JPS61154030A - 電子ビ−ム露光方法及び電子ビ−ム露光装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法及び電子ビ−ム露光装置Info
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- JPS61154030A JPS61154030A JP27751584A JP27751584A JPS61154030A JP S61154030 A JPS61154030 A JP S61154030A JP 27751584 A JP27751584 A JP 27751584A JP 27751584 A JP27751584 A JP 27751584A JP S61154030 A JPS61154030 A JP S61154030A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子ビーム露光装置内で発生する戊のある誤
りを除去して正確なパターンを得る、電子ビーム露光方
法及び電子ビーム露光装置に関する。
りを除去して正確なパターンを得る、電子ビーム露光方
法及び電子ビーム露光装置に関する。
半導体集積回路装置（以下ＩＣと略称する）等の微細で
高密度のパターンを実現する微細加工技術は、レジスト
をパターニングする技術と、このレジストパターンをマ
スクとして半導体基体等をエツチングする技術との複合
技術である。
高密度のパターンを実現する微細加工技術は、レジスト
をパターニングする技術と、このレジストパターンをマ
スクとして半導体基体等をエツチングする技術との複合
技術である。
レジストをパターニングするための露光方法として、電
子ビーム露光方法は単に高解像力であるのみならず、パ
ターンジェネレータの機能を備えかつ製作時間が短縮さ
れる利点を有し、ＩＣ等のレチクルマスク、マスターマ
スク及びウェーハ直接描画の何れにも適用されるが、そ
のパターンの欠陥がなお問題とされている。
子ビーム露光方法は単に高解像力であるのみならず、パ
ターンジェネレータの機能を備えかつ製作時間が短縮さ
れる利点を有し、ＩＣ等のレチクルマスク、マスターマ
スク及びウェーハ直接描画の何れにも適用されるが、そ
のパターンの欠陥がなお問題とされている。
ＩＣの各パターンの設計データは、例えばパターン平面
上に設定された直交するＸ、Ｙ２軸に関する基準とする
頂点の座標、辺の長さを組合せてデジタル表示され、磁
気ディスク等に記録される。
上に設定された直交するＸ、Ｙ２軸に関する基準とする
頂点の座標、辺の長さを組合せてデジタル表示され、磁
気ディスク等に記録される。
この設計データに基づく電子ビーム露光処理は、例えば
第３図に示すブロック図の如〈実施される。
第３図に示すブロック図の如〈実施される。
すなわち、磁気ディスク２１に記録された設計データは
プロセッサ２２によってバッファメモリ２３に移され、
パターンゼネレータ２４において露光処理単位とする画
素の組合せに分解される。この画素は通常は矩形とされ
る。
プロセッサ２２によってバッファメモリ２３に移され、
パターンゼネレータ２４において露光処理単位とする画
素の組合せに分解される。この画素は通常は矩形とされ
る。
この分解された各画素のデータに補正演算回路２５にお
いて、光軸からの距離等によるパターンの歪の発生を除
去するための座標変換が行われて、各画素の座標を決定
する主偏向（Ｘｎ、Ｙ、） 、副偏向（Ｘ＋ｙ＋ｙｎ）
及び矩形の辺長を決定するビーム成形偏向（ａｎＪＪ
の１ｍのデータが決定される。
いて、光軸からの距離等によるパターンの歪の発生を除
去するための座標変換が行われて、各画素の座標を決定
する主偏向（Ｘｎ、Ｙ、） 、副偏向（Ｘ＋ｙ＋ｙｎ）
及び矩形の辺長を決定するビーム成形偏向（ａｎＪＪ
の１ｍのデータが決定される。
次でこれらのデータはそれぞれ、ドライバ２６、レシー
バ２７により移送され、ラッチング回路２８を介してデ
ジタル／アナログコンバータ２９でアナログ信号に変換
され、増幅器３０で増幅されて偏向器３１ａ 、３１ｂ
又は３１ｃに入力される。この偏向器３１ａ ％ ３１
ｂ及び３１ｃへの入力に同期してブランキング電極３３
を動作させ、出射された電子ビームの成形、偏向が行わ
れて所要の露光が実施される。
バ２７により移送され、ラッチング回路２８を介してデ
ジタル／アナログコンバータ２９でアナログ信号に変換
され、増幅器３０で増幅されて偏向器３１ａ 、３１ｂ
又は３１ｃに入力される。この偏向器３１ａ ％ ３１
ｂ及び３１ｃへの入力に同期してブランキング電極３３
を動作させ、出射された電子ビームの成形、偏向が行わ
れて所要の露光が実施される。
以上説明した如き電子ビーム露光処理に際して、電子ビ
ーム露光装置内でデータに誤りが発生することがある。
ーム露光装置内でデータに誤りが発生することがある。
この誤りは補正演算の誤り、回路相互間のタイミングの
ずれ、雑音の混入等に起因すると考えられるが、例えば
偏向データに誤りが発生すれば、そのショットで露光さ
れるべき画素が誤った場所に露光され所謂パターン跳び
となり、マスクもしくはウェーハの不良原因となる。
ずれ、雑音の混入等に起因すると考えられるが、例えば
偏向データに誤りが発生すれば、そのショットで露光さ
