の問題に対処するために、本発明は、ＯＰＣまたは他の解像度向上技術を行う際に使用するプロセス条件を計算する方法である。レイアウト内のプロセス条件が、サンプルポイントの実質的に均一なグリッドを使用して推定される。各グリッドポイントにおいて行われるシミュレーションから、一定の値を有するプロセスパラメータの等高線が計算される。等高線から、レイアウト設計のエッジセグメントに対するエッジ配置誤差の推定が演算され、ＯＰＣ補正または他の解像度の向上が行われ得る。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
フォトリソグラフィプロセスにより作成される形態におけるプリンティングのゆがみを補正する方法であって、
レイアウト設計範囲に対応する形態のパターンを受信することと、
１つ以上の形態を多数のエッジセグメントにフラグメント化することと、
該レイアウト設計の該範囲の少なくとも一部分において実質的に均一なパターンのサンプリングポイントでプロセス条件を推定することと、
該推定されたプロセス条件から決定されたポイントの等高曲線を演算することと、
該形態と該等高曲線を比較することと、
フォトリソグラフィのプリンティングのゆがみに対して該形態を補正するために、該等高曲線と該形態との比較を使用することと
を包含する、方法。
（項目２）
前記プロセス条件は、画像の強度である、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記プロセス条件は、画像のコントラストである、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記プロセス条件は、画像の傾斜である、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記等高曲線は、実質的に同一の推定されたプロセス条件を有する、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記等高曲線と前記形態とは、形態のエッジセグメントと等高曲線との間の距離を決定することによって比較される、項目１に記載の方法。
（項目７）
距離は、前記エッジセグメントと前記等高曲線との間の複数のポイントにおいて測定される、項目６に記載の方法。
（項目８）
前記複数の決定された距離の測定から、前記エッジセグメントのエッジ配置誤差を決定することをさらに包含する、項目７に記載の方法。
（項目９）
前記複数の決定された距離の測定の最大距離から、前記エッジセグメントのエッジ配置誤差を決定することをさらに包含する、項目８に記載の方法。
（項目１０）
前記複数の決定された距離の測定の最小距離から、エッジ配置誤差を決定することをさらに包含する、項目８に記載の方法。
（項目１１）
前記複数の決定された距離の測定の関数から、エッジ配置誤差を決定することをさらに包含する、項目８に記載の方法。
（項目１２）
前記関数は、代表である、項目１１に記載の方法。
（項目１３）
前記関数は、前記複数の距離の平均である、項目１１に記載の方法。
（項目１４）
高密度である前記レイアウト設計の範囲内で、均一なパターンのサンプルポイントの密度を増加させることをさらに包含する、項目１に記載の方法。
（項目１５）
前記レイアウト設計で作成される回路を動作する上で重要な範囲内で、均一なパターンのサンプルポイントの密度を増加させることをさらに包含する、項目１に記載の方法。
（項目１６）
前記実質的に均一なパターンのサンプリングポイントは、前記フォトリソグラフィプロセスのナイキスト周波数の関数である間隔を有する、項目１に記載の方法。
（項目１７）
前記等高曲線とエッジセグメントとの間の距離は、前記フォトリソグラフィプロセスの前記ナイキスト周波数に対応する間隔を有する該エッジセグメント上の多数の位置において決定される、項目１に記載の方法。
（項目１８）
形態と等高曲線とが比較されない該形態内の１つ以上の範囲を決定することをさらに包含する、項目１に記載の方法。
（項目１９）
等高曲線と比較されない形態内の前記範囲は、
該等高曲線に対する正接線と形態のエッジセグメントの方向との間の角度を決定することと、
該角度が最大の角度を上回る場合には、該等高曲線と形態の該エッジセグメントとを比較しないことと
によって決定される、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
前記フォトリソグラフィのプリンティングのゆがみに対して該形態を補正するために、製造することが現実的であるように形態の範囲を再定義し、等高曲線と該再定義された範囲とを比較することをさらに包含する、項目６に記載の方法。
（項目２１）
レイアウト設計の範囲に対応する形態のパターンを受信することと、
１つ以上の形態を多数のエッジセグメントにフラグメント化することと、
該レイアウト設計の該範囲内の実質的に均一なパターンのサンプリングポイントにおけるプロセス条件を推定することと、
該推定されたプロセス条件から決定されたポイントの等高曲線を演算することと、
該形態と該等高曲線を比較することと、
フォトリソグラフィのプリンティングのゆがみに対して該形態を補正するために、該等高曲線と該形態との比較を使用することと
によって、コンピュータによって実行されたときに、フォトリソグラフィプロセスを介して作成される形態内のプリンティングのゆがみを補正する方法をコンピュータに行わせる、一連の命令を含むコンピュータで読み取り可能なメディア。
（項目２２）
フォトリソグラフィプロセスにより作成される形態内のプリンティングのゆがみを補正する方法であって、
レイアウト設計の範囲に対応する形態のパターンを受信することと、
遠隔に位置されるコンピュータに該形態のパターンを送信することであって、該遠隔に位置されるコンピュータは、
１つ以上の形態を多数のエッジセグメントにフラグメント化する行為と、
該レイアウト設計の該範囲内の実質的に均一なパターンのサンプリングポイントにおけるプロセス条件を推定する行為と、
該推定されたプロセス条件から決定されたポイントの等高曲線を演算する行為と、
該形態と該等高曲線を比較することと、
フォトリソグラフィのプリンティングのゆがみに対して該形態を補正するために、該等高曲線と該形態との比較を使用する行為と
を行う、ことと
を包含する、方法。

