JPS60245133A - 電子ビ−ム露光装置における偏向歪補正方法 - Google Patents

電子ビ−ム露光装置における偏向歪補正方法

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Publication number
JPS60245133A
JPS60245133A JP59100414A JP10041484A JPS60245133A JP S60245133 A JPS60245133 A JP S60245133A JP 59100414 A JP59100414 A JP 59100414A JP 10041484 A JP10041484 A JP 10041484A JP S60245133 A JPS60245133 A JP S60245133A
Authority
JP
Japan
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coordinates
small
coefficient
deflecting
amn
Prior art date
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Pending
Application number
JP59100414A
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English (en)
Inventor
Kenji Oota
研二 太田
Hideo Kusakabe
秀雄 日下部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS60245133A publication Critical patent/JPS60245133A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography

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  • Theoretical Computer Science (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は電子ビーム露光において、電子ビームを偏向し
、パターン描画を行なう技術に係わり、特に偏向座標系
の歪を補正する方法に関する。
〔従来技術とその問題点〕
従来の偏向歪補正方法は、爾１図に示すように。
偏向領域１を直交座標系と一次近似可能な有限個の小座
標系２に分割し、その小座標系２毎に座標変換係数を決
定し、それらを小座標系の偏向領域の相対位置に対応す
るメモリの番地に格納しておき、実描画時に、描画点を
含む小座標系の偏向領域の相対位置に対応するメモリの
番地から座標変換係数を取り出し、それによって偏向歪
補正を行なう。
しかしながら、従来方法では、大容量のメモリを必要と
し、また、小座標系のつなぎ付近の点と、小座標系中央
付近の点とでは精度のバラツキがある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、メモリ容量が少ｔ（てすみ、描画点で
の精度のバラツキの少ない偏向歪補正方法を提供するこ
とにある。
〔発明の概要〕
上述の目的を達成するために、本究明では、次のような
方法で偏向歪補正を行う。まず従来通り、偏向領域をＩ
Ｍ交座標に一次近似可能な、小座標系に分割し、小座標
系毎に座標変換係数を決定し、各々の座標変換係数につ
いて回帰係数をめ、これを記１重しておく。実描画時に
は、回帰係数と描画点により、座標変換係数をめて、こ
れにより偏向歪補旧を行う。
〔発明の効果〕
この発明によってメモリ容量は少なくてすみ、描画点で
の精閾のバラツキの少ない偏向歪補正を行なうことがで
きる。
〔発明の実施例〕
以下、本究明の一実施例について説明する。
まず、第１図（ａ）　、　ｔｂ）に示すように、偏向領
域を直交座標に一次近似可能ｒ１Ｍ−Ｎ個の小座標系に
分割し、直交座標もＭ−Ｎ個の小直交座標に分割すると
仮定する。
次に、実測値に基き、分割した小座標系Ｘ、Ｙとそれに
対応する小旧交座標系ｘ、ｙのアフィン（３） ＝九十βｌＸ十βｘＱ＋β、ｙ十β４Ｙ”　＋ｇｍｎ　
１３）変換 の係数ａ　ｍ　ｎ　−ｆ　ｍ　ｎ　をめる。（ｍ＝１〜
Ｍ。
０＝１〜Ｎ） これらの係数は、小直交座標の直交座標における位置ｍ
、ｎによる離散型関数であるが、分割数Ｍ、Ｎを無限大
に近づけること、つまりｍ２口をＸ、ｙに近づけること
により、アフィン変換係数ａ　ｍ　ｎ　−ｆ　ｍ　ｎ　
は連続関数ａ（ｘ、ｙ）〜ｆ（Ｘ、ｙ）となる。
ここで、ａ（Ｘ、ｙ）〜ｆ（ｘ、ｙ）をめるために、ａ
　ｍ　ｎ　−ｆ　ｍ　ｎ　のｘ、ｙにおける回帰係数を
める。
ａ（ｘ、ｙ）は次のように表わすことができる。
ａ（ｘ＃ｙ）＝β。十β□Ｘ十βｘ２＋β、ｙ十β４　
ｙ　２ｔ２）また実際のデータａｍｎ　に含まれる誤差
をεｍｎとするとａ　ｍ　ｎは、 ａｍｎ＊ａ（ｘ、ｙ）十εｍｎ （４） δ８に １　□功−２Σｙ・ｇｍｎｓ＝Ｑ （εｍｎ；’ｘ：凭す εｍｎ　は互いに独立に正規分布に従うものとし未知母
数β。〜β４　の推定値をそれぞれβ。〜β４　とする
と、 （４） 最小二乗法により残差平方和 一β４ｙ２） が最小になるように推定値をめる。
１　’／ａ　−− 上式を書き直し、β。を消去すると となる。ただし、 である。
でまる。まγこβ。は でまり、ａ（Ｘ、ｙ）がまる。
同様にｂ（ｘ、ｙ）〜ｆ（ｘ、ｙ）をめると、（１）式
はとなり、実描画時には、谷係数だけを記憶しておけば
よく、従来方法での小座標系の定義は不必要となり、偏
向歪補正ｌこおける精度のバラツキはなくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の偏向領域分割、直交座標系分割方式
を説明するための説明図である。 １・・・偏向領域、２・・・小座標系、３・・・偏向領
域に対応する直交座標系、４・・・２の小座標系に対応
する小直交座標系。 代理人弁理士　則　近　憲　佑（ほか１名）区　τヮ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電子ビームを偏向し、試料上に照射させて、該試料に所
    望パターンを描画、或いは、該試料を所望パターンに加
    工する電子ビーム露光装置において、歪を含んだ偏向座
    標系の歪を補正する方法において、該偏向領域を直交座
    標で近似することができる小座標系で分割し、該小座標
    系毎に座標変換係数を決定し、該座標変換係数各々の回
    帰係数をめ、歪を含んだ偏向座標系の補正を、該回帰係
    数によりめた該座標変換係数によって行なうことを特徴
    とする電子ビーム域光装置における偏向歪補正方法。
JP59100414A 1984-05-21 1984-05-21 電子ビ−ム露光装置における偏向歪補正方法 Pending JPS60245133A (ja)

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JPS60245133A true JPS60245133A (ja) 1985-12-04

Family

ID=14273319

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JP59100414A Pending JPS60245133A (ja) 1984-05-21 1984-05-21 電子ビ−ム露光装置における偏向歪補正方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62219445A (ja) * 1986-03-20 1987-09-26 Jeol Ltd 電子線装置
JPS63150842A (ja) * 1986-12-15 1988-06-23 Nichidenshi Tekunikusu:Kk 走査電子顕微鏡
CN106933047A (zh) * 2015-12-30 2017-07-07 上海微电子装备有限公司 一种曝光方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62219445A (ja) * 1986-03-20 1987-09-26 Jeol Ltd 電子線装置
JPS63150842A (ja) * 1986-12-15 1988-06-23 Nichidenshi Tekunikusu:Kk 走査電子顕微鏡
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