JPS61119033A - 荷電粒子線描画装置 - Google Patents
荷電粒子線描画装置Info
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- JPS61119033A JPS61119033A JP23947384A JP23947384A JPS61119033A JP S61119033 A JPS61119033 A JP S61119033A JP 23947384 A JP23947384 A JP 23947384A JP 23947384 A JP23947384 A JP 23947384A JP S61119033 A JPS61119033 A JP S61119033A
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- Japan
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- deflection
- unit
- laser
- laser unit
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Links
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 title claims 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、荷電粒子線、例えば電子線による描画装置
の描画精度向上に関するものである。
の描画精度向上に関するものである。
電子線描画装置では、ステージ位置をレーザ干渉計を用
いて測定する関係上、レーザ干渉計からはレーザ単位で
寸法データが出てくる。一方、描画すべきパターンデー
タはメートル単位あるいはインチ単位で定義されている
。これらの単位系を一致させるため、レーザパルスの一
発分の寸法に一定割合の係数を掛けてメートル単位ある
いはインチ単位に換算して両者を同一単位にして描画を
行っていた。従って距離が長くなるに従って係数の微小
な差が積もって大きい描画不良になる問題がちっ几。
いて測定する関係上、レーザ干渉計からはレーザ単位で
寸法データが出てくる。一方、描画すべきパターンデー
タはメートル単位あるいはインチ単位で定義されている
。これらの単位系を一致させるため、レーザパルスの一
発分の寸法に一定割合の係数を掛けてメートル単位ある
いはインチ単位に換算して両者を同一単位にして描画を
行っていた。従って距離が長くなるに従って係数の微小
な差が積もって大きい描画不良になる問題がちっ几。
この発明の目的は、レーザ単位をメートル単位に換算す
る係故によるパターン精度の低下を防止しｔ＃電電子子
線描画装置提供するにある。
る係故によるパターン精度の低下を防止しｔ＃電電子子
線描画装置提供するにある。
本発明は、主偏向と副偏向の２段の偏向装置のうち、一
方の偏向はレーザ単位座標系で定義し。
方の偏向はレーザ単位座標系で定義し。
他方の偏向はメートル単位で定義するものである。
従来のレートマルチ方法で避けられなかったレーザ単位
による誤差−０，０５μｍをほぼ無くすことができ０．
５μｍ以下の線幅の描画を精度良く行えるようになる。
による誤差−０，０５μｍをほぼ無くすことができ０．
５μｍ以下の線幅の描画を精度良く行えるようになる。
本発明の一実施例を第１図に示すシステムブロツクを参
照して説明する。１６はオペレータコンソール、１７は
検出器、１８はビデオプロセッサ、１９はコントロール
コンピュータ、３０は電子銃、３１はブランキング増幅
器、３２はグラ／キング電極である。
照して説明する。１６はオペレータコンソール、１７は
検出器、１８はビデオプロセッサ、１９はコントロール
コンピュータ、３０は電子銃、３１はブランキング増幅
器、３２はグラ／キング電極である。
パターンデータはホストコンピュータ１からバッファメ
モリ２を通してメートル単位でパターン発生器３に供給
され、そこで描画可能なビーム寸法に分割等が行なわれ
る０分割後のパターンデータのうち、ビーム寸法データ
は、シェービングＤ入Ｃ４を介して増幅器１４．更に偏
向電極１５へ送られ。
モリ２を通してメートル単位でパターン発生器３に供給
され、そこで描画可能なビーム寸法に分割等が行なわれ
る０分割後のパターンデータのうち、ビーム寸法データ
は、シェービングＤ入Ｃ４を介して増幅器１４．更に偏
向電極１５へ送られ。
ビーム位置データはサブ偏向ＤＡＣｓにそれぞれメート
ル単位でデータが送られる。電極１５の前後にビーム整
形アパーチャ３２ 、３３がある。一方、連続移動され
るステージ６の位置はレーザ干渉計７で測定され、λ／
１２０＝０．００５２７４１６ μｍ （λ： ０．６
３２９ μｍ ）に１発の割合でパルスを出力する。こ
のパルスはレーザ単位のまま補正ＤＡＣ８に入力され、
Ｄ／Ａ変換され、主偏向増幅器９を介して所定領域への
ビームの位置決めの九めの主偏向用偏向電極２０に入力
される。主偏向増幅器９には主偏向ＤＡＣ１０よシ信号
が送られる。さらに、一つの副偏向領域を。
ル単位でデータが送られる。電極１５の前後にビーム整
形アパーチャ３２ 、３３がある。一方、連続移動され
るステージ６の位置はレーザ干渉計７で測定され、λ／
１２０＝０．００５２７４１６ μｍ （λ： ０．６
３２９ μｍ ）に１発の割合でパルスを出力する。こ
のパルスはレーザ単位のまま補正ＤＡＣ８に入力され、
Ｄ／Ａ変換され、主偏向増幅器９を介して所定領域への
ビームの位置決めの九めの主偏向用偏向電極２０に入力
される。主偏向増幅器９には主偏向ＤＡＣ１０よシ信号
が送られる。さらに、一つの副偏向領域を。
副偏向増幅器１１から副偏向器１２にベクタースキャン
信号を送り描画する。これが終了する毎に、ノ（ターン
発生器３から信号が出され、主偏向ＤＡＣＩＯに入力さ
れる。この値はレーザ単位である必要があるので、サブ
偏向が６４μｍ角の場合には、メートル単位の６４μｍ
があらかじめレーザ単位で計画され入力される。
信号を送り描画する。これが終了する毎に、ノ（ターン
発生器３から信号が出され、主偏向ＤＡＣＩＯに入力さ
れる。この値はレーザ単位である必要があるので、サブ
偏向が６４μｍ角の場合には、メートル単位の６４μｍ
があらかじめレーザ単位で計画され入力される。
主偏向増祷ｌ器９はステージ６からの信号も、偏向デー
タもいずれもレーザ単位であるので、矛盾なく偏向が行
なわれる。６４μｍをレーザ単位に変換した時に出る誤
差（１２１３４７７→１２１３５に丸めｔ誤差）は累積
しないよう約３回に１ノ（ルスずつま引いてやればよい
。
タもいずれもレーザ単位であるので、矛盾なく偏向が行
なわれる。６４μｍをレーザ単位に変換した時に出る誤
差（１２１３４７７→１２１３５に丸めｔ誤差）は累積
しないよう約３回に１ノ（ルスずつま引いてやればよい
。
尚、主偏向がメートル単位で副偏向がレーザ単位であり
てもよい。
てもよい。
第１図は本発明の一実施例を示すシステムブロック図で
ある。 ５・・・副偏向ＤＡＣ，８・・・補正ＤＡＣ１０・・・
主偏向ＤＡＣ。
ある。 ５・・・副偏向ＤＡＣ，８・・・補正ＤＡＣ１０・・・
主偏向ＤＡＣ。
Claims (1)
- 主偏向及び副偏向用の２段の偏向装置を持ち試料に描
画を行う電子線描画装置において、主及び副偏向の一方
の座標はメートル単位で定義され、主及び副偏向の他方
はレーザ単位で定義されていることを特徴とする荷電粒
子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23947384A JPS61119033A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 荷電粒子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23947384A JPS61119033A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 荷電粒子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119033A true JPS61119033A (ja) | 1986-06-06 |
Family
ID=17045290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23947384A Pending JPS61119033A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 荷電粒子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61119033A (ja) |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP23947384A patent/JPS61119033A/ja active Pending
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