JPS6298724A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JPS6298724A JPS6298724A JP60237498A JP23749885A JPS6298724A JP S6298724 A JPS6298724 A JP S6298724A JP 60237498 A JP60237498 A JP 60237498A JP 23749885 A JP23749885 A JP 23749885A JP S6298724 A JPS6298724 A JP S6298724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- data
- pattern
- electrooptical
- beam lithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（５１ｎｎｔｎ 手＋ｌ ｍ ム［、’Ｔ本発明
は半導体デバイス製造のりソゲラフイエ程に用いられる
電子線描画装置にかかわり、特に、低価格化、高スルー
プツト化を実現するのに好適なシステム、構成を有する
電子線描画装置に関する。
は半導体デバイス製造のりソゲラフイエ程に用いられる
電子線描画装置にかかわり、特に、低価格化、高スルー
プツト化を実現するのに好適なシステム、構成を有する
電子線描画装置に関する。
半導体デバイスの高集積化、微細化に伴い、リソグラフ
ィ技術には、電子ビームを細く絞り、レジストを塗布し
たウェハ上に直接にパターンを描く電子線直接描画が不
可欠となってきた。この電子線直接描画法は、微細パタ
ーン形成には威力を発揮するが、描画速度が遅い欠点が
あり、大量生産向きのデバイス生産ラインに実用される
技術とはなっていない。
ィ技術には、電子ビームを細く絞り、レジストを塗布し
たウェハ上に直接にパターンを描く電子線直接描画が不
可欠となってきた。この電子線直接描画法は、微細パタ
ーン形成には威力を発揮するが、描画速度が遅い欠点が
あり、大量生産向きのデバイス生産ラインに実用される
技術とはなっていない。
一方、電子線描画装置の高速度化のため、１）制御回路
系の高速化技術、１１）可変面積形電子光学系（以上２
点に関しては、例えば下記文献１参照）、１１１）ステ
ージ連続移動方式（例えば下記文献２参照）等、多くの
高度な要素技術が過去に開発された。
系の高速化技術、１１）可変面積形電子光学系（以上２
点に関しては、例えば下記文献１参照）、１１１）ステ
ージ連続移動方式（例えば下記文献２参照）等、多くの
高度な要素技術が過去に開発された。
文献ｌ ： Ｋ、ナカム５ （Ｋ、 Ｎａｋａ ｍｕｒ
ａ ）ほかによる［アハイ スピードハイ プレセシジ
ョンエレクトロンビーム リソグラフィ システム（Ａ
ｈｉｇｈ ５ｐｅｅｄ、 ｈｉｇｈ ｐｒｅｃｉｓｉｏ
ｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ ｌｉｔｈｏｇｒａｐ
ｈｙｓｙｓｔｅｍ ）Ｊ、ジャーナルオブヴアキュアム
サイエンスアンドテクノロジー（Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃ
ｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 ）Ｂ ３ （１１ｐ９４ Ｊ
ａｎ／Ｆｅｂ １９８５文献２：エイチジェーキング（
Ｈ，Ｊ Ｋｉｎｇ ）ほかによる［アンエレクトロンビ
ーム リソグラフィ システムフォサブミクロン Ｖ
Ｈ，Ｓ Ｉ Ｃデバイ７、７７ブリケーンヨ７ （Ａｎ
ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ Ｉｉｔｈｏｇｒａｐ−
ｈｙ ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ Ｖ
Ｈ３Ｉ Ｃｄｅｖｉｃｅ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ月、
シャーナルオブヴアキュアムサイエンスアンド チク１
０ジー（Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、
） Ｂ ３ （１）ｐ １０６Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９８
５ しかしながら、これら要素技術の最高の組み合わ。
ａ ）ほかによる［アハイ スピードハイ プレセシジ
ョンエレクトロンビーム リソグラフィ システム（Ａ
ｈｉｇｈ ５ｐｅｅｄ、 ｈｉｇｈ ｐｒｅｃｉｓｉｏ
ｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ ｌｉｔｈｏｇｒａｐ
ｈｙｓｙｓｔｅｍ ）Ｊ、ジャーナルオブヴアキュアム
サイエンスアンドテクノロジー（Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃ
ｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、 ）Ｂ ３ （１１ｐ９４ Ｊ
ａｎ／Ｆｅｂ １９８５文献２：エイチジェーキング（
Ｈ，Ｊ Ｋｉｎｇ ）ほかによる［アンエレクトロンビ
ーム リソグラフィ システムフォサブミクロン Ｖ
Ｈ，Ｓ Ｉ Ｃデバイ７、７７ブリケーンヨ７ （Ａｎ
ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ Ｉｉｔｈｏｇｒａｐ−
ｈｙ ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ Ｖ
Ｈ３Ｉ Ｃｄｅｖｉｃｅ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ月、
シャーナルオブヴアキュアムサイエンスアンド チク１