図１は、エッジセグメントの範囲内のプロセス条件を計算する従来の技術の単純化された例示である。図２Ａは、９０ナノメートルのレイアウトにおけるプロセス条件を計算する従来の方法を例示する。図２Ｂは、図２Ａに示されたシミュレーション技術が４５ナノメートルのレイアウトに適用されたときに生じる問題を例示する。図３Ａは、本発明の一実施形態に従って、プロセス条件を計算する技術を例示する。図３Ｂは、エッジセグメントのエッジ配置誤差が、本発明の実施形態に従って決定される方法を例示する。図３Ｃは、エッジセグメントのエッジ配置誤差が、本発明の実施形態に従って計算される方法のさらなる詳細を例示する。図４は、本発明の別の局面に従って、エッジセグメントと等高曲線との間の距離を演算する１つの技術を例示する。図５は、本発明の別の実施形態に従って、エッジ配置誤差を計算するときに、誤りを回避する技術を例示する。図６は、本発明の実施形態に従って、エッジ配置誤差を演算する際に、誤りを回避する別の技術を例示する。図７は、本発明の別の実施形態に従って、エッジ配置誤差を演算する際に、誤りを回避するさらに別の技術を例示する。図８は、本発明の実施形態に従って、エッジ配置誤差を計算するのに先立ち、目標のレイアウトを変更する技術を例示する。図９は、本発明の実施形態に従って、エッジ配置誤差の計算を制限する技術を例示する。図１０は、本発明を実装する代表的なコンピュータシステムを例示する。

本発明は添付の図面と共に以下の詳細な記述を参照することによってさらに理解され、本発明の上記の局面および多数の付随する利点が、さらに容易に理解される。

本発明は、半導体ウェハ上に作成される目標の形態レイアウト設計に対する光学補正およびプロセス補正（ＯＰＣ）または他の解像度向上技術を行うために、プロセス条件を計算する技術である。

図３Ａに示されているように、目標の形態レイアウト設計は多数の形態１００を含み、該多数の形態１００は、半導体ウェア上に作成される回路素子に対応する。一実施形態において、各形態１００は、標準的なレイアウトデータベース言語、例えば、ＧＤＳ−ＩＩまたはＯＡＳＩＳ^ＴＭで多角形として定義される。形態１００のパターンが半導体ウェハ上に作成され得る忠実度を改善するために、１つ以上のプロセス条件のシミュレーションが、グリッド１１０のサンプルポイント１１２において行われる。グリッド１１０はレイアウト全体に渡って均一であり得る。あるいは、グリッドは、より少なく形態または回路動作にとって重要ではない形態の領域においては、より幅の広い間隔でサンプルポイント１１２を有し得る。あるいは、高密度の配置にあるか、または回路動作にとって重要であるそれらの形態は、小さな間隔のサンプルポイントでシミュレーションされ得る。グリッド１１０におけるサンプルポイント１１２の間隔は、ユーザによって決定され得るか、または照明波長λ、ソースパターン、開口数ＮＡなどを含むフォトリソグラフィ動作パラメータに従ったルールまたはモデルによって選択され得る。一実施形態において、プロセス条件のサンプリングがフォトリソグラフィプロセスシステムに対するナイキスト周波数の関数であるように選択されたピッチを、サンプルポイント１１２は有する。例えば、サンプリングは、ナイキスト周波数の１ｘ、２ｘ、３ｘ、４ｘ、１／２ｘ、１／３ｘ、１／４ｘで生じ得る。

