JPH0515056B2 - - Google Patents
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- JPH0515056B2 JPH0515056B2 JP58235868A JP23586883A JPH0515056B2 JP H0515056 B2 JPH0515056 B2 JP H0515056B2 JP 58235868 A JP58235868 A JP 58235868A JP 23586883 A JP23586883 A JP 23586883A JP H0515056 B2 JPH0515056 B2 JP H0515056B2
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- Japan
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- electron beam
- sub
- mark
- deflector
- deflection
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229920005994 diacetyl cellulose Polymers 0.000 description 1
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- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は電子ビーム露光方法に係り、特にサ
ブ・デフレクタのビーム偏向一次変換係数を大偏
向用と小偏向用のデフレクタをマツチングさせ得
るように決定する方法に関する。
ブ・デフレクタのビーム偏向一次変換係数を大偏
向用と小偏向用のデフレクタをマツチングさせ得
るように決定する方法に関する。
(b) 従来技術と問題点
電子ビーム露光を行う場合には第１図ａ，ｂに
示すように、描画領域１内を複数個のメイン・フ
イールド２に分割し、更にその中を複数個のサ
ブ・フイールド３に分割する。そしてサブ・フイ
ールド３内に所定のパターン４が描画される。
示すように、描画領域１内を複数個のメイン・フ
イールド２に分割し、更にその中を複数個のサ
ブ・フイールド３に分割する。そしてサブ・フイ
ールド３内に所定のパターン４が描画される。
この描画工程において露光位置の選択は第２図
に示すように、描画すべきメイン・フイールド２
の選択は被露光基板５を載置した試料台６を移動
させることにより行い、該メイン・フイールド２
内におけるサブ・フイールド３の選択はメイン・
デフレクタ７を作動させることにより、また該サ
ブ・フイールド３内における露光位置の選択はサ
ブ・デフレクタ８を作動させることにより電子ビ
ーム９を偏向させて行う。
に示すように、描画すべきメイン・フイールド２
の選択は被露光基板５を載置した試料台６を移動
させることにより行い、該メイン・フイールド２
内におけるサブ・フイールド３の選択はメイン・
デフレクタ７を作動させることにより、また該サ
ブ・フイールド３内における露光位置の選択はサ
ブ・デフレクタ８を作動させることにより電子ビ
ーム９を偏向させて行う。
即ち第２図に示すように、試料台６を移動させ
て所定のメイン・フイールド２を選択し、メイ
ン・デフレクタ７を作動させて電子ビーム９をＡ
の方向に偏向させ、上記メイン・フイールド２内
の所定のサブ・フイールド３を選択する。次に該
選択されたサブ・フイールド３（同図のＢ点とＣ
点の間）内を、サブ・デフレクタ８を作動させる
ことによつて電子ビーム９で走査する。このよう
にして１つのサブ・フイールド３内の描画を終了
すると、再びメイン・デフレクタ７を作動させて
電子ビーム９を図のＥの方向に偏向させ、次に露
光するサブ・フイールド３を選択する。そしてこ
のサブ・フイールド３（Ｃ点とＥ点の間）内をサ
ブ・デフレクタ８により走査し描画する。
て所定のメイン・フイールド２を選択し、メイ
ン・デフレクタ７を作動させて電子ビーム９をＡ
の方向に偏向させ、上記メイン・フイールド２内
の所定のサブ・フイールド３を選択する。次に該
選択されたサブ・フイールド３（同図のＢ点とＣ
点の間）内を、サブ・デフレクタ８を作動させる
