JPS60262419A - パタ−ン形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
パタ−ン形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS60262419A JPS60262419A JP59118462A JP11846284A JPS60262419A JP S60262419 A JPS60262419 A JP S60262419A JP 59118462 A JP59118462 A JP 59118462A JP 11846284 A JP11846284 A JP 11846284A JP S60262419 A JPS60262419 A JP S60262419A
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- beams
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子ビームを用いたパターン形成装置に関す
るものである。さらに詳しくは、半導体装置、特にＶＬ
ＳＩ製造におけるサブミクロンパターン描画に使用する
装置に関するものである。
るものである。さらに詳しくは、半導体装置、特にＶＬ
ＳＩ製造におけるサブミクロンパターン描画に使用する
装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
現在、電子ビーム描画装置は、主としてＶＬＳＩ製造用
のホトマスク製作に使用されているが、サブミクロンパ
ターンの描画ができることにより、将来のＶＬＳ Ｉ製
造装置として有望視されている。
のホトマスク製作に使用されているが、サブミクロンパ
ターンの描画ができることにより、将来のＶＬＳ Ｉ製
造装置として有望視されている。
ところが、現在の電子ビーム描画装置は、電子ビーム１
本で１チツプづつ描画しているため、半導体基板（以下
ウニ・・−という）上に多数のチップを形成するような
直接描画に使用するのは不適当である。す々わち、現在
の電子ビーム描画装置では、５インチ−ウェハー上に全
面露光するのにおよそ１時間くらい必要とし、光学装置
であるステッパー等とくらべて、スループットが格段に
低（、ＶＬＳＩ製造においてウエノ為−上に直接パター
ンを描画する場合パターン描画能率が非常に悪い欠点が
あった・ 発明の目的 本発明は、上述の従来の電子ビーム描画装置の欠点を改
良すべくなされたものである。すなわち、複数本の電子
ビームを同時に用いて複数チップ同時に描画することが
可能な電子ビーム描画装置を提供し、ＶＬＳＩ製造にお
けるパターン直接描画能率の向上を計ることを目的とし
たものである。
本で１チツプづつ描画しているため、半導体基板（以下
ウニ・・−という）上に多数のチップを形成するような
直接描画に使用するのは不適当である。す々わち、現在
の電子ビーム描画装置では、５インチ−ウェハー上に全
面露光するのにおよそ１時間くらい必要とし、光学装置
であるステッパー等とくらべて、スループットが格段に
低（、ＶＬＳＩ製造においてウエノ為−上に直接パター
ンを描画する場合パターン描画能率が非常に悪い欠点が
あった・ 発明の目的 本発明は、上述の従来の電子ビーム描画装置の欠点を改
良すべくなされたものである。すなわち、複数本の電子
ビームを同時に用いて複数チップ同時に描画することが
可能な電子ビーム描画装置を提供し、ＶＬＳＩ製造にお
けるパターン直接描画能率の向上を計ることを目的とし
たものである。
発明の構成
本発明は、真空室内に複数本の電子ビームを発生する電
子銃部と、収束コイルと、前記電子ビームを走査するだ
めの走査コイルと、半導体基板を設置するだめのステー
ジを備え、前記複数本の電子ビーム走査と前記ステージ
移動をコンピュータ制御することを特徴とした電子ビー
ム描画装置およびこの装置を用いて複数チップを同時に
描画することにより、半導体装置特にＶＬＳＩ製造にお
けるサブミクロンパターンを、半導体ウエノ・−上へ直
接描画するときの描画能率を大幅に向上させたことを特
徴とする。
子銃部と、収束コイルと、前記電子ビームを走査するだ
めの走査コイルと、半導体基板を設置するだめのステー
ジを備え、前記複数本の電子ビーム走査と前記ステージ
移動をコンピュータ制御することを特徴とした電子ビー
ム描画装置およびこの装置を用いて複数チップを同時に
描画することにより、半導体装置特にＶＬＳＩ製造にお
けるサブミクロンパターンを、半導体ウエノ・−上へ直
接描画するときの描画能率を大幅に向上させたことを特
徴とする。
実施例の説明
例えば、第１図に示すように、真空室１内に単ビームを
出す複数個（この場合は、３コの例を示スカ、４コ、１
６コ・・・・・・等多い程良い。なお、理想はウェノ・
畦のチップ数と同じ数だけ設置しておけば１度にウェノ
・−上全面のパターン描画が可能） となることは言うまでもない。）のワンガンワンビーム
電子銃２よりなる電子銃部３．ブランキングユニット４
．収束レンズ５．走査コイル７および半導体基板８を設
置するだめのステージ９よりなるパターン描画装置を製
作する。
出す複数個（この場合は、３コの例を示スカ、４コ、１
６コ・・・・・・等多い程良い。なお、理想はウェノ・
畦のチップ数と同じ数だけ設置しておけば１度にウェノ
・−上全面のパターン描画が可能） となることは言うまでもない。）のワンガンワンビーム
電子銃２よりなる電子銃部３．ブランキングユニット４
．収束レンズ５．走査コイル７および半導体基板８を設
置するだめのステージ９よりなるパターン描画装置を製
作する。
このとき、コンピュータ１ｏで電子ビーム１１の走査お
よびステージ９の移動を制御できるようにしておく。
よびステージ９の移動を制御できるようにしておく。
以上のパターン描画装置に電子ビームレジストをコート
したウニ・・−を設置し、同時に３本の電子ビーム１１
でビームの走査をコンピュータ制御しながら、同時に３
チツプ分の描画を並行して進める。３チツプ分の描画が
終れば、コンピュータ制御しながらステージを次の３チ
ツプの位置まで移動させ、再び同じように描画をし、以
後、同じく描画・移動をくり返してウェノ・−上全面に