シミュレーションのサンプルポイント１１２のそれぞれにおいて獲得された結果から、実質的に同じプロセスパラメータ値を有する領域の境界線を定義する等高曲線が演算される。一実施形態において、等高曲線は、サンプルポイントのそれぞれにおいて獲得されたシミュレーション結果から演算され、レイアウトデータベースに多角形として格納される。等高曲線は、グリッドのサンプルポイントにおいて獲得された結果を補間すること、または他の数学手法を使用することによって演算され得る。このような等高はまた、例えば、航空画像に適用される「定数閾値」を使用して生成され得る。等高曲線は、レイアウト内に、同一の演算された画像強度を有する多数のポイントを定義する。しかしながら、等高曲線は、他の演算されたプロセス条件、例えば、コントラスト、画像強度勾配などに対して作成され得るか、または非定数モデル、例えば、可変閾値のレジスト（ＶＴＲ）モデルを使用して作成され得る。例示的な等高曲線１５０が図３Ｂに示されている。等高曲線１５０の位置は、エッジセグメント上の１つ以上の点において、ウェハ上に作成される形態１６０の所望の位置と比較される。比較から、形態のエッジセグメントに対するＥＰＥの計算値が決定され、対応するＯＰＣ補正または他の解像度向上が行われ得る。

図３Ｃは、エッジセグメント１７０と、近くの等高曲線１８０とを有する形態のさらなる詳細を例示する。示された実施形態において、エッジフラグメンテーションのエンドポイント１７２および１７４によって定義されるエッジセグメント１７０と等高曲線１８０とは、エッジセグメント１７０と等高曲線１８０との間の距離を計算することによって比較される。距離の測定が、ポイント１８２、１８４、１８６、および１８８において行われる。各測定は、エッジセグメントのその部分に対するＥＰＥを表す。エッジセグメント１７０と等高曲線１８０との間の距離におけるポイントの数は、固定され得るか、または可変であり得る。さらに、測定ポイント１８２〜１８８の間の間隔Ｓは、ユーザによって選択され得るか、またはプロセス条件、例えば、照明波長λ、開口数ＮＡなどに従ったルールまたはモデルによって決定され得る。

サンプリング間隔Ｓは、フォトリソグラフィプロセスシステムのナイキスト周波数の関数であるということが概して好ましい。例えば、レイアウトはナイキスト周波数の２倍でサンプリングされ得る。しかしながら、他の倍数、例えば、２ｘ、３ｘ、４ｘ、１／２ｘ、１／３ｘ、１／４ｘなどが使用され得る。他のサンプリング間隔がまた、画像化される状態および形態に依存して使用され得、レイアウト全体を通して一定である必要はない。高密度の領域において、高密度のサンプリングが使用され得る。疎領域に対して、疎な間隔が使用され得る。サンプリング間隔は、局所的な密度か、強度、勾配、コントラストなどの画像特性か、形態に対するタグの識別子か、または当業者には公知の他の特質により、選択され得る。

ポイント１８２〜１８６において行われる測定から、エッジセグメント１７０に対する「擬似ＥＰＥ」または組み合わせＥＰＥが計算される。擬似ＥＰＥは、エッジセグメントに対して計算された個々のＥＰＥの平均であり得る。あるいは、擬似ＥＰＥは、計算された最大のＥＰＥ、計算された最小のＥＰＥ、計算された中間のＥＰＥ、またはユーザ、ルールもしくはモデルによって定義された別の関数として定義され得る。エッジセグメント１７０に対する擬似ＥＰＥが計算されると、エッジセグメント１７０に対する補正が、従来のＯＰＣプロセスにおいて使用された方法で計算され得るか、または他の解像度向上技術がエッジセグメントに適用され得る。