ことによつて電子ビーム９で走査する。このよう
にして１つのサブ・フイールド３内の描画を終了
すると、再びメイン・デフレクタ７を作動させて
電子ビーム９を図のＥの方向に偏向させ、次に露
光するサブ・フイールド３を選択する。そしてこ
のサブ・フイールド３（Ｃ点とＥ点の間）内をサ
ブ・デフレクタ８により走査し描画する。
このようにして１つのメイン・フイールド２内
の総てのサブ・フイールド３の露光を終了する
と、試料台６を移動させて次るメイン・フイール
ド２を選択し、上記と同様の操作により該メイ
ン・フイールド２内の露光を行う。この操作を繰
り返すことにより被露光基板５全面にわたつて描
画を行うことが出来る。
の総てのサブ・フイールド３の露光を終了する
と、試料台６を移動させて次るメイン・フイール
ド２を選択し、上記と同様の操作により該メイ
ン・フイールド２内の露光を行う。この操作を繰
り返すことにより被露光基板５全面にわたつて描
画を行うことが出来る。
ところが一般に電子ビーム露光においては各種
の誤差が存在するため、上記一連の露光操作によ
つて形成されたサブ・フイールド３′は、第３図
に示すように所期のサブ・フイールド３とは異な
つたものとなる。従つてその中に描画されたパタ
ーン４も不連続となつてしまう。
の誤差が存在するため、上記一連の露光操作によ
つて形成されたサブ・フイールド３′は、第３図
に示すように所期のサブ・フイールド３とは異な
つたものとなる。従つてその中に描画されたパタ
ーン４も不連続となつてしまう。
上述の誤差には公知の如くサブ・デフレクタ８
のゲイン、ローテイシヨン、台形歪、オフセツト
の４つがあり、次式で表される。
のゲイン、ローテイシヨン、台形歪、オフセツト
の４つがあり、次式で表される。
Δx＝gxｘ＋rxｙ＋hxxy＋dx ……
Δy＝ryｙ＋gyｙ＋hyxy＋dy ……
上式において、左辺のΔx、Δyは、Ｘ及びＹ方
向の位置座標がそれぞれＸ、Ｙなるメイン・フイ
ールド２内の座標が、（ｘ、ｙ）なる位置におけ
るＸ方向及びＹ方向の誤差を表し、右辺のgx、gy
はＸ方向及びＹ方向のサブ・デフレクタのゲイ
ン、rx、ryはローテーシヨン、hx、hyは台形歪、
dx、dyはオフセツト（或いは歪）を示すサブ・デ
フレクタ８のビーム偏向一次変換係数（以外単に
変換係数と略記する）である。
向の位置座標がそれぞれＸ、Ｙなるメイン・フイ
ールド２内の座標が、（ｘ、ｙ）なる位置におけ
るＸ方向及びＹ方向の誤差を表し、右辺のgx、gy
はＸ方向及びＹ方向のサブ・デフレクタのゲイ
ン、rx、ryはローテーシヨン、hx、hyは台形歪、
dx、dyはオフセツト（或いは歪）を示すサブ・デ
フレクタ８のビーム偏向一次変換係数（以外単に
変換係数と略記する）である。
上式の各変換係数を求めるには、通常次のよう
な方法が用いられている。即ち第４図ａに見られ
るように、試料基板１０表面を選択的に除去して
形成した凹部からなるマーク１１を、同図ｂに見
られるように上記試料基板１０表面にＸ及びＹ方
向に所定ピツチで複数個形成する。つまり上記マ
ーク１１はメツシユの交点に位置することとな
る。そして図示せる如く１つの網目の中心点Ｆ
（これの座標をＸ、Ｙとする）にメイン・デフレ
クタ７により電子ビーム９を偏向しておき、この
位置を始点としてサブ・デフレクタ８により電子
ビーム９で上記４個のマーク１１を走査し、設計
値と実測値との差から座標Ｘ、Ｙにおける各変換
係数を求めていた。
な方法が用いられている。即ち第４図ａに見られ
るように、試料基板１０表面を選択的に除去して
形成した凹部からなるマーク１１を、同図ｂに見
られるように上記試料基板１０表面にＸ及びＹ方
向に所定ピツチで複数個形成する。つまり上記マ
ーク１１はメツシユの交点に位置することとな
る。そして図示せる如く１つの網目の中心点Ｆ
（これの座標をＸ、Ｙとする）にメイン・デフレ
クタ７により電子ビーム９を偏向しておき、この
位置を始点としてサブ・デフレクタ８により電子
ビーム９で上記４個のマーク１１を走査し、設計
値と実測値との差から座標Ｘ、Ｙにおける各変換
係数を求めていた。
しかしこの方法は各マーク１１により構成され
るメツシユの出来・不出来によつて上記変換係数
の値が影響される。例えばマーク１１の肩部にだ
れを生じた場合にはたとえマーク１１の位置は正
確であつても実測値に誤差を生じ、またマーク１
