JP2008310333A - 光近接効果補正のための多変数解法 - Google Patents
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- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 110
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 108
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 50
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 46
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 20
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 244000208734 Pisonia aculeata Species 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 241000251131 Sphyrna Species 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000002165 resonance energy transfer Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
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Abstract
【解決手段】本発明の方法は、どのようにしてマスクレイアウトにおける複数のエッジセグメントの集合的な移動が該レイアウトの複数の制御点でのレジスト像の値を変更するのかを追跡するとともに、該レイアウトにおける各エッジセグメントに対する補正量を決定する。マスクレイアウトの各エッジセグメントの移動の集合的な影響を示すマルチソルバー行列が使用され、マスクレイアウトの各エッジセグメントの補正量が同時に決定される。
【選択図】図6
Description
RI(Ci)−T=0、ただし、i=1、・・・、N、ここでCiは制御点である。
あるいは次の関数、
を最小化することである。
と定義されてもよい。これに代えて、合計EP誤差はすべてのセグメントの最大EP誤差として定義されてもよい。すなわち、
でもよい。OPCの目的はすべてのエッジ位置誤差をある閾値未満にするように設定されてもよいからである。
で特定される。これにより、摂動レイアウトが生成される。ステップ614では、摂動レイアウトを使用してレジスト像のシミュレーションが行われる。
で与えられる。言い換えれば、当初はエッジセグメントは相互作用しないと仮定していることになる。つまり、各エッジセグメントのRI値の変動はそのエッジセグメントにのみ帰属する。対角行列であるから、A0の非対角成分はすべてゼロである。すなわち、
である。
は、各エッジセグメントの補正デルタ値を含む。補正デルタベクトルの補正デルタ値は、目標RI値とステップ616(あるいは後にはステップ622)で決定されるシミュレーションによる最新RI値との偏差をまず計算して、その偏差にマルチソルバー行列の擬似逆行列を掛けることにより決定される。すなわち、
である。ここで、
はn×nマルチソルバー行列の擬似逆行列であり、
は目標RI値を示すn×1ベクトルであり、
は、ベクトル
で特定される位置の値だけエッジセグメントを移動したときのシミュレーションによる最新RI値を示すn×1ベクトルである。kはステップ618の反復回数を示す添字である。
は、
と定義される。ここで、
はマルチソルバー行列の転置であり、Iはn×n単位行列であり、αは単位行列に適用される調整可能な正の倍数因子である。αの値は好ましくはデフォルト値に設定されるが図6の方法の全体特性を最適化するよう調整されてもよい。
である。ここで、A0は対角行列である初期マルチソルバー行列であり、P及びQはn×p行列であり、nはエッジセグメントの数であり、pはP及びQの列の数である。p<<nである。初期値においてはp=0であり、行列P及びQは初期値では空行列である。P及びQの列には、ステップ624で後述するように、マルチソルバー行列への更新値が集められる。更新値の数は反復回数とともに増加するので、行列P及びQに蓄積される更新値の最大数を制限してもよい。例えば、pの最大値がpmaxに制限されてもよく、pmax個の最新の更新値が蓄積される。マルチソルバー行列をこれら3つの成分で表現することにより、マルチソルバー行列を効率的に記憶して、後述のように補正デルタベクトルを効率的に計算することができる。例えばn=1,000,000でありp=10であるとすると、n×nマルチソルバー行列Aを浮動小数点表示を使用してそのまま記憶するにはn×n×4=4兆バイトを消費してしまう。ところが、初期マルチソルバー行列A0の対角成分と行列P及びQを記憶するには、(n+n×p×2)×4=8400万バイトを消費するだけでよい。
ここで、
は対角行列であり、
はn×2p行列であり、
行列であり、
