JP3432639B2 - マスクパターンの作成方法 - Google Patents
マスクパターンの作成方法Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマスクパターンを作成
する方法に関し、特にコンタクトホールを形成するため
のマスクのホール径の大きさを補正してマスクパターン
を作成する方法に関する。
する方法に関し、特にコンタクトホールを形成するため
のマスクのホール径の大きさを補正してマスクパターン
を作成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの作製においてはコンタクトホー
ルの作製は不可欠であり、コンタクトホールのホール径
（以下「コンタクトホール径」と称する）の精度が低い
と、コンタクト不良を招いてしまう。そのため、従来か
らコンタクトホールを形成するためのマスクパターンに
補正をかけ、コンタクトホール径を制御する方法が採ら
れている。
ルの作製は不可欠であり、コンタクトホールのホール径
（以下「コンタクトホール径」と称する）の精度が低い
と、コンタクト不良を招いてしまう。そのため、従来か
らコンタクトホールを形成するためのマスクパターンに
補正をかけ、コンタクトホール径を制御する方法が採ら
れている。
【０００３】図２４は、コンタクトホールを形成するマ
スクのホール径（以下「マスクホール径」と称する）を
補正する従来の手法を示すフローチャートである。
スクのホール径（以下「マスクホール径」と称する）を
補正する従来の手法を示すフローチャートである。
【０００４】まず、ＣＡＤを用いてマスクパターンを作
成する一方、検移票を作成する。検移票とはＬＳＩを作
製するプロセスフローを纏めたものであり、検移票にお
いてはいかなるマスクをいつ用い、いかなる層をいつ作
製し、或いは除去するか等が定められている。
成する一方、検移票を作成する。検移票とはＬＳＩを作
製するプロセスフローを纏めたものであり、検移票にお
いてはいかなるマスクをいつ用い、いかなる層をいつ作
製し、或いは除去するか等が定められている。
【０００５】従来は、設計されたマスクを用いて実際に
ＬＳＩを試作し、そのＬＳＩの断面を顕微鏡で観察する
ことによって実際に作製されたコンタクトホール径を測
定していた。そしてコンタクトホール径が所望の値より
も大きい場合にはマスクホール径を小さく設計し、コン
タクトホール径が所望の値よりも小さい場合にはマスク
ホール径を大きく設計するというフィードバックがかけ
られることにより、マスクパターンの補正が行われてい
た。
ＬＳＩを試作し、そのＬＳＩの断面を顕微鏡で観察する
ことによって実際に作製されたコンタクトホール径を測
定していた。そしてコンタクトホール径が所望の値より
も大きい場合にはマスクホール径を小さく設計し、コン
タクトホール径が所望の値よりも小さい場合にはマスク
ホール径を大きく設計するというフィードバックがかけ
られることにより、マスクパターンの補正が行われてい
た。
【０００６】例えば０．５μｍのコンタクトホール径を
作製するべく設計されたマスクホール径を用いて、実際
にできあがったコンタクトホール径が０．４μｍであっ
た場合には、マスクホール径を０．６μｍのコンタクト
ホール径を作製するべく設計する。また、実際にできあ
がったコンタクトホール径が０．６μｍであった場合に
は、マスクホール径を０．４μｍのコンタクトホール径
を作製するべく設計する。
作製するべく設計されたマスクホール径を用いて、実際
にできあがったコンタクトホール径が０．４μｍであっ
た場合には、マスクホール径を０．６μｍのコンタクト
ホール径を作製するべく設計する。また、実際にできあ
がったコンタクトホール径が０．６μｍであった場合に
は、マスクホール径を０．４μｍのコンタクトホール径
を作製するべく設計する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これを全ての
コンタクトホールについて実施するのは実際的ではな
い。ＬＳＩにおいては１チップ上に何十万個ものコンタ
クトホールが存在するためである。
コンタクトホールについて実施するのは実際的ではな
い。ＬＳＩにおいては１チップ上に何十万個ものコンタ
クトホールが存在するためである。
【０００８】この様な状況の下では、ＬＳＩの設計ルー
ルを甘くすることも行われている。コンタクトホール径
はマスクホール径のみならず、コンタクトホールが形成
されるべき領域の凹凸にも依存するので、その領域の凹
凸を緩やかにすればコンタクトホール径の精度は向上す
る。この故に、例えば、０．５μｍでリソグラフィパタ
ーンの形成が可能であっても、１μｍルールでＬＳＩの
設計を行い、コンタクトホールを形成すべき領域の凹凸
を緩やかにしてコンタクトホール径の精度を向上させる
ことができる。しかしこれではＬＳＩの実現には広い面
積が必要となり、素子の伝達特性が劣化するという問題
点を招来する。
ルを甘くすることも行われている。コンタクトホール径
はマスクホール径のみならず、コンタクトホールが形成
されるべき領域の凹凸にも依存するので、その領域の凹
凸を緩やかにすればコンタクトホール径の精度は向上す
る。この故に、例えば、０．５μｍでリソグラフィパタ
ーンの形成が可能であっても、１μｍルールでＬＳＩの
設計を行い、コンタクトホールを形成すべき領域の凹凸
を緩やかにしてコンタクトホール径の精度を向上させる
ことができる。しかしこれではＬＳＩの実現には広い面
積が必要となり、素子の伝達特性が劣化するという問題
点を招来する。
【０００９】この発明は上記の問題点を解消するために
なされたもので、設計ルールを緩和する必要がなく、全
てのコンタクトホール径を実測することもなくマスクパ
ターンを補正する技術を提供することを目的としてい
る。
なされたもので、設計ルールを緩和する必要がなく、全
てのコンタクトホール径を実測することもなくマスクパ
ターンを補正する技術を提供することを目的としてい
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
にかかるものは、加工対象の被加工領域に対して実パタ
ーンの付与を行うために用いられるマスクパターンを補
正する方法である。そして、（ａ）前記マスクパターン
を作成する工程（Ｓ１）と、（ｂ）前記加工対象の凹凸
を判断する工程（Ｓ３）と、（ｃ）前記凹凸の程度に基
づいて前記実パターンの寸法を予測する工程（Ｓ４）
と、（ｄ）前記工程（ｃ）の結果に基づいて、前記マス
クパターンの寸法に補正量を与えて補正する工程（Ｓ
５）と備える。前記実パターンの付与は、前記加工対象
上にレジストを設け、前記レジストに対して前記マスク
パターンに基づいてレジストを整形することによって行
われる。そして前記工程（ｃ）は（ｃ−１）前記加工対
象が平坦な場合の前記レジストの膜厚を基準膜厚（ｘ 0
）として、前記被加工領域における前記レジストの膜
厚増減量（Δｘ）を求める工程と、（ｃ−２）前記膜厚
増減量に基づいて、前記被加工領域が凹である場合の前
記実パターンの寸法が、前記被加工領域が平坦な場合の
前記実パターンと比較してずれる方向と、前記被加工領
域が凸である場合の前記実パターンの寸法が、前記被加
工領域が平坦な場合の前記実パターンと比較してずれる
方向とは逆であると予測し、また、前記被加工領域の凹
凸の程度が強い程、前記被加工領域が平坦な場合と比較
して前記実パターンの寸法は大きくずれると予測する工
程とを有する。前記加工対象の表面形状は、少なくとも
第１の方向（＋Ｉ）及び前記第１の方向とは逆の第２の
方向（−Ｉ）に広がる基礎範囲に対する、表面高さとし
て把握される。そして前記工程（ｂ）は（ｂ−１）前記
表面高さをシミュレーションによって求める工程（Ｓ１
００）と、（ｂ−２）前記基礎範囲における前記被加工
領域の位置（Ｉ 0 ，Ｊ 0 ）を特定する工程（Ｓ２０
０）と、（ｂ−３）前記被加工領域から前記第１の方向
に広がる第１の領域（Ｉ 0 + ）と、前記第２の方向に広が
る第２の領域（Ｉ 0 - ）とを設定する工程（Ｓ３１０）
と、（ｂ−４）前記工程（ｂ−１）の結果に基づいて、
前記第１及び第２の領域のそれぞれについて、前記第１
の方向に関して前記表面高さが増加傾向にある第１の状
態（Ｄ + ）が存在するか、減少傾向にある第２の状態
（Ｄ - ）が存在するかを検出する工程（Ｓ３２０）と、
（ｂ−５）前記工程（ｂ−４） の結果に基づいて前記被
加工領域の前記第１及び第２の方向に関する凹凸を判断
する工程（Ｓ３３０−Ｓ３８０）とを有する。前記工程
（ｂ−４）は前記第１及び第２の領域のそれぞれにおい
て実行される以下の工程を含む。即ち、（ｂ−４−１）
前記表面高さの最大値を採る位置（Ｉ IM + ，Ｊ 0 ）
を求める工程と、（ｂ−４−２）前記表面高さの最小値
を採る位置（Ｉ Im + ，Ｊ 0 ）を求める工程と、（ｂ
−４−３）前記最大値から前記被加工領域の前記表面高
さを減じて形状高さ（Ｈ IM + ）を求める工程と、（ｂ−
４−４）前記被加工領域の前記表面高さから前記最小値
を減じて形状深さ（Ｈ Im + ）を求める工程と、（ｂ−４
−５）前記形状高さが前記形状深さよりも大きい場合に
前記第１の状態が存在すると判定する工程と、（ｂ−４
−６）前記形状高さが前記形状深さよりも小さい場合に
前記第２の状態が存在すると判定する工程である。
にかかるものは、加工対象の被加工領域に対して実パタ
ーンの付与を行うために用いられるマスクパターンを補
正する方法である。そして、（ａ）前記マスクパターン
を作成する工程（Ｓ１）と、（ｂ）前記加工対象の凹凸
を判断する工程（Ｓ３）と、（ｃ）前記凹凸の程度に基
づいて前記実パターンの寸法を予測する工程（Ｓ４）
と、（ｄ）前記工程（ｃ）の結果に基づいて、前記マス
クパターンの寸法に補正量を与えて補正する工程（Ｓ
５）と備える。前記実パターンの付与は、前記加工対象
上にレジストを設け、前記レジストに対して前記マスク
パターンに基づいてレジストを整形することによって行
われる。そして前記工程（ｃ）は（ｃ−１）前記加工対
象が平坦な場合の前記レジストの膜厚を基準膜厚（ｘ 0
）として、前記被加工領域における前記レジストの膜
厚増減量（Δｘ）を求める工程と、（ｃ−２）前記膜厚
増減量に基づいて、前記被加工領域が凹である場合の前
記実パターンの寸法が、前記被加工領域が平坦な場合の
前記実パターンと比較してずれる方向と、前記被加工領
域が凸である場合の前記実パターンの寸法が、前記被加
工領域が平坦な場合の前記実パターンと比較してずれる
方向とは逆であると予測し、また、前記被加工領域の凹
凸の程度が強い程、前記被加工領域が平坦な場合と比較
して前記実パターンの寸法は大きくずれると予測する工
程とを有する。前記加工対象の表面形状は、少なくとも
第１の方向（＋Ｉ）及び前記第１の方向とは逆の第２の
方向（−Ｉ）に広がる基礎範囲に対する、表面高さとし
て把握される。そして前記工程（ｂ）は（ｂ−１）前記
表面高さをシミュレーションによって求める工程（Ｓ１
００）と、（ｂ−２）前記基礎範囲における前記被加工
領域の位置（Ｉ 0 ，Ｊ 0 ）を特定する工程（Ｓ２０
０）と、（ｂ−３）前記被加工領域から前記第１の方向
に広がる第１の領域（Ｉ 0 + ）と、前記第２の方向に広が
る第２の領域（Ｉ 0 - ）とを設定する工程（Ｓ３１０）
と、（ｂ−４）前記工程（ｂ−１）の結果に基づいて、
前記第１及び第２の領域のそれぞれについて、前記第１
の方向に関して前記表面高さが増加傾向にある第１の状
態（Ｄ + ）が存在するか、減少傾向にある第２の状態
（Ｄ - ）が存在するかを検出する工程（Ｓ３２０）と、
（ｂ−５）前記工程（ｂ−４） の結果に基づいて前記被
加工領域の前記第１及び第２の方向に関する凹凸を判断
する工程（Ｓ３３０−Ｓ３８０）とを有する。前記工程
（ｂ−４）は前記第１及び第２の領域のそれぞれにおい
て実行される以下の工程を含む。即ち、（ｂ−４−１）
前記表面高さの最大値を採る位置（Ｉ IM + ，Ｊ 0 ）
を求める工程と、（ｂ−４−２）前記表面高さの最小値
を採る位置（Ｉ Im + ，Ｊ 0 ）を求める工程と、（ｂ
−４−３）前記最大値から前記被加工領域の前記表面高
さを減じて形状高さ（Ｈ IM + ）を求める工程と、（ｂ−
４−４）前記被加工領域の前記表面高さから前記最小値
を減じて形状深さ（Ｈ Im + ）を求める工程と、（ｂ−４
−５）前記形状高さが前記形状深さよりも大きい場合に
前記第１の状態が存在すると判定する工程と、（ｂ−４
−６）前記形状高さが前記形状深さよりも小さい場合に
前記第２の状態が存在すると判定する工程である。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】この発明のうち請求項２にかかるものは、
請求項１記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｂ−４−５）は、前記形状高さが前記形状深さ
よりも大きい場合に、（ｂ−４−５−１）前記形状高さ
を第１の値（ΔＨI + ，ΔＨI -）として採用する工程を
備える。また前記工程（ｂ−４−６）は、前記形状高さ
が前記形状深さよりも小さい場合に、（ｂ−４−６−
１）前記形状深さに（−１）を乗じた値を前記第１の値
として採用する工程を備える。そして、前記工程（ｃ−
１）は（ｃ−１−１）前記第１の領域の前記第１の値
（ΔＨI +）及び前記第２の領域の前記第１の値（Δ
ＨI -）の中間の値を以て高低量（ΔＨ）とする工程（Ｓ
５２０）と、（ｃ−１−２）前記高低量に基づいて前記
膜厚増減量を求める工程（Ｓ６３０）とを含む。ここで
前記工程（ｃ−１−２）においては前記高低量の絶対値
が大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大きく、前記高
低量の符号と前記膜厚増減量の符号とは互いに異なる。
請求項１記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｂ−４−５）は、前記形状高さが前記形状深さ
よりも大きい場合に、（ｂ−４−５−１）前記形状高さ
を第１の値（ΔＨI + ，ΔＨI -）として採用する工程を
備える。また前記工程（ｂ−４−６）は、前記形状高さ
が前記形状深さよりも小さい場合に、（ｂ−４−６−
１）前記形状深さに（−１）を乗じた値を前記第１の値
として採用する工程を備える。そして、前記工程（ｃ−
１）は（ｃ−１−１）前記第１の領域の前記第１の値
（ΔＨI +）及び前記第２の領域の前記第１の値（Δ
ＨI -）の中間の値を以て高低量（ΔＨ）とする工程（Ｓ
５２０）と、（ｃ−１−２）前記高低量に基づいて前記
膜厚増減量を求める工程（Ｓ６３０）とを含む。ここで
前記工程（ｃ−１−２）においては前記高低量の絶対値
が大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大きく、前記高
低量の符号と前記膜厚増減量の符号とは互いに異なる。
【００１５】この発明のうち請求項３にかかるものは、
請求項２記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｃ−１−１）は（ｃ−１−１−１）前記第１の
領域における前記第１の値を前記第１の領域における前
記第２の値で除した値と前記第２の領域における前記第
１の値を前記第２の領域における前記第２の値で除した
値との中間の値を以て傾斜量（ΔＨ／Ｌ）とする工程を
備える。ここで前記工程（ｃ−１−２）においては前記
傾斜量にも基づいて前記膜厚増減量が求められ、前記傾
斜量の絶対値が大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大
きい。
請求項２記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｃ−１−１）は（ｃ−１−１−１）前記第１の
領域における前記第１の値を前記第１の領域における前
記第２の値で除した値と前記第２の領域における前記第
１の値を前記第２の領域における前記第２の値で除した
値との中間の値を以て傾斜量（ΔＨ／Ｌ）とする工程を
備える。ここで前記工程（ｃ−１−２）においては前記
傾斜量にも基づいて前記膜厚増減量が求められ、前記傾
斜量の絶対値が大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大
きい。
【００１６】この発明のうち請求項４にかかるものは、
請求項１記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｂ−４−５）は、前記形状高さが前記形状深さ
よりも大きい場合に、（ｂ−４−５−１）前記形状高さ
を第１の値（ΔＨI + ，ΔＨI -）として採用する工程
と、（ｂ−４−５−２）前記被加工領域と前記工程（ｂ
−４−１）で求められた位置との前記第１の方向に沿っ