１と上記中心点Ｆとの間の距離に誤差があつて
も、その真の不明であり設計値を正しい値とみな
さざるを得ず、従つて実測値は正確であつても適
切な変換係数を求めることは出来ない。このため
従来は隣接する２つの区域の境界においてパター
ンが精度良く接続し得たとは言い難い。このよう
に従来の電子ビーム露光方法では精度上なお問題
があつた。
るメツシユの出来・不出来によつて上記変換係数
の値が影響される。例えばマーク１１の肩部にだ
れを生じた場合にはたとえマーク１１の位置は正
確であつても実測値に誤差を生じ、またマーク１
１と上記中心点Ｆとの間の距離に誤差があつて
も、その真の不明であり設計値を正しい値とみな
さざるを得ず、従つて実測値は正確であつても適
切な変換係数を求めることは出来ない。このため
従来は隣接する２つの区域の境界においてパター
ンが精度良く接続し得たとは言い難い。このよう
に従来の電子ビーム露光方法では精度上なお問題
があつた。
(c) 発明の目的
本発明の目的はかかる問答点を解消して、上記
変換係数を高精度且つ容易に決定し得る、電子ビ
ーム露光装置の調整方法を提供することにある。
変換係数を高精度且つ容易に決定し得る、電子ビ
ーム露光装置の調整方法を提供することにある。
(d) 発明の構成
本発明の特徴は、メイン・デフレクタに偏向情
報を与えて試料に設けられたマークから該偏向情
報に基づいた所定の点に電子ビームを偏向し、次
いでサブ・デフレクタにより電子ビームを該点か
ら偏向して該マークを走査し、該点と該マークと
の距離を測定し、該偏向情報に基づく該点とマー
クとの距離と該測定値との差を求め、該差に基づ
いて電子ビームの偏向量を補正して露光を行うこ
とにある。
報を与えて試料に設けられたマークから該偏向情
報に基づいた所定の点に電子ビームを偏向し、次
いでサブ・デフレクタにより電子ビームを該点か
ら偏向して該マークを走査し、該点と該マークと
の距離を測定し、該偏向情報に基づく該点とマー
クとの距離と該測定値との差を求め、該差に基づ
いて電子ビームの偏向量を補正して露光を行うこ
とにある。
(e) 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面を参照しながら説
明する。
明する。
第５図は本実施例における変換係数の決定方法
を説明するための図である。
を説明するための図である。
同図において、Ｇは座標（Ｘ、Ｙ）の位置に形
成されたマーク、F1〜F4はいずれも上記マーク
Ｇに隣接する４つの区域内の点であつて、メイ
ン・デフレクタにＸ方向、Ｙ方向とも座標（Ｘ、
Ｙ）に対しそれぞれａだけ離れた位置を指定した
ときの電子ビームの偏向位置、また、Δx1〜Δx4
はそれぞれ上記F1〜F4とマークＧとの距離の誤
差を示す。上記４個の点F1〜F4からサブ・デフ
レクタにより電子ビームを偏向させてマークＧを
走査する。
成されたマーク、F1〜F4はいずれも上記マーク
Ｇに隣接する４つの区域内の点であつて、メイ
ン・デフレクタにＸ方向、Ｙ方向とも座標（Ｘ、
Ｙ）に対しそれぞれａだけ離れた位置を指定した
ときの電子ビームの偏向位置、また、Δx1〜Δx4
はそれぞれ上記F1〜F4とマークＧとの距離の誤
差を示す。上記４個の点F1〜F4からサブ・デフ
レクタにより電子ビームを偏向させてマークＧを
走査する。
即ち、メイン・デフレクタに（Ｘ−ａ）、（Ｙ−
ａ）なる位置を指定する信号を加えて電子ビーム
を点F1の位置に偏向させる。次いでサブ・デフ
レクタにより電子ビームを偏向させてマークＧを
走査し、上記マークＧを検出する。このときの点
F1とマークＧとのＸ方向及びＹ方向の距離は
（ａ＋Δx1）、（ａ＋Δy1）で表される。なおこの距
離の測定は複数回繰り返し、その平均値を求め、
これを上記距離として用いる。
ａ）なる位置を指定する信号を加えて電子ビーム
を点F1の位置に偏向させる。次いでサブ・デフ
レクタにより電子ビームを偏向させてマークＧを
走査し、上記マークＧを検出する。このときの点
F1とマークＧとのＸ方向及びＹ方向の距離は
（ａ＋Δx1）、（ａ＋Δy1）で表される。なおこの距
離の測定は複数回繰り返し、その平均値を求め、
これを上記距離として用いる。
同様の操作を点F2〜F4について行い、それぞ
れに対してマークＧとの間の距離を求める。この
ようにして得られたΔx1〜Δx4、及びΔy1〜Δy4、