０ジー（Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、
） Ｂ ３ （１）ｐ １０６Ｊａｎ／Ｆｅｂ １９８
５ しかしながら、これら要素技術の最高の組み合わ。
せをもってしても、１系統の制御回路系か１系統の電子
光学系を制御するという従来の構成では、技術限界のた
めにシステム当りのスループットハ、４〜５″ウエハ換
算で２０〜３０枚／時が上限と見積もられる。また、描
画システム当りの価格も非常−に高価なものとなり、生
産装置として採算がとれないものとなっている。
光学系を制御するという従来の構成では、技術限界のた
めにシステム当りのスループットハ、４〜５″ウエハ換
算で２０〜３０枚／時が上限と見積もられる。また、描
画システム当りの価格も非常−に高価なものとなり、生
産装置として採算がとれないものとなっている。
本発明の目的は、従来の描画システムのもつ前記の欠点
をなくし、電子線描画法の微細加工性を損うことなく、
高スループツトで安価な電子線描画を行いうるシステム
構成を有する電子線描画装置を提供することにある。
をなくし、電子線描画法の微細加工性を損うことなく、
高スループツトで安価な電子線描画を行いうるシステム
構成を有する電子線描画装置を提供することにある。
前述のごとく、従来の電子線描画装置は、す−て、１系
統の制御回路系（制御計算機とパターンデータ制御系と
からなる）が、１系統の電子光学系（電子光学鏡筒、ス
テージ・ローダ系、真空系等からなる）を制御するもの
であった。この方式では、各サブシステムの技術がいか
に向上してもスループットの向上と装置価格の低下には
限界がある。
統の制御回路系（制御計算機とパターンデータ制御系と
からなる）が、１系統の電子光学系（電子光学鏡筒、ス
テージ・ローダ系、真空系等からなる）を制御するもの
であった。この方式では、各サブシステムの技術がいか
に向上してもスループットの向上と装置価格の低下には
限界がある。
本発明は、個々に偏向歪補正メモリを有する複数個の電
子光学系を、ｌ系統のパターンデータ制御系で制御する
ようにシステムを構成し、これによって上記問題の解決
を図ったものである。
子光学系を、ｌ系統のパターンデータ制御系で制御する
ようにシステムを構成し、これによって上記問題の解決
を図ったものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は第１の実施例のシステム構成を示すブロック図
である。本実施例は、メモリ等の大量生産が必要なデバ
イス用の電子線描画に適したシステムである。すなわち
、本実施例は、１系統の制ｉ卸計算機１とパターンデー
タ用のバッファメモリ２）およびデータ分解回路３が、
個々に偏向歪補正回路４〜６を有する複数個の電子光学
系７〜９を同時に制御するシステム構成となっている。
である。本実施例は、メモリ等の大量生産が必要なデバ
イス用の電子線描画に適したシステムである。すなわち
、本実施例は、１系統の制ｉ卸計算機１とパターンデー
タ用のバッファメモリ２）およびデータ分解回路３が、
個々に偏向歪補正回路４〜６を有する複数個の電子光学
系７〜９を同時に制御するシステム構成となっている。
なお、図面では、パターンを描画する電子光学系が３系
統の場合を示したが、３系統に限られるものではない。
統の場合を示したが、３系統に限られるものではない。
さて、本実施例では、制御計算機１を通じて、描画すべ
きパターンのデータがバッファメモリ２（こ蓄えられる
。描画開始の命令と同時に、パターンデータは、電子光
学系のフィールド、サブフィーバ、ン シーツ耶・１４
畳ｒ咋Ｉ−プ ご−ｈＬＸ妨量口々りにより露光単位図
形に分解される。この分解さねたデータは、あらかじめ
各電子光学系ごとに求められていた偏向歪を補正するよ
うに設定された偏向歪補正回路４〜６を通して、それぞ
れの電子光学系７〜９に出力され、それぞれの電子光学
系内に装填されたウェハにパターンを描く。なお、電子
光学系は、たとえ全く同一に設計されていたとしても、
中を走る電子ビームの偏向歪は個々の光学系ごとに微妙
な相異があるので、上記のごとく、光学系ごとに異なっ
た歪補正が必要である。
きパターンのデータがバッファメモリ２（こ蓄えられる
。描画開始の命令と同時に、パターンデータは、電子光
学系のフィールド、サブフィーバ、ン シーツ耶・１４
畳ｒ咋Ｉ−プ ご−ｈＬＸ妨量口々りにより露光単位図
形に分解される。この分解さねたデータは、あらかじめ
各電子光学系ごとに求められていた偏向歪を補正するよ
うに設定された偏向歪補正回路４〜６を通して、それぞ
れの電子光学系７〜９に出力され、それぞれの電子光学
系内に装填されたウェハにパターンを描く。なお、電子
光学系は、たとえ全く同一に設計されていたとしても、
中を走る電子ビームの偏向歪は個々の光学系ごとに微妙
な相異があるので、上記のごとく、光学系ごとに異なっ
た歪補正が必要である。
本実施例では、バッファメモリ２に蓄えられたデータに
より描画されるので、すべてのウェハには同時に同じパ
ターンが描画される。ここで、本実施例の効果を見積も
ってみると、次のようになる。電子光学系１台当りのス
ループットを仮りに３０枚／時とすると、電子光学系が
ｎ系統接続されれば、システムのスループットは３０×
ｎ枚／時と増大する。また、装置価格は、制御計算機１
からデータ分解回路３までの制御系と、偏向歪補正回路
および電子光学系の１系統とがほぼ同価格であるので、
ｎが大きい場合、例えばｎ＝５の場合は、スループット
当りに換算すると、装置価格は従来形に比べて約１／２
に減少する。
より描画されるので、すべてのウェハには同時に同じパ
ターンが描画される。ここで、本実施例の効果を見積も
ってみると、次のようになる。電子光学系１台当りのス
ループットを仮りに３０枚／時とすると、電子光学系が
ｎ系統接続されれば、システムのスループットは３０×
ｎ枚／時と増大する。また、装置価格は、制御計算機１
からデータ分解回路３までの制御系と、偏向歪補正回路