れるべき画素が誤った場所に露光され所謂パターン跳び
となり、マスクもしくはウェーハの不良原因となる。
例えば設計データに含まれる誤りは再現性があり、的確
な修正が可能であるのに対して、電子ビーム露光装置内
で発生する誤りは散発的であることが多い。従来このパ
ターン跳び等の検出は目視で行われることが多いが、こ
の検査には長時間を要し、しかも判定の確度が十分では
なく、特にウェーハ直接露光ではその検査が実際的でな
い場合が多い。
な修正が可能であるのに対して、電子ビーム露光装置内
で発生する誤りは散発的であることが多い。従来このパ
ターン跳び等の検出は目視で行われることが多いが、こ
の検査には長時間を要し、しかも判定の確度が十分では
なく、特にウェーハ直接露光ではその検査が実際的でな
い場合が多い。
前記問題点は、所要のパターンについて発生した電子ビ
ーム偏向用データを記憶手段に一旦記憶し、次いで該デ
ータを該記憶手段から読み出して電子ビーム偏向手段に
対して転送し、転送過程において該データに発生した誤
りの有無を各ショットについて検出し、誤りが検出され
た場合に該データによる露光は行わずに、該記憶手段か
ら再び当該データを読み出して転送し、該データの誤り
が検出されない場合に該データに基づいて露光を行う本
発明による電子ビーム露光方法。
ーム偏向用データを記憶手段に一旦記憶し、次いで該デ
ータを該記憶手段から読み出して電子ビーム偏向手段に
対して転送し、転送過程において該データに発生した誤
りの有無を各ショットについて検出し、誤りが検出され
た場合に該データによる露光は行わずに、該記憶手段か
ら再び当該データを読み出して転送し、該データの誤り
が検出されない場合に該データに基づいて露光を行う本
発明による電子ビーム露光方法。
並びに、所要のパターンについて発生した電子ビーム偏
向用データを記憶する手段と、該データを電子ビーム偏
向手段に転送する手段と、該データ転送手段において該
データに発生した誤りの有無を各ショットについて検出
する手段と、誤りが検出された場合に該データによる露
光を防止する手段と、該記憶手段から再び当該データを
読み出して転送する手段とを備えてなる本発明による電
子ビーム露光装置により解決される。
向用データを記憶する手段と、該データを電子ビーム偏
向手段に転送する手段と、該データ転送手段において該
データに発生した誤りの有無を各ショットについて検出
する手段と、誤りが検出された場合に該データによる露
光を防止する手段と、該記憶手段から再び当該データを
読み出して転送する手段とを備えてなる本発明による電
子ビーム露光装置により解決される。
本発明によれば、電子ビーム露光装置内で変換、移送さ
れたパターンデータについて、各ショットすなわち各画
素毎に誤りの有無を検出する。この検出は、例えば並行
処理されたデータ相互間の比較、或いはパリティチェッ
ク等の方法で容易に実施することが可能である。
れたパターンデータについて、各ショットすなわち各画
素毎に誤りの有無を検出する。この検出は、例えば並行
処理されたデータ相互間の比較、或いはパリティチェッ
ク等の方法で容易に実施することが可能である。
誤りが検出されたデータについては露光処理を停止し、
かつ誤り発生前の該当するデータに基づく露光処理を、
任意の時点において再度同様に実施することにより正し
い露光が得られる。
かつ誤り発生前の該当するデータに基づく露光処理を、
任意の時点において再度同様に実施することにより正し
い露光が得られる。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示すブロック図である
。
。
本実施例においては、磁気ディスク１からプロセッサ２
によってバッファメモリ３に移された設計データは、同
等な２個のパターンゼネレータ４Ａ、４Ｂにそれぞれ入
力される。
によってバッファメモリ３に移された設計データは、同
等な２個のパターンゼネレータ４Ａ、４Ｂにそれぞれ入
力される。
例えばパターンゼネレータ４Ａにおいて、前記従来例と
同様に設計データが露光処理単位とする画、素の組合せ
に分解され、この分解された各画素のデータに補正演算
回路５Ａにおいて、パターンの歪の発生を除去するため
の座標変換が行われて、各画素の座標を決定する主偏向
（ｘＡｆｉ、ｙｏ）、副偏向（Ｘい＋ｙＡｎ）及び矩形
の辺長を決定するビーム成形偏向（ａＡｆｉ＋ｂＡｎ）
の１組のデータが決定される。
同様に設計データが露光処理単位とする画、素の組合せ
に分解され、この分解された各画素のデータに補正演算
回路５Ａにおいて、パターンの歪の発生を除去するため
の座標変換が行われて、各画素の座標を決定する主偏向
（ｘＡｆｉ、ｙｏ）、副偏向（Ｘい＋ｙＡｎ）及び矩形
の辺長を決定するビーム成形偏向（ａＡｆｉ＋ｂＡｎ）
の１組のデータが決定される。
本実施例では補正演算回路５＾及び５Ｂに、少なくとも
露光が終了していない画素の補正演算前後のデータを記
憶し、補正演算後の主偏向、副偏向及びビーム成形偏向
の各データは、それぞれドライバ６Ａ、レシーバ７Ａに
より移送され、ラッチング回路８Ａを介してデジタル／
アナログコンバータ９Ａでアナログ信号に変換される。
露光が終了していない画素の補正演算前後のデータを記
憶し、補正演算後の主偏向、副偏向及びビーム成形偏向