一部の例においては、エッジフラグメントと対応する等高曲線との間の距離の演算が、不明確であり得る。図４は、一対の形態１９０および２１０を含むレイアウトを例示している。等高曲線２００は、概ね形態１９０を覆って配置されており、等高曲線２２０は、概ね形態２１０を覆って配置され得る。形態２１０は、エッジセグメント２１２を含み、該エッジセグメント２１２から、エッジセグメントとその対応する等高曲線との間の距離を測定することが所望される。示されているように、左側方向に伸びて、測定が行われる場合には、等高曲線２２０の代わりに、等高曲線２００に対して測定が行われる。従って、誤った等高曲線に対する測定が行われないということを確実にするように、ステップが取られるべきである。

本発明の一実施形態において、レイアウト内の全ての多角形と等高曲線とが一定の方向を有するように定義される。本発明の一実施形態において、全ての多角形と等高曲線とが時計回りの方向を有するように定義される。つまり、各形態または等高曲線は、レイアウトデータベース内において、一連の頂点として定義される。従って、時計回りの方向で形態または等高曲線の周辺をたどる順序で、形態または等高曲線を定義する頂点は格納される。

エッジセグメントが等高曲線の内側にある場合には、エッジセグメントから外側に描かれた線が、当エッジセグメントと同じ方向に向けられている等高曲線と交差する。図４に描かれている例において、エッジセグメント２１２から外側に伸びている線２１５は、エッジセグメント２１２の方向に対して反対方向に伸びるように定義されている等高曲線２００と交差する。従って、等高曲線２００は、エッジセグメント２１２のＥＰＥを決定する上で誤った等高曲線であると考えられる。逆に、線がエッジセグメント２１２から内側方向に描かれている場合には、エッジセグメント２１２と同じ方向になるように定義されたポイントにおいて、線は等高曲線２２０に交差する。従って、このポイントは、エッジセグメント２１２のＥＰＥを測定する上で正しい等高曲線であると考えられる。形態２１０はまた、形態２１０と関連する等高曲線のどの部分とも連携しないエッジセグメント２１４を含む。つまり、エッジセグメント２１４から内側方向に行われる測定は、等高曲線２２０に遭遇しない。本発明の一実施形態において、エッジセグメントからの所定の最大距離の範囲内で、等高曲線に遭遇しなかった場合には、最大のＥＰＥがエッジセグメントに割り当てられる。

図５は、一対の形態２４０、２５０を例示する。等高曲線２７０が、一対の形態２４０および２５０の周囲に定義される。形態２４０はエッジセグメント２６０を含み、該エッジセグメント２６０から等高曲線までの距離が決定される。示された例においては、等高曲線２７０の一部分に交差する前に、エッジセグメント２６０から外側に伸びる測定が、形態２５０のエッジセグメントを通過する。エッジセグメント２６０と等高曲線２７０上の交差ポイントとは同じ方向に定義されるが、測定が、間にある形態２５０のエッジセグメントを通過するという事実が、等高曲線２７０に対する測定が誤りであるということを示す。従って、エッジセグメント２６０に対して、最大のＥＰＥを適用すること、またはＥＰＥを適用しないことなどのルールが利用され得る。

一部のレイアウト構成において、エッジセグメントと等高曲線との間の距離を測定することが、誤った結果を生じ得る。図６は、エッジセグメント２９２と等高曲線２９４とを含む形態２９０の一部分を例示する。理解され得るように、エッジセグメント２９２は、等高曲線２９４の方向に対して概ね垂直な方向に向けられている。エッジセグメント２９２に対して内側または外側方向に、測定が行われる場合には、等高曲線２９４に対して概ね平行な方向に、測定が行われ、非常に大きい擬似ＥＰＥが演算され得る。本発明の一実施形態において、１つ以上のルールが定義されることにより、近くの等高曲線に対して垂直なエッジセグメントは考慮から排除され得る。本発明の代替の実施形態において、他の測定基準が使用され、誤差が生じ得るエッジセグメント、例えば、エッジセグメント２９２を識別し得る。例えば、本発明の一実施形態において、当エッジセグメントの方向と等高曲線に対する正接線との間の角度が決定される。角度が、９０°またはある他の所定の値に近づく場合には、その位置における測定は省略され得る。

