JPS62144323A - 荷電ビ−ム露光装置 - Google Patents
荷電ビ−ム露光装置Info
- Publication number
- JPS62144323A JPS62144323A JP28426185A JP28426185A JPS62144323A JP S62144323 A JPS62144323 A JP S62144323A JP 28426185 A JP28426185 A JP 28426185A JP 28426185 A JP28426185 A JP 28426185A JP S62144323 A JPS62144323 A JP S62144323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distortion
- control circuit
- electrode
- exposure apparatus
- correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、マルチビーム方式の荷電ビーム露光装置にお
ける歪補正方法に関する。更に詳しくは本発明はレンズ
の歪や試料の変形などによる露光位置ずれ全補正するし
た荷電ビーム露光装置に関する。
ける歪補正方法に関する。更に詳しくは本発明はレンズ
の歪や試料の変形などによる露光位置ずれ全補正するし
た荷電ビーム露光装置に関する。
荷電ビーム露光装置は、一般に第３図に示す構成のを有
している。即ち、電子銃（１）が放出した電子全ビーム
制限アパーチャ（２）と縮小レンズ（３）により点とし
、フィールド走査偏向電槽（５）により試料（６）上に
点ビームを移動し露光する。露光しない所はビームブラ
ンキング電極（４）にょジビームヲ消ス。
している。即ち、電子銃（１）が放出した電子全ビーム
制限アパーチャ（２）と縮小レンズ（３）により点とし
、フィールド走査偏向電槽（５）により試料（６）上に
点ビームを移動し露光する。露光しない所はビームブラ
ンキング電極（４）にょジビームヲ消ス。
つまり荷電ビーム露光装置は描画パターンを一筆書きま
たはそれに近い方法で露光していく。そのため描画パタ
ーンが微細になり描画距離が長くなると露光に要する時
間が長く必要となる。近年、集積回路の素子数の増加に
供い露光に要する時間が長くなジスループツト処理量の
低下が問題となっている。スループットの向上策として
マルチ荷 □電ビーム露光が考えられている。これは一
枚の試料（例えばウェハ）上に同一パターンが複数繰り
返されるのに着目し、第３図に示す露光装置を複数用意
し同時に複数のパターンを描画する方法である。、第４
図はマルチビーム露光の例で、露光装置ｆ７） ’ｅ
９台並べたものを上から見た平面図である。
たはそれに近い方法で露光していく。そのため描画パタ
ーンが微細になり描画距離が長くなると露光に要する時
間が長く必要となる。近年、集積回路の素子数の増加に
供い露光に要する時間が長くなジスループツト処理量の
低下が問題となっている。スループットの向上策として
マルチ荷 □電ビーム露光が考えられている。これは一
枚の試料（例えばウェハ）上に同一パターンが複数繰り
返されるのに着目し、第３図に示す露光装置を複数用意
し同時に複数のパターンを描画する方法である。、第４
図はマルチビーム露光の例で、露光装置ｆ７） ’ｅ
９台並べたものを上から見た平面図である。
露光装置１台の描画範囲は第４図の（８）の範囲と狭い
（全面のイ）ため、描画時間が短かくて済む。
（全面のイ）ため、描画時間が短かくて済む。
（９）は露光装置を移動しないで描画できる範囲である
。次に露光装置に描画信号を送る制御回路を第５図にて
説明する。
。次に露光装置に描画信号を送る制御回路を第５図にて
説明する。
描画情報は圧縮されたデータとしてメモリα〔に記憶さ
れている。このブータラ露光装置に印加できる信号に処
理回路αυで変換しく補正α２は後で説明する）デジタ
ル／アナログ変換器（１３）でアナログ信号とし、増幅
器ｔｔａ金通してフィールド走査偏向電極（第３図（５
））に印加される。ただし高精度の描画をするためには
レンズの歪や試料の膨張などを補正する必要がある。こ
れらを補正するために一般的に行なわれている方法は試
料に付けたマーク位置を読み取シ、正しい位置との差を
読み取九それをメモリに保存しておいて描画時に露光装
置に印加する信号を加減する。これはｗｃＳ図の補正回
路（１のによって行なわ些る。この補正値は描画位置に
より異なるため第４図のマルチビーム露光では露光装置
け）毎に異なった補正値を出す回路が必要となる。従来
は第５図の制御回路ヲ露光装置毎に付けていた。この制
御回路は高制度の位置決めを広範囲に痩って必要とする
ため信号のビット数が多くなる。例えば０．１μｍ単位
で１００簡の範囲をカバーするには２０ｂｉｔの信号が
必要となる。
れている。このブータラ露光装置に印加できる信号に処
理回路αυで変換しく補正α２は後で説明する）デジタ
ル／アナログ変換器（１３）でアナログ信号とし、増幅
器ｔｔａ金通してフィールド走査偏向電極（第３図（５
））に印加される。ただし高精度の描画をするためには
レンズの歪や試料の膨張などを補正する必要がある。こ
れらを補正するために一般的に行なわれている方法は試
料に付けたマーク位置を読み取シ、正しい位置との差を
読み取九それをメモリに保存しておいて描画時に露光装
置に印加する信号を加減する。これはｗｃＳ図の補正回
路（１のによって行なわ些る。この補正値は描画位置に
より異なるため第４図のマルチビーム露光では露光装置
け）毎に異なった補正値を出す回路が必要となる。従来
は第５図の制御回路ヲ露光装置毎に付けていた。この制