及びａを前記、式に代入して、 Δx1＝gxａ＋rxａ＋hxa2＋dx Δx2＝−gxａ＋rxａ−hxa2＋dx Δx3＝−gxａ−rxａ＋hxa2＋dx Δx4＝gxａ−rxａ−hxa2＋dx …… 及び Δy1＝gyａ＋ryａ＋hya2＋dy Δy2＝gyａ＋ryａ−hya2＋dy Δy3＝−gyａ−ryａ＋hya2＋dy Δy4＝−g7ａ＋ryａ−hya2＋dy …… 式が得られる。従つて上記、式から dx＝（Δx1＋Δx2＋Δx3＋Δx4）／４ gx＝（Δx1−Δx2−Δx3＋Δx4）／4a rx＝（Δx1＋Δx2−Δx3−Δx4）／4a hx＝（Δx1−Δx2＋Δx3−Δx4）／4a2 …… dy＝（Δx1＋Δx2＋Δx3＋Δx4）／４ gy＝（Δx1＋Δy2−Δy3−Δy4）／4a ry＝（Δy1−Δy2−Δy3＋Δy4）／4a hy＝（Δy1−Δy2＋Δy3−Δy4）／4a2 …… となり、総ての変換係数が決定出来る。
れに対してマークＧとの間の距離を求める。この
ようにして得られたΔx1〜Δx4、及びΔy1〜Δy4、
及びａを前記、式に代入して、 Δx1＝gxａ＋rxａ＋hxa2＋dx Δx2＝−gxａ＋rxａ−hxa2＋dx Δx3＝−gxａ−rxａ＋hxa2＋dx Δx4＝gxａ−rxａ−hxa2＋dx …… 及び Δy1＝gyａ＋ryａ＋hya2＋dy Δy2＝gyａ＋ryａ−hya2＋dy Δy3＝−gyａ−ryａ＋hya2＋dy Δy4＝−g7ａ＋ryａ−hya2＋dy …… 式が得られる。従つて上記、式から dx＝（Δx1＋Δx2＋Δx3＋Δx4）／４ gx＝（Δx1−Δx2−Δx3＋Δx4）／4a rx＝（Δx1＋Δx2−Δx3−Δx4）／4a hx＝（Δx1−Δx2＋Δx3−Δx4）／4a2 …… dy＝（Δx1＋Δx2＋Δx3＋Δx4）／４ gy＝（Δx1＋Δy2−Δy3−Δy4）／4a ry＝（Δy1−Δy2−Δy3＋Δy4）／4a hy＝（Δy1−Δy2＋Δy3−Δy4）／4a2 …… となり、総ての変換係数が決定出来る。
このようにして本実施例ではメイン・フイール
ド内の各サンプル点において、メイン・デフレク
タ及びサブ・デフレクタに与える座標の組合せを
異ならしめ、複数の組合せにより同一マークを走
査して、サブ・フイールドのゲイン、ローテーシ
ヨン、台形歪、及びオフセツトの４個の変換係数
を決定する。
ド内の各サンプル点において、メイン・デフレク
タ及びサブ・デフレクタに与える座標の組合せを
異ならしめ、複数の組合せにより同一マークを走
査して、サブ・フイールドのゲイン、ローテーシ
ヨン、台形歪、及びオフセツトの４個の変換係数
を決定する。
更にこの操作を総てのサンプル点において実行
し、各サンプル点における変換係数を求め、補間
法により各サンプル点間における変換係数を決定
する。
し、各サンプル点における変換係数を求め、補間
法により各サンプル点間における変換係数を決定
する。
以上述べた如く本実施例では各変換係数を求め
るに際して、従来方法のように各サンプル点によ
り構成されるメツシユの出来具合に依存しない。
即ち本実施例ではまずメイン・デフレクタにより
各サンプル点の位置に電子ビームを偏向させ、そ
のときの座標（Ｘ、Ｙ）を基準として同じくメイ
ン・デフレクタにより電子ビームをＸ方向及びＹ
方向に所定量（上記一実施例では±ａ）偏向せし
める。次にこの位置（第５図のF1〜F4の点）か
らサブ・デフレクタにより電子ビームを偏向させ
て前記サンプル点を検出し、サンプル点との距離
をＸ方向及びＹ方向について実測し、前記ａとの
差を求める。このあとは従来方法と同様にしてゲ
イン、ローテーシヨン等の変換係数を求める。
るに際して、従来方法のように各サンプル点によ
り構成されるメツシユの出来具合に依存しない。
即ち本実施例ではまずメイン・デフレクタにより
各サンプル点の位置に電子ビームを偏向させ、そ
のときの座標（Ｘ、Ｙ）を基準として同じくメイ
ン・デフレクタにより電子ビームをＸ方向及びＹ
方向に所定量（上記一実施例では±ａ）偏向せし
める。次にこの位置（第５図のF1〜F4の点）か
らサブ・デフレクタにより電子ビームを偏向させ
て前記サンプル点を検出し、サンプル点との距離
をＸ方向及びＹ方向について実測し、前記ａとの
差を求める。このあとは従来方法と同様にしてゲ
イン、ローテーシヨン等の変換係数を求める。