た距離を第２の値（ＬI +，ＬI -）として採用する工程と
を備える。また前記工程（ｂ−４−６）は、前記形状高
さが前記形状深さよりも小さい場合に、（ｂ−４−６−
１）前記形状深さに（−１）を乗じた値を前記第１の値
として採用する工程と、（ｂ−４−６−２）前記被加工
領域と前記工程（ｂ−４−２）で求められた位置との前
記第１の方向に沿った距離を前記第２の値として採用す
る工程とを備える。そして前記工程（ｃ−１）は（ｃ−
１−１）前記第１の領域における前記第１の値を前記第
１の領域における前記第２の値で除して得られる第３の
値（ΔＨI + ／ＬI +）と前記第２の領域における前記第
１の値を前記第２の領域における前記第２の値で除して
得られる第４の値（ΔＨI - ／ＬI -）との大小関係に基
づいて、前記第１の領域の前記第１の値（ΔＨI +）及び
前記第２の領域の前記第１の値（ΔＨI -）のいずれかを
以て高低量（ΔＨ）とする工程（Ｓ５２０）と、（ｃ−
１−２）前記高低量に基づいて前記膜厚増減量を求める
工程（Ｓ６３０）とを含む。ここで前記工程（ｃ−１−
２）においては前記高低量の絶対値が大きいほど前記膜
厚増減量の絶対値も大きく、前記高低量の符号と前記膜
厚増減量の符号とは互いに異なる。
請求項１記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｂ−４−５）は、前記形状高さが前記形状深さ
よりも大きい場合に、（ｂ−４−５−１）前記形状高さ
を第１の値（ΔＨI + ，ΔＨI -）として採用する工程
と、（ｂ−４−５−２）前記被加工領域と前記工程（ｂ
−４−１）で求められた位置との前記第１の方向に沿っ
た距離を第２の値（ＬI +，ＬI -）として採用する工程と
を備える。また前記工程（ｂ−４−６）は、前記形状高
さが前記形状深さよりも小さい場合に、（ｂ−４−６−
１）前記形状深さに（−１）を乗じた値を前記第１の値
として採用する工程と、（ｂ−４−６−２）前記被加工
領域と前記工程（ｂ−４−２）で求められた位置との前
記第１の方向に沿った距離を前記第２の値として採用す
る工程とを備える。そして前記工程（ｃ−１）は（ｃ−
１−１）前記第１の領域における前記第１の値を前記第
１の領域における前記第２の値で除して得られる第３の
値（ΔＨI + ／ＬI +）と前記第２の領域における前記第
１の値を前記第２の領域における前記第２の値で除して
得られる第４の値（ΔＨI - ／ＬI -）との大小関係に基
づいて、前記第１の領域の前記第１の値（ΔＨI +）及び
前記第２の領域の前記第１の値（ΔＨI -）のいずれかを
以て高低量（ΔＨ）とする工程（Ｓ５２０）と、（ｃ−
１−２）前記高低量に基づいて前記膜厚増減量を求める
工程（Ｓ６３０）とを含む。ここで前記工程（ｃ−１−
２）においては前記高低量の絶対値が大きいほど前記膜
厚増減量の絶対値も大きく、前記高低量の符号と前記膜
厚増減量の符号とは互いに異なる。
【００１７】この発明のうち請求項５にかかるものは、
請求項４記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｃ−１−１）は（ｃ−１−１−１）前記第３の
値と前記第４の値との大小関係に基づいて、前記第３の
値及び前記第４の値のいずれかを以て傾斜量（ΔＨ／
Ｌ）とする工程（Ｓ５２０）を含む。ここで前記工程
（ｃ−１−２）においては前記傾斜量にも基づいて前記
膜厚増減量が求められ、前記傾斜量の絶対値が大きいほ
ど前記膜厚増減量の絶対値も大きい。
請求項４記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｃ−１−１）は（ｃ−１−１−１）前記第３の
値と前記第４の値との大小関係に基づいて、前記第３の
値及び前記第４の値のいずれかを以て傾斜量（ΔＨ／
Ｌ）とする工程（Ｓ５２０）を含む。ここで前記工程
（ｃ−１−２）においては前記傾斜量にも基づいて前記
膜厚増減量が求められ、前記傾斜量の絶対値が大きいほ
ど前記膜厚増減量の絶対値も大きい。
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】この発明のうち請求項６にかかるものは、
加工対象の被加工領域に対して実パターンの付与を行う
ために用いられるマスクパターンを補正する方法であ
る。そして、（ａ）前記マスクパターンを作成する工程
（Ｓ１）と、（ｂ）前記加工対象の凹凸を判断する工程
（Ｓ３）と、（ｃ）前記凹凸の程度に基づいて前記実パ
ターンの寸法を予測する工程（Ｓ４）と、（ｄ）前記工
程（ｃ）の結果に基づいて、前記マスクパターンの寸法
に補正量を与えて補正する工程（Ｓ５）と備える。前記
実パターンの付与は、前記加工対象上にレジストを設
け、前記レジストに対して前記マスクパターンに基づい
てレジストを整形することによって行われる。そして前
記工程（ｃ）は（ｃ−１）前記加工対象が平坦な場合の
前記レジストの膜厚を基準膜厚（ｘ 0 ）として、前記
被加工領域における前記レジストの膜厚増減量（Δｘ）
を求める工程と、（ｃ−２）前記膜厚増減量に基づい
て、前記被加工領域が凹である場合の前記実パターンの
寸法が、前記被加工領域が平坦な場合の前記実パターン
と比較してずれる方向と、前記被加工領域が凸である場
合の前記実パターンの寸法が、前記被加工領域が平坦な
場合の前記実パターンと比較してずれる方向とは逆であ
ると予測し、また、前記被加工領域の凹凸の程度が強い
程、前記被加工領域が平坦な場合と比較して前記実パタ
ーンの寸法は大きくずれると予測する工程とを有する。
前記加工対象の表面形状は、Ｉ方向及びこれと直交する
Ｊ方向に広がる基礎範囲に対する、表面高さとして把握
される。そして前記工程（ｂ）は（ｂ−１）前記表面高
さをシミュレーションによって求める工程（Ｓ１００）
と、（ｂ−２）前記基礎範囲における前記被加工領域の
位置（Ｉ 0 ，Ｊ 0 ）を特定する工程（Ｓ２００）と、
（ｂ−３）前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関して、
前記被加工領域から正方向に広がる第１の領域（Ｉ 0 + ）
と、負方向に広がる第２の領域（Ｉ 0 - ）とを設定する工
程（Ｓ３１０）と、（ｂ−４）前記工程（ｂ−１）の結
果に基づいて、前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関し
て、前記第１及び第２の領域のそれぞれについて、前記
正方向に関して前記表面高さが増加傾向にある第１の状
態（Ｄ + ）にあるか、減少傾向にある第２の状態（Ｄ -
）にあるかを検出する工程（Ｓ３２０）と、（ｂ−
５）前記工程（ｂ−４）の結果に基づいて前記被加工領
域の前記Ｉ方向及び前記Ｊ方向に関 する凹凸を判断する
工程（Ｓ３３０−Ｓ３８０）とを有する。前記工程（ｂ
−４）は前記第１及び第２の領域のそれぞれにおいて、
（ｂ−４−１）前記表面高さの最大値を採る位置（ＩIM
+ ，Ｊ0 ）を求める工程と、（ｂ−４−２）前記表
面高さの最小値を採る位置（ＩIm + ，Ｊ0 ）を求め
る工程と、（ｂ−４−３）前記最大値から前記被加工領
域の前記表面高さを減じて形状高さ（ＨIM + ）を求める
工程と、（ｂ−４−４）前記被加工領域の前記表面高さ
から前記最小値を減じて形状深さ（ＨIm + ）を求める工
程と、（ｂ−４−５）前記形状高さが前記形状深さより
も大きい場合に前記第１の状態が存在すると判定する工
程と、（ｂ−４−６）前記形状高さが前記形状深さより
も小さい場合に前記第２の状態が存在すると判定する工
程とを含む。
加工対象の被加工領域に対して実パターンの付与を行う
ために用いられるマスクパターンを補正する方法であ
る。そして、（ａ）前記マスクパターンを作成する工程
（Ｓ１）と、（ｂ）前記加工対象の凹凸を判断する工程
（Ｓ３）と、（ｃ）前記凹凸の程度に基づいて前記実パ
ターンの寸法を予測する工程（Ｓ４）と、（ｄ）前記工
程（ｃ）の結果に基づいて、前記マスクパターンの寸法
に補正量を与えて補正する工程（Ｓ５）と備える。前記
実パターンの付与は、前記加工対象上にレジストを設
け、前記レジストに対して前記マスクパターンに基づい
てレジストを整形することによって行われる。そして前
記工程（ｃ）は（ｃ−１）前記加工対象が平坦な場合の
前記レジストの膜厚を基準膜厚（ｘ 0 ）として、前記
被加工領域における前記レジストの膜厚増減量（Δｘ）
を求める工程と、（ｃ−２）前記膜厚増減量に基づい
て、前記被加工領域が凹である場合の前記実パターンの
寸法が、前記被加工領域が平坦な場合の前記実パターン
と比較してずれる方向と、前記被加工領域が凸である場
合の前記実パターンの寸法が、前記被加工領域が平坦な
場合の前記実パターンと比較してずれる方向とは逆であ
ると予測し、また、前記被加工領域の凹凸の程度が強い
程、前記被加工領域が平坦な場合と比較して前記実パタ
ーンの寸法は大きくずれると予測する工程とを有する。
前記加工対象の表面形状は、Ｉ方向及びこれと直交する
Ｊ方向に広がる基礎範囲に対する、表面高さとして把握
される。そして前記工程（ｂ）は（ｂ−１）前記表面高
さをシミュレーションによって求める工程（Ｓ１００）
と、（ｂ−２）前記基礎範囲における前記被加工領域の
位置（Ｉ 0 ，Ｊ 0 ）を特定する工程（Ｓ２００）と、
（ｂ−３）前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関して、
前記被加工領域から正方向に広がる第１の領域（Ｉ 0 + ）
と、負方向に広がる第２の領域（Ｉ 0 - ）とを設定する工
程（Ｓ３１０）と、（ｂ−４）前記工程（ｂ−１）の結
果に基づいて、前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関し
て、前記第１及び第２の領域のそれぞれについて、前記
正方向に関して前記表面高さが増加傾向にある第１の状
態（Ｄ + ）にあるか、減少傾向にある第２の状態（Ｄ -
）にあるかを検出する工程（Ｓ３２０）と、（ｂ−
５）前記工程（ｂ−４）の結果に基づいて前記被加工領
域の前記Ｉ方向及び前記Ｊ方向に関 する凹凸を判断する
工程（Ｓ３３０−Ｓ３８０）とを有する。前記工程（ｂ
−４）は前記第１及び第２の領域のそれぞれにおいて、
（ｂ−４−１）前記表面高さの最大値を採る位置（ＩIM
+ ，Ｊ0 ）を求める工程と、（ｂ−４−２）前記表
面高さの最小値を採る位置（ＩIm + ，Ｊ0 ）を求め
る工程と、（ｂ−４−３）前記最大値から前記被加工領
域の前記表面高さを減じて形状高さ（ＨIM + ）を求める
工程と、（ｂ−４−４）前記被加工領域の前記表面高さ
から前記最小値を減じて形状深さ（ＨIm + ）を求める工
程と、（ｂ−４−５）前記形状高さが前記形状深さより
も大きい場合に前記第１の状態が存在すると判定する工
程と、（ｂ−４−６）前記形状高さが前記形状深さより
も小さい場合に前記第２の状態が存在すると判定する工
程とを含む。
【００２２】この発明のうち請求項７にかかるものは、
請求項６記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｂ−４−５）は、前記形状高さが前記形状深さ
よりも大きい場合に、（ｂ−４−５−１）前記形状高さ
を第１の値（ΔＨI + ，ΔＨI -）として採用する工程
と、（ｂ−４−５−２）前記被加工領域と前記工程（ｂ
−４−１）で求められた位置との前記第１の方向に沿っ
た距離を第２の値（ＬI +，ＬI -）として採用する工程と
を備える。そして前記工程（ｂ−４−６）は、前記形状
高さが前記形状深さよりも小さい場合に、（ｂ−４−６
−１）前記形状深さに（−１）を乗じた値を前記第１の
値として採用する工程と、（ｂ−４−６−２）前記被加
工領域と前記工程（ｂ−４−２）で求められた位置との
前記第１の方向に沿った距離を前記第２の値として採用
する工程とを備える。そして、前記工程（ｃ−１）は
（ｃ−１−１）前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関
し、前記第１の領域における前記第１の値を前記第１の
領域における前記第２の値で除して得られる第３の値
（ΔＨI + ／ＬI +）と前記第２の領域における前記第１
の値を前記第２の領域における前記第２の値で除して得
られる第４の値（ΔＨI - ／ＬI -）との大小関係に基づ
いて、前記第１の領域の前記第１の値（ΔＨI +）及び前
記第２の領域の前記第１の値（ΔＨI -）のいずれかを以
て高低量候補（ΔＨI）とする工程（Ｓ５２０）と、
（ｃ−１−２）前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関
し、前記第３の値と前記第４の値との大小関係に基づい
て、前記第３の値及び前記第４の値のいずれかを以て傾
斜量候補（ΔＨI ／ＬI ）とする工程（Ｓ５２０）と、
（ｃ−１−３）複数の前記傾斜量候補のうちで絶対値が
最も大きいものに対応する、前記高低量候補を高低量と
して採用する工程と（Ｓ６１０）、（ｃ−１−４）前記
高低量に基づいて前記膜厚増減量を求める工程（Ｓ６３
０）とを含む。ここで前記工程（ｃ−１−４）において
は前記高低量の絶対値が大きいほど前記膜厚増減量の絶
対値も大きく、前記高低量の符号と前記膜厚増減量の符
号とは互いに異なる。
請求項６記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｂ−４−５）は、前記形状高さが前記形状深さ
よりも大きい場合に、（ｂ−４−５−１）前記形状高さ
を第１の値（ΔＨI + ，ΔＨI -）として採用する工程
と、（ｂ−４−５−２）前記被加工領域と前記工程（ｂ
−４−１）で求められた位置との前記第１の方向に沿っ
た距離を第２の値（ＬI +，ＬI -）として採用する工程と
を備える。そして前記工程（ｂ−４−６）は、前記形状
高さが前記形状深さよりも小さい場合に、（ｂ−４−６
−１）前記形状深さに（−１）を乗じた値を前記第１の
値として採用する工程と、（ｂ−４−６−２）前記被加
工領域と前記工程（ｂ−４−２）で求められた位置との
前記第１の方向に沿った距離を前記第２の値として採用
する工程とを備える。そして、前記工程（ｃ−１）は
（ｃ−１−１）前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関
し、前記第１の領域における前記第１の値を前記第１の
領域における前記第２の値で除して得られる第３の値
（ΔＨI + ／ＬI +）と前記第２の領域における前記第１
の値を前記第２の領域における前記第２の値で除して得
られる第４の値（ΔＨI - ／ＬI -）との大小関係に基づ
いて、前記第１の領域の前記第１の値（ΔＨI +）及び前
記第２の領域の前記第１の値（ΔＨI -）のいずれかを以
て高低量候補（ΔＨI）とする工程（Ｓ５２０）と、
（ｃ−１−２）前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関
し、前記第３の値と前記第４の値との大小関係に基づい
て、前記第３の値及び前記第４の値のいずれかを以て傾
斜量候補（ΔＨI ／ＬI ）とする工程（Ｓ５２０）と、
（ｃ−１−３）複数の前記傾斜量候補のうちで絶対値が
最も大きいものに対応する、前記高低量候補を高低量と
して採用する工程と（Ｓ６１０）、（ｃ−１−４）前記
高低量に基づいて前記膜厚増減量を求める工程（Ｓ６３
０）とを含む。ここで前記工程（ｃ−１−４）において
は前記高低量の絶対値が大きいほど前記膜厚増減量の絶
対値も大きく、前記高低量の符号と前記膜厚増減量の符
号とは互いに異なる。
【００２３】この発明のうち請求項８にかかるものは、
請求項７記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｃ−１−３）は（ｃ−１−３−１）複数の前記
傾斜量候補のうちで絶対値が最も大きいものを傾斜量
（ΔＨ／Ｌ）として採用する工程（Ｓ６１０）を備え
る。そして前記工程（ｃ−１−４）においては前記傾斜
量にも基づいて前記膜厚増減量が求められ、前記傾斜量
の絶対値が大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大き
い。
請求項７記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｃ−１−３）は（ｃ−１−３−１）複数の前記
傾斜量候補のうちで絶対値が最も大きいものを傾斜量
（ΔＨ／Ｌ）として採用する工程（Ｓ６１０）を備え
る。そして前記工程（ｃ−１−４）においては前記傾斜
量にも基づいて前記膜厚増減量が求められ、前記傾斜量
の絶対値が大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大き
い。
【００２４】この発明のうち請求項９にかかるものは、