御回路は高制度の位置決めを広範囲に痩って必要とする
ため信号のビット数が多くなる。例えば０．１μｍ単位
で１００簡の範囲をカバーするには２０ｂｉｔの信号が
必要となる。
ビット数が多いため回路は高価とな９高速処理は難かし
い。
い。
歪補正回路α２で行なう補正値は１０μｍ以下の値であ
るので０．１μｍ単位で行なう場合７ ｂｉｔあれば良
い、しかし位置信号が前述の通Ｄ ２０ ｂｉｔのため
歪補正回路αａも２０ｂｉｔの加算５乗算回路が必要と
なシ５価格と速度の面で好ましくなかっ魁 〔発明の目的〕 この発明は上述した従来技術の欠点を解決するもので、
歪補正計算に時間を要しないで、制御回路のビット敷金
極力少なくすることができるマルチビーム方式の荷電ビ
ーム露光装ｆｆｌ提供することを目的としている。
るので０．１μｍ単位で行なう場合７ ｂｉｔあれば良
い、しかし位置信号が前述の通Ｄ ２０ ｂｉｔのため
歪補正回路αａも２０ｂｉｔの加算５乗算回路が必要と
なシ５価格と速度の面で好ましくなかっ魁 〔発明の目的〕 この発明は上述した従来技術の欠点を解決するもので、
歪補正計算に時間を要しないで、制御回路のビット敷金
極力少なくすることができるマルチビーム方式の荷電ビ
ーム露光装ｆｆｌ提供することを目的としている。
従来は特開昭５６−４０２４４号公報に示されるように
歪補正を描画位置データに補正を加える方法で行なって
い念が、本発明では歪補正！極を設け、ビーム位置を直
接補正する。具体的には、従来のフィールド走査偏向電
極に描画位置データによる信号のみ全印加し、補正デー
タによる信号は歪補正電極に印加する。電子ビームはフ
ィールド走査偏向電極により描画データによる位置に向
うが、その後の歪補正電極傭過時に位置補正がされ試料
面に到達する。
歪補正を描画位置データに補正を加える方法で行なって
い念が、本発明では歪補正！極を設け、ビーム位置を直
接補正する。具体的には、従来のフィールド走査偏向電
極に描画位置データによる信号のみ全印加し、補正デー
タによる信号は歪補正電極に印加する。電子ビームはフ
ィールド走査偏向電極により描画データによる位置に向
うが、その後の歪補正電極傭過時に位置補正がされ試料
面に到達する。
一般にマルチ荷電ビーム露光装置は１枚の試料に同じパ
ターンが複数ある場合に有効である。つまり１枚のウェ
ハにＩＣのチップを複数描画する場合である。そのため
各露光装置は同時に同じ描画データで動作する。之だし
歪補正は露光装置毎に異るので最終的に露光装置に加わ
る描画データは異ったものとなっていた。
ターンが複数ある場合に有効である。つまり１枚のウェ
ハにＩＣのチップを複数描画する場合である。そのため
各露光装置は同時に同じ描画データで動作する。之だし
歪補正は露光装置毎に異るので最終的に露光装置に加わ
る描画データは異ったものとなっていた。
本発明では露光装置毎に異る歪補正値全第２図に示す様
に分離し念ため、描画位置制御回路は各露光装置に共通
に使える。
に分離し念ため、描画位置制御回路は各露光装置に共通
に使える。
この発明によれば５次の効果が得られる。
描画位置データに補正値を算入する必要がないので。
■フィールド走査偏向電極の制御回路が共用できる。よ
りて回路全体として安価にできる。
りて回路全体として安価にできる。
■補正値を描画位置データに算入す□る計算時間が不要
で、制御回路のデータ読み出しから出力までの時間が短
かくて済む。
で、制御回路のデータ読み出しから出力までの時間が短
かくて済む。
■補正値算入の回路（第５図ｔ１２１に相当する）が不
要となジ、歪補正制御回路は描画位置制御回路よシ少な
いビット数の演算で済む。
要となジ、歪補正制御回路は描画位置制御回路よシ少な
いビット数の演算で済む。
本発明の実施例を第１図に示す、電子銃（１）から放出
された電子はビーム制限アパーチャ（２）と縮小レンズ
（３）により絞られた後フィールド走査偏向電極（５）
によシ描画位置へ曲げられる。その後、電子ビームは、
歪補正電極囮により位置補正が行なわれ、試料（６）の
表面に達する。本発明の特徴は従来無かった歪補正電極
ｑＱ全マルチビーム露光装置の各々に設けたことである
。その念め従来、フィールド走査偏向電極（５）の制御
回路（第５図）に歪補正音訓えてい念のが不要と々シ、
描画位置信号による制御のみで済む、よって第２図の描
画位置制御回路Ａの出力信号をマルチビームの露光装置
に並列に接続できる。描画位置信号は高精度が要求され
るため信号の有効桁が多く高速処理は難かしい、そのた
め回路は高価となる。従来さらに補正回路により複雑と
なっていた。第１図の歪補正電極ｄ６）用の歪補正制御
回路は第２図に於いてＢに示すように構成されている。
された電子はビーム制限アパーチャ（２）と縮小レンズ
（３）により絞られた後フィールド走査偏向電極（５）
によシ描画位置へ曲げられる。その後、電子ビームは、
歪補正電極囮により位置補正が行なわれ、試料（６）の
表面に達する。本発明の特徴は従来無かった歪補正電極
ｑＱ全マルチビーム露光装置の各々に設けたことである
。その念め従来、フィールド走査偏向電極（５）の制御
回路（第５図）に歪補正音訓えてい念のが不要と々シ、
描画位置信号による制御のみで済む、よって第２図の描
画位置制御回路Ａの出力信号をマルチビームの露光装置
に並列に接続できる。描画位置信号は高精度が要求され
るため信号の有効桁が多く高速処理は難かしい、そのた
め回路は高価となる。従来さらに補正回路により複雑と
なっていた。第１図の歪補正電極ｄ６）用の歪補正制御
回路は第２図に於いてＢに示すように構成されている。
メモリａ９内に歪補正値が貯えられている。描画位置制
御回路（５）の描画位置信号によりメモＩＪ （Ｌ！１