このように本実施例ではサンプル点がメツシユ
の交点にあることを前提としていないので、メツ
シユの出来、不出来に影響されることがなく、し
かも同一サンプル点を該サンプル点において隣接
する４個の区域から走査して上記変換係数を決定
するので、隣接するサブ・フイールドにおける変
換係数が不連続となることがなく、従つて描画さ
れるパターンは滑らかに連結される。
の交点にあることを前提としていないので、メツ
シユの出来、不出来に影響されることがなく、し
かも同一サンプル点を該サンプル点において隣接
する４個の区域から走査して上記変換係数を決定
するので、隣接するサブ・フイールドにおける変
換係数が不連続となることがなく、従つて描画さ
れるパターンは滑らかに連結される。
第６図は上述のようにして求めた変換係数を用
いて描画を行うための電子ビーム露光装置のシス
テム構成を示す要部ブロツク図である。
いて描画を行うための電子ビーム露光装置のシス
テム構成を示す要部ブロツク図である。
同図において、２０は中央処理装置（CPU）、
２１，２２はそれぞれ描画データ及び位置座標に
対応して上記変換係数を格納した外部記憶装置、
２３は上記外部記憶装置２１から転送されたパタ
ーンデータを格納するパターンデータ・バツフア
メモリ、２４は上記パターンデータ・バツフアメ
モリ２３から逐次転送されたパターンデータを一
時的に収容するレジスタ、２５は外部記憶装置２
２から転送された変換係数を位置座標に対応して
収容する補正メモリ、２６は補正演算回路、２７
は加算回路（ADD）、２８，３０，３１はデイジ
タル−アナログ変換器（DAC）、２９，３２，３
３はサブ・デフレクタ、３５はメイン・デフレク
タである。
２１，２２はそれぞれ描画データ及び位置座標に
対応して上記変換係数を格納した外部記憶装置、
２３は上記外部記憶装置２１から転送されたパタ
ーンデータを格納するパターンデータ・バツフア
メモリ、２４は上記パターンデータ・バツフアメ
モリ２３から逐次転送されたパターンデータを一
時的に収容するレジスタ、２５は外部記憶装置２
２から転送された変換係数を位置座標に対応して
収容する補正メモリ、２６は補正演算回路、２７
は加算回路（ADD）、２８，３０，３１はデイジ
タル−アナログ変換器（DAC）、２９，３２，３
３はサブ・デフレクタ、３５はメイン・デフレク
タである。
前述のようにして求めた変換係数は、位置座標
とともに外部記憶装置２２に格納されており、描
画を行うに先立ちCPU２０を介して補正メモリ
２５に転送される。一方パターンデータは外部記
憶装置２１よりパターンデータ・バツフアメモリ
２３に転送される。このようにしたのちCPUか
らの指令に基づきパターンデータがパターンデー
タ・バツフアメモリ２３から順次レジスタ２４に
送出され、更にメイン・デフレクタ３５に対する
座標データＸ、Ｙは補正メモリ２５及び加算器２
７に、またサブ・デフレクタ３４に対する座標デ
ータｘ、ｙは補正演算回路２６に送出される。こ
れらデータを受けて補正メモリ２５から当該位置
座標に対応する変換係数のうちゲインgx、gy；ロ
ーテーシヨンrx、ry及び台形歪hx、hyが補正演算
回路２６に、またオフセツトdx、dyは加算器２７
に送出される。
とともに外部記憶装置２２に格納されており、描
画を行うに先立ちCPU２０を介して補正メモリ
２５に転送される。一方パターンデータは外部記
憶装置２１よりパターンデータ・バツフアメモリ
２３に転送される。このようにしたのちCPUか
らの指令に基づきパターンデータがパターンデー
タ・バツフアメモリ２３から順次レジスタ２４に
送出され、更にメイン・デフレクタ３５に対する
座標データＸ、Ｙは補正メモリ２５及び加算器２
７に、またサブ・デフレクタ３４に対する座標デ
ータｘ、ｙは補正演算回路２６に送出される。こ
れらデータを受けて補正メモリ２５から当該位置
座標に対応する変換係数のうちゲインgx、gy；ロ
ーテーシヨンrx、ry及び台形歪hx、hyが補正演算
回路２６に、またオフセツトdx、dyは加算器２７
に送出される。
加算器２７は入力された２つの値を加算した結
果をDAC２８に送り、DAC２８はこれを対応す
るアナログ値に変換し、更に増幅器２９によつて
増幅されて偏向電流としてメイン・デフレクタ３
５に加えられる。これにより電子ビームは描画し