請求項７記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｂ−３），（ｂ−４），（ｃ−１−１），（ｃ
−１−２）は、前記Ｉ方向及び前記Ｊ方向のいずれにも
等しい角度で交わり、前記Ｉ方向及び前記Ｊ方向の張る
面内において互いに直行する第１及び第２の方向に対し
ても実行される。
請求項７記載のマスクパターンの作成方法であって、前
記工程（ｂ−３），（ｂ−４），（ｃ−１−１），（ｃ
−１−２）は、前記Ｉ方向及び前記Ｊ方向のいずれにも
等しい角度で交わり、前記Ｉ方向及び前記Ｊ方向の張る
面内において互いに直行する第１及び第２の方向に対し
ても実行される。
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】なお、本発明において「マスクパターン」
とはレジストが露光されるか否かを制御するデータであ
り、直接レジストに描画される粒子線を制御するデータ
をも含むものである。
とはレジストが露光されるか否かを制御するデータであ
り、直接レジストに描画される粒子線を制御するデータ
をも含むものである。
【００３０】
【作用】この発明のうち請求項１にかかるマスクパター
ンの作成方法においては、加工対象の表面形状が実パタ
ーンの寸法に与える影響を予測し、これに基づいてマス
クパターンへフィードバックがかけられる。そして、加
工領域の凹の程度が強いほどレジストは厚く形成され、
凸の程度が強いほどレジストは薄く形成される。そして
レジストが厚いほど、レジストの現像特性を変化させる
照射線、例えば光は吸収される。レジストに対しては被
加工領域とは反対側から照射線が与えられるので、マス
クパターンを通過した照射線を受けるレジストの面積
は、被加工領域に向かうほど小さくなる。そして、第１
の領域（Ｉ 0 + ）が第１の状態（Ｄ + ）に、かつ第２の領
域（Ｉ 0 - ）が第２の状態（Ｄ - ）にある場合には、第
１の方向に沿って被加工領域に向かうにつれて表面高さ
が増加し、被加工領域を通過してからは表面高さが減少
するので、被加工領域を凸であると判断することができ
る。逆に、第１の領域（Ｉ 0 + ）が第２の状態（Ｄ - ）
に、かつ第２の領域（Ｉ 0 - ）が第１の状態（Ｄ + ）に
ある場合には、第１の方向に沿って被加工領域に向かう
につれて表面高さが減少し、被加工領域を通過してから
は表面高さが増加するので、被加工領域を凹であると判
断することができる。そして、第１及び第２の領域にお
いて、加工対象の形状の最大値及び最小値に着目して第
１及び第２の状態が存在するかが判定される。
ンの作成方法においては、加工対象の表面形状が実パタ
ーンの寸法に与える影響を予測し、これに基づいてマス
クパターンへフィードバックがかけられる。そして、加
工領域の凹の程度が強いほどレジストは厚く形成され、
凸の程度が強いほどレジストは薄く形成される。そして
レジストが厚いほど、レジストの現像特性を変化させる
照射線、例えば光は吸収される。レジストに対しては被
加工領域とは反対側から照射線が与えられるので、マス
クパターンを通過した照射線を受けるレジストの面積
は、被加工領域に向かうほど小さくなる。そして、第１
の領域（Ｉ 0 + ）が第１の状態（Ｄ + ）に、かつ第２の領
域（Ｉ 0 - ）が第２の状態（Ｄ - ）にある場合には、第
１の方向に沿って被加工領域に向かうにつれて表面高さ
が増加し、被加工領域を通過してからは表面高さが減少
するので、被加工領域を凸であると判断することができ
る。逆に、第１の領域（Ｉ 0 + ）が第２の状態（Ｄ - ）
に、かつ第２の領域（Ｉ 0 - ）が第１の状態（Ｄ + ）に
ある場合には、第１の方向に沿って被加工領域に向かう
につれて表面高さが減少し、被加工領域を通過してから
は表面高さが増加するので、被加工領域を凹であると判
断することができる。そして、第１及び第２の領域にお
いて、加工対象の形状の最大値及び最小値に着目して第
１及び第２の状態が存在するかが判定される。
【００３１】
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【００３５】この発明のうち請求項２にかかるマスクパ
ターンの作成方法においては、高低量は第１の領域の第
１の値及び第２の領域の第１の値の両方を考慮して定め
られる。
ターンの作成方法においては、高低量は第１の領域の第
１の値及び第２の領域の第１の値の両方を考慮して定め
られる。
【００３６】この発明のうち請求項３にかかるマスクパ
ターンの作成方法においては、傾斜量は第１の領域の第
１の値及び第２の領域の第１の値の両方を考慮して定め
られる。
ターンの作成方法においては、傾斜量は第１の領域の第
１の値及び第２の領域の第１の値の両方を考慮して定め
られる。
【００３７】この発明のうち請求項４にかかるマスクパ
ターンの作成方法においては、第３の値は、第１の領域
における加工対象の形状の、符号を含めた変化の度合い
を示す。また、第４の値は、第２の領域における加工対
象の形状の、符号を含めた変化の度合いを示す。
ターンの作成方法においては、第３の値は、第１の領域
における加工対象の形状の、符号を含めた変化の度合い
を示す。また、第４の値は、第２の領域における加工対
象の形状の、符号を含めた変化の度合いを示す。
【００３８】この発明のうち請求項５にかかるマスクパ
ターンの作成方法においては、傾斜量は第１及び第２の
領域における加工対象の形状の、符号を含めた変化の度
合いを示す。
ターンの作成方法においては、傾斜量は第１及び第２の
領域における加工対象の形状の、符号を含めた変化の度
合いを示す。
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】この発明のうち請求項６にかかるマスクパ
ターンの作成方法においては、加工対象の表面形状が実
パターンの寸法に与える影響を予測し、これに基づいて
マスクパターンへフィードバックがかけられる。加工領
域の凹の程度が強いほどレジストは厚く形成され、凸の
程度が強いほどレジストは薄く形成される。そしてレジ
ストが厚いほど、レジストの現像特性を変化させる照射
線、例えば光は吸収される。レジストに対しては被加工
領域とは反対側から照射線が与えられるので、マスクパ
ターンを通過した照射線を受けるレジストの面積は、被
加工領域に向かうほど小さくなる。互いに直交する２種
類の方向に関してそれぞれ凹凸が判断されるので、これ
ら２種類の方向を考慮したマスクパターンを補正するこ
とができる。第１及び第２の領域において、加工対象の
形状の最大値及び最小値に着目して第１及び第２の状態
が存在するかが判定される。
ターンの作成方法においては、加工対象の表面形状が実
パターンの寸法に与える影響を予測し、これに基づいて
マスクパターンへフィードバックがかけられる。加工領
域の凹の程度が強いほどレジストは厚く形成され、凸の
程度が強いほどレジストは薄く形成される。そしてレジ
ストが厚いほど、レジストの現像特性を変化させる照射
線、例えば光は吸収される。レジストに対しては被加工
領域とは反対側から照射線が与えられるので、マスクパ
ターンを通過した照射線を受けるレジストの面積は、被
加工領域に向かうほど小さくなる。互いに直交する２種
類の方向に関してそれぞれ凹凸が判断されるので、これ
ら２種類の方向を考慮したマスクパターンを補正するこ
とができる。第１及び第２の領域において、加工対象の
形状の最大値及び最小値に着目して第１及び第２の状態
が存在するかが判定される。
【００４３】この発明のうち請求項７にかかるマスクパ
ターンの作成方法においては、第３の値は、第１の領域
における加工対象の形状の、符号を含めた変化の度合い
を示す。また、第４の値は、第２の領域における加工対
象の形状の、符号を含めた変化の度合いを示す。
ターンの作成方法においては、第３の値は、第１の領域
における加工対象の形状の、符号を含めた変化の度合い
を示す。また、第４の値は、第２の領域における加工対
象の形状の、符号を含めた変化の度合いを示す。
【００４４】この発明のうち請求項８にかかるマスクパ
ターンの作成方法においては、傾斜量は第１及び第２の
領域における加工対象の形状の、符号を含めた変化の度
合いを示す。
ターンの作成方法においては、傾斜量は第１及び第２の
領域における加工対象の形状の、符号を含めた変化の度
合いを示す。
【００４５】この発明のうち請求項９にかかるマスクパ
ターンの作成方法においては、互いに４５度ずつで交わ
る４つの方向に関して凹凸が判断され、最も凹凸の程度
の大きな方向に関する凹凸をもって工程（ｃ）が実行さ
れる。
ターンの作成方法においては、互いに４５度ずつで交わ
る４つの方向に関して凹凸が判断され、最も凹凸の程度
の大きな方向に関する凹凸をもって工程（ｃ）が実行さ
れる。
【００４６】
【００４７】
【００４８】
【００４９】
【００５０】
Ａ．第１実施例：
（Ａ−１）全体説明：図１は本発明の第１実施例を示す
フローチャートである。レイアウト用のＣＡＤを用いて
ＬＳＩ作製の為のマスクパターンＭを作成する（ステッ
プＳ１）と共に、製造ライン管理を行うシステムを用い
て検移票Ｋを作成する（ステップＳ２）。その後、検移
票Ｋに従って、エッチング、デポジション、リフロー等
の工程を経て得られる形状をシミュレーションし、コン
タクトホールを形成すべき領域の凹凸を求める（ステッ
プＳ３）。
フローチャートである。レイアウト用のＣＡＤを用いて
ＬＳＩ作製の為のマスクパターンＭを作成する（ステッ
プＳ１）と共に、製造ライン管理を行うシステムを用い
て検移票Ｋを作成する（ステップＳ２）。その後、検移
票Ｋに従って、エッチング、デポジション、リフロー等
の工程を経て得られる形状をシミュレーションし、コン
タクトホールを形成すべき領域の凹凸を求める（ステッ
プＳ３）。
【００５１】更に、ステップＳ３で求められた表面形状
（凹凸）に基づいて、ステップＳ１で作製されたマスク
ホール径を用いた場合に得られるコンタクトホール径を
予測する（ステップＳ４）。その予測結果に基づいてマ
スクホール径についてマスクパターンＭをマスクパター
ンＭ’に補正する（ステップＳ５）。その後、このマス
クパターンＭ’を用いて実際にＬＳＩを試作することが
できる（ステップＳ６）。なお、検移票Ｋにも補正する
必要がある場合には、補正された検移票Ｋ’をステップ
Ｓ６以前に得ておくことができる。
（凹凸）に基づいて、ステップＳ１で作製されたマスク
ホール径を用いた場合に得られるコンタクトホール径を
予測する（ステップＳ４）。その予測結果に基づいてマ
スクホール径についてマスクパターンＭをマスクパター
ンＭ’に補正する（ステップＳ５）。その後、このマス
クパターンＭ’を用いて実際にＬＳＩを試作することが
できる（ステップＳ６）。なお、検移票Ｋにも補正する
必要がある場合には、補正された検移票Ｋ’をステップ
Ｓ６以前に得ておくことができる。
【００５２】ステップＳ３における形状シミュレーショ
ンに関しては公知の技術を用いることができる。例えば
“3D Lithography, Etching, and Deposition simulati
on(SAMPLE-3D)” E.W.Scheckler et al, VLSI Technolo
gy Digest, pp97-98,1991は３次元の形状シミュレーシ
ョンについて説明しているし、本出願人によっても特開
平４−１３３３２６号公報において形状シミュレーショ
ン方法が開示されている。
ンに関しては公知の技術を用いることができる。例えば
“3D Lithography, Etching, and Deposition simulati
on(SAMPLE-3D)” E.W.Scheckler et al, VLSI Technolo
gy Digest, pp97-98,1991は３次元の形状シミュレーシ
ョンについて説明しているし、本出願人によっても特開
平４−１３３３２６号公報において形状シミュレーショ
ン方法が開示されている。
【００５３】図２及び図３は形状シミュレーションに用
いられる概念を示す斜視図である。形状シミュレーショ
ンされるべき領域は図２のように直交メッシュに分割さ
れる。この直交メッシュによって区切られた各直方体セ
ルに対し、物質の存在率が計算される。例えば互いに直
交する３軸Ｉ，Ｊ，Ｋに沿って領域が区切られた場合に
おいて、Ｉ，Ｊ方向の張る平面の特定の位置（ＩC ，Ｊ
C ）におけるＫ方向の物質の高さＨ（ＩC ，ＪC ）は、
位置（ＩC ，ＪC ，Ｋp ）（ｐ＝１，２，３，…）に存
在するセルの物質の存在率ａp （０≦ａp ≦１）の総和 Ｈ（ＩC ，ＪC ）＝Σａp ・Δｋp （Δｋp ：位置（ＩC ，ＪC ，Ｋp ）に存在するセルの
Ｋ方向の幅）で求めることができる。
いられる概念を示す斜視図である。形状シミュレーショ
ンされるべき領域は図２のように直交メッシュに分割さ
れる。この直交メッシュによって区切られた各直方体セ
ルに対し、物質の存在率が計算される。例えば互いに直
交する３軸Ｉ，Ｊ，Ｋに沿って領域が区切られた場合に
おいて、Ｉ，Ｊ方向の張る平面の特定の位置（ＩC ，Ｊ
C ）におけるＫ方向の物質の高さＨ（ＩC ，ＪC ）は、
位置（ＩC ，ＪC ，Ｋp ）（ｐ＝１，２，３，…）に存
在するセルの物質の存在率ａp （０≦ａp ≦１）の総和 Ｈ（ＩC ，ＪC ）＝Σａp ・Δｋp （Δｋp ：位置（ＩC ，ＪC ，Ｋp ）に存在するセルの
Ｋ方向の幅）で求めることができる。
【００５４】そしてＩ，Ｊ方向の張る平面の特定の位置
（ＩC ，ＪC ）を更新しつつ上記の式を用いてその高さ
Ｈ（ＩC ，ＪC ）を求めることにより、平面形状をシミ
ュレーションする事ができる。
（ＩC ，ＪC ）を更新しつつ上記の式を用いてその高さ
Ｈ（ＩC ，ＪC ）を求めることにより、平面形状をシミ
ュレーションする事ができる。
【００５５】図４は形状シミュレーションの結果を例示
する等高線図である。形状シミュレーションを行うこと
により、このような等高線図を作成することができる。
図４においてはＩ方向及びＪ方向にそれぞれ１４．５μ
ｍ及び１２．５μｍの広がりを有する領域に対して、
０．０３μｍ間隔の等高線を描いている。
する等高線図である。形状シミュレーションを行うこと
により、このような等高線図を作成することができる。
図４においてはＩ方向及びＪ方向にそれぞれ１４．５μ
ｍ及び１２．５μｍの広がりを有する領域に対して、
０．０３μｍ間隔の等高線を描いている。
【００５６】図５はステップＳ４の基本的な考え方を示
す、半導体素子の断面図である。シリコン基板上に選択
的にＬＯＣＯＳ膜が形成され、ＬＯＣＯＳ膜が形成され
ていないシリコン基板の上方にはゲート電極が設けられ
ている。シリコン基板上にはシリコン酸化膜が形成され
ており、或いは更にＢＰＳＧ膜がリフローされて形成さ
れている。
す、半導体素子の断面図である。シリコン基板上に選択
的にＬＯＣＯＳ膜が形成され、ＬＯＣＯＳ膜が形成され
ていないシリコン基板の上方にはゲート電極が設けられ
ている。シリコン基板上にはシリコン酸化膜が形成され
ており、或いは更にＢＰＳＧ膜がリフローされて形成さ
れている。
【００５７】図５の様な断面を有する半導体素子に対
し、そのＢＰＳＧ膜を穿孔してコンタクトホールを設け
る場合、ＢＰＳＧ膜上にレジストを一旦形成してからレ
ジストを選択的に除去する。即ちレジストを整形する事
により、その下地であるＢＰＳＧ膜の表面に対してパタ
ーンを与えるのである。このパターンに従って、ＢＰＳ
Ｇ膜へエッチングを行うことにより、コンタクトホール
を設けることができる。
し、そのＢＰＳＧ膜を穿孔してコンタクトホールを設け
る場合、ＢＰＳＧ膜上にレジストを一旦形成してからレ
ジストを選択的に除去する。即ちレジストを整形する事
により、その下地であるＢＰＳＧ膜の表面に対してパタ
ーンを与えるのである。このパターンに従って、ＢＰＳ
Ｇ膜へエッチングを行うことにより、コンタクトホール
を設けることができる。
【００５８】ところで、ＬＯＣＯＳ膜やゲート電極の存
在により、ＢＰＳＧ膜は凹凸を有している。ステップＳ
３で得られる結果はこの凹凸を表すものである。そして
このような下地に凹凸が存在することにより、レジスト
の膜厚は均一にはならない。
在により、ＢＰＳＧ膜は凹凸を有している。ステップＳ
３で得られる結果はこの凹凸を表すものである。そして
このような下地に凹凸が存在することにより、レジスト
の膜厚は均一にはならない。
【００５９】図５において、ＬＯＣＯＳ膜上では比較的
ＢＰＳＧ膜は平坦に形成されており、レジストは膜厚ｘ
0 で形成される。その一方、ＬＯＣＯＳ膜とゲート電極
で挟まれたＢＰＳＧ膜は凹部を呈しており、この部分に
形成されるレジストの膜厚ｘ+ は膜厚ｘ0 よりも厚い。
逆に、ゲート電極近傍に形成されるＢＰＳＧ膜は凸部を
呈しており、この部分に形成されるレジストの膜厚ｘ-
は膜厚ｘ0 よりも薄い。