９から補正値を読み出し、処理回路１７）に送る。処理
回路は補正値を電極に印加できる信号に変換する。例え
ば加速電圧等の露光装置の条件によシ係数を掛けるなど
を行なう、処理された出力信号はＤＡＣＨによりアナロ
グ信号に変換して増幅器ＣＩ’ｌ１通して歪補正電極α
ｅに印加する。この歪補正制御回路は露光装置毎に必要
であるが、歪補正値は描画位置データに比べ桁数が少な
くて済み、低価格で構成できる。そして桁数が少ないた
め高速処理可能である。
御回路（５）の描画位置信号によりメモＩＪ （Ｌ！１
９から補正値を読み出し、処理回路１７）に送る。処理
回路は補正値を電極に印加できる信号に変換する。例え
ば加速電圧等の露光装置の条件によシ係数を掛けるなど
を行なう、処理された出力信号はＤＡＣＨによりアナロ
グ信号に変換して増幅器ＣＩ’ｌ１通して歪補正電極α
ｅに印加する。この歪補正制御回路は露光装置毎に必要
であるが、歪補正値は描画位置データに比べ桁数が少な
くて済み、低価格で構成できる。そして桁数が少ないた
め高速処理可能である。
上述した第１図の実施例ではフィールド走査偏向電極（
５）の次に歪補正電楓ａｅ＊設けているが、この順序は
逆でも良い。つまりこの発明は歪補正電極を新たに設け
たことを特徴としているので、歪補正電極の位置や、他
の電極の構成の違いなどに制約されるものではない。
５）の次に歪補正電楓ａｅ＊設けているが、この順序は
逆でも良い。つまりこの発明は歪補正電極を新たに設け
たことを特徴としているので、歪補正電極の位置や、他
の電極の構成の違いなどに制約されるものではない。
第２図の増幅器Ｉは負荷に応じ複数台付けても良い、第
１図および第２図でフィールド走査偏向電極が１つであ
るが、主偏向と副偏向の２つを付けても良い。
１図および第２図でフィールド走査偏向電極が１つであ
るが、主偏向と副偏向の２つを付けても良い。
第１図は本発明の一実施例によるＵ光装置上水す構成図
、第２図は、第１図の装置に用いられる制御回路を示す
ブロック図、第３図は従来の露光装置を示す構成図、第
４図はマルチビーム露光装置による露光範囲を示す説明
図、第５図は従来の露光装置の制御回路を示すブロック
図である。 １：電子銃、２：ビーム制限アパーチャ、３：縮小レン
ズ、４ニブランキング°礪極、５：フィールド走査偏向
電極、６：試料、７：ｊｌ！光装置、８：描画範囲、９
：固定で描画可能範囲、１０：メモリ。 １１：処理回路、１２：補正回路、１３：デジタル／ア
ナログ変換器、１４：増幅器、１５：メモＩＪ、１６：
歪補正尻極、１７：処理回路、１８：デジタルｉナログ
変換器、１９：増幅器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第１図 ゛ 第２図 第３図 第４図
、第２図は、第１図の装置に用いられる制御回路を示す
ブロック図、第３図は従来の露光装置を示す構成図、第
４図はマルチビーム露光装置による露光範囲を示す説明
図、第５図は従来の露光装置の制御回路を示すブロック
図である。 １：電子銃、２：ビーム制限アパーチャ、３：縮小レン
ズ、４ニブランキング°礪極、５：フィールド走査偏向
電極、６：試料、７：ｊｌ！光装置、８：描画範囲、９
：固定で描画可能範囲、１０：メモリ。 １１：処理回路、１２：補正回路、１３：デジタル／ア
ナログ変換器、１４：増幅器、１５：メモＩＪ、１６：
歪補正尻極、１７：処理回路、１８：デジタルｉナログ
変換器、１９：増幅器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第１図 ゛ 第２図 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）複数の荷電ビーム光学系で試料に微細パターンを
描画する荷電ビーム露光装置において、前記荷電ビーム
光学系の偏向歪や前記試料の変形を補正する歪補正電極
を各光学系に備えたことを特徴とする荷電ビーム露光装
置。 - （２）特許請求範囲第１項記載の装置において、描画位
置制御電極へは共通の信号を加へ歪補正電極へは各光学
系に対して個別の補正信号を加える構成としたことを特
徴とする荷電ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28426185A JPS62144323A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28426185A JPS62144323A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144323A true JPS62144323A (ja) | 1987-06-27 |
Family
ID=17676233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28426185A Pending JPS62144323A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 荷電ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144323A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100363734B1 (ko) * | 1999-02-24 | 2002-12-11 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 전자빔 노광 시스템, 전자빔 노광 시스템용 마스크 및전자빔 노광방법 |
