DE19631401C2

DE19631401C2 - Maske und Verfahren zur Herstellung einer Maske sowie Elektronenstrahl-Belichtungsverfahren und Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung

Info

Publication number: DE19631401C2
Application number: DE19631401A
Authority: DE
Inventors: Takuyki Sakakibara; Satoru Sagoh; Satoru Yamazaki; Kiichi Sakamoto; Hiroshi Yasuda
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 1996-01-09
Filing date: 1996-08-04
Publication date: 2001-03-01
Anticipated expiration: 2016-08-05
Also published as: DE19631401A1; US5824437A; KR100196543B1; KR970059838A; TW324070B; US5952155A

Description

1. Anwendungsbereich der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Elektronenstrahl-Belichtungsverfahren und Elektronenstrahl- Belichtungsvorrichtungen und im besonderen auf ein Elektro nenstrahl-Belichtungsverfahren und eine Elektronenstrahl- Belichtungsvorrichtung, die eine Blockbelichtung unter Ver wendung einer Blockmaske durchführen.

2. Beschreibung der zugehörigen Technik

Aus der US 5,288,567 ist eine elektronen-lithographi sche Vorrichtung bekannt, die eine Maske verwendet, die in einem Mikrobereich Öffnungen aufweist, deren Flächengröße kleiner ist als die des Mikrobereiches selbst. Bei dieser bekannten Vorrichtung werden die Öffnungen dazu verwendet, um ein Belichtungsmuster zu erzeugen, welches aus einer präzisen Kopie der Öffnungen besteht. Mit anderen Worten wird bei dieser bekannten Vorrichtung über die Öffnungen eine jeweilige getrennte Projektion auf einen Gegenstand gezeichnet, so daß eine Nachbildung der Gestalt der Öffnung auf dem Gegenstand gebildet wird.

Aus der Literaturstelle US-2-J. Vac. Soc. B 13(6), November/Dezember 1995, Seiten 2473-2477, sind Zusammenhän ge zwischen einer erzielbaren Auflösung bei Elektronen strahl-Zellenprojektions-Litographiesystemen, dem verwende ten Strahlstrom, der Coulomb'schen Kraft, der Elektronen strahlstreuung usw. bekannt.

In den letzten Jahren sind Elektronenstrahl-Belich tungsverfahren und Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtun gen in dem Gebiet eingesetzt werden, um eine Schaltkreis dichte von integrierten Schaltkreisen zu erhöhen. Bei dem Elektronenstrahl-Belichtungsschema kann die Größe des Elek tronenstrahls so klein wie einige Angström gemacht werden, so daß feine Muster, kleiner als 1 µm, erzeugt werden kön nen.

Wenn ein Muster durch einen Elektronenstrahl mit einem einzigen Strich gezeichnet werden muß, wird ein Belich tungsprozeß eine unerwünscht lange Zeit einnehmen. Um die sem entgegenzuwirken, ist ein Block-Belichtungsverfahren vorgeschlagen worden, bei dem eine Mehrzahl von Blöcken, deren jeder eine oder mehrere Öffnungen von verschiedenen Musterformen hat, auf einer Öffnungsmaske vorgesehen worden ist, und ein Elektronenstrahl wird auf einen ausgewählten dieser Blöcke gerichtet. Hier ist die Öffnungsmaske aus ei ner Platte gemacht, die geeignet ist, einen Elektronen strahl zu blockieren, so daß ein Elektronenstrahl, der durch eine Öffnung der Maske hindurchtritt, eine Quer schnittsform entsprechend einer Form der Öffnung hat. Der Elektronenstrahl, der durch die Öffnungen des ausgewählten Blocks hindurchtritt, wird dann auf ein Objekt, wie einen Wafer, gerichtet, um ein Muster der Öffnungen zu bilden. Dieses Block-Belichtungsverfahren kann einen Durchsatz so hoch wie 1 cm²/s erreichen, und ist bekannt, im Hinblick auf Feinheit der Verarbeitung, die Positioniergenauigkeit, die Umkehrgeschwindigkeit und Verläßlichkeit überragende Eigenschaften zu haben.

Fig. 1 ist ein Blockdiagramm eines Beispiels einer Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung des Blockbelich tungstyps des Standes der Technik.