ＢＰＳＧ膜は平坦に形成されており、レジストは膜厚ｘ
0 で形成される。その一方、ＬＯＣＯＳ膜とゲート電極
で挟まれたＢＰＳＧ膜は凹部を呈しており、この部分に
形成されるレジストの膜厚ｘ+ は膜厚ｘ0 よりも厚い。
逆に、ゲート電極近傍に形成されるＢＰＳＧ膜は凸部を
呈しており、この部分に形成されるレジストの膜厚ｘ-
は膜厚ｘ0 よりも薄い。
【００６０】このようなレジストの膜厚のずれは、レジ
ストを整形することによって得られるパターンのずれを
引き起こす。レジストが厚いほど、レジストの現像特性
を変化させる照射線（例えば光）は吸収される。レジス
トに対してはＢＰＳＧ膜とは反対側から、即ち図５の上
方から光が照射されるので、マスクパターンを通過した
光を受けるレジストの面積は、ＢＰＳＧ膜に向かうほど
小さくなる。
ストを整形することによって得られるパターンのずれを
引き起こす。レジストが厚いほど、レジストの現像特性
を変化させる照射線（例えば光）は吸収される。レジス
トに対してはＢＰＳＧ膜とは反対側から、即ち図５の上
方から光が照射されるので、マスクパターンを通過した
光を受けるレジストの面積は、ＢＰＳＧ膜に向かうほど
小さくなる。
【００６１】例えば、図５に示された平坦部、凹部、凸
部のいずれに対しても、径Ｄで光の透過を許すマスクパ
ターンを用いてレジストを整形する場合を考える。例え
ばレジストがポジ型であった場合には、平坦部において
レジストがＢＰＳＧ膜に与えるパターンの径はｄ0 であ
る。一方、凹部においてレジストがＢＰＳＧ膜に与える
パターンの径ｄ+ は、径ｄ0 よりも小さい。逆に凸部に
おいてレジストがＢＰＳＧ膜に与えるパターンの径ｄ-
は、径ｄ0 よりも大きい。
部のいずれに対しても、径Ｄで光の透過を許すマスクパ
ターンを用いてレジストを整形する場合を考える。例え
ばレジストがポジ型であった場合には、平坦部において
レジストがＢＰＳＧ膜に与えるパターンの径はｄ0 であ
る。一方、凹部においてレジストがＢＰＳＧ膜に与える
パターンの径ｄ+ は、径ｄ0 よりも小さい。逆に凸部に
おいてレジストがＢＰＳＧ膜に与えるパターンの径ｄ-
は、径ｄ0 よりも大きい。
【００６２】レジストの膜厚がＢＰＳＧ膜に与えられる
パターンの径に及ぼすこの様な影響は、凹部や凸部の程
度が大きいほど顕著になることはいうまでもない。
パターンの径に及ぼすこの様な影響は、凹部や凸部の程
度が大きいほど顕著になることはいうまでもない。
【００６３】このような傾向に鑑みて、ステップＳ４に
おいては、ＢＰＳＧ膜等レジストの下地の表面形状から
コンタクトホール径を予測するものである。
おいては、ＢＰＳＧ膜等レジストの下地の表面形状から
コンタクトホール径を予測するものである。
【００６４】ステップＳ５においてはステップＳ４にお
いて予測されたコンタクトホール径が所望の径よりも大
きい場合にはその程度に応じてマスクホール径を小さく
補正する。逆に予測されたコンタクトホール径が所望の
径よりも小さい場合にはその程度に応じてマスクホール
径を大きく補正する。
いて予測されたコンタクトホール径が所望の径よりも大
きい場合にはその程度に応じてマスクホール径を小さく
補正する。逆に予測されたコンタクトホール径が所望の
径よりも小さい場合にはその程度に応じてマスクホール
径を大きく補正する。
【００６５】本発明は以上の手順によってマスクパター
ンを補正するので、設計ルールを緩和する必要がなく、
全てのコンタクトホール径を実測する必要もない。
ンを補正するので、設計ルールを緩和する必要がなく、
全てのコンタクトホール径を実測する必要もない。
【００６６】（Ａ−２）ステップＳ４の詳細：図６及び
図７は両図相まってステップＳ３と、ステップＳ４の詳
細を示すフローチャートである。ステップＳ１００はス
テップＳ３に対応しており、ステップＳ２００〜Ｓ１０
００はステップＳ４の詳細を示している。
図７は両図相まってステップＳ３と、ステップＳ４の詳
細を示すフローチャートである。ステップＳ１００はス
テップＳ３に対応しており、ステップＳ２００〜Ｓ１０
００はステップＳ４の詳細を示している。
【００６７】ステップＳ１００においては、前節におい
て説明されたように、形状シミュレーションを行う。図
５に即して言えば、レジストの厚さ方向に直交する平面
をＩ，Ｊ方向によって張られる平面（ＩＪ平面）に採
る。また、対象Ａの表面はＢＰＳＧ膜に対応している。
よって、高さＨ（Ｉ，Ｊ）はＢＰＳＧ膜の表面形状を示
している。
て説明されたように、形状シミュレーションを行う。図
５に即して言えば、レジストの厚さ方向に直交する平面
をＩ，Ｊ方向によって張られる平面（ＩＪ平面）に採
る。また、対象Ａの表面はＢＰＳＧ膜に対応している。
よって、高さＨ（Ｉ，Ｊ）はＢＰＳＧ膜の表面形状を示
している。
【００６８】ステップＳ２００においてはコンタクトホ
ールを形成すべき位置（Ｉ0 ，Ｊ0）を特定する。この
位置における凹凸を検査するためである。
ールを形成すべき位置（Ｉ0 ，Ｊ0）を特定する。この
位置における凹凸を検査するためである。
【００６９】次にステップＳ３００において、種々の方
向に関しての位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）における凹凸の存否を
検査する。ここではＩ方向、Ｊ方向、更にＩ方向及びＪ
方向のいずれにも等しい角度（４５゜，１３５゜）で交
わり、Ｉ方向及びＪ方向の張る面内において互いに直行
する第１及び第２の方向に関して凹凸の存否を検査す
る。
向に関しての位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）における凹凸の存否を
検査する。ここではＩ方向、Ｊ方向、更にＩ方向及びＪ
方向のいずれにも等しい角度（４５゜，１３５゜）で交
わり、Ｉ方向及びＪ方向の張る面内において互いに直行
する第１及び第２の方向に関して凹凸の存否を検査す
る。
【００７０】次にステップＳ４００において、これら４
つの方向のいずれか一つにでも凹凸の存在が確認されれ
ばステップＳ５００へ進み、いずれにおいても凹凸が確
認されなければステップＳ９００へと進む。
つの方向のいずれか一つにでも凹凸の存在が確認されれ
ばステップＳ５００へ進み、いずれにおいても凹凸が確
認されなければステップＳ９００へと進む。
【００７１】ステップＳ５００においては、凹凸の存在
が確認された各方向に関して、高低量候補ΔＨP 及び傾
斜量候補ΔＨ／Ｌ］P （Ｐ＝Ｉ，Ｊ，１，２）を決定す
る。これらの値は凹凸の程度を示すものであり、次節に
おいて詳細に説明される。
が確認された各方向に関して、高低量候補ΔＨP 及び傾
斜量候補ΔＨ／Ｌ］P （Ｐ＝Ｉ，Ｊ，１，２）を決定す
る。これらの値は凹凸の程度を示すものであり、次節に
おいて詳細に説明される。
【００７２】ステップＳ６００においては、これら高低
量候補及び傾斜量候補に基づいて、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）
におけるレジスト膜厚の、平坦表面における膜厚Ｘ0 に
対する膜厚増減量ΔＸを求める。例えば図５に即して言
えば、厚さｘ+ ，ｘ- とＸ0との差を求める。これは前
節で説明したような、凹部においてはレジストが厚く形
成され、凸部においては薄く形成されるという傾向に基
づいて求められる。
量候補及び傾斜量候補に基づいて、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）
におけるレジスト膜厚の、平坦表面における膜厚Ｘ0 に
対する膜厚増減量ΔＸを求める。例えば図５に即して言
えば、厚さｘ+ ，ｘ- とＸ0との差を求める。これは前
節で説明したような、凹部においてはレジストが厚く形
成され、凸部においては薄く形成されるという傾向に基
づいて求められる。
【００７３】更にステップＳ７００においてはコンタク
トホール径の設定値ｄに対して径増減量Δｄを求める。
例えば図５に即して言えば、径ｄ+ ，ｄ- とｄ0 との差
を求める。これは前節で説明したような、レジストが厚
いほど実際のコンタクトホール径が小さくなるという傾
向に基づいて求められる。
トホール径の設定値ｄに対して径増減量Δｄを求める。
例えば図５に即して言えば、径ｄ+ ，ｄ- とｄ0 との差
を求める。これは前節で説明したような、レジストが厚
いほど実際のコンタクトホール径が小さくなるという傾
向に基づいて求められる。
【００７４】そしてステップＳ８００において径増減量
Δｄに基づき、マスクホール径の設定値を補正する。こ
こではマスクパターンとして実際に作成されるマスクの
実寸Ｄに対して径増減量Δｄを差し引いている。マスク
パターンが実寸よりも拡大されたレチクルに用いられる
場合にはその拡大率に応じて補正が行われることは言う
までもない。更に、レジストに直接電子線を描画して露
光させる場合にはマスクパターンは電子線の偏向程度を
定めるデータであり、その場合には偏向程度が径増減量
Δｄに基づいて補正される。
Δｄに基づき、マスクホール径の設定値を補正する。こ
こではマスクパターンとして実際に作成されるマスクの
実寸Ｄに対して径増減量Δｄを差し引いている。マスク
パターンが実寸よりも拡大されたレチクルに用いられる
場合にはその拡大率に応じて補正が行われることは言う
までもない。更に、レジストに直接電子線を描画して露
光させる場合にはマスクパターンは電子線の偏向程度を
定めるデータであり、その場合には偏向程度が径増減量
Δｄに基づいて補正される。
【００７５】このようなマスクホール径の補正は全ての
コンタクトホールに関して行われる。即ちステップＳ９
００においてまだ調べるべきコンタクトホールが存在す
れば着目するコンタクトホールを更新してステップＳ２
００に戻り、全てのコンタクトホールについて補正が終
了すれば補正工程は終了する。この後はステップＳ５が
実行されることになる。
コンタクトホールに関して行われる。即ちステップＳ９
００においてまだ調べるべきコンタクトホールが存在す
れば着目するコンタクトホールを更新してステップＳ２
００に戻り、全てのコンタクトホールについて補正が終
了すれば補正工程は終了する。この後はステップＳ５が
実行されることになる。
【００７６】（Ａ−３）ステップＳ３００の詳細：図８
はステップＳ３００の詳細を示すフローチャートであ
る。但し、ここではＩ方向に関して凹凸の存否を検査す
る場合についてのみ例示してある。他のＪ方向、第１及
び第２の方向についても同様にして凹凸が検査される。
はステップＳ３００の詳細を示すフローチャートであ
る。但し、ここではＩ方向に関して凹凸の存否を検査す
る場合についてのみ例示してある。他のＪ方向、第１及
び第２の方向についても同様にして凹凸が検査される。
【００７７】まずステップＳ３１０において、コンタク
トホールを形成する位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）に対し、領域Ｉ
0 +，Ｉ0 -を設定する。
トホールを形成する位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）に対し、領域Ｉ
0 +，Ｉ0 -を設定する。
【００７８】図９は、ＩＪ平面上に位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）
を特定する様子を示した概念図である。実際にコンタク
トホールを形成すべき位置Ｑが、形状シミュレーション
において用いられた直交メッシュの中心に位置していな
い場合には、位置Ｑがその中に存在する直交メッシュの
中心を以て位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）とする。
を特定する様子を示した概念図である。実際にコンタク
トホールを形成すべき位置Ｑが、形状シミュレーション
において用いられた直交メッシュの中心に位置していな
い場合には、位置Ｑがその中に存在する直交メッシュの
中心を以て位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）とする。
【００７９】ステップＳ３００においてはその凹凸は位
置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）をほぼ中心とする所定の広がりを有す
る領域において判断される。ここではＩ方向及びＪ方向
共に１０ブロックだけ広がる１００個のセルに関して凹
凸が判断される。例えば１つの直交セルがＩ方向及びＪ
方向共に０．５μｍの幅を有していれば、位置（Ｉ0，
Ｊ0 ）をほぼ中心として５μｍ四方の領域において凹凸
が判断されることになる。
置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）をほぼ中心とする所定の広がりを有す
る領域において判断される。ここではＩ方向及びＪ方向
共に１０ブロックだけ広がる１００個のセルに関して凹
凸が判断される。例えば１つの直交セルがＩ方向及びＪ
方向共に０．５μｍの幅を有していれば、位置（Ｉ0，
Ｊ0 ）をほぼ中心として５μｍ四方の領域において凹凸
が判断されることになる。
【００８０】図８に戻ってＩ方向の凹凸を判断する場合
に限定して説明を続ける。領域Ｉ0 +とは、位置（Ｉ0 ，
Ｊ0 ）を含み、これよりもＩの増加する方向（以下「Ｉ
+ 方向」と称する）に属し、Ｊ0 が不変である領域を指
す。即ち Ｉ0 +＝｛（Ｉ0 ，Ｊ0 ）,（Ｉ0 ＋１，Ｊ0 ）,…（Ｉ0 ＋Ｎ，Ｊ0 ）｝ として表現することができる。
に限定して説明を続ける。領域Ｉ0 +とは、位置（Ｉ0 ，
Ｊ0 ）を含み、これよりもＩの増加する方向（以下「Ｉ
+ 方向」と称する）に属し、Ｊ0 が不変である領域を指
す。即ち Ｉ0 +＝｛（Ｉ0 ，Ｊ0 ）,（Ｉ0 ＋１，Ｊ0 ）,…（Ｉ0 ＋Ｎ，Ｊ0 ）｝ として表現することができる。
【００８１】同様にして、領域Ｉ0 -とは、位置（Ｉ0 ，
Ｊ0 ）を含み、これよりもＩの減少する方向（以下「Ｉ
- 方向」と称する）に属し、Ｊ0 が不変である領域を指
す。即ち Ｉ0 -＝｛（Ｉ0 ，Ｊ0 ）,（Ｉ0 −１，Ｊ0 ）,…（Ｉ0 −Ｎ，Ｊ0 ）｝ として表現することができる。
Ｊ0 ）を含み、これよりもＩの減少する方向（以下「Ｉ
- 方向」と称する）に属し、Ｊ0 が不変である領域を指
す。即ち Ｉ0 -＝｛（Ｉ0 ，Ｊ0 ）,（Ｉ0 −１，Ｊ0 ）,…（Ｉ0 −Ｎ，Ｊ0 ）｝ として表現することができる。
【００８２】ステップＳ３２０においては、各領域
Ｉ0 +，Ｉ0 -が状態Ｄ+ ，Ｄ- にあるか否かが判定され
る。その判断手法は次節で詳説するが、大まかには状態
Ｄ+ とはＩ+ 方向に関してＨ（Ｉ，Ｊ0 ）が増加傾向に
ある場合をいい、状態Ｄ- とはＩ+方向に関してＨ
（Ｉ，Ｊ0 ）が減少傾向にある場合をいう。図９に即し
て言えば、領域Ｉ0 -は状態Ｄ- にあり、領域Ｉ0 +は状態
Ｄ+ にある。
Ｉ0 +，Ｉ0 -が状態Ｄ+ ，Ｄ- にあるか否かが判定され
る。その判断手法は次節で詳説するが、大まかには状態
Ｄ+ とはＩ+ 方向に関してＨ（Ｉ，Ｊ0 ）が増加傾向に
ある場合をいい、状態Ｄ- とはＩ+方向に関してＨ
（Ｉ，Ｊ0 ）が減少傾向にある場合をいう。図９に即し
て言えば、領域Ｉ0 -は状態Ｄ- にあり、領域Ｉ0 +は状態
Ｄ+ にある。
【００８３】ステップＳ３３０〜ステップＳ３８０では
ステップＳ３２０の結果に従って、Ｈ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）近
傍が凹を呈するか、凸を呈するかの判断、即ち位置（Ｉ
0 ，Ｊ0 ）における凹凸の存否の判断がなされる。
ステップＳ３２０の結果に従って、Ｈ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）近
傍が凹を呈するか、凸を呈するかの判断、即ち位置（Ｉ
0 ，Ｊ0 ）における凹凸の存否の判断がなされる。
【００８４】まずステップＳ３３０において、領域
Ｉ0 +，Ｉ0 -が共に等しい状態Ｄ+ にあるか、若しくは共
に等しい状態Ｄ- にあるかが判断される。もしこの条件
を満足すれば、Ｉ+ 方向に関してＨ（Ｉ，Ｊ0 ）がほぼ
単調に増加傾向にあるか（状態Ｄ+ の場合）、ほぼ単調
に減少傾向にあるか（状態Ｄ- ）のいずれかである。従
って、ステップＳ３８０に進んで位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）に
は凹凸が存在しないと判断する。その後、他の方向（Ｊ
方向、第１の方向、第２の方向）に関しても凹凸の判断
が行われ、ステップＳ４００に進む。
Ｉ0 +，Ｉ0 -が共に等しい状態Ｄ+ にあるか、若しくは共
に等しい状態Ｄ- にあるかが判断される。もしこの条件
を満足すれば、Ｉ+ 方向に関してＨ（Ｉ，Ｊ0 ）がほぼ
単調に増加傾向にあるか（状態Ｄ+ の場合）、ほぼ単調