は2p×2p行列である。マルチソルバー行列をまず3つの成分で表現し中間行列を生成することにより、補正デルタベクトルの計算が効率的に行われる。具体的には、上述の等式の
の逆行列が迅速に計算されうる。
は2p×2p行列であり、pは通常10に等しい。例えばn=400,000でありp=10であるとすると、補正デルタベクトルは上述の等式を使用して、400,000×400,000行列の逆行列を計算する代わりに20×20行列の逆行列を計算することにより決定される。マルチソルバー行列が400,000×400,000行列である場合に上述の等式を使用して補正デルタベクトルを計算すれば、およそ1秒間で得られる。これに対して、400,000×400,000行列の逆行列を単に力業で計算した場合には2年以上かかるであろう。更に計算速度を高めるには、Dの逆行列を、
と分析的に計算してもよい。一実施形態においては、反復処理のたびに
を最小化する補正デルタベクトル
が計算される。エッジセグメントに異なる特性または重み係数を割り当てることも可能である。非負の重み係数を対角成分に有する対角行列Wを導入した場合には、
が最小化される。一実施形態においては、数量A及び
が補正デルタベクトルを計算する際に、
に置き換えられる。他の実施形態においては、最適化行列表示
を使用して補正デルタベクトルを計算する際に、数量A0、P、及び
が、
に置き換えられる。初期状態では行列Wは単位行列に等しい。i番目のセグメントに対応するi番目のWの対角成分に大きな重み係数(>>1)が割り当てられた場合には、反復処理のたびに、i番目のセグメントのEPEが残りのセグメントのEPEよりも好ましいことに低減される。i番目のセグメントのEPEは重み係数によって増幅されるからである。
である。減衰係数はゼロと1との間の値であり、エッジセグメントの次の位置が大きく変化しすぎないように補正デルタベクトルに適用される。次いでステップ622では、レイアウトの最新版を使用してレジスト像のシミュレーションが行われる。ステップ624では、マルチソルバー行列が、エッジセグメントの位置変化によって生じたRI値の変化に基づいて更新される。マルチソルバー行列の更新が必要であるのは、マルチソルバー行列が、補正値のRI値に対する変化に線形に関連していてエッジセグメントが移動するときに変化するからである。ベクトル
が
と定義され、ベクトル
が
と定義される場合には、マルチソルバー行列Aを更新するには、
であれば、
が行列Pに新たな列として加えられ、
が行列Qの新たな列として加えられる。この更新の結果、対角行列であった初期マルチソルバー行列Aはもはやそうではなくなる。マルチソルバー行列のi行j列の値は、j番目のエッジセグメントの位置変化によって生じるi番目のエッジセグメントのRI値の線形変化と解釈される。Aを
と表現せずに直接用いる場合には、更新されたマルチソルバー行列は、
であれば、
で得られる。
Claims (18)
- 第1のレジスト像シミュレーション結果を得るべくマスクレイアウトを使用してフォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
初期摂動レイアウトを得るべく前記マスクレイアウトのエッジセグメントの各々を所定量だけ摂動させ、
第2のレジスト像シミュレーション結果を得るべく初期摂動レイアウトを使用して前記フォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
各エッジセグメントについて第1のレジスト像シミュレーション結果と第2のレジスト像シミュレーション結果との間のレジスト像の値の偏差を決定し、
すべてのエッジセグメントについてのレジスト像の値の偏差を含むマルチソルバー行列を生成し、
マルチソルバー行列の擬似逆行列を使用して、各エッジセグメントの補正デルタ値を含む補正デルタベクトルを決定し、
更なる摂動レイアウトを生成すべく、初期摂動レイアウトの各エッジセグメントを補正デルタベクトルの対応する補正デルタ値だけ摂動させ、
第3のレジスト像シミュレーション結果を得るべく前記更なる摂動レイアウトを使用して前記フォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
各エッジセグメントについての第3のレジスト像シミュレーション結果に基づいてマルチソルバー行列を更新し、
更新されたマルチソルバー行列の擬似逆行列を使用して補正デルタベクトルを更新することを含むことを特徴とする方法。 - 第1のレジスト像シミュレーション結果を得るべくマスクレイアウトを使用してフォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
初期摂動レイアウトを得るべく前記マスクレイアウトのエッジセグメントの各々を所定量だけ摂動させ、
第2のレジスト像シミュレーション結果を得るべく初期摂動レイアウトを使用して前記フォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
各エッジセグメントについて第1のレジスト像シミュレーション結果と第2のレジスト像シミュレーション結果との間のレジスト像の値の偏差を決定し、
すべてのエッジセグメントについてのレジスト像の値の偏差を含むマルチソルバー行列を生成し、
マルチソルバー行列の擬似逆行列を使用して、各エッジセグメントの補正デルタ値を含む補正デルタベクトルを決定し、