ノくターン描画を行う。
したウニ・・−を設置し、同時に３本の電子ビーム１１
でビームの走査をコンピュータ制御しながら、同時に３
チツプ分の描画を並行して進める。３チツプ分の描画が
終れば、コンピュータ制御しながらステージを次の３チ
ツプの位置まで移動させ、再び同じように描画をし、以
後、同じく描画・移動をくり返してウェノ・−上全面に
ノくターン描画を行う。
次に、電子ビーム描画された電子ビームレジストを現像
すれば、レジストパターンを形成できる。
すれば、レジストパターンを形成できる。
なお、このとき、描画チップのチップ寸法と電子ビーム
間隔を合わせるためには、電子銃の間隔を機械的に移動
させても良いが、各ビームに偏光コイル（あるいは電極
）１２を付けて各ビーム１１６・−一。
間隔を合わせるためには、電子銃の間隔を機械的に移動
させても良いが、各ビームに偏光コイル（あるいは電極
）１２を付けて各ビーム１１６・−一。
の間隔を調節できるようにしておけば良い。
また、第２図のように、電子銃部３をカソードを複数個
（この場合は、３コの例を示したが、多い程、描画能率
は向上する。）備えた１本の電子銃２よシなる、ワンガ
ンマルチビーム電子銃２′として収束レンズ５′ を大
口径とし、さらに対物レンズ１３を設置する方式でも良
い。
（この場合は、３コの例を示したが、多い程、描画能率
は向上する。）備えた１本の電子銃２よシなる、ワンガ
ンマルチビーム電子銃２′として収束レンズ５′ を大
口径とし、さらに対物レンズ１３を設置する方式でも良
い。
この場合、描画チップのチップ寸法と電子ビーム間隔を
合せるためには、対物レンズ１３あるいは収束レンズ６
の倍率を変化させて行うことができる。
合せるためには、対物レンズ１３あるいは収束レンズ６
の倍率を変化させて行うことができる。
また、以上の実施例における複数個の電子ビームとチッ
プの関係は、第３図に示すように、各ビーム１４が、そ
れぞれ異るテップ１６の同一パターンにおける同一場所
を同時に露光するようにしておく。
プの関係は、第３図に示すように、各ビーム１４が、そ
れぞれ異るテップ１６の同一パターンにおける同一場所
を同時に露光するようにしておく。
なお、ワンガンワンビームの電子銃を複数本束ねて用い
る特徴は、 １ 各ビーム毎の調整が容易なこと。
る特徴は、 １ 各ビーム毎の調整が容易なこと。
２ 機械的にビーム間隔を調整できるため、チツブ寸法
の大小による適用範囲を広く取れる。
の大小による適用範囲を広く取れる。
等の特徴がある。
一方、ワンガンマルチビームの電子銃を用いる場合の特
徴は、 １ 集束レンズ５′ を大きくできるため、解像度が向
上する。
徴は、 １ 集束レンズ５′ を大きくできるため、解像度が向
上する。
２ ビーム数を多くする場合でも、電子銃部を小型化で
きる。
きる。
等の特徴がある。なお、ワンガンマルチビームノミ子銃
を複数本用いてビーム数を増加させても、同じ効果が得
られることは明らかである。
を複数本用いてビーム数を増加させても、同じ効果が得
られることは明らかである。
さらに壕だ、以上の例では、電子ビームを用いた描画方
法について述べたが、電子ビームの代りに“イオンビー
ム″′を用いても同じ効果が得られることも明らかであ
る。寸た、描画材料は、レジストに限定されるものでも
なく、ビームが照射される部分へＣＶＤ膜を形成したり
、イオンビームによるエツチングや不純物注入も可能で
ある。
法について述べたが、電子ビームの代りに“イオンビー
ム″′を用いても同じ効果が得られることも明らかであ
る。寸た、描画材料は、レジストに限定されるものでも
なく、ビームが照射される部分へＣＶＤ膜を形成したり
、イオンビームによるエツチングや不純物注入も可能で
ある。
発明の効果
本発明のパターン形成装置を用い、すなわち、複数本の
電子ビーム又はイオンビームで同時に複数チップのパタ
ーンを描画することにより、半導体装置特にＶＬＳＩ製
造におけるサブミクロンパターン描画工程の大幅な製造
能率の向上ができ、産業上効果大なるものである。
電子ビーム又はイオンビームで同時に複数チップのパタ
ーンを描画することにより、半導体装置特にＶＬＳＩ製
造におけるサブミクロンパターン描画工程の大幅な製造
能率の向上ができ、産業上効果大なるものである。
第１図は本発明の一実施例の電子銃部にタンガンワンビ
ーム型の電子銃を３ヶ取り付けた多ビーム型パターン形
成装置を説明するだめの概念図、第２図は電子銃部にワ
ンガンスリービーム型ノ電子銃を１ヶ取り付けた本発明
の他の実施例にかかる装置の概念図、第３図は本発明の
装置を用いてウェハー上へパターンを描画する場合の各
電子ビームと各チップ上のパターンの位置関係を説明す
るための図である。 ３・・・・・・電子銃部、５，５′ ・・・・収束レン
ズ、７°゛°゛°走査°イル・９°°゛°°７テージ・
１０゛−＝−＝＋７ Ｉピユータ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ２′ 第３図 に）ｌ鼻＼ ＜／／ ％＞５’ へ − 製Ｉ ぶ− ７ ノー八へ 〃／＼＼＼ ／１ ／／ｌ ＼＼＼ ／／／ い １３ ＩＮ １１／ Ｊ’Ｘ／／／ ＩＸ＼７／／ １１χ／／８ １ｙ７／ １０２−
ーム型の電子銃を３ヶ取り付けた多ビーム型パターン形
成装置を説明するだめの概念図、第２図は電子銃部にワ
ンガンスリービーム型ノ電子銃を１ヶ取り付けた本発明
の他の実施例にかかる装置の概念図、第３図は本発明の
装置を用いてウェハー上へパターンを描画する場合の各
電子ビームと各チップ上のパターンの位置関係を説明す
るための図である。 ３・・・・・・電子銃部、５，５′ ・・・・収束レン
ズ、７°゛°゛°走査°イル・９°°゛°°７テージ・
１０゛−＝−＝＋７ Ｉピユータ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ２′ 第３図 に）ｌ鼻＼ ＜／／ ％＞５’ へ − 製Ｉ ぶ− ７ ノー八へ 〃／＼＼＼ ／１ ／／ｌ ＼＼＼ ／／／ い １３ ＩＮ １１／ Ｊ’Ｘ／／／ ＩＸ＼７／／ １１χ／／８ １ｙ７／ １０２−
Claims (4)
- （１）少くとも真空室内に複数本の電子またはイオンビ