に減少傾向にあるか（状態Ｄ- ）のいずれかである。従
って、ステップＳ３８０に進んで位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）に
は凹凸が存在しないと判断する。その後、他の方向（Ｊ
方向、第１の方向、第２の方向）に関しても凹凸の判断
が行われ、ステップＳ４００に進む。
【００８５】ステップＳ３３０の条件が満足されていな
い場合には、ステップＳ３４０に進み、領域Ｉ0 +，Ｉ0 -
がそれぞれ状態Ｄ+ 及び状態Ｄ- にあるかが判断され
る。もしこの条件を満足すれば、Ｉ+ 方向に関してＨ
（Ｉ，Ｊ0 ）がほぼ凹を呈すると判断され（ステップＳ
３５０）、他の方向（Ｊ方向、第１の方向、第２の方
向）に関しても凹凸の判断が行われ、ステップＳ４００
に進む。
い場合には、ステップＳ３４０に進み、領域Ｉ0 +，Ｉ0 -
がそれぞれ状態Ｄ+ 及び状態Ｄ- にあるかが判断され
る。もしこの条件を満足すれば、Ｉ+ 方向に関してＨ
（Ｉ，Ｊ0 ）がほぼ凹を呈すると判断され（ステップＳ
３５０）、他の方向（Ｊ方向、第１の方向、第２の方
向）に関しても凹凸の判断が行われ、ステップＳ４００
に進む。
【００８６】ステップＳ３４０の条件が満足されていな
い場合には、ステップＳ３６０に進み、領域Ｉ0 +，Ｉ0 -
がそれぞれ状態Ｄ- 及び状態Ｄ+ にあるかが判断され
る。もしこの条件を満足すれば、Ｉ+ 方向に関してＨ
（Ｉ，Ｊ0 ）がほぼ凸を呈すると判断され（ステップＳ
３７０）、他の方向（Ｊ方向、第１の方向、第２の方
向）に関しても凹凸の判断が行われ、ステップＳ４００
に進む。
い場合には、ステップＳ３６０に進み、領域Ｉ0 +，Ｉ0 -
がそれぞれ状態Ｄ- 及び状態Ｄ+ にあるかが判断され
る。もしこの条件を満足すれば、Ｉ+ 方向に関してＨ
（Ｉ，Ｊ0 ）がほぼ凸を呈すると判断され（ステップＳ
３７０）、他の方向（Ｊ方向、第１の方向、第２の方
向）に関しても凹凸の判断が行われ、ステップＳ４００
に進む。
【００８７】ステップＳ３６０の条件が満足されていな
い場合とは、領域Ｉ0 +，Ｉ0 -の少なくともいずれか一方
が、状態Ｄ+ ，状態Ｄ- のいずれでもない場合であり、
この様な場合においても凹凸は存在しないと判断される
（ステップＳ３８０）。
い場合とは、領域Ｉ0 +，Ｉ0 -の少なくともいずれか一方
が、状態Ｄ+ ，状態Ｄ- のいずれでもない場合であり、
この様な場合においても凹凸は存在しないと判断される
（ステップＳ３８０）。
【００８８】（Ａ−４）ステップＳ３２０の詳細：図１
０はステップＳ３２０の詳細を示すフローチャートであ
る。但し、ここでは領域Ｉ0 +における状態Ｄ+ ，Ｄ- を
判定する場合についてのみ例示してある。領域Ｉ0 -につ
いても同様にして状態Ｄ+ ，Ｄ- が判定される。勿論、
ステップＳ３００が他の方向、例えばＪ方向に関して実
行される場合には、ステップＳ３２０においては領域Ｊ
0 +（＝｛（Ｉ0 ，Ｊ0 ）,（Ｉ0 ，Ｊ0 ＋１）,…
（Ｉ0 ，Ｊ0 ＋Ｎ）｝），Ｊ0 -（＝｛（Ｉ0 ，Ｊ0 ）,
（Ｉ0 ，Ｊ0 −１）,…（Ｉ0 ，Ｊ0−Ｎ）｝）における
状態Ｄ+ ，Ｄ- が判定される。
０はステップＳ３２０の詳細を示すフローチャートであ
る。但し、ここでは領域Ｉ0 +における状態Ｄ+ ，Ｄ- を
判定する場合についてのみ例示してある。領域Ｉ0 -につ
いても同様にして状態Ｄ+ ，Ｄ- が判定される。勿論、
ステップＳ３００が他の方向、例えばＪ方向に関して実
行される場合には、ステップＳ３２０においては領域Ｊ
0 +（＝｛（Ｉ0 ，Ｊ0 ）,（Ｉ0 ，Ｊ0 ＋１）,…
（Ｉ0 ，Ｊ0 ＋Ｎ）｝），Ｊ0 -（＝｛（Ｉ0 ，Ｊ0 ）,
（Ｉ0 ，Ｊ0 −１）,…（Ｉ0 ，Ｊ0−Ｎ）｝）における
状態Ｄ+ ，Ｄ- が判定される。
【００８９】まずステップＳ３２１において、領域Ｉ0 +
における最大値を採る位置（ＩIM +，Ｊ0 ）と、最小値
をとる位置（ＩIm + ，Ｊ0 ）とを求める。図９に示され
た場合を例に採ると、最大値は位置（Ｉ0 ＋２，Ｊ0 ）
において、最小値は位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）において、それ
ぞれ採られる。
における最大値を採る位置（ＩIM +，Ｊ0 ）と、最小値
をとる位置（ＩIm + ，Ｊ0 ）とを求める。図９に示され
た場合を例に採ると、最大値は位置（Ｉ0 ＋２，Ｊ0 ）
において、最小値は位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）において、それ
ぞれ採られる。
【００９０】次にステップＳ３２２において、領域Ｉ0 +
における最大値から、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）における高さ
Ｈ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）を減じてＨIM + を、位置（Ｉ0 ，
Ｊ0 ）における高さＨ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から最小値を減じ
てＨIm + を、それぞれ求める。つまり、位置（Ｉ0 ，Ｊ
0 ）における高さＨ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）を基準として最大値
の高さＨIM + と最小値の深さＨIm + を求めるのである。
における最大値から、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）における高さ
Ｈ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）を減じてＨIM + を、位置（Ｉ0 ，
Ｊ0 ）における高さＨ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から最小値を減じ
てＨIm + を、それぞれ求める。つまり、位置（Ｉ0 ，Ｊ
0 ）における高さＨ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）を基準として最大値
の高さＨIM + と最小値の深さＨIm + を求めるのである。
【００９１】図１１乃至図１３はステップＳ３２３にお
けるΔＨI +，ＬI +の求め方を説明するグラフである。図
１１はＨIM + ＞ＨIm + の場合を、図１２はＨIM + ＜ＨIm
+ の場合を、そして図１３はＨIM + ＝ＨIm + の場合を、
それぞれ示している。
けるΔＨI +，ＬI +の求め方を説明するグラフである。図
１１はＨIM + ＞ＨIm + の場合を、図１２はＨIM + ＜ＨIm
+ の場合を、そして図１３はＨIM + ＝ＨIm + の場合を、
それぞれ示している。
【００９２】ＨIM + ＞ＨIm + であれば、ΔＨI + をＨIM +
に等しく採り、ＬI + をＩ0 −ＩIM +の絶対値として求め
る。図１１（ａ）においてはＩIM + ＜ＩIm + の場合が、
同図（ｂ）においてはＩIM + ＞ＩIm + の場合が、それぞ
れ示されている。
に等しく採り、ＬI + をＩ0 −ＩIM +の絶対値として求め
る。図１１（ａ）においてはＩIM + ＜ＩIm + の場合が、
同図（ｂ）においてはＩIM + ＞ＩIm + の場合が、それぞ
れ示されている。
【００９３】ＨIM + ＜ＨIm + であれば、ΔＨI + を−Ｈ
Im + に等しく採り、ＬI + をＩ0 −ＩIm + の絶対値とし
て求める。図１２（ａ）においてはＩIM + ＜ＩIm + の場
合が、同図（ｂ）においてはＩIM + ＞ＩIm + の場合が、
それぞれ示されている。
Im + に等しく採り、ＬI + をＩ0 −ＩIm + の絶対値とし
て求める。図１２（ａ）においてはＩIM + ＜ＩIm + の場
合が、同図（ｂ）においてはＩIM + ＞ＩIm + の場合が、
それぞれ示されている。
【００９４】ＨIM + ＝ＨIm + であれば、ＬI +は、Ｉ0 −
ＩIM + の絶対値とＩ0 −ＩIm + の絶対値とのうちの小さ
い方を採る。そしてＬI +がＩ0 −ＩIM + の絶対値を採る
場合、即ち位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から位置（ＩIm + ，
Ｊ0 ）までの距離の方が位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から位置
（ＩIM + ，Ｊ0 ）までの距離よりも遠い場合には、ΔＨ
I +をＨIM + に等しく採る。またＬI +がＩ0 −ＩIm + の絶
対値を採る場合、即ち位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から位置（Ｉ
Im + ，Ｊ0 ）までの距離の方が位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から
位置（ＩIM + ，Ｊ0 ）までの距離よりも近い場合にはΔ
ＨI +を−ＨIm + に等しく採る。図１３（ａ）においては
ＩIM + ＜ＩIm + の場合が、同図（ｂ）においてはＩIM +
＞ＩIm + の場合が、それぞれ示されている。
ＩIM + の絶対値とＩ0 −ＩIm + の絶対値とのうちの小さ
い方を採る。そしてＬI +がＩ0 −ＩIM + の絶対値を採る
場合、即ち位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から位置（ＩIm + ，
Ｊ0 ）までの距離の方が位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から位置
（ＩIM + ，Ｊ0 ）までの距離よりも遠い場合には、ΔＨ
I +をＨIM + に等しく採る。またＬI +がＩ0 −ＩIm + の絶
対値を採る場合、即ち位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から位置（Ｉ
Im + ，Ｊ0 ）までの距離の方が位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）から
位置（ＩIM + ，Ｊ0 ）までの距離よりも近い場合にはΔ
ＨI +を−ＨIm + に等しく採る。図１３（ａ）においては
ＩIM + ＜ＩIm + の場合が、同図（ｂ）においてはＩIM +
＞ＩIm + の場合が、それぞれ示されている。
【００９５】以上の様にして定められるので、ΔＨI +の
符号は領域Ｉ0 +におけるＩ+ 方向の増減を、ＬI +はこれ
によってΔＨI +を除することにより（即ちΔＨI +／ＬI +
を求めることにより）、領域Ｉ0 +におけるＩ+ 方向の増
減の大まかな傾斜を示すことになる。つまりＨIM + ，Ｈ
Im + よりも細かい凹凸は考慮されない。従って、形状シ
ミュレーションにおいて発生するかも知れない下地の形
状のわずかな誤差のために、下地上に設けられるレジス
トの厚さの増減の傾向が影響を受けることはない。
符号は領域Ｉ0 +におけるＩ+ 方向の増減を、ＬI +はこれ
によってΔＨI +を除することにより（即ちΔＨI +／ＬI +
を求めることにより）、領域Ｉ0 +におけるＩ+ 方向の増
減の大まかな傾斜を示すことになる。つまりＨIM + ，Ｈ
Im + よりも細かい凹凸は考慮されない。従って、形状シ
ミュレーションにおいて発生するかも知れない下地の形
状のわずかな誤差のために、下地上に設けられるレジス
トの厚さの増減の傾向が影響を受けることはない。
【００９６】そしてステップＳ３２４においてはΔＨI +
の符号によって領域Ｉ0 +における状態を判定する。即ち
ΔＨI +＞０の場合には領域Ｉ0 +は状態Ｄ+ にあり、ΔＨ
I +＜０の場合には領域Ｉ0 +は状態Ｄ- にある、と判定さ
れる。
の符号によって領域Ｉ0 +における状態を判定する。即ち
ΔＨI +＞０の場合には領域Ｉ0 +は状態Ｄ+ にあり、ΔＨ
I +＜０の場合には領域Ｉ0 +は状態Ｄ- にある、と判定さ
れる。
【００９７】図１４は凹凸の存否が判断される様子を示
す概念図であり、ステップＳ３３０〜Ｓ３８０が対応す
る。例えば同図（ａ）に示されるように領域Ｉ0 +におけ
る状態がＤ+ であり、領域Ｉ0 -における状態がＤ- であ
れば位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）において凹が存在すると判断さ
れる。また同図（ｂ）に示されるように領域Ｉ0 +におけ
る状態がＤ- であり、領域Ｉ0 -における状態がＤ+ であ
れば位置（Ｉ0 ，Ｊ0）において凸が存在すると判断さ
れる。
す概念図であり、ステップＳ３３０〜Ｓ３８０が対応す
る。例えば同図（ａ）に示されるように領域Ｉ0 +におけ
る状態がＤ+ であり、領域Ｉ0 -における状態がＤ- であ
れば位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）において凹が存在すると判断さ
れる。また同図（ｂ）に示されるように領域Ｉ0 +におけ
る状態がＤ- であり、領域Ｉ0 -における状態がＤ+ であ
れば位置（Ｉ0 ，Ｊ0）において凸が存在すると判断さ
れる。
【００９８】勿論、領域Ｉ0 +における高さの全てが高さ
Ｈ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）と等しい場合にはΔＨI +＝０となり、
これは状態Ｄ+ ，Ｄ- のいずれにも該当しない。記述の
ステップＳ３６０の条件が満足されていない場合とはこ
の場合が相当する。
Ｈ（Ｉ0 ，Ｊ0 ）と等しい場合にはΔＨI +＝０となり、
これは状態Ｄ+ ，Ｄ- のいずれにも該当しない。記述の
ステップＳ３６０の条件が満足されていない場合とはこ
の場合が相当する。
【００９９】（Ａ−５）ステップＳ５００の詳細：図１
５はステップＳ５００の詳細を示すフローチャートであ
る。但し、ここではＩ方向に関して高低量候補及び傾斜
量候補を決定する場合についてのみ例示してある。他の
Ｊ方向、第１及び第２の方向についても同様にして高低
量候補及び傾斜量候補が決定される。
５はステップＳ５００の詳細を示すフローチャートであ
る。但し、ここではＩ方向に関して高低量候補及び傾斜
量候補を決定する場合についてのみ例示してある。他の
Ｊ方向、第１及び第２の方向についても同様にして高低
量候補及び傾斜量候補が決定される。
【０１００】ステップＳ５１０においては凹凸を形成す
る、領域Ｉ0 +における傾斜と領域Ｉ0 -における傾斜のい
ずれが、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）におけるレジスト膜厚の決
定により寄与するかを決定する。ここでは、傾斜の緩い
方が支配的にレジスト膜厚を決定するものとしている。
る、領域Ｉ0 +における傾斜と領域Ｉ0 -における傾斜のい
ずれが、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）におけるレジスト膜厚の決
定により寄与するかを決定する。ここでは、傾斜の緩い
方が支配的にレジスト膜厚を決定するものとしている。
【０１０１】領域Ｉ0 +における傾斜ΔＨI +／ＬI +の絶対
値が、領域Ｉ0 -における傾斜ΔＨI -／ＬI -の絶対値より
も大きい場合には、高低量候補ΔＨI としてはΔＨI -が
採られる。一方、領域Ｉ0 +における傾斜ΔＨI +／ＬI +の
絶対値が、領域Ｉ0 -における傾斜ΔＨI -／ＬI -の絶対値
よりも小さい場合には、高低量候補ΔＨI としてΔＨI +
が採られる。
値が、領域Ｉ0 -における傾斜ΔＨI -／ＬI -の絶対値より
も大きい場合には、高低量候補ΔＨI としてはΔＨI -が
採られる。一方、領域Ｉ0 +における傾斜ΔＨI +／ＬI +の
絶対値が、領域Ｉ0 -における傾斜ΔＨI -／ＬI -の絶対値
よりも小さい場合には、高低量候補ΔＨI としてΔＨI +
が採られる。
【０１０２】同様にして、領域Ｉ0 +における傾斜ΔＨI +
／ＬI +の絶対値が、領域Ｉ0 -における傾斜ΔＨI -／ＬI -
の絶対値よりも大きい場合には、ΔＨ／Ｌ］I はΔＨI -
／ＬI -を採る。一方、領域Ｉ0 +における傾斜ΔＨI +／Ｌ
I +の絶対値が、領域Ｉ0 -における傾斜ΔＨI -／ＬI -の絶
対値よりも小さい場合には、ΔＨ／Ｌ］I はΔＨI +／Ｌ
I +を採る。
／ＬI +の絶対値が、領域Ｉ0 -における傾斜ΔＨI -／ＬI -
の絶対値よりも大きい場合には、ΔＨ／Ｌ］I はΔＨI -
／ＬI -を採る。一方、領域Ｉ0 +における傾斜ΔＨI +／Ｌ
I +の絶対値が、領域Ｉ0 -における傾斜ΔＨI -／ＬI -の絶
対値よりも小さい場合には、ΔＨ／Ｌ］I はΔＨI +／Ｌ