の各データは、それぞれドライバ６Ａ、レシーバ７Ａに
より移送され、ラッチング回路８Ａを介してデジタル／
アナログコンバータ９Ａでアナログ信号に変換される。
また同様に、パターンゼネレータ４Ｂにおいて分解され
た各画素についても、主偏向（Ｘ□、Ｙ□）、副偏向（
Ｘｓ＊＋ｙｇＪ及びビーム成形偏向（ａｌｌｆｉ、ｂｌ
ｌＲ）の１組のデータが決定され、これが移送されて、
デジタル／アナログコンバータ９Ｂでアナログ信号に変
換される。
た各画素についても、主偏向（Ｘ□、Ｙ□）、副偏向（
Ｘｓ＊＋ｙｇＪ及びビーム成形偏向（ａｌｌｆｉ、ｂｌ
ｌＲ）の１組のデータが決定され、これが移送されて、
デジタル／アナログコンバータ９Ｂでアナログ信号に変
換される。
例えば主偏向信号について、この様に２チヤネルの同等
な回路によって得られた２つのアナログ信号を比較器１
４を用いて比較し、両信号が一致すれば誤りが発生して
いないと判定する。副偏向及びビーム成形偏向信号につ
いても同様である。
な回路によって得られた２つのアナログ信号を比較器１
４を用いて比較し、両信号が一致すれば誤りが発生して
いないと判定する。副偏向及びビーム成形偏向信号につ
いても同様である。
全偏向信号について誤りが発生していないと判定された
ときには特に制御が行われず、各アナログ信号が増幅器
ＩＯで増幅されて偏向器１）ａ 、ｌｌｂ又はｌｌｃに
入力され、これに同期してブランキング電極１３を動作
させ、出射された電子ビームの成形、偏向が行われて所
要の露光が実施される。
ときには特に制御が行われず、各アナログ信号が増幅器
ＩＯで増幅されて偏向器１）ａ 、ｌｌｂ又はｌｌｃに
入力され、これに同期してブランキング電極１３を動作
させ、出射された電子ビームの成形、偏向が行われて所
要の露光が実施される。
もし何れかの信号について、２チヤネルの信号間に差が
検出されれば、ゲート回・路１５を通してブランキング
増幅器１２に信号を送出し、このデータによる露光を阻
止する。
検出されれば、ゲート回・路１５を通してブランキング
増幅器１２に信号を送出し、このデータによる露光を阻
止する。
上述の如く２チヤネルの信号間に差が検出されれば、更
に補正演算回路５Ａ及び５Ｂに記憶された２チヤネルの
データを例えばプロセッサ２で比較し、補正演算後のデ
ータが一致すれば、発見された誤りはドライバ５Ａ、
５Ｂ以降で発生したものであり、このデータを再度送出
して露光を実施する。
に補正演算回路５Ａ及び５Ｂに記憶された２チヤネルの
データを例えばプロセッサ２で比較し、補正演算後のデ
ータが一致すれば、発見された誤りはドライバ５Ａ、
５Ｂ以降で発生したものであり、このデータを再度送出
して露光を実施する。
また補正演算後のデータに差があれば、補正演算前のデ
ータについて補正演算以降を改めて実行する。これらの
繰り返し処理は適宜の時点において実施することが出来
る。
ータについて補正演算以降を改めて実行する。これらの
繰り返し処理は適宜の時点において実施することが出来
る。
また第２図は本発明の第２の実施例を示すブロック図で
ある。
ある。
本実施例においては各段のデジタル信号のパリティチェ
ックを行っている。すなわちバッファメモリ３までは前
記実施例と同様であるが、パターンゼネレータ４に回路
４ｐが設けられ、ここで各データにパリティチェックの
ための１ビツトが付加される。
ックを行っている。すなわちバッファメモリ３までは前
記実施例と同様であるが、パターンゼネレータ４に回路
４ｐが設けられ、ここで各データにパリティチェックの
ための１ビツトが付加される。
同時に補正演算回路５、レシーバ７、ラッチング回路８
にそれぞれチェック回路５ρ、７ｐ及び８ｐが設けられ
、それぞれパリティチェックを行い、誤りが検出されれ
ば前記実施例と同様に、ゲート回路１５を通じてブラン
キング増幅器１２を制御し、このデータによる露光を阻
止するとともに、補正演算回路５に記憶されている露光
が終了していない画素の補正演算前後のデータを保持す
る。
にそれぞれチェック回路５ρ、７ｐ及び８ｐが設けられ
、それぞれパリティチェックを行い、誤りが検出されれ
ば前記実施例と同様に、ゲート回路１５を通じてブラン
キング増幅器１２を制御し、このデータによる露光を阻
止するとともに、補正演算回路５に記憶されている露光
が終了していない画素の補正演算前後のデータを保持す
る。
誤りの発見がレシーバ７以降であるときには補正演算回
路５に記憶されている補正演算後のデータの再送出を行
い、これより前段で誤りが発見されたときには補正演算
以降を改めて実行する。
路５に記憶されている補正演算後のデータの再送出を行
い、これより前段で誤りが発見されたときには補正演算
以降を改めて実行する。
以上説明した如く本発明によれば、電子ビーム露光処理
において従来対策が困難であった露光処理装置内で発生
するデータの誤りが防止され、欠陥が抑制されたパター
ンが得られて、半導体装置等の障害を改善する効果が得
られる。
において従来対策が困難であった露光処理装置内で発生
するデータの誤りが防止され、欠陥が抑制されたパター
ンが得られて、半導体装置等の障害を改善する効果が得
られる。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示すブロック図、