更なる摂動レイアウトを生成すべく、初期摂動レイアウトの各エッジセグメントを補正デルタベクトルの対応する補正デルタ値だけ摂動させ、
第3のレジスト像シミュレーション結果を得るべく前記更なる摂動レイアウトを使用して前記フォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
各エッジセグメントについての第3のレジスト像シミュレーション結果に基づいてマルチソルバー行列を更新し、
更新されたマルチソルバー行列の擬似逆行列を使用して補正デルタベクトルを更新することを実行するための命令を含むことを特徴とするコンピュータ読取可能媒体。 - 第1のレジスト像シミュレーション結果を得るべくマスクレイアウトを使用してフォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
初期摂動レイアウトを得るべく前記マスクレイアウトのエッジセグメントの各々を所定量だけ摂動させ、
第2のレジスト像シミュレーション結果を得るべく初期摂動レイアウトを使用して前記フォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
各エッジセグメントについて第1のレジスト像シミュレーション結果と第2のレジスト像シミュレーション結果との間のレジスト像の値の偏差を決定し、
すべてのエッジセグメントについてのレジスト像の値の偏差を含むマルチソルバー行列を生成し、
マルチソルバー行列の擬似逆行列を使用して、各エッジセグメントの補正デルタ値を含む補正デルタベクトルを決定し、
更なる摂動レイアウトを生成すべく、初期摂動レイアウトの各エッジセグメントを補正デルタベクトルの対応する補正デルタ値だけ摂動させ、
第3のレジスト像シミュレーション結果を得るべく前記更なる摂動レイアウトを使用して前記フォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
各エッジセグメントについての第3のレジスト像シミュレーション結果に基づいてマルチソルバー行列を更新し、
更新されたマルチソルバー行列の擬似逆行列を使用して補正デルタベクトルを更新することによって位置が定められたエッジセグメントを含むマスクレイアウトのマスクイメージデータ。 - 第1のレジスト像シミュレーション結果を得るべくマスクレイアウトを使用してフォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
初期摂動レイアウトを得るべく前記マスクレイアウトのエッジセグメントの各々を所定量だけ摂動させ、
第2のレジスト像シミュレーション結果を得るべく初期摂動レイアウトを使用して前記フォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
各エッジセグメントについて第1のレジスト像シミュレーション結果と第2のレジスト像シミュレーション結果との間のレジスト像の値の偏差を決定し、
すべてのエッジセグメントについてのレジスト像の値の偏差を含むマルチソルバー行列を生成し、
マルチソルバー行列の擬似逆行列を使用して、各エッジセグメントの補正デルタ値を含む補正デルタベクトルを決定し、
更なる摂動レイアウトを生成すべく、初期摂動レイアウトの各エッジセグメントを補正デルタベクトルの対応する補正デルタ値だけ摂動させ、
第3のレジスト像シミュレーション結果を得るべく前記更なる摂動レイアウトを使用して前記フォトリソグラフィプロセスのシミュレーションを行い、
各エッジセグメントについての第3のレジスト像シミュレーション結果に基づいてマルチソルバー行列を更新し、
更新されたマルチソルバー行列の擬似逆行列を使用して補正デルタベクトルを更新することによって位置が定められたエッジセグメントを含むマスクレイアウトを有するマスク。 - 補正デルタベクトルに含まれる各値に減衰係数を適用することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法、請求項2に記載のコンピュータ読取可能媒体、請求項3に記載のマスクイメージデータ、または請求項4に記載のマスク。
- 前記マスクレイアウトはコンタクトレイヤのレイアウトであることを特徴とする請求項1に記載の方法、請求項2に記載のコンピュータ読取可能媒体、請求項3に記載のマスクイメージデータ、または請求項4に記載のマスク。
- 前記マスクレイアウトはポリレイヤのレイアウトであることを特徴とする請求項1に記載の方法、請求項2に記載のコンピュータ読取可能媒体、請求項3に記載のマスクイメージデータ、または請求項4に記載のマスク。
- 非負の重み係数が各エッジセグメントに割り当てられることを特徴とする請求項1に記載の方法、請求項2に記載のコンピュータ読取可能媒体、請求項3に記載のマスクイメージデータ、または請求項4に記載のマスク。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/764,128 US7707538B2 (en) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | Multivariable solver for optical proximity correction |