I +を採る。
【０１０３】勿論、下地の種類、レジストの種類、下地
とレジストとの相互関係等、下地の形状以外の他の条件
によって、傾斜の急な方が支配的にレジスト膜厚を決定
するとしても良く、或いはΔＨI +／ＬI +とΔＨI -／ＬI -
との中間の値、ΔＨI +とΔＨ I -との中間の値（例えば平
均値）を用いることもできる。
とレジストとの相互関係等、下地の形状以外の他の条件
によって、傾斜の急な方が支配的にレジスト膜厚を決定
するとしても良く、或いはΔＨI +／ＬI +とΔＨI -／ＬI -
との中間の値、ΔＨI +とΔＨ I -との中間の値（例えば平
均値）を用いることもできる。
【０１０４】ステップＳ５００においてはＩ方向、Ｊ方
向、第１及び第２の方向の内、凹凸の存在が確認された
方向において高低量候補ΔＨP 、傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］
P （Ｐ＝Ｉ，Ｊ，１，２）が求められる。
向、第１及び第２の方向の内、凹凸の存在が確認された
方向において高低量候補ΔＨP 、傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］
P （Ｐ＝Ｉ，Ｊ，１，２）が求められる。
【０１０５】（Ａ−６）ステップＳ６００の詳細：図１
６はステップＳ６００の詳細を示すフローチャートであ
る。まずステップＳ６１０においてΔＨ／Ｌ］I ，ΔＨ
／Ｌ］J ，ΔＨ／Ｌ］1 ，ΔＨ／Ｌ］2 の内、その絶対
値の最大のものを傾斜量ΔＨ／Ｌとして求める。記号Ｍ
ＡＸ（）は括弧内の中で最大のものを意味する。そして
傾斜量ΔＨ／Ｌが例えば傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］I であれ
ば、高低量ΔＨとして高低量候補ΔＨI を採用する。
６はステップＳ６００の詳細を示すフローチャートであ
る。まずステップＳ６１０においてΔＨ／Ｌ］I ，ΔＨ
／Ｌ］J ，ΔＨ／Ｌ］1 ，ΔＨ／Ｌ］2 の内、その絶対
値の最大のものを傾斜量ΔＨ／Ｌとして求める。記号Ｍ
ＡＸ（）は括弧内の中で最大のものを意味する。そして
傾斜量ΔＨ／Ｌが例えば傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］I であれ
ば、高低量ΔＨとして高低量候補ΔＨI を採用する。
【０１０６】次にステップＳ６２０において、膜厚増減
量Δｘを求める。ここでは、 Δｘ＝−ΔＨ［１−exp ｛−（ΔＨ／Ｌ）／η｝］…（１） として膜厚増減量Δｘを求める。式（１）においては緩
和係数η（０＜η）が導入されている。また、右辺にお
いて（−ΔＨ）が乗算されており、凹が存在する場合に
は膜厚増減量Δｘが正数として、凸が存在する場合には
膜厚増減量Δｘが負数として、それぞれ求められる。
量Δｘを求める。ここでは、 Δｘ＝−ΔＨ［１−exp ｛−（ΔＨ／Ｌ）／η｝］…（１） として膜厚増減量Δｘを求める。式（１）においては緩
和係数η（０＜η）が導入されている。また、右辺にお
いて（−ΔＨ）が乗算されており、凹が存在する場合に
は膜厚増減量Δｘが正数として、凸が存在する場合には
膜厚増減量Δｘが負数として、それぞれ求められる。
【０１０７】図１７は膜厚増減量Δｘの絶対値と傾斜量
ΔＨ／Ｌとの関係を模式的に示すグラフである。傾斜量
ΔＨ／Ｌが大きいほど、即ち凹凸の程度が顕著なほど、
膜厚増減量Δｘの絶対値は大きくなる。即ちレジスト膜
厚において、ｘのｘ0 に対するずれは大きい。しかしそ
のずれの度合いは緩和係数ηが大きくなるほど緩和され
る。従って、式（１）を用いることにより、レジストの
特性、下地とレジストとの相互関係等、下地の形状以外
の因子がレジスト膜厚に与える影響を緩和係数ηによっ
て考慮することができる。例えば緩和係数ηは０．５程
度以下に設定される。
ΔＨ／Ｌとの関係を模式的に示すグラフである。傾斜量
ΔＨ／Ｌが大きいほど、即ち凹凸の程度が顕著なほど、
膜厚増減量Δｘの絶対値は大きくなる。即ちレジスト膜
厚において、ｘのｘ0 に対するずれは大きい。しかしそ
のずれの度合いは緩和係数ηが大きくなるほど緩和され
る。従って、式（１）を用いることにより、レジストの
特性、下地とレジストとの相互関係等、下地の形状以外
の因子がレジスト膜厚に与える影響を緩和係数ηによっ
て考慮することができる。例えば緩和係数ηは０．５程
度以下に設定される。
【０１０８】図１８は、ステップＳ６２０と置換し得る
ステップＳ６３０を示すフローチャートである。ステッ
プＳ６３０においてはステップＳ６２０よりも簡易に膜
厚増減量Δｘが評価される。ここでは Δｘ＝−ΔＨ・Ｓ…（２） として膜厚増減量Δｘを求める。式（２）においては緩
和係数Ｓ（０＜Ｓ）が導入されており、高低量ΔＨと緩
和係数Ｓのみで評価されている。式（１）と同様に右辺
において（−ΔＨ）が乗算されており、凹が存在する場
合には膜厚増減量Δｘが正数として、凸が存在する場合
には膜厚増減量Δｘが負数として、それぞれ求められ
る。緩和係数Ｓは例えば０．２程度に設定される。
ステップＳ６３０を示すフローチャートである。ステッ
プＳ６３０においてはステップＳ６２０よりも簡易に膜
厚増減量Δｘが評価される。ここでは Δｘ＝−ΔＨ・Ｓ…（２） として膜厚増減量Δｘを求める。式（２）においては緩
和係数Ｓ（０＜Ｓ）が導入されており、高低量ΔＨと緩
和係数Ｓのみで評価されている。式（１）と同様に右辺
において（−ΔＨ）が乗算されており、凹が存在する場
合には膜厚増減量Δｘが正数として、凸が存在する場合
には膜厚増減量Δｘが負数として、それぞれ求められ
る。緩和係数Ｓは例えば０．２程度に設定される。
【０１０９】（Ａ−７）ステップＳ７００の詳細：図１
９は膜厚増減量Δｘから径増減量Δｄを求める方法を説
明する断面図である。同図（ａ）はレジストが平坦部に
形成されて、その膜厚がｘ0 である場合を、同図（ｂ）
はレジストが凹部に形成されて、その膜厚がｘ+ （＞ｘ
0 ）である場合を、同図（ｂ）はレジストが凸部に形成
されて、その膜厚がｘ- （＜ｘ0 ）である場合を、それ
ぞれ示している。
９は膜厚増減量Δｘから径増減量Δｄを求める方法を説
明する断面図である。同図（ａ）はレジストが平坦部に
形成されて、その膜厚がｘ0 である場合を、同図（ｂ）
はレジストが凹部に形成されて、その膜厚がｘ+ （＞ｘ
0 ）である場合を、同図（ｂ）はレジストが凸部に形成
されて、その膜厚がｘ- （＜ｘ0 ）である場合を、それ
ぞれ示している。
【０１１０】同図（ａ）において、マスクパターンとし
て実際に作成されるマスクの実寸Ｄと、コンタクトホー
ル径ｄ0 との関係はパラメタθを介して tan θ＝（Ｄ−ｄ0 ）／２ｘ0 …（３） と表される。ここでパラメタθはレジストの特性、例え
ば照射される光の透過率等によって定まるレジストに固
有の値である。
て実際に作成されるマスクの実寸Ｄと、コンタクトホー
ル径ｄ0 との関係はパラメタθを介して tan θ＝（Ｄ−ｄ0 ）／２ｘ0 …（３） と表される。ここでパラメタθはレジストの特性、例え
ば照射される光の透過率等によって定まるレジストに固
有の値である。
【０１１１】よって、同図（ｂ），（ｃ）においても式
（３）において導入されているパラメタθを導入して tan θ＝｛Ｄ−（ｄ0 ＋Δｄ）｝／２（ｘ0 ＋Δｘ）…（４） が成立する。図１９においては上向きを正に、下向きを
負に採っている。同図（ｂ）においては膜厚増減量Δｘ
が正であり、このとき径増減量Δｄは負となる。また同
図（ｃ）においては膜厚増減量Δｘが負であり、このと
き径増減量Δｄは正となる。
（３）において導入されているパラメタθを導入して tan θ＝｛Ｄ−（ｄ0 ＋Δｄ）｝／２（ｘ0 ＋Δｘ）…（４） が成立する。図１９においては上向きを正に、下向きを
負に採っている。同図（ｂ）においては膜厚増減量Δｘ
が正であり、このとき径増減量Δｄは負となる。また同
図（ｃ）においては膜厚増減量Δｘが負であり、このと
き径増減量Δｄは正となる。
【０１１２】式（３）、（４）から
Δｄ＝−２Δｘ・tan θ…（５）
として径増減量Δｄが求められる。
【０１１３】図２０はステップＳ７００の詳細を示すフ
ローチャートであり、ステップＳ７１０では式（５）に
基づいた処理が行われる。
ローチャートであり、ステップＳ７１０では式（５）に
基づいた処理が行われる。
【０１１４】勿論、ステップＳ７１０の代わりに、膜厚
増減量Δｘに基づいて径増減量Δｄを求める他の処理を
行っても良い。
増減量Δｘに基づいて径増減量Δｄを求める他の処理を
行っても良い。
【０１１５】（Ａ−８）第１実施例の変形：上記の第１
実施例においては種々の変形が可能である。Ｉ方向、Ｊ
方向、第１及び第２の方向の全てに関して解析を行うの
ではなく、それぞれ互いに直交するＩ方向とＪ方向の
対、あるいは第１及び第２の方向の対のみに関して解析
を行っても良い。
実施例においては種々の変形が可能である。Ｉ方向、Ｊ
方向、第１及び第２の方向の全てに関して解析を行うの
ではなく、それぞれ互いに直交するＩ方向とＪ方向の
対、あるいは第１及び第２の方向の対のみに関して解析
を行っても良い。
【０１１６】或いは例えば、下地の形状をＩ方向及び高
さのみにおいて考察する２次元解析によって、コンタク
トホール径を予測しても良い。この場合にはステップＳ
３における形状シミュレーションが２次元において行わ
れ、ステップＳ１００において対象Ａの高さはＩのみの
関数Ｈ（Ｉ）として表すことができる。そしてステップ
Ｓ２００においてコンタクトホールを形成する位置は
（Ｉ0 ）と特定され、ステップＳ３００においてはＩ方
向に関してのみ凹凸の存否が検査される。
さのみにおいて考察する２次元解析によって、コンタク
トホール径を予測しても良い。この場合にはステップＳ
３における形状シミュレーションが２次元において行わ
れ、ステップＳ１００において対象Ａの高さはＩのみの
関数Ｈ（Ｉ）として表すことができる。そしてステップ
Ｓ２００においてコンタクトホールを形成する位置は
（Ｉ0 ）と特定され、ステップＳ３００においてはＩ方
向に関してのみ凹凸の存否が検査される。
【０１１７】従って、ステップＳ４００においてはＩ方
向に関しての凹凸の存否が確認され、ステップＳ５００
においては高低量候補ΔＨI 、傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］I
のみが決定される。ステップＳ６１０においては高低量
候補ΔＨI が高低量ΔＨに、傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］I が
傾斜量ΔＨ／Ｌに、それぞれ採用される。
向に関しての凹凸の存否が確認され、ステップＳ５００
においては高低量候補ΔＨI 、傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］I
のみが決定される。ステップＳ６１０においては高低量
候補ΔＨI が高低量ΔＨに、傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］I が
傾斜量ΔＨ／Ｌに、それぞれ採用される。
【０１１８】このように２次元的な解析のみでステップ
Ｓ４が進められる場合において、更に式（２）を用いて
膜厚増減量Δｘが求められる場合には、傾斜量ΔＨ／Ｌ
及び傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］I を求める必要はない。その
理由は以下の通りである。
Ｓ４が進められる場合において、更に式（２）を用いて
膜厚増減量Δｘが求められる場合には、傾斜量ΔＨ／Ｌ
及び傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］I を求める必要はない。その
理由は以下の通りである。
【０１１９】ステップＳ６３０においては傾斜量ΔＨ／
Ｌが用いられず、ステップＳ６１０において高低量ΔＨ
を定めるのに傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］P 同士の比較を行う
必要がない。従って、ステップＳ５００において傾斜量
候補ΔＨ／Ｌ］I を求める必要はない。図２１はそのよ
うな場合のステップＳ５００を構成するステップＳ５２
０を示すフローチャートである。
Ｌが用いられず、ステップＳ６１０において高低量ΔＨ
を定めるのに傾斜量候補ΔＨ／Ｌ］P 同士の比較を行う
必要がない。従って、ステップＳ５００において傾斜量
候補ΔＨ／Ｌ］I を求める必要はない。図２１はそのよ
うな場合のステップＳ５００を構成するステップＳ５２
０を示すフローチャートである。
【０１２０】以上のように、２次元的に解析する際には
必要とされる処理が少なくて済むという利点がある。
必要とされる処理が少なくて済むという利点がある。
【０１２１】その一方、２次元的な解析をＩ方向とＪ方
向の２つの方向のそれぞれに対して行うことにより、Ｉ
方向に関しての径増減量ΔｄI と、Ｊ方向に関しての径
増減量ΔｄJ とを別々に求めることができる。このよう
な求め方は、特にコンタクトホールがＩ方向に並行な辺
と、Ｊ方向に並行な辺とを有する長方形である場合に好
ましい態様である。
向の２つの方向のそれぞれに対して行うことにより、Ｉ
方向に関しての径増減量ΔｄI と、Ｊ方向に関しての径
増減量ΔｄJ とを別々に求めることができる。このよう
な求め方は、特にコンタクトホールがＩ方向に並行な辺
と、Ｊ方向に並行な辺とを有する長方形である場合に好
ましい態様である。
【０１２２】Ｂ．第２実施例：第１実施例においては、
ステップＳ６００において緩和係数η，Ｓを用い、膜厚
増減量Δｘを求めた。しかしレジスト塗布形状シミュレ
ーションを行うことによりレジスト膜厚を求め、これに
基づいて膜厚増減量Δｘを求めることもできる。
ステップＳ６００において緩和係数η，Ｓを用い、膜厚
増減量Δｘを求めた。しかしレジスト塗布形状シミュレ
ーションを行うことによりレジスト膜厚を求め、これに
基づいて膜厚増減量Δｘを求めることもできる。
【０１２３】かかるレジスト塗布形状シミュレーション
は公知であり、例えば“Spin Coating Over Topograph
y”, L.M.Peurrung and D.B.Graves, IEEE transaction
s onsemiconductor manufacturing, Vol.6, No.1, PP72
-76 (1993)において示されている。
は公知であり、例えば“Spin Coating Over Topograph
y”, L.M.Peurrung and D.B.Graves, IEEE transaction
s onsemiconductor manufacturing, Vol.6, No.1, PP72
-76 (1993)において示されている。
【０１２４】このようにレジスト塗布形状シミュレーシ
ョンを用いることにより、レジスト粘性をも考慮して膜
厚増減量Δｘを求め、より実際のコンタクトホール径の
ずれに対して精度の高い径増減量Δｄを得ることができ
る。
ョンを用いることにより、レジスト粘性をも考慮して膜
厚増減量Δｘを求め、より実際のコンタクトホール径の
ずれに対して精度の高い径増減量Δｄを得ることができ
る。
【０１２５】Ｃ．第３実施例：第１実施例においては、
ステップＳ７００において、レジストの特性を示すパラ
メタθを用いて径増減量Δｄを求めた。しかし第１実施
例もしくは第２実施例に示された手法を用いて膜厚増減
量Δｘ（あるいは膜厚ｘ＝ｘ0 ＋Δｘ）を求めた後、光
強度分布シミュレーションをレジストに対して行い、所
定の光強度を有する面（等強度面）からコンタクトホー
ル径を見積もることもできる。レジストは所定の強度以
上の光によって現像液に対する溶解特性が変化し、現像
されて残置したレジスタの形状がコンタクトホール径を
決定するため、このような手法も有益である。
ステップＳ７００において、レジストの特性を示すパラ
メタθを用いて径増減量Δｄを求めた。しかし第１実施
例もしくは第２実施例に示された手法を用いて膜厚増減
量Δｘ（あるいは膜厚ｘ＝ｘ0 ＋Δｘ）を求めた後、光
強度分布シミュレーションをレジストに対して行い、所
定の光強度を有する面（等強度面）からコンタクトホー
ル径を見積もることもできる。レジストは所定の強度以
上の光によって現像液に対する溶解特性が変化し、現像
されて残置したレジスタの形状がコンタクトホール径を
決定するため、このような手法も有益である。
【０１２６】例えば光強度分布を百分率で表した場合、
１５パーセント以上の光強度を受けたレジストは現像に
よって溶解するとし、１５パーセントの等強度面を求
め、これと下地とが接する境界をコンタクトホールの形
状として求めることができる。
１５パーセント以上の光強度を受けたレジストは現像に