および電子光学系の１系統とがほぼ同価格であるので、
ｎが大きい場合、例えばｎ＝５の場合は、スループット
当りに換算すると、装置価格は従来形に比べて約１／２
に減少する。
本発明の他の実施例のブロック図を第２図に示す。本実
施例は、カスタムＬＳＩ等の小量多品種デバイス用の電
子線描画に適したシステムである本実施例の第１の実施
例との差異は、ツクターンデータ用のバッファメモリと
データ分解回路の順序を逆転した点である。すなわち、
本実施例では、データ分解回路３で分解されたデータを
、ノ＜・ソファメモリ２．２’、 ２’に蓄える構成と
なっている。
施例は、カスタムＬＳＩ等の小量多品種デバイス用の電
子線描画に適したシステムである本実施例の第１の実施
例との差異は、ツクターンデータ用のバッファメモリと
データ分解回路の順序を逆転した点である。すなわち、
本実施例では、データ分解回路３で分解されたデータを
、ノ＜・ソファメモリ２．２’、 ２’に蓄える構成と
なっている。
また、メモリが電子光学系ごとに設置されているこのよ
うな構成にすると、バッファメモリ２．２’。
うな構成にすると、バッファメモリ２．２’。
２“にあらかじめ異なったＬＳＩのデータを蓄えておけ
ば、電子光学系ごとに異なったパターンを描画できるの
で、多品種の同時描画が可能となる。
ば、電子光学系ごとに異なったパターンを描画できるの
で、多品種の同時描画が可能となる。
本実施例は、装置価格的には第１の実施例に比べると電
子光学系ごとにメモリが必要な分だけ高価となるが、全
体的には、価格上昇は大した額ではない。
子光学系ごとにメモリが必要な分だけ高価となるが、全
体的には、価格上昇は大した額ではない。
なお、以上説明した電子線描画装置のシステム構成は、
イオンビームによるリングラフィやドーピングの装置に
も適用できることは言うまでもない。
イオンビームによるリングラフィやドーピングの装置に
も適用できることは言うまでもない。
本発明によれば、電子線描画装置において、ｌ系統の制
御回路系が複数の電子光学系を制御することによって、
スループットの向上と装置の低価格化が同時（こ実現で
きる。すなわち、実施例で説明したように、１系統の制
御回路系がｎ系統の電子光学系を制御する場合は、シス
テムとしてのスループットがｎ倍化するとともに、電子
光学系当りの装置価格はほぼ半減する。この効果によっ
て、実際のデバイス工場の生産ラインにおける電子線描
画が現実的なものとなる。
御回路系が複数の電子光学系を制御することによって、
スループットの向上と装置の低価格化が同時（こ実現で
きる。すなわち、実施例で説明したように、１系統の制
御回路系がｎ系統の電子光学系を制御する場合は、シス
テムとしてのスループットがｎ倍化するとともに、電子
光学系当りの装置価格はほぼ半減する。この効果によっ
て、実際のデバイス工場の生産ラインにおける電子線描
画が現実的なものとなる。
第１図、第２図は、それぞれ本発明による電子線描画装
置の実施例のシステム構成を示すブロック図である。 符号の説明 １・・・制御計算機 ２）２’、 ２“・・・バッファメモリ３・・・データ
分解回路 ４、５．６・・・偏向歪補正回路 ７、８．９・・・電子光学系
置の実施例のシステム構成を示すブロック図である。 符号の説明 １・・・制御計算機 ２）２’、 ２“・・・バッファメモリ３・・・データ
分解回路 ４、５．６・・・偏向歪補正回路 ７、８．９・・・電子光学系
Claims (3)
- （１）点状または可変面積の電子ビームを用いてウェハ
またはマスク上にパターンを描画する電子線描画装置に
おいて、個々に偏向歪補正メモリを有する複数個の電子
光学系を、１系統のパターンデータ制御系で制御する構
成としたことを特徴とする電子線描画装置。 - （２）特許請求の範囲第１項に記載の電子線描画装置に
おいて、１系統のパターンデータ制御系内にパターンデ
ータメモリを有することを特徴とする電子線描画装置。 - （３）特許請求の範囲第１項に記載の電子線描画装置に
おいて、複数個の電子光学系が個々にパターンデータメ
モリを有することを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237498A JPS6298724A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 電子線描画装置 |
| DE8686114612T DE3684228D1 (de) | 1985-10-25 | 1986-10-22 | Geladenes teilchenstrahl-lithographiesystem. |
| EP86114612A EP0220668B1 (en) | 1985-10-25 | 1986-10-22 | Charged particle beam lithography system |
| US06/922,891 US4829444A (en) | 1985-10-25 | 1986-10-24 | Charged particle beam lithography system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60237498A JPS6298724A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298724A true JPS6298724A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17016205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60237498A Pending JPS6298724A (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 電子線描画装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4829444A (ja) |