図７は、エッジセグメント３１２と等高曲線３１４とを含む形態３００の一部分を例示する。エッジセグメント３１２と一定の等高曲線３１４との間の測定が、エッジセグメント上の多数のポイント、例えばポイント３１５および３１６において行われる。ポイント３１５において、等高曲線３１４に対する正接線３１７とエッジセグメント３１２に対して平行な線との間との間の角度は、比較的に小さく、擬似ＥＰＥが適切に演算され得る。ポイント３１６において、一定の等高曲線３１４に対する正接線とエッジセグメント３１２に対して平行な線との間の角度は９０°に近づく。この場合、適切な擬似ＥＰＥは、求めることが困難である。従って、本発明の一実施形態において、そのような角度が９０°に近づくときには、エッジセグメントと等高曲線との間で、測定は行われない。

本発明の一部の実施形態において、等高曲線に対して測定が行われる形態の定義は、達成可能なフォトリソグラフィの結果に従って変更され得る。図８は、コーナー領域３５２を有する形態３５０の一部分を例示する。フォトリソグラフィプロセスを用いて、小さな形態内に完全なコーナーを作成することは、事実上不可能であるので、コーナーと等高曲線３６０との間で行われたどの測定も、補正することが困難である大きな擬似ＥＰＥを示す。従って、例えば、コーナー領域を新たなより達成可能なコーナー領域３５６に丸めることと、新たに定義されたコーナー領域３５６と等高曲線３６０との間で測定を行うこととによって、コーナー領域３５２は再定義され得る。形態の再定義は、ユーザ定義され得るか、ルールによって定義され得るか、所定のタグを使用して定義され得るか、または形態のレイアウトおよび使用されるプロセスパラメータに従って、モデルを基にしたシミュレーションによって定義され得る。

図９は、擬似ＥＰＥを演算する際の誤りを回避する別の技術を例示する。示された例において、形態３７０は、多数のコーナー領域３７２を含む。コーナー領域３７２における誤った測定を引き起こすことを回避するために、それらの領域におけるセグメントは、等高曲線に対する測定が凹状または凸状の領域の範囲内に生じないように識別され、タグ付けされ得る。別の実施形態において、別の「困難」な範囲が識別され得、形態と対応する等高曲線との間の測定は、その領域内では行われ得ない。

図１０は、本発明を実行するために有用なコンピュータシステムの一実施形態を例示する。コンピュータ４００は、コンピュータで読み取り可能なメディア４１０上で、または有線またはワイヤレスの通信リンクを介して実行可能な一組の命令を受信する。実行可能な命令は、コンピュータシステム４００をレイアウトデータベース４１２にアクセスさせ、目標のレイアウトを引き出させる。目標のレイアウトは、上に記述されたような一連のＯＰＣ補正または他の解像度の向上を演算するために、コンピュータシステム４００によって解析される。次に、補正されたレイアウトは、コンピュータで読み取り可能なメディア４２０上で、または有線またはワイヤレスの通信リンク４４０を介してのいずれかで、マスク書き込みツール４５０に送信され、該マスク書き込みツール４５０は、半導体ウェハ上に集積回路を作成する際に使用する多数のフォトリソグラフィマスクを生成する。あるいは、コンピュータシステム４００は、米国内または米国外にあり得る１つ以上の遠隔に位置されるコンピュータ４８０に、目標のレイアウトの全てまたは一部分を送信し得る。遠隔に位置されるコンピュータ４８０は、コンピュータシステム４００にかまたは直接的にマスク書き込みツール４５０にかのいずれかで返信する補正されたマスクレイアウトのデータまたはその一部分を生成するように動作し得る。コンピュータシステム４００は、スタンドアロンの単一のまたはマルチプロセッサのデバイスであり得るか、またはネットワークに接続されたコンピュータシステムであり得る。一実施形態において、コンピュータシステム４００または遠隔に位置されるコンピュータ４８０は、画像の補正および／または解像度向上の補正の演算を加速するように特に設計されている回路網を含む、ハードウェアの加速基板を提供され得る。

本発明の実施形態が例示されかつ記述されてきたが、本発明の範囲を逸脱することなく、様々な変更が行われ得るということが理解される。例えば、記述された本発明の実施形態は、集積回路に対するレイアウトデータの補正を生成するために使用されるが、本発明は、フォトリソグラフィプロセスによって作成される任意のデバイスに適用可能である。このようなデバイスの例は、限定するものではないが、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）、光結晶、集積光学デバイス、磁気格納のためのヘッドなどを含む。従って、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲およびその均等物から決定されるということが意図されている。

排他的な所有権または特権が請求される本発明の実施形態は、添付の特許請求の範囲のように定義される。

Claims

明細書に記載の方法。