よって溶解するとし、１５パーセントの等強度面を求
め、これと下地とが接する境界をコンタクトホールの形
状として求めることができる。
【０１２７】かかる光強度分布シミュレーションは公知
であり、例えば“Partially Coherent Imaging in Two
Dimensions and the Theoretical Limits of Projectio
n Printing in Microfabrication”, B.J.Lin, IEEE tr
ansactions on electron devices, Vol.ED-27, No.5, P
P931-938 (1980) や“MODELING AERIAL IMAGES IN TWO
AND THREE DIMENSIONS ”, M.Yeung, Proc. of Kodac M
E Seminar Interface85, PP115-126 (1986)において示
されている。特にレジストの内部における光強度分布の
計算手法が“Modeling Latent Image formation in Pho
tolithographyusing the Helmholtz Equation”, H.P.U
rbach and D.A.Bernald, SPIE Vol.1264 Optical/Laser
Microlithography III, PP278-293 (1990)において示
されている。
であり、例えば“Partially Coherent Imaging in Two
Dimensions and the Theoretical Limits of Projectio
n Printing in Microfabrication”, B.J.Lin, IEEE tr
ansactions on electron devices, Vol.ED-27, No.5, P
P931-938 (1980) や“MODELING AERIAL IMAGES IN TWO
AND THREE DIMENSIONS ”, M.Yeung, Proc. of Kodac M
E Seminar Interface85, PP115-126 (1986)において示
されている。特にレジストの内部における光強度分布の
計算手法が“Modeling Latent Image formation in Pho
tolithographyusing the Helmholtz Equation”, H.P.U
rbach and D.A.Bernald, SPIE Vol.1264 Optical/Laser
Microlithography III, PP278-293 (1990)において示
されている。
【０１２８】図２２は光強度分布シミュレーションによ
って得られる種々の等強度面からコンタクトホールの形
状を求める具体的手法を説明する模式図である。コンタ
クトホールの位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）の直下でレジストと下
地たるＢＰＳＧ膜との境界にある位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，Ｋ
B （Ｉ0 ，Ｊ0 ））における光強度が、所定の強度（例
えば１５パーセント）以上であるか否かを吟味する。こ
こでＫB （Ｉ0 ，Ｊ0）は下地とＢＰＳＧ膜との境界の
位置を示し、第１実施例の高さＨ（Ｉ0 ，Ｊ0）を用い
ることができる。
って得られる種々の等強度面からコンタクトホールの形
状を求める具体的手法を説明する模式図である。コンタ
クトホールの位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）の直下でレジストと下
地たるＢＰＳＧ膜との境界にある位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，Ｋ
B （Ｉ0 ，Ｊ0 ））における光強度が、所定の強度（例
えば１５パーセント）以上であるか否かを吟味する。こ
こでＫB （Ｉ0 ，Ｊ0）は下地とＢＰＳＧ膜との境界の
位置を示し、第１実施例の高さＨ（Ｉ0 ，Ｊ0）を用い
ることができる。
【０１２９】例えば図２２に示された等強度面βが所定
の強度以上の等強度面であれば、レジストの上方から光
が照射されるのは当然であるので、等強度面βの上方は
所定の強度以上の光強度が与えられると考えられ、よっ
て位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）における光強度が、所定の
強度（例えば１５パーセント）以上であると判断するこ
とができる。
の強度以上の等強度面であれば、レジストの上方から光
が照射されるのは当然であるので、等強度面βの上方は
所定の強度以上の光強度が与えられると考えられ、よっ
て位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）における光強度が、所定の
強度（例えば１５パーセント）以上であると判断するこ
とができる。
【０１３０】次いで位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）からレジ
ストと下地との境界に沿いつつＩ方向及びＪ方向に所定
の強度の等強度面を探し、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）か
ら所定の等高面までのＩ方向の距離ｂ及びＪ方向の距離
ａを求める。この様にして求められた距離ａ，ｂはコン
タクトホール径を表している。
ストと下地との境界に沿いつつＩ方向及びＪ方向に所定
の強度の等強度面を探し、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）か
ら所定の等高面までのＩ方向の距離ｂ及びＪ方向の距離
ａを求める。この様にして求められた距離ａ，ｂはコン
タクトホール径を表している。
【０１３１】もし、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB （Ｉ0 ，Ｊ
0 ））における光強度が、所定の強度未満であれば、レ
ジストを現像したとしてもコンタクトホールの底はレジ
ストと下地との境界面にまで達しないため、コンタクト
ホール径は０と判断されることになる。
0 ））における光強度が、所定の強度未満であれば、レ
ジストを現像したとしてもコンタクトホールの底はレジ
ストと下地との境界面にまで達しないため、コンタクト
ホール径は０と判断されることになる。
【０１３２】Ｄ．第４実施例：第３実施例においては、
レジストの溶解特性を決定する等強度面を求めるに留ま
ったが、現像過程をもシミュレーションし、現像後に残
置するレジストの形状を得ることもできる。かかる現像
過程のシミュレーションは公知であり、例えば本出願人
による特開平４−１３３３２６号公報、米国特許第５２
９３５５７号において示されている。
レジストの溶解特性を決定する等強度面を求めるに留ま
ったが、現像過程をもシミュレーションし、現像後に残
置するレジストの形状を得ることもできる。かかる現像
過程のシミュレーションは公知であり、例えば本出願人
による特開平４−１３３３２６号公報、米国特許第５２
９３５５７号において示されている。
【０１３３】図２３は光強度分布シミュレーションによ
って得られる種々の等強度面からコンタクトホールの形
状を求める具体的手法を説明する模式図である。位置
（Ｉ0，Ｊ0 ，ＫB （Ｉ0 ，Ｊ0 ））に関しては第３実
施例と同様である。現像後に残置されたレジストの形状
は面αで示されている。
って得られる種々の等強度面からコンタクトホールの形
状を求める具体的手法を説明する模式図である。位置
（Ｉ0，Ｊ0 ，ＫB （Ｉ0 ，Ｊ0 ））に関しては第３実
施例と同様である。現像後に残置されたレジストの形状
は面αで示されている。
【０１３４】位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）において下地
（ＢＰＳＧ）が存在すれば、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）
からレジストと下地との境界に沿いつつＩ方向及びＪ方
向に面αを探し、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）から面αま
でのＩ方向の距離ｂ及びＪ方向の距離ａを求める。この
様にして求められた距離ａ，ｂはコンタクトホール径を
表している。
（ＢＰＳＧ）が存在すれば、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）
からレジストと下地との境界に沿いつつＩ方向及びＪ方
向に面αを探し、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）から面αま
でのＩ方向の距離ｂ及びＪ方向の距離ａを求める。この
様にして求められた距離ａ，ｂはコンタクトホール径を
表している。
【０１３５】位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ，ＫB ）においてレジス
トが存在すれば、レジストを現像した結果、コンタクト
ホールの底はレジストと下地との境界面にまで達しない
ため、コンタクトホール径は０と判断されることにな
る。
トが存在すれば、レジストを現像した結果、コンタクト
ホールの底はレジストと下地との境界面にまで達しない
ため、コンタクトホール径は０と判断されることにな
る。
【０１３６】Ｅ．第５実施例：ステップＳ７００におい
て求められた径増減量Δｄの絶対値に上限Δｄmax を設
けることができる。そして、径増減量Δｄの絶対値が上
限Δｄmax を越えた場合には、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）にお
いて形成されるべきコンタクトホールは不良となると判
断する事も可能である。
て求められた径増減量Δｄの絶対値に上限Δｄmax を設
けることができる。そして、径増減量Δｄの絶対値が上
限Δｄmax を越えた場合には、位置（Ｉ0 ，Ｊ0 ）にお
いて形成されるべきコンタクトホールは不良となると判
断する事も可能である。
【０１３７】そしてステップＳ５において、マスクパタ
ーンＭ’を設計するレイアウトエディタ画面上におい
て、点滅させたり、特定のめだつ色、例えば白、黄、空
色、黄緑などで表示して注意を喚起することが可能であ
る。これにより、操作性良くマスクパターンの修正を行
うことができる。
ーンＭ’を設計するレイアウトエディタ画面上におい
て、点滅させたり、特定のめだつ色、例えば白、黄、空
色、黄緑などで表示して注意を喚起することが可能であ
る。これにより、操作性良くマスクパターンの修正を行
うことができる。
【０１３８】変形例：本発明は半導体装置のコンタクト
ホール径の制御のほか、イオン注入などの不純物領域形
成時の微細加工にも適用できる。また、マイクロマシー
ンの微細加工にも用いることができるのは明白である。
ホール径の制御のほか、イオン注入などの不純物領域形
成時の微細加工にも適用できる。また、マイクロマシー
ンの微細加工にも用いることができるのは明白である。
【０１３９】
【発明の効果】この発明のうち請求項１にかかるマスク
パターンの作成方法によれば、実際に加工対象に加工を
施すことなく実パターンの寸法を所望の値にするような
マスクパターンを作成することができる。また、被加工
領域において実効的にマスクされる領域が広がり、マス
クされる領域同士の間は狭くなるとして実パターンの寸
法が予測できる。また、被加工領域の凹凸をシミュレー
ションによって、実際に試作することなく容易に判断す
ることができる。また、被加工領域の凹凸は大局的に判
定され、加工対象の形状をシミュレーションした際の細
かな誤差等に影響されない。
パターンの作成方法によれば、実際に加工対象に加工を
施すことなく実パターンの寸法を所望の値にするような
マスクパターンを作成することができる。また、被加工
領域において実効的にマスクされる領域が広がり、マス
クされる領域同士の間は狭くなるとして実パターンの寸
法が予測できる。また、被加工領域の凹凸をシミュレー
ションによって、実際に試作することなく容易に判断す
ることができる。また、被加工領域の凹凸は大局的に判
定され、加工対象の形状をシミュレーションした際の細
かな誤差等に影響されない。
【０１４０】
【０１４１】
【０１４２】
【０１４３】この発明のうち請求項２にかかるマスクパ
ターンの作成方法によれば、凹凸を規定する第１及び第
２の領域のそれぞれの加工形状の変化の度合いに応じて
高低量が決定され、その高低量の大小に応じて膜厚増減
量が設定されるので、レジストの厚さに対して第１及び
第２の領域の加工形状の寄与のいずれをも考慮しつつ、
実際に加工対象に加工を施すことなく実パターンの寸法
を所望の値にするようなマスクパターンを簡易に作成す
ることができる。
ターンの作成方法によれば、凹凸を規定する第１及び第
２の領域のそれぞれの加工形状の変化の度合いに応じて
高低量が決定され、その高低量の大小に応じて膜厚増減
量が設定されるので、レジストの厚さに対して第１及び
第２の領域の加工形状の寄与のいずれをも考慮しつつ、
実際に加工対象に加工を施すことなく実パターンの寸法
を所望の値にするようなマスクパターンを簡易に作成す
ることができる。
【０１４４】この発明のうち請求項３にかかるマスクパ
ターンの作成方法によれば、高低量の大小のみならず、
傾斜量にも応じて膜厚増減量を設定するので、レジスト
の厚さに対して第１及び第２の領域の加工形状の寄与の
いずれをも考慮しつつ、一層マスクパターンの補正を精
度良く行うことができる。
ターンの作成方法によれば、高低量の大小のみならず、
傾斜量にも応じて膜厚増減量を設定するので、レジスト
の厚さに対して第１及び第２の領域の加工形状の寄与の
いずれをも考慮しつつ、一層マスクパターンの補正を精
度良く行うことができる。
【０１４５】この発明のうち請求項４にかかるマスクパ
ターンの作成方法によれば、凹凸を規定する第１及び第
２の領域のそれぞれの加工形状の変化の度合いに応じて
高低量が決定され、その高低量の大小に応じて膜厚増減
量が設定されるので、レジストの厚さに対して第１及び
第２の領域の加工形状の寄与のいずれが支配的かを考慮
しつつ、簡易に請求項１の効果を得ることができる。
ターンの作成方法によれば、凹凸を規定する第１及び第
２の領域のそれぞれの加工形状の変化の度合いに応じて
高低量が決定され、その高低量の大小に応じて膜厚増減
量が設定されるので、レジストの厚さに対して第１及び
第２の領域の加工形状の寄与のいずれが支配的かを考慮
しつつ、簡易に請求項１の効果を得ることができる。
【０１４６】この発明のうち請求項５にかかるマスクパ
ターンの作成方法によれば、高低量の大小のみならず、
傾斜量にも応じて膜厚増減量を設定するので一層マスク
パターンの補正を精度良く行うことができる。
ターンの作成方法によれば、高低量の大小のみならず、
傾斜量にも応じて膜厚増減量を設定するので一層マスク
パターンの補正を精度良く行うことができる。
【０１４７】
【０１４８】
【０１４９】
【０１５０】この発明のうち請求項６にかかるマスクパ
ターンの作成方法によれば、実際に加工対象に加工を施
すことなく実パターンの寸法を所望の値にするようなマ
スクパターンを作成することができる。被加工領域にお
いて実効的にマスクされる領域が広がり、マスクされる
領域同士の間は狭くなるとして実パターンの寸法が予測
できる。またより一層正確なマスクパターンの補正を容
易に行うことができる。そして被加工領域の凹凸は大局
的に判定され、加工対象の形状をシミュレーションした
際の細かな誤差等に影響されない。
ターンの作成方法によれば、実際に加工対象に加工を施
すことなく実パターンの寸法を所望の値にするようなマ
スクパターンを作成することができる。被加工領域にお
いて実効的にマスクされる領域が広がり、マスクされる
領域同士の間は狭くなるとして実パターンの寸法が予測
できる。またより一層正確なマスクパターンの補正を容
易に行うことができる。そして被加工領域の凹凸は大局
的に判定され、加工対象の形状をシミュレーションした
際の細かな誤差等に影響されない。
【０１５１】この発明のうち請求項７にかかるマスクパ
ターンの作成方法によれば、凹凸を規定する第１及び第
２の領域のそれぞれの加工形状の変化の度合いに応じて
高低量が決定され、その高低量の大小に応じて膜厚増減
量が設定されるので、レジストの厚さに対して第１及び
第２の領域の加工形状の寄与のいずれが支配的かを考慮
しつつ、簡易に正確なマスクパターンの補正を容易に行
うことができる。
ターンの作成方法によれば、凹凸を規定する第１及び第