ームを発生する電子またはイオン銃部と、収束レンズと
、前記電子またはイオンビームを走査する為の走査コイ
ルと、基板を設置するステージを備え、前記複数本の電
子またはイオンビーム走査と前記ステージ移動をコンピ
ュータ制御することを特徴としたパターン形成装置。 - （２）複数本の電子またはイオンビームを発生する電子
またはイオン銃部が、複数個の単ビーム型電子まだはイ
オン銃よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のパターン形成装置。 - （３）複数本の電子またはイオンビームを発生する電子
またはイオン銃部が、多ビーム型の１本の電子またはイ
オン銃よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のパターン形成装置。 - （４）少くとも、真空室内に複数本の電子またはイオン
ビームを発生する電子またはイオン銃部と、収束レンズ
と、前記電子またはイオンビームを走査する為の走査コ
イルと、基板を設置するステージを備えたパターン形成
装置により、前記複数本の電子またはイオンビームの走
査およびステージの移動をコンピュータ制御しながら、
前記ステージ上に設置された半導体基板上に同時に複数
チップのパターンを描画することを特徴とした半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118462A JPS60262419A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | パタ−ン形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59118462A JPS60262419A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | パタ−ン形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262419A true JPS60262419A (ja) | 1985-12-25 |
Family
ID=14737252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59118462A Pending JPS60262419A (ja) | 1984-06-08 | 1984-06-08 | パタ−ン形成装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262419A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61263217A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JPS6420619A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Toshiba Corp | Electron beam aligner |
| WO1999059183A1 (fr) * | 1998-05-11 | 1999-11-18 | Advantest Corporation | Procede et appareil d'exposition a un faisceau electronique |
| JP2002110534A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Advantest Corp | 半導体素子製造システム、電子ビーム露光装置 |
| US6486479B1 (en) | 1994-03-15 | 2002-11-26 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
| JP2003523052A (ja) * | 2000-02-09 | 2003-07-29 | フェイ カンパニ | 微小二次加工処理用マルチカラムｆｉｂ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5091274A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 | ||
| JPS5764932A (en) * | 1980-10-07 | 1982-04-20 | Mitsubishi Electric Corp | Electron bean exposure device |
| JPS5776837A (en) * | 1980-10-30 | 1982-05-14 | Rikagaku Kenkyusho | Apparatus for multipile electron beam exposure |
-
1984
- 1984-06-08 JP JP59118462A patent/JPS60262419A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5091274A (ja) * | 1973-12-12 | 1975-07-21 | ||
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6218060B1 (en) | 1998-05-11 | 2001-04-17 | Advantest Corporation | Electron beam exposure method and electron beam exposure apparatus |
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| JP4601146B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2010-12-22 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置 |
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