US11/764,128 | 2007-06-15 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011005775A Division JP4746719B2 (ja) | 2007-06-15 | 2011-01-14 | 光近接効果補正のための多変数解法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008310333A true JP2008310333A (ja) | 2008-12-25 |
JP4746649B2 JP4746649B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=39930743
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008155897A Active JP4746649B2 (ja) | 2007-06-15 | 2008-06-13 | 光近接効果補正のための多変数解法 |
JP2011005775A Active JP4746719B2 (ja) | 2007-06-15 | 2011-01-14 | 光近接効果補正のための多変数解法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011005775A Active JP4746719B2 (ja) | 2007-06-15 | 2011-01-14 | 光近接効果補正のための多変数解法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7707538B2 (ja) |
EP (1) | EP2053460A2 (ja) |
JP (2) | JP4746649B2 (ja) |
KR (1) | KR100982800B1 (ja) |
CN (2) | CN102221776B (ja) |
SG (1) | SG148945A1 (ja) |
TW (2) | TWI396055B (ja) |
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- 2008-06-10 EP EP08252003A patent/EP2053460A2/en not_active Withdrawn
- 2008-06-11 SG SG200804437-2A patent/SG148945A1/en unknown
- 2008-06-13 JP JP2008155897A patent/JP4746649B2/ja active Active
- 2008-06-13 TW TW097122247A patent/TWI396055B/zh active
- 2008-06-13 KR KR1020080055668A patent/KR100982800B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-13 TW TW102110115A patent/TWI418954B/zh active
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---|---|
US20130311959A1 (en) | 2013-11-21 |
US7707538B2 (en) | 2010-04-27 |
CN102221776B (zh) | 2013-03-13 |
TW200916972A (en) | 2009-04-16 |
US20100161093A1 (en) | 2010-06-24 |
CN101359170A (zh) | 2009-02-04 |
TWI418954B (zh) | 2013-12-11 |
JP2011076119A (ja) | 2011-04-14 |
CN102221776A (zh) | 2011-10-19 |
US20080309897A1 (en) | 2008-12-18 |
KR20080110530A (ko) | 2008-12-18 |
CN101359170B (zh) | 2011-09-14 |
US8938699B2 (en) | 2015-01-20 |
TW201329653A (zh) | 2013-07-16 |
KR100982800B1 (ko) | 2010-09-16 |
SG148945A1 (en) | 2009-01-29 |
US20130042212A1 (en) | 2013-02-14 |
EP2053460A2 (en) | 2009-04-29 |
JP4746719B2 (ja) | 2011-08-10 |
JP4746649B2 (ja) | 2011-08-10 |
TWI396055B (zh) | 2013-05-11 |
US8448099B2 (en) | 2013-05-21 |
US8291352B2 (en) | 2012-10-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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