| EP (1) | EP0220668B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6298724A (ja) |
| DE (1) | DE3684228D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6420619A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Toshiba Corp | Electron beam aligner |
| US5895924A (en) * | 1995-04-06 | 1999-04-20 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure method and apparatus |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089774A (en) * | 1989-12-26 | 1992-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus and a method for checking a semiconductor |
| JP3728015B2 (ja) | 1996-06-12 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| US6184524B1 (en) | 1996-08-07 | 2001-02-06 | Gatan, Inc. | Automated set up of an energy filtering transmission electron microscope |
| US5798524A (en) * | 1996-08-07 | 1998-08-25 | Gatan, Inc. | Automated adjustment of an energy filtering transmission electron microscope |
| JP2867982B2 (ja) * | 1996-11-29 | 1999-03-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
| JPH11329928A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置 |
| JP3982913B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2007-09-26 | 株式会社アドバンテスト | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| JP4251784B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2009-04-08 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、照射位置算出方法 |
| JP2005276869A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置。 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124234A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-29 | Hitachi Ltd | Correcting method for electron beam deflection |
| US4430571A (en) * | 1981-04-16 | 1984-02-07 | Control Data Corporation | Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system |
| JPS57180128A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Toshiba Corp | Equipment for electron beam exposure |
| US4390789A (en) * | 1981-05-21 | 1983-06-28 | Control Data Corporation | Electron beam array lithography system employing multiple parallel array optics channels and method of operation |
| US4433384A (en) * | 1981-10-05 | 1984-02-21 | Varian Associates, Inc. | Pattern data handling system for an electron beam exposure system |
| US4694178A (en) * | 1985-06-28 | 1987-09-15 | Control Data Corporation | Multiple channel electron beam optical column lithography system and method of operation |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60237498A patent/JPS6298724A/ja active Pending
-
1986