In Fig. 1 enthält eine Elektronenstrahl-Belichtungs vorrichtung 100 eine Belichtungs-Spalteneinheit 110 und ei ne Steuereinheit 150. Die Belichtungs-Spalteneinheit 110 enthält einen Elektronenstrahlgenerator 114 mit einer Ka thode 111, einem Gitter 112, und einer Anode 113. Die Be lichtungs-Spalteneinheit 110 enthält außerdem einen ersten Schlitz 115, um den Elektronenstrahl rechtwinklig zu for men, eine erste Linse 116, die den geformten Strahl bün delt, und einen Schlitzablenker 117, der eine Position des geformten Strahls auf einer Maske 120, basierend auf einem Ablenksignal S1, ablenkt. Die Belichtungs-Spalteneinheit 110 enthält außerdem eine zweite und eine dritte Linse 118 und 119, die sich gegenüberstehen, die Maske 120, die in einer horizontalen Richtung zwischen der zweiten und der dritten Linse 118 und 119 beweglich angebracht ist, und er ste bis vierte Ablenker 121 bis 124, die den Strahl zwi schen der zweiten und der dritten Linse 118 und 119, basie rend auf Positionsinformation P1 bis P4, ablenken, um eines einer Mehrzahl von Löchern (Öffnungen) auszuwählen, die durch die Maske 120 hindurch vorgesehen sind. Die Belich tungs-Spalteneinheit 110 enthält außerdem eine Ausblendung 125, die den Strahl entsprechend einem Ausblendungssignal abschneidet oder durchläßt, eine vierte Linse 126, die den Strahl bündelt, eine Öffnung 127, eine Refokussierspule 128 und eine fünfte Linse 129. Die Belichtungs-Spalteneinheit 110 enthält außerdem eine dynamische Fokussierspule 130, eine dynamische Stigmatorspule 131, eine Objektivlinse 132, die den Strahl auf einen Wafer projiziert, und einen Hauptablenker 131 und einen Unterablenker 134, die den Strahl auf den Wafer entsprechend Belichtungs-Positions signalen S2 und S3 positionieren. Die Belichtungs- Spalteneinheit 110 enthält außerdem einen Tisch 135, der den Wafer trägt, um ihn in X-Y-Richtungen zu bewegen, und erste bis vierte Ausrichtspulen.

Die Steuereinheit 150 enthält Speichermedien 151, das eine Platte oder einen MT-Aufzeichner zum Speichern von Entwurfsdaten integrierter Schaltkreise umfaßt, und eine CPU 152, die die Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung steuert. Die Steuereinheit 150 enthält außerdem eine Da ten-Handhabungseinheit 153, eine Belichtungs-Handha bungseinheit 159, eine Maskentisch-Steuereinheit 160, eine Hauptablenker-Ablenkungseinstelleinheit 161 und eine Tisch steuereinheit 162, die alle über einen Datenbus (d. h. VME-Bus) verbunden sind. Belichtungsdaten umfassen Haupta blenkerdaten und Unterablenkerdaten und werden in einem Pufferspeicher 154 über die Daten-Handhabungseinheit 153 vor dem Belichtungsprozeß gespeichert. Der Pufferspeicher 154 wird verwendet als ein Hochgeschwindigkeitspuffer zum Lesen der Belichtungsdaten, wodurch ein Einfluß des Lesens von Daten aus den Speichermedien 151 mit niedriger Ge schwindigkeit vermieden wird.

Die Hauptablenkerdaten werden in der Hauptablenker- Ablenkungseinstelleinheit 161 über die Belichtungs-Hand habungseinheit 159 eingestellt. Das Belichtungspositions signal S2 wird ausgegeben, nachdem der Ablenkbetrag berech net ist, und dem Hauptablenker 133 über den DAC/AMP 170 zu geführt. Dann werden die Unterablenkungsdaten zum Belichten eines ausgewählten Feldes aus der Daten-Handhabungseinheit 153 ausgelesen und zur Unterablenker-Ablenkungseinstell einheit 155 gesendet. In der Unterablenker-Ablenkungs einstelleinheit 155 werden die Unterablenkungsdaten durch die Mustererzeugungseinheit 156 in Schußdaten aufgeteilt und von der Musterkorrektureinheit 157 korrigiert. Diese Schaltkreise arbeiten in einem Fließband entsprechend einem Taktsignal, das von der Takteinstelleinheit 158 erzeugt wird.