ようとするサブ・フイールドの基準位置、即ちメ
イン・フイールド内の所定の座標に偏向される。
果をDAC２８に送り、DAC２８はこれを対応す
るアナログ値に変換し、更に増幅器２９によつて
増幅されて偏向電流としてメイン・デフレクタ３
５に加えられる。これにより電子ビームは描画し
ようとするサブ・フイールドの基準位置、即ちメ
イン・フイールド内の所定の座標に偏向される。
一方前記補正演算回路２６は入力された変換係
数とメイン・フイールド内の座標ｘ、ｙとにより
補正演算を施し、当該サブ・フイールド内におけ
る補正された位置座標を示すデータを送出する。
そしてDAC３０，３１により対応するアナログ
データに変換され、更に増幅器３２，３３で増幅
されてサブ・デフレクタ３４に入力され、電子ビ
ームを当該サブ・フイールド内の所定位置に偏向
させる。
数とメイン・フイールド内の座標ｘ、ｙとにより
補正演算を施し、当該サブ・フイールド内におけ
る補正された位置座標を示すデータを送出する。
そしてDAC３０，３１により対応するアナログ
データに変換され、更に増幅器３２，３３で増幅
されてサブ・デフレクタ３４に入力され、電子ビ
ームを当該サブ・フイールド内の所定位置に偏向
させる。
本実施例では適切に決定された変換係数を用い
ているので、良好な精度をもつてパターンを描画
することが出来る。
ているので、良好な精度をもつてパターンを描画
することが出来る。
なお上記第６図の説明において、４個の変換係
数のうち、オフセツトdx、ddyはサブ・フイール
ド内の座標がきまれば、その座標に一義的に対応
する定数となるので、この値により直接電子ビー
ムをシフトすれば良く、補正演算を施す必要はな
い。従つて４個の変換係数のうちオフセツトのみ
は補正演算回路２６に送出することなく、メイ
ン・デフレクタを制御するための座標データＸ、
Ｙに加算して、メイン・デフレクタ３５による偏
向位置を修正するようにしたものでる。従つてこ
れに変えてサブ・デフレクタ３４の座標データを
シフトするようにしても良い。
数のうち、オフセツトdx、ddyはサブ・フイール
ド内の座標がきまれば、その座標に一義的に対応
する定数となるので、この値により直接電子ビー
ムをシフトすれば良く、補正演算を施す必要はな
い。従つて４個の変換係数のうちオフセツトのみ
は補正演算回路２６に送出することなく、メイ
ン・デフレクタを制御するための座標データＸ、
Ｙに加算して、メイン・デフレクタ３５による偏
向位置を修正するようにしたものでる。従つてこ
れに変えてサブ・デフレクタ３４の座標データを
シフトするようにしても良い。
(f) 発明の効果
以上説明した如く本発明によれば、サブ・デフ
レクタのビーム偏向一次変換係数を高精度でしか
も適切に決定し得るので、電子ビーム露光位置を
適切に調整することが出来る。
レクタのビーム偏向一次変換係数を高精度でしか
も適切に決定し得るので、電子ビーム露光位置を
適切に調整することが出来る。
第１図〜第４図は従来の電子ビーム露光方法に
おける調整方法の問題点を説明するための図で、
第１図は平面図、第２図は電子ビームの偏向方法
を模式的に示す要部側面図、第３図は描画結果を
示す平面図、第４図ａ，ｂはそれぞれサブ・デフ
レクタのビーム偏向一次変換係数の求め方を示す
要部断面図及び平面図、第５図は本発明の要部で
あるサブ・テフレクタのビーム偏向一次変換係数
の決定方法を示す平面図、第６図は本発明の一実
施例に用いた電子ビーム露光装置の電子ビーム制
御部の構成を示す要部ブロツク図である。 図において、１は描画領域、２はメイン・フイ
ールド、３はサブ・フイールド、４はパターン、
５は被処理基板、６は試料台、７及び３５はメイ
ン・デフレクタ、８及び３４はサブ・デフレク
タ、９は電子ビーム、１１はマーク、Ｇはサンプ
ル点、F1〜F4は上記点Ｇから所定量変位した点
を示す。
おける調整方法の問題点を説明するための図で、
第１図は平面図、第２図は電子ビームの偏向方法
を模式的に示す要部側面図、第３図は描画結果を
示す平面図、第４図ａ，ｂはそれぞれサブ・デフ
レクタのビーム偏向一次変換係数の求め方を示す
要部断面図及び平面図、第５図は本発明の要部で
あるサブ・テフレクタのビーム偏向一次変換係数
の決定方法を示す平面図、第６図は本発明の一実
施例に用いた電子ビーム露光装置の電子ビーム制