２の領域のそれぞれの加工形状の変化の度合いに応じて
高低量が決定され、その高低量の大小に応じて膜厚増減
量が設定されるので、レジストの厚さに対して第１及び
第２の領域の加工形状の寄与のいずれが支配的かを考慮
しつつ、簡易に正確なマスクパターンの補正を容易に行
うことができる。
【０１５２】この発明のうち請求項８にかかるマスクパ
ターンの作成方法によれば、高低量の大小のみならず、
傾斜量にも応じて膜厚増減量を設定するので一層マスク
パターンの補正を精度良く行うことができる。
ターンの作成方法によれば、高低量の大小のみならず、
傾斜量にも応じて膜厚増減量を設定するので一層マスク
パターンの補正を精度良く行うことができる。
【０１５３】この発明のうち請求項９にかかるマスクパ
ターンの作成方法によれば、より多くの方向に関して凹
凸を判断するので、より一層正確にマスクパターンを補
正することができる。
ターンの作成方法によれば、より多くの方向に関して凹
凸を判断するので、より一層正確にマスクパターンを補
正することができる。
【０１５４】
【０１５５】
【０１５６】
【図１】 本発明の第１実施例を説明するフローチャー
トである。
トである。
【図２】 形状シミュレーションに用いられる概念を説
明する斜視図である。
明する斜視図である。
【図３】 形状シミュレーションに用いられる概念を説
明する斜視図である。
明する斜視図である。
【図４】 形状シミュレーションの結果を例示する等高
線図である。
線図である。
【図５】 本発明の第１実施例の基本的な考え方を説明
する、半導体素子の断面図である。
する、半導体素子の断面図である。
【図６】 本発明の第１実施例を説明するフローチャー
トである。
トである。
【図７】 本発明の第１実施例を説明するフローチャー
トである。
トである。
【図８】 本発明の第１実施例を説明するフローチャー
トである。
トである。
【図９】 本発明の第１実施例を説明する概念図であ
る。
る。
【図１０】 本発明の第１実施例を説明するフローチャ
ートである。
ートである。
【図１１】 本発明の第１実施例を説明するグラフであ
る。
る。
【図１２】 本発明の第１実施例を説明するグラフであ
る。
る。
【図１３】 本発明の第１実施例を説明するグラフであ
る。
る。
【図１４】 本発明の第１実施例を説明する概念図であ
る。
る。
【図１５】 本発明の第１実施例を説明するフローチャ
ートである。
ートである。
【図１６】 本発明の第１実施例を説明するフローチャ
ートである。
ートである。
【図１７】 本発明の第１実施例を模式的に示すグラフ
である。
である。
【図１８】 本発明の第１実施例を説明するフローチャ
ートである。
ートである。
【図１９】 本発明の第１実施例を説明する断面図であ
る。
る。
【図２０】 本発明の第１実施例を説明するフローチャ
ートである。
ートである。
【図２１】 本発明の第１実施例を説明するフローチャ
ートである。
ートである。
【図２２】 本発明の第３実施例を説明する模式図であ
る。
る。
【図２３】 本発明の第４実施例を説明する模式図であ
る。
る。
【図２４】 従来の技術を示すフローチャートである。
Δｘ 膜厚増減量、Ｉ0 +，Ｉ0 -，Ｊ0 +，Ｊ0 - 領域、Ｄ
+ 第１の状態、Ｄ-第２の状態、ＨIM + 最大値、Ｈ
Im + 最小値、ΔＨ 高低量、ΔＨ／Ｌ 傾斜量。
+ 第１の状態、Ｄ-第２の状態、ＨIM + 最大値、Ｈ
Im + 最小値、ΔＨ 高低量、ΔＨ／Ｌ 傾斜量。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭57−91523（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−222130（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−133326（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−5675（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 1/00 - 1/16
Claims (9)
- 【請求項１】 加工対象の被加工領域に対して実パター
ンの付与を行うために用いられるマスクパターンを補正
する方法であって、 （ａ）前記マスクパターンを作成する工程と、 （ｂ）前記加工対象の凹凸を判断する工程と、 （ｃ）前記凹凸の程度に基づいて前記実パターンの寸法
を予測する工程と、 （ｄ）前記工程（ｃ）の結果に基づいて、前記マスクパ
ターンの寸法に補正量を与えて補正する工程とを備え、 前記実パターンの付与は、前記加工対象上にレジストを
設け、前記レジストに対して前記マスクパターンに基づ
いてレジストを整形することによって行われ、 前記工程（ｃ）は （ｃ−１）前記加工対象が平坦な場合の前記レジストの
膜厚を基準膜厚として、前記被加工領域における前記レ
ジストの膜厚増減量を求める工程と、 （ｃ−２）前記膜厚増減量に基づいて、 前記被加工領域が凹である場合の前記実パターンの寸法
が、前記被加工領域が平坦な場合の前記実パターンと比
較してずれる方向と、前記被加工領域が凸である場合の
前記実パターンの寸法が、前記被加工領域が平坦な場合
の前記実パターンと比較してずれる方向とは逆であると
予測し、 前記被加工領域の凹凸の程度が強い程、前記被加工領域
が平坦な場合と比較して前記実パターンの寸法は大きく
ずれると予測する工程とを有し、 前記加工対象の表面形状は、少なくとも第１の方向及び
前記第１の方向とは逆の第２の方向に広がる基礎範囲に
対する、表面高さとして把握され、 前記工程（ｂ）は （ｂ−１）前記表面高さをシミュレーションによって求
める工程と、 （ｂ−２）前記基礎範囲における前記被加工領域の位置
を特定する工程と、 （ｂ−３）前記被加工領域から前記第１の方向に広がる
第１の領域と、前記第２の方向に広がる第２の領域とを
設定する工程と、 （ｂ−４）前記工程（ｂ−１）の結果に基づいて、前記
第１及び第２の領域のそれぞれについて、前記第１の方
向に関して前記表面高さが増加傾向にある第１の状態が
存在するか、減少傾向にある第２の状態が存在するかを
検出する工程と、 （ｂ−５）前記工程（ｂ−４）の結果に基づいて前記被
加工領域の前記第１及び第２の方向に関する凹凸を判断
する工程とを有し、 前記工程（ｂ−４）は前記第１及び第２の領域のそれぞ
れにおいて、 （ｂ−４−１）前記表面高さの最大値を採る位置を求め
る工程と、 （ｂ−４−２）前記表面高さの最小値を採る位置を求め
る工程と、 （ｂ−４−３）前記最大値から前記被加工領域の前記表
面高さを減じて形状高さを求める工程と、 （ｂ−４−４）前記被加工領域の前記表面高さから前記
最小値を減じて形状深さを求める工程と、 （ｂ−４−５）前記形状高さが前記形状深さよりも大き
い場合に前記第１の状態が存在すると判定する工程と、 （ｂ−４−６）前記形状高さが前記形状深さよりも小さ
い場合に前記第２の状態が存在すると判定する工程とを
含む マスクパターンの作成方法。 - 【請求項２】 前記工程（ｂ−４−５）は、前記形状高
さが前記形状深さよりも大きい場合に、 （ｂ−４−５−１）前記形状高さを第１の値として採用
する工程を備え、 前記工程（ｂ−４−６）は、前記形状高さが前記形状深
さよりも小さい場合に、 （ｂ−４−６−１）前記形状深さに（−１）を乗じた値
を前記第１の値として採用する工程を備え、 前記工程（ｃ−１）は （ｃ−１−１）前記第１の領域の
前記第１の値及び前記第２の領域の前記第１の値の中間
の値を以て高低量とする工程と、 （ｃ−１−２）前記高低量に基づいて前記膜厚増減量を
求める工程とを含み、 前記工程（ｃ−１−２）においては前記高低量の絶対値
が大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大きく、前記高
低量の符号と前記膜厚増減量の符号とは互いに異なる、
請求項１記載の マスクパターンの作成方法。 - 【請求項３】 前記工程（ｃ−１−１）は （ｃ−１−１−１）前記第１の領域における前記第１の
値を前記第１の領域における前記第２の値で除した値と
前記第２の領域における前記第１の値を前記第２の領域
における前記第２の値で除した値との中間の値を以て傾
斜量とする工程を備え、 前記工程（ｃ−１−２）においては前記傾斜量にも基づ
いて前記膜厚増減量が求められ、前記傾斜量の絶対値が
大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大きい、請求項２
記載の マスクパターンの作成方法。 - 【請求項４】 前記工程（ｂ−４−５）は、前記形状高
さが前記形状深さよりも大きい場合に、 （ｂ−４−５−１）前記形状高さを第１の値として採用
する工程と、 （ｂ−４−５−２）前記被加工領域と前記工程（ｂ−４
−１）で求められた位置との前記第１の方向に沿った距
離を第２の値として採用する工程とを備え、 前記工程（ｂ−４−６）は、前記形状高さが前記形状深
さよりも小さい場合に、 （ｂ−４−６−１）前記形状深さに（−１）を乗じた値
を前記第１の値として採用する工程と、 （ｂ−４−６−２）前記被加工領域と前記工程（ｂ−４
−２）で求められた位置との前記第１の方向に沿った距
離を前記第２の値として採用する工程とを備え、 前記工程（ｃ−１）は （ｃ−１−１）前記第１の領域に
おける前記第１の値を前記第１の領域における前記第２
の値で除して得られる第３の値と前記第２の領域におけ
る前記第１の値を前記第２の領域における前記第２の値
で除して得られる第４の値との大小関係に基づいて、前
記第１の領域の前記第１の値及び前記第２の領域の前記
第１の値のいずれかを以て高低量とする工程と、 （ｃ−１−２）前記高低量に基づいて前記膜厚増減量を
求める工程とを含み、 前記工程（ｃ−１−２）においては前記高低量の絶対値
が大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大きく、前記高
低量の符号と前記膜厚増減量の符号とは互いに異なる、
請求項１記載の マスクパターンの作成方法。 - 【請求項５】 前記工程（ｃ−１−１）は （ｃ−１−１−１）前記第３の値と前記第４の値との大
小関係に基づいて、前記第３の値及び前記第４の値のい
ずれかを以て傾斜量とする工程を含み、 前記工程（ｃ−１−２）においては前記傾斜量にも基づ
いて前記膜厚増減量が求められ、前記傾斜量の絶対値が
大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大きい、請求項４
記載の マスクパターンの作成方法。 - 【請求項６】 加工対象の被加工領域に対して実パター
ンの付与を行うために用いられるマスクパターンを補正
する方法であって、 （ａ）前記マスクパターンを作成する工程と、 （ｂ）前記加工対象の凹凸を判断する工程と、 （ｃ）前記凹凸の程度に基づいて前記実パターンの寸法
を予測する工程と、 （ｄ）前記工程（ｃ）の結果に基づいて、前記マスクパ
ターンの寸法に補正量を与えて補正する工程とを備え、 前記実パターンの付与は、前記加工対象上にレジストを
設け、前記レジストに対して前記マスクパターンに基づ
いてレジストを整形することによって行われ、前記工程
（ｃ）は （ｃ−１）前記加工対象が平坦な場合の前記レジストの
膜厚を基準膜厚として 、前記被加工領域における前記レ
ジストの膜厚増減量を求める工程と、 （ｃ−２）前記膜厚増減量に基づいて、 前記被加工領域が凹である場合の前記実パターンの寸法
が、前記被加工領域が平坦な場合の前記実パターンと比
較してずれる方向と、前記被加工領域が凸である場合の
前記実パターンの寸法が、前記被加工領域が平坦な場合
の前記実パターンと比較してずれる方向とは逆であると
予測し、 前記被加工領域の凹凸の程度が強い程、前記被加工領域
が平坦な場合と比較して前記実パターンの寸法は大きく
ずれると予測する工程とを有し、 前記加工対象の表面形状は、Ｉ方向及びこれと直交する
Ｊ方向に広がる基礎範囲に対する、表面高さとして把握
され、 前記工程（ｂ）は （ｂ−１）前記表面高さをシミュレーションによって求
める工程と、 （ｂ−２）前記基礎範囲における前記被加工領域の位置
を特定する工程と、 （ｂ−３）前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関して、
前記被加工領域から正方向に広がる第１の領域と、負方
向に広がる第２の領域とを設定する工程と、 （ｂ−４）前記工程（ｂ−１）の結果に基づいて、前記
Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関して、前記第１及び第
２の領域のそれぞれについて、前記正方向に関して前記
表面高さが増加傾向にある第１の状態にあるか、減少傾
向にある第２の状態にあるかを検出する工程と、 （ｂ−５）前記工程（ｂ−４）の結果に基づいて前記被
加工領域の前記Ｉ方向及び前記Ｊ方向に関する凹凸を判
断する工程とを有し、 前記工程（ｂ−４）は前記第１及び第２の領域のそれぞ
れにおいて、 （ｂ−４−１）前記表面高さの最大値を採る位置を求め
る工程と、 （ｂ−４−２）前記表面高さの最小値を採る位置を求め
る工程と、 （ｂ−４−３）前記最大値から前記被加工領域の前記表
面高さを減じて形状高さを求める工程と、 （ｂ−４−４）前記被加工領域の前記表面高さから前記
最小値を減じて形状深 さを求める工程と、 （ｂ−４−５）前記形状高さが前記形状深さよりも大き
い場合に前記第１の状態が存在すると判定する工程と、 （ｂ−４−６）前記形状高さが前記形状深さよりも小さ
い場合に前記第２の状態が存在すると判定する工程とを
含む マスクパターンの作成方法。 - 【請求項７】 前記工程（ｂ−４−５）は、前記形状高
さが前記形状深さよりも大きい場合に、 （ｂ−４−５−１）前記形状高さを第１の値として採用
する工程と、 （ｂ−４−５−２）前記被加工領域と前記工程（ｂ−４
−１）で求められた位置との前記第１の方向に沿った距
離を第２の値として採用する工程とを備え、 前記工程（ｂ−４−６）は、前記形状高さが前記形状深
さよりも小さい場合に、 （ｂ−４−６−１）前記形状深さに（−１）を乗じた値
を前記第１の値として採用する工程と、 （ｂ−４−６−２）前記被加工領域と前記工程（ｂ−４
−２）で求められた位置との前記第１の方向に沿った距
離を前記第２の値として採用する工程とを備え、 前記工程（ｃ−１）は （ｃ−１−１）前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関
し、前記第１の領域における前記第１の値を前記第１の
領域における前記第２の値で除して得られる第３の値と
前記第２の領域における前記第１の値を前記第２の領域
における前記第２の値で除して得られる第４の値との大
小関係に基づいて、前記第１の領域の前記第１の値及び
前記第２の領域の前記第１の値のいずれかを以て高低量
候補とする工程と、 （ｃ−１−２）前記Ｉ方向及びＪ方向のそれぞれに関
し、前記第３の値と前記第４の値との大小関係に基づい
て、前記第３の値及び前記第４の値のいずれかを以て傾
斜量候補とする工程と、 （ｃ−１−３）複数の前記傾斜量候補のうちで絶対値が
最も大きいものに対応する、前記高低量候補を高低量と
して採用する工程と、 （ｃ−１−４）前記高低量に基づいて前記膜厚増減量を
求める工程とを含み、 前記工程（ｃ−１−４）においては前記高低量の絶対値
が大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大きく、前記高
低量の符号と前記膜厚増減量の符号とは互いに異なる、
請求項６記載の マスクパターンの作成方法。 - 【請求項８】 前記工程（ｃ−１−３）は （ｃ−１−３−１）複数の前記傾斜量候補のうちで絶対
値が最も大きいものを傾斜量として採用する工程を備
え、 前記工程（ｃ−１−４）においては前記傾斜量にも基づ
いて前記膜厚増減量が求められ、前記傾斜量の絶対値が
大きいほど前記膜厚増減量の絶対値も大きい、請求項７
記載の マスクパターンの作成方法。 - 【請求項９】 前記工程（ｂ−３），（ｂ−４），（ｃ
−１−１），（ｃ−１−２）は、前記Ｉ方向及び前記Ｊ
方向のいずれにも等しい角度で交わり、前記Ｉ方向及び
前記Ｊ方向の張る面内において互いに直行する第１及び
第２の方向に対しても実行される、請求項７記載のマス
クパターンの作成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15817695A JP3432639B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | マスクパターンの作成方法 |
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