- 1986-10-22 DE DE8686114612T patent/DE3684228D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-22 EP EP86114612A patent/EP0220668B1/en not_active Expired
- 1986-10-24 US US06/922,891 patent/US4829444A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6420619A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Toshiba Corp | Electron beam aligner |
| US5895924A (en) * | 1995-04-06 | 1999-04-20 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure method and apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0220668B1 (en) | 1992-03-11 |
| US4829444A (en) | 1989-05-09 |
| DE3684228D1 (de) | 1992-04-16 |
| EP0220668A2 (en) | 1987-05-06 |
| EP0220668A3 (en) | 1989-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9336986B2 (en) | Electron beam data storage system and method for high volume manufacturing | |
| EP0002957B1 (en) | Electron beam exposure apparatus | |
| US6262429B1 (en) | Raster shaped beam, electron beam exposure strategy using a two dimensional multipixel flash field | |
| US6107207A (en) | Procedure for generating information for producing a pattern defined by design information | |
| JPS6298724A (ja) | 電子線描画装置 | |
| EP1060498A1 (en) | A method and apparatus that determines charged particle beam shape codes | |
| US6259106B1 (en) | Apparatus and method for controlling a beam shape | |
| US6200710B1 (en) | Methods for producing segmented reticles | |
| US20020104970A1 (en) | Raster shaped beam, electron beam exposure strategy using a two dimensional multipixel flash field | |
| JPH0691005B2 (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
| Yasuda et al. | Fast electron beam lithography system with 1024 beams individually controlled by blanking aperture array | |
| US11443918B2 (en) | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus | |
| JPS60262419A (ja) | パタ−ン形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH0536594A (ja) | 露光処理システム装置，荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JP2894746B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
| JP3247700B2 (ja) | 走査形投影電子線描画装置および方法 | |
| JP3290699B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS62149126A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| JP2553102B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP3293854B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置，その偏向データ作成方法及び荷電粒子ビーム露光方法 | |
| US7105844B2 (en) | Method for eliminating low frequency error sources to critical dimension uniformity in shaped beam writing systems | |
| JPS60167328A (ja) | 露光方法 | |
| JP2992081B2 (ja) | パターン作成装置 | |
| Matsuzaka et al. | A high speed nanometric electron beam lithography system | |
| JPS59139625A (ja) | 電子線描画装置 |