御部の構成を示す要部ブロツク図である。 図において、１は描画領域、２はメイン・フイ
ールド、３はサブ・フイールド、４はパターン、
５は被処理基板、６は試料台、７及び３５はメイ
ン・デフレクタ、８及び３４はサブ・デフレク
タ、９は電子ビーム、１１はマーク、Ｇはサンプ
ル点、F1〜F4は上記点Ｇから所定量変位した点
を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板を露光するために用いる電子ビー
ムを前記半導体基板の表面を分割して設けた複数
個のサブフイールドのうちの１つの領域に偏向す
るメイン・デフレクタと、該サブフイールド内に
おける露光位置を選択するために前記電子ビーム
を偏向するサブ・デフレクタとを用いて行う電子
ビーム露光方法において、 電子ビーム露光を行う前に、前記サブ・フイー
ルド総て各々に対し、まず、マーク及び該マーク
に隣接する４つの区域内の第１、第２、第３、及
び第４の点を設定し、次いでメイン・デフレクタ
に偏向情報を与えて試料に設けられたマークから
該偏向情報に基づいた前記第１の点に電子ビーム
を偏向し、次いでサブ・デフレクタにより電子ビ
ームを該第１の点から偏向して該マークを走査
し、該第１の点と該マークとの距離を測定し、該
偏向情報に基づく該第１の点とマークとの距離と
該測定による距離との差を求め、次いで前記第
２、第３、及び第４の点に対して上記操作を繰り
返し、該偏向情報に基づく該点とマークとの距離
と該測定による距離との差のデータを４個求め、
該４個のデータに基づき各々のサブフイールド総
てに対し偏向変換係数を求める工程と、 半導体基板上の各サブフイールドを描画データ
に従つて露光するにあたり、該描画データを前記
各サブフイールドの位置座標に対応する偏向変換
係数によつて補正し、該補正によつて得られたデ
ータによつて電子ビームの偏向量を決定し露光を
行う工程を有することを特徴とする電子ビーム露
光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235868A JPS60126827A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235868A JPS60126827A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60126827A JPS60126827A (ja) | 1985-07-06 |
| JPH0515056B2 true JPH0515056B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16992435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58235868A Granted JPS60126827A (ja) | 1983-12-13 | 1983-12-13 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60126827A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57138757A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-27 | Hitachi Ltd | Correction of deflection distortion |
-
1983
- 1983-12-13 JP JP58235868A patent/JPS60126827A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57138757A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-27 | Hitachi Ltd | Correction of deflection distortion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60126827A (ja) | 1985-07-06 |
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