第３図は従来例を示すプロ７り図である。
図において、
■は磁気ディスク、
２はプロセッサ、
３はバッファメモリ、
４．４Ａ及び４Ｂはパターンゼネレータ、４ｐはパリテ
ィチェックビット付加回路、５．５Ａ及び５Ｂは補正演
算回路、 ５ｐ、７ｐ及び８ｐはパリティチェック回路、６．６Ａ
及び６Ｂはドライバ、 ７．７Ａ及び７Ｂはレシーバ、 ８．８Ａ及び８Ｂはラッチング回路、 ９．９＾及び９Ｂはデジタル／アナログコンバータ、１
０及び１２は増幅器、 １）ａＳｌｌｂ及びｌｌｃは偏向器、 １３はブランキング電極、 １４は比較器、 １５はゲート回路を示す。
ィチェックビット付加回路、５．５Ａ及び５Ｂは補正演
算回路、 ５ｐ、７ｐ及び８ｐはパリティチェック回路、６．６Ａ
及び６Ｂはドライバ、 ７．７Ａ及び７Ｂはレシーバ、 ８．８Ａ及び８Ｂはラッチング回路、 ９．９＾及び９Ｂはデジタル／アナログコンバータ、１
０及び１２は増幅器、 １）ａＳｌｌｂ及びｌｌｃは偏向器、 １３はブランキング電極、 １４は比較器、 １５はゲート回路を示す。
Claims (2)
- （１）所要のパターンについて発生した電子ビーム偏向
用データを記憶手段に一旦記憶し、次いで該データを該
記憶手段から読み出して電子ビーム偏向手段に対して転
送し、転送過程において該データに発生した誤りの有無
を各ショットについて検出し、誤りが検出された場合に
該データによる露光は行わずに、該記憶手段から再び当
該データを読み出して転送し、該データの誤りが検出さ
れない場合に該データに基づいて露光を行うことを特徴
とする電子ビーム露光方法。 - （２）所要のパターンについて発生した電子ビーム偏向
用データを記憶する手段と、該データを電子ビーム偏向
手段に転送する手段と、該データ転送手段において該デ
ータに発生した誤りの有無を各ショットについて検出す
る手段と、誤りが検出された場合に該データによる露光
を防止する手段と、該記憶手段から再び当該データを読
み出して転送する手段とを備えてなることを特徴とする
電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27751584A JPS61154030A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 電子ビ−ム露光方法及び電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27751584A JPS61154030A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 電子ビ−ム露光方法及び電子ビ−ム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154030A true JPS61154030A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17584671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27751584A Pending JPS61154030A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 電子ビ−ム露光方法及び電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009278021A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置における描画方法 |
| JP2016046432A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 異常検出方法及び電子線描画装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187018A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-24 | Hitachi Ltd | 描画装置 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27751584A patent/JPS61154030A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187018A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-24 | Hitachi Ltd | 描画装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009278021A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画装置における描画方法 |
| JP2016046432A (ja) * | 2014-08-25 | 2016-04-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 異常検出方法及び電子線描画装置 |
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