Nach der Verarbeitung von der Musterkorrektureinheit 157 werden ein Signal S1 zum Einstellen einer Schlitzgröße, Maskenablenkungssignale P1 bis P4 zum Bestimmen einer abge lenkten Position des Strahls, der entsprechend dem Signal S1 nach einem Hindurchtreten durch den ersten Schlitz 115 abgelenkt wird, auf der Maske 120, ein Signal S3 zum Be stimmen einer Position des Strahls, der durch die Maske 120 geformt wird, auf dem Wafer und ein Signal S4 zum Korrigie ren von Verzerrung und Unschärfe des Strahls erhalten. Das Signal S1, die Maskenablenkungssignale P1 bis P4, das Si gnal S3 und das Signal S4 werden der Belichtungs-Spalten einheit 110 über den DAC (Digital-zu-Analog-Wandler)/AMP (Verstärker) 166, DAC/AMP 167, DAC/AMP 171 und DAC/AMP 169 zugeführt. Ebenso versorgt die Takteinstelleinheit 158 eine Ausblendungssteuereinheit 165 mit einem B-Signal. Ein BLK-Signal zum Steuern des Ausblendungsbetriebs von der Ausblendungssteuereinheit 165 wird über den AMP 168 der Ausblendung 125 zugeführt.

Eine Belichtungsposition auf dem Wafer wird gesteuert von der Tischsteuereinheit 162. Dabei wird eine Koordina tenposition, die von einem Laserinterferometer 163 detek tiert wird, der Tischsteuereinheit 162 zugeführt. Bezugneh mend auf die Koordinatenposition bewegt die Tischsteuerein heit 162 den Tisch 135 durch Antreiben eines Motors 164.

In dieser Weise steuert die Steuereinheit 150 die Be lichtungs-Spalteneinheit 110 so, daß der Elektronenstrahl, der von dem Elektronenstrahlgenerator 114 emittiert wird, durch den ersten Schlitz 115 rechtwinklig geformt wird, von den Linsen 116 und 118 gebündelt wird, von den Maskenablen kern 121 und 122 abgelenkt wird und auf die Maske 120 ge richtet wird. Der Strahl, der durch die Maske 120 hindurch getreten ist, tritt durch die Ausblendung 125 hindurch, wird von der vierten Linse 126 gebündelt, wird zu einer Mitte eines Unterfeldes von etwa einem 100-µm-Quadrat durch den Hauptablenker 133 abgelenkt und wird innerhalb dieses Unterfeldes von dem Unterablenker 134 abgelenkt.

Allgemein haben Elektronenstrahl-Belichtungsverfahren ein Problem von Coulomb-Wechselwirkung. Dies ist ein Phäno men, bei dem Elektronen des Elektronenstrahls voneinander abgestoßen werden, so daß ein Querschnitt des Elektronen strahls unscharf wird, im allgemeinen proportional zum Strombetrag des Strahls. Besonders am Fokuspunkt des Elek tronenstrahls wird eine Wahrscheinlichkeit von Elektronen, die miteinander wechselwirken, eine unerwünschte Unschärfe des Bildes mit sich zu bringen, erhöht.

Bei dem Blockbelichtungsverfahren unter Verwendung ei nes Elektronenstrahls, der durch die Öffnungen hindurch tritt, um über eine weite Fläche ein feines Muster zu bil den, tendiert der Strombetrag des Elektronenstrahls dazu, groß zu sein, und macht das Blockbelichtungsverfahren emp findlich gegenüber der Coulomb-Wechselwirkung. Ein Einsatz einer Linse mit kürzerer Brennweite kann die Einwirkung der Coulomb-Wechselwirkung vermindern, jedoch nicht bis zu ei nem ausreichenden Ausmaß.

Um den Strombetrag des Elektronenstrahls bei dem Blockbelichtungsverfahren zu verringern, können zwei Ver fahren eingesetzt werden. Diese zwei Verfahren sind 1) Ver ringern der Stromdichte des Elektronenstrahls und 2) Ver kleinern der Größe einer belichteten Fläche (Größe der Öff nungen). Da der Strombetrag geliefert wird als ein Produkt der Stromdichte und der Belichtungsflächengröße, kann eine Verminderung in einem dieser zwei Faktoren den Strombetrag vermindern.

Wenn die Stromdichte verringert wird, wie im Verfahren 1), muß die Belichtungszeit erhöht werden, um einen erfor derlichen Belichtungsbetrag des Wafers zu gewährleisten. Folglich wird Durchsatz, d. h. Produktion, geopfert. Um eine Durchsatzverringerung so klein wie möglich zu halten, ist es wünschenswert, die Stromdichte entsprechend einer Flä chengröße der Öffnungen zu ändern. Namentlich wird eine Be lichtung mit einer niedrigen Stromdichte in einer langen Zeit durchgeführt, wenn die Flächengröße der Öffnungen groß ist, und eine Belichtung mit einer hohen Stromdichte wird durchgeführt, indem eine kurze Zeitperiode genommen wird, wenn die Flächengröße der Öffnungen klein ist. In diesem Fall wird jedoch die Stromdichte während des Belichtungs prozesses geändert, was zu einer Instabilität im Betrieb der Vorrichtung führt. Aus diesem Grund ist dieses Verfah ren nicht praktikabel.

Um die Flächengröße der Öffnungen bei dem Verfahren 2) zu verringern, kann eine Blockgröße (Flächengröße, ausge wählt für einen Schuß eines Elektronenstrahls) kleiner ge macht werden, wenn eine Musterdichte hoch ist, und kann größer gemacht werden, wenn die Musterdichte klein ist. Da durch ist es möglich, ein Opfern des Durchsatzes zu vermei den. In diesem Fall ist es jedoch wahrscheinlich, daß eini ge Abschnitte in einer Blockgröße nicht effektiv genutzt werden. Ebenso liegt ein Nachteil darin, daß der Blockex traktionsprozeß und der Blockbelichtungsprozeß kompliziert werden.

Dementsprechend wird ein Belichtungsverfahren, das ei ne niedrige Stromdichte verwendet, wobei der Durchsatz ge opfert wird, bei dem Blockbelichtungsverfahren nach dem Stand der Technik eingesetzt.

Es gibt ein anderes Problem bei dem Blockbelichtungs verfahren, und dieses Problem wird unten beschrieben.

Wie oben beschrieben, sind bei der Elektronenstrahl- Belichtungsvorrichtung, die das Blockbelichtungsverfahren verwendet, eine Mehrzahl von Blöcken, deren jeder minde stens eine Öffnung mit verschiedenen Musterformen hat, auf einer Öffnungsmaske vorgesehen, und ein Elektronenstrahl wird auf einen ausgewählten dieser Blöcke gerichtet. Der Elektronenstrahl, der durch die Öffnungen des ausgewählten Blocks hindurchtritt, wird dann zu einem Wafer gerichtet, um ein Muster der Öffnungen auf dem Wafer zu bilden.

Jeder Block hat Öffnungen mit verschiedener Muster form, und der Strombetrag des Elektronenstrahls, der durch die Öffnungen eines gegebenen Blocks hindurchtritt, hängt von der Flächengröße der Öffnungen ab. Daher werden, wenn verschiedene Blöcke ausgewählt sind, verschiedene Beträge von Strom über den Elektronenstrahl auf den Wafer gerich tet.

Fig. 2A und 2B sind veranschaulichende Zeichnungen, die Beispiele von Blöcken mit verschiedenen Öffnungsflä chengrößen zeigen.

Verglichen mit einem Muster von Öffnungen, das in Fig. 2A dargestellt ist, hat ein Muster von Öffnungen von Fig. 2B eine kleinere Flächengröße. Wenn diese zwei Muster bei demselben Belichtungsbetrag belichtet werden, wird ein ge eigneter Belichtungsbetrag für das Muster von Fig. 2A zu einer Unterbelichtung für das Muster von Fig. 2B führen, und ein geeigneter Belichtungsbetrag für das Muster von Fig. 2B wird zu einer Überbelichtung für das Muster von Fig. 2A führen. Namentlich kann der Einsatz desselben Be lichtungsbetrages nicht angemessen beide Muster von Fig. 2A und Fig. 2B zeichnen. Daher wird ein Belichtungsbetrag all gemein für ein Muster mit einer kleineren Öffnungsflächen größe, wie in Fig. 2B dargestellt, erhöht, verglichen da mit, wenn ein Muster mit einer größeren Öffnungsflächengrö ße, wie in Fig. 2A dargestellt, belichtet wird. Um den Be lichtungsbetrag zu erhöhen, kann entweder die Belichtungs zeit erhöht werden, oder die Stromdichte des Elektronen strahls kann erhöht werden, wie vorausgehend beschrieben.

Wie oben beschrieben ist, können verschiedene Belich tungsbeträge für verschiedene Muster mit verschiedenen Öff nungsflächengrößen eingestellt werden. Jedoch gibt es bei diesem Verfahren ein Problem, das eine Verstellung des Be lichtungsbetrages betrifft.

Fig. 3 ist eine veranschaulichende Zeichnung, die ei nen Block und ein Öffnungsmuster innerhalb des Blocks zur Erläuterung des Problems betreffend die Verstellung des Be lichtungsbetrages zeigt.

In Fig. 3 enthält ein Block 200 eine Öffnung 201 und eine Öffnung 202. Eine Flächengröße der Öffnung 201 wird als A1 bezeichnet, und eine Flächengröße der Öffnung 202 wird als A2 bezeichnet, wobei A1 viel kleiner als A2 ist. Bei dem Belichtungsbetrag-Verstellverfahren wird ein Be lichtungsbetrag für einen Block entsprechend der Gesamtflä chengröße der Öffnungen dieses Blocks bestimmt. Daher wird der Belichtungsbetrag für den Block 200 bestimmt, basierend auf einer Gesamtflächengröße A1 + A2. Wenn ein Belichtungsbe trag in dieser Weise bestimmt ist, wird eine Belichtung der Öffnung 202 angemessen durchgeführt. Jedoch ist die Öffnung 201 unterbelichtet, so daß ein geeignetes Muster nicht er zeugt wird. Namentlich neigt eine Öffnung mit einer kleine ren Flächengröße dazu, unterbelichtet zu werden, wenn eine Mehrzahl von Öffnungen mit erheblich unterschiedlichen Flä chengrößen in einem Block enthalten ist. Dies kommt daher, daß der Belichtungsbetrag Block für Block verstellt wird.

Zusätzlich gibt es den Einfluß der Coulomb- Wechselwirkung, wie oben beschrieben. Um die Coulomb- Wechselwirkung zu unterdrücken, ist es nötig, die Strom dichte des Elektronenstrahls zu verringern, während eine Belichtungszeit erhöht wird, um einen geeigneten Belich tungsbetrag aufrechtzuerhalten, wie vorstehend beschrieben ist. Jedoch ist es nicht wünschenswert, die Stromdichte wahllos für alle Blöcke, einschließlich Blöcken, die frei von Coulomb-Wechselwirkung sind, zu verringern, da dies zu einem niedrigeren Durchsatz führt. Auch ein Einstellen ei ner verschiedenen Stromdichte für jeden verschiedenen Block führt zu ungeordneten Änderungen in der Stromdichte, wo durch der Betrieb des Gerätes instabil gemacht wird.

Dementsprechend besteht Bedarf an einem Blockbelich tungsverfahren und an einer Blockbelichtungsvorrichtung, die einen Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung verringern können, ohne den Durchsatz zu erniedrigen, ohne den Vor richtungsbetrieb instabil zu machen und ohne die Prozesse zu komplizieren, und ebenso besteht Bedarf an einer Maske und einem Verfahren zur Herstellung der Maske, die in solch einem Blockbelichtungsverfahren und solch einer Blockbe lichtungsvorrichtung eingesetzt wird.

Auch besteht Bedarf an einem Blockbelichtungsverfahren und einer Blockbelichtungsvorrichtung, die einen Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung verringern und ein feines Muster von einer Öffnung kleiner Größe mit einem geeigneten Be lichtungsbetrag erzeugen können.

Es ist ein allgemeines Ziel der vorliegenden Erfin dung, ein Blockbelichtungsverfahren und eine Blockbelich tungsvorrichtung bereitzustellen, die die oben beschriebe nen Bedürfnisse befriedigen können.

Es ist ein anderes und spezifischeres Ziel der vorlie genden Erfindung, ein Blockbelichtungsverfahren und eine Blockbelichtungsvorrichtung bereitzustellen, die den Ein fluß der Coulomb-Wechselwirkung verringern können, ohne den Durchsatz (die Produktionsrate) zu erniedrigen, ohne den Betrieb der Vorrichtung instabil zu machen, ohne die Pro zesse zu komplizieren, und ebenfalls, eine Maske und ein Verfahren zur Herstellung der Maske bereitzustellen, die in solch einem Blockbelichtungsverfahren und in solch einer Blockbelichtungsvorrichtung eingesetzt werden.

Um die oben genannten Ziele entsprechend der vorlie genden Erfindung zu erreichen, verwenden ein Blockbelich tungsverfahren und eine Blockbelichtungsvorrichtung eine Maske mit einer Mehrzahl von Blöcken, deren jeder minde stens eine Öffnung hat, wobei ein Elektronenstrahl, der durch die mindestens eine Öffnung eines ausgewählten der Blöcke hindurchtritt, auf ein Objekt, wie einen Wafer, ge richtet wird, um auf dem Objekt ein Muster zu bilden. Die Maske enthält eine Platte, die geeignet ist, den Elektro nenstrahl zu blockieren, und rechtwinklige Mikrobereiche, die das Muster auf der Platte bilden, wobei jeder der rechtwinkligen Mikrobereiche eine von Mikroöffnungen, die durch die Platte hindurch ausgebildet sind, aufweist, wel che eine der Mikroöffnungen eine Flächengröße kleiner als die eines entsprechenden der rechtwinkligen Mikrobereiche hat, wobei eine Gesamtflächengröße der Mikroöffnungen klei ner ist als eine vorbestimmte Größe.

Der Einsatz der Maske mit den Mikroöffnungen macht es möglich, einen Strombetrag des Elektronenstrahls zu begren zen, der durch die Mikroöffnungen hindurchtritt, wenn er auf dem Wafer das Muster entsprechend einer Anordnung der rechtwinkligen Mikrobereiche, die die Mikroöffnungen ent halten, bildet. Da eine Belichtungszeit für jeden Block um eine angemessene Zeitdauer verlängert werden kann, um einen geeigneten Belichtungsbetrag zu gewährleisten, wird ein Be lichtungsprozeß, der im wesentlichen frei von Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung ist, erreicht. Bei diesem Belich tungsverfahren wird eine Verringerung des Strombetrags für jeden Block geeignet erreicht, ohne daß eine Änderung der Stromdichte erforderlich ist, so daß eine Verringerung im Durchsatz minimiert wird, und ebenso ist ein Betrieb der Vorrichtung nicht instabil.

Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Blockbelichtungsvorrichtung bereitzustellen, die einen Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung veringern und ein feines Muster einer Öffnung geringer Größe mit einem geeigneten Belichtungsbetrag erzeugen kann.

Um das oben genannte Ziel entsprechend der vorliegen den Erfindung zu erreichen, ist ein Verfahren zur Belich tung eines Wafers mit einem Elektronenstrahl unter Verwen dung einer Maske mit einer Mehrzahl von Blöcken, deren je der mindestens eine Öffnung hat, vorgesehen, wobei ein Elektronenstrahl, der durch die mindestens eine Öffnung ei nes ausgewählten der Blöcke hindurchtritt, auf den Wafer gerichtet wird, um auf dem Wafer ein Muster zu bilden. Das Verfahren umfaßt die Schritte: Bestimmen eines Belichtungs betrages für einen der Blöcke durch Verwenden einer ersten Öffnung, die unter der einen oder den mehreren Öffnungen des einen der Blöcke am wahrscheinlichsten unterbelichtet ist, als eine Referenz, Einführen von ersten Strahlen in andere Öffnungen der einen oder mehreren Öffnungen, wenn der Belichtungsbetrag die anderen Öffnungen überbelichtet macht, so daß der Elektronenstrahl, der durch die anderen Öffnungen mit den ersten Strahlen hindurchtritt, einen ge eigneten Strombetrag hat, und Belichten des Wafers mit dem Belichtungsbetrag, um das Muster darauf zu bilden. Das Ver fahren umfaßt außerdem die Schritte: Einführen von zweiten Strahlen in die erste Öffnung und die anderen Öffnungen mit den ersten Strahlen, um einen Strombetrag des Elektronen strahls zu verringern, wenn der Strombetrag des Elektronen strahls, der durch die erste Öffnung und die anderen Öff nungen mit den ersten Strahlen hindurchtritt, größer ist als ein vorbestimmter Betrag, und Bestimmen einer Belich tungszeit, so daß der Strombetrag des Elektronenstrahls für das Muster einen geeigneten Belichtungsbetrag ergibt.

Dasselbe Ziel kann erreicht werden durch eine Vorrich tung zum Belichten eines Wafers mit einem Elektronenstrahl unter Verwendung einer Maske mit einer Mehrzahl von Blöc ken, deren jeder mindestens eine Öffnung hat, wobei ein Elektronenstrahl, der durch die mindestens eine Öffnung ei nes ausgewählten der Blöcke hindurchtritt, auf den Wafer gerichtet wird, um auf dem Wafer ein Muster zu bilden. Die Vorrichtung umfaßt ein Einheit zum Bestimmen eines Belich tungsbetrages für einen der Blöcke durch Verwenden einer ersten Öffnung, die unter der einen oder den mehreren Öff nungen des einen der Blöcke am wahrscheinlichsten unterbe lichtet ist, als eine Referenz, eine Einheit zum Einführen erster Strahlen in andere Öffnungen der einen oder mehreren Öffnungen, wenn der Belichtungsbetrag die anderen Öffnungen überbelichtet macht, so daß der Elektronenstrahl, der durch die anderen Öffnungen mit den ersten Strahlen hindurch tritt, einen geeigneten Strombetrag hat, und eine Einheit zum Belichten des Wafers mit dem Belichtungsbetrag, um das Muster darauf zu bilden. Die Vorrichtung umfaßt außerdem eine Einheit zum Einführen zweiter Strahlen in die erste Öffnung und die anderen Öffnungen mit den ersten Strahlen, um einen Strombetrag des Elektronenstrahls zu verringern, wenn der Strombetrag des Elektronenstrahls, der durch die erste Öffnung und die anderen Öffnungen mit den ersten Strahlen hindurchtritt, größer ist als ein vorbestimmter Betrag, und eine Einheit zum Bestimmen einer Belichtungs zeit, so daß der Strombetrag des Elektronenstrahls für das Muster einen geeigneten Belichtungsbetrag ergibt.

Bei dem Verfahren und der Vorrichtung, die oben be schrieben sind, wird ein Belichtungsbetrag entsprechend der Öffnung eingestellt, die am wahrscheinlichsten unterbelich tet ist, so daß selbst das feinste Muster geeignet erzeugt wird, ohne eine Unterbelichtung zu erfahren. Auch in die anderen Öffnungen, die bei diesem Belichtungsbetrag überbe lichtet werden, werden die Strahlen eingeführt, so daß selbst die größeren Muster angemessen erzeugt werden, ohne eine Überbelichtung zu erfahren. Außerdem können, wenn der Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung unerwünscht groß ist, Strahlen weiterhin in alle Öffnungen eingeführt werden, oh ne einen Ausgleich zwischen den Öffnungen zu verlieren, so daß der Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung verringert wird. So werden geeignete Muster erzeugt.

Andere Ziele und weitere Merkmale der vorliegenden Er findung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung hervorgehen, wenn sie im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen gelesen wird.

Fig. 1 ist ein Blockdiagramm eines Beispiels einer Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung des Blockbelich tungstyps des Standes der Technik;

Fig. 2A und 2B sind veranschaulichende Zeichnungen, die Beispiele von Blöcken mit einer Öffnung von verschiede ner Flächengröße zeigen;

Fig. 3 ist eine veranschaulichende Zeichnung, die ei nen Block und ein Öffnungsmuster innerhalb des Blocks zum Erläutern eines Problems betreffend eine Belichtungsbetrag verstellung in der Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung von Fig. 1 zeigen;

Fig. 4A und 4B sind veranschaulichende Zeichnungen zur Erläuterung eines ersten Prinzips der vorliegenden Erfin dung;

Fig. 5 ist ein Flußdiagramm eines Prozesses zur Her stellung eines Mikroöffnungs-Musters und zum Belichten ei nes Wafers durch Verwenden des Mikroöffnungs-Musters ent sprechend einer ersten Ausführungsform des ersten Prinzips der vorliegenden Erfindung;

Fig. 6 ist eine veranschaulichende Zeichnung, die rechtwinklige Abschnitte zeigt, die durch erhaltene Ziffern geradzahlig aufgeteilt sind;

Fig. 7 ist eine veranschaulichende Zeichnung, die eine Mikroöffnung zeigt, die entsprechend der ersten Ausfüh rungsform des ersten Prinzips hergestellt ist;

Fig. 8 ist ein Flußdiagramm eines Prozesses zur Her stellung eines Mikroöffnungs-Musters und zum Belichten ei nes Wafers durch Verwenden des Mikroöffnungs-Musters ent sprechend einer zweiten Ausführungsform des ersten Prin zips;

Fig. 9 ist ein Flußdiagramm eines Prozesses zur Her stellung von Mikroöffnungen entsprechend einer dritten Aus führungsform des ersten Prinzips;

Fig. 10A und 10B sind veranschaulichende Zeichnungen, die Kriterien zeigen, die zum Einführen von Strahlen bei der dritten Ausführungsform des ersten Prinzips gebraucht werden;

Fig. 11A und 11B sind veranschaulichende Zeichnungen, die ein zweites Prinzip der vorliegenden Erfindung zeigen;

Fig. 12 ist ein Flußdiagramm eines Belichtungsprozes ses, basierend auf Strahleinführung und Belichtungsbetrag verstellung entsprechend einer ersten Ausführungsform des zweiten Prinzips der vorliegenden Erfindung;

Fig. 13A bis 13C sind veranschaulichende Zeichnungen, die Beispiele von Mustern mit eingeführten Strahlen zeigen;

Fig. 14 ist ein Tabellendiagramm, das eine Datentabel le zur Erläuterung eines alternierenden Beispiels der er sten Ausführungsform des zweiten Prinzips zeigt; und

Fig. 15 ist ein Flußdiagramm eines Datenerzeugungspro zesses für die Strahleinführung und die Belichtungsbetrag verstellung entsprechend einer zweiten Ausführungsform des zweiten Prinzips der vorliegenden Erfindung.

Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen

Im folgenden werden Prinzipien und Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.

Fig. 4A und 4B sind veranschaulichende Zeichnungen zur Erläuterung eines ersten Prinzips der vorliegenden Erfin dung. Fig. 4A zeigt ein Beispiel einer gewöhnlichen Öffnung in einem Block. Entsprechend dem ersten Prinzip der vorlie genden Erfindung werden Strahlen in die Öffnung, wie in Fig. 4B dargestellt, eingeführt. Mit diesen Strahlen kann der Strombetrag eines Elektronenstrahls, der durch die Öff nung hindurchtritt, verringert werden, ohne ein Belich tungsmuster auf einem Wafer zu ändern.

Ein Block 1 von Fig. 4A enthält eine Öffnung 2. Die Öffnung 2 umfaßt zwei rechtwinklige Abschnitte L₁ und L₂. Eine Größe des rechtwinkligen Abschnitts L₁ ist L_x(1) × L_y(1), und eine Größe des rechtwinkligen Abschnitts L₂ ist L_x(2) × L_y(2). Bei dem ersten Prinzip der vorliegenden Er findung werden anstelle eines Herstellens der Öffnung 2 von Fig. 4A eine Mehrzahl von Mikroöffnungen 3 von Fig. 4B her gestellt, um dasselbe Muster wie das der Öffnung 2 von Fig. 4A auszubilden.

Fig. 5 ist ein Flußdiagramm eines Prozesses zur Her stellung eines Mikroöffnungs-Musters und zur Belichtung ei nes Wafers durch Verwenden des Mikroöffnungs-Musters ent sprechend einer ersten Ausführungsform des ersten Prinzips der vorliegenden Erfindung. Der Prozeß von Fig. 5 wird durchgeführt entsprechend der ersten Ausführungsform des ersten Prinzips der vorliegenden Erfindung mit der Elektro nenstrahl-Belichtungsvorrichtung von Fig. 1.

Bei einem Schritt S1 werden Referenzabmessungen M_x und M_y der Mikroöffnung 3 bestimmt.

Bei einem Schritt S2, werden Anzahlen k_x(1) und k_y(1), die jeweilige Seiten des rechtwinkligen Abschnitts L₁ ge radzahlig aufteilen, basierend auf den Referenzabmessungen M_x und M_y, bestimmt. Die Anzahlen k_x(1) und k_y(1) werden er halten gemäß:

k_x(1) = [L_x(1)/M_x] (1)

k_y(1) = [L_y(1)/M_y] (2)

worin [z] bedeutet, z zu der nächsten ganzen Zahl grö ßer als z zu runden.

Bei einem Schritt S3 werden die Prozesse der Schritte S1 und S2 für einige oder alle der rechtwinkligen Abschnit te eines gegebenen Blocks wiederholt. Bei dem Beispiel von Fig. 4A und 4B werden Anzahlen k_x(2) und k_y(2), die jewei lige Seiten des rechtwinkligen Abschnitts L₂ geradzahlig aufteilen, bestimmt. Fig. 6 ist eine veranschaulichende Zeichnung, die rechtwinklige Abschnitte, die durch erhalte ne Anzahlen geradzahlig aufgeteilt sind, zeigen.

Bei einem Schritt S4 werden eine x-Richtungslänge S_x(n) und eine y-Richtungslänge S_y(n) der Mikroöffnungen 3 so bestimmt, daß ein Strom eines Elektronenstrahls, der durch alle die Mikroöffnungen 3 hindurchtritt, einen vorbe stimmten Referenzbetrag annimmt. Hier kann ein Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung bei dem vorbestimmten Referenzbetrag des elektrischen Stroms ignoriert werden. Fig. 7 ist eine veranschaulichende Zeichnung, welche die in dieser Weise hergestellte Mikroöffnung 3 zeigt.

S_x(n) und S_y(n) können wie folgt erhalten werden. Ein Referenzstrombetrag A_ref, bei dem die Coulomb-Wechselwirkung ignoriert werden kann, wird wie folgt wiedergegeben:

A_ref [µA] = D[µA/µm²] × {Öffnungsflächengröße} × α (3)

wobei die Öffnungsflächengröße eine Flächengröße der gedachten Öffnung 2 ohne eingeführte Strahlen (Fig. 4A) und D eine Stromdichte ist. Auch ist α ein Koeffizient, der zum Verstellen des Strombetrags verwendet wird und zeigt, um wieviel die Öffnungsflächengröße verringert werden sollte, um den Strombetrag zu dem Referenzstrombetrag A_ref herunter zu erniedrigen. Wenn beispielsweise die Stromdichte D 0,4 µA/µm² und die Öffnungsflächengröße 5 µm × 5 µm ist, ist der Strombetrag 10 µA. Ein Strom dieses Betrages wird zu einer großen Coulomb-Wechselwirkung führen. Daher