| US9236224B2 (en) | 2013-04-26 | 2016-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus and method of manufacturing article |
| US9455124B2 (en) | 2013-04-30 | 2016-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus, and method of manufacturing article |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP28426185A patent/JPS62144323A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100363734B1 (ko) * | 1999-02-24 | 2002-12-11 | 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤 | 전자빔 노광 시스템, 전자빔 노광 시스템용 마스크 및전자빔 노광방법 |
| US9236224B2 (en) | 2013-04-26 | 2016-01-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus and method of manufacturing article |
| US9455124B2 (en) | 2013-04-30 | 2016-09-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus, and method of manufacturing article |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI553689B (zh) | 多重荷電粒子束描繪裝置及多重荷電粒子束描繪方法 | |
| US4291231A (en) | Electron beam exposure system and an apparatus for carrying out the same | |
| JP2842737B2 (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
| US6218060B1 (en) | Electron beam exposure method and electron beam exposure apparatus | |
| US4396901A (en) | Method for correcting deflection distortion in an apparatus for charged particle lithography | |
| JPS62144323A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| US3855023A (en) | Manufacture of masks | |
| US3718914A (en) | Data storage system utilizing particle beam for reading information | |
| JP3285645B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JPH0669112A (ja) | 透過マスク板 | |
| JP3155050B2 (ja) | 荷電粒子ビームを用いた露光方法 | |
| JPH0536594A (ja) | 露光処理システム装置，荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH05299328A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| JPH0542808B2 (ja) | ||
| JP3105657B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| US20230091222A1 (en) | Multi-electron beam inspection apparatus, multipole array control method, and multi-electron beam inspection method | |
| JPS6221216A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH06132205A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置 | |
| JPH0727854B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS636140B2 (ja) | ||
| JPS59189627A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
| JP3340595B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPS61134016A (ja) | 電子ビ−ム露光における制御装置 | |
| JPS6276619A (ja) | マルチ荷電ビ−ム描画装置 | |
| JP2815965B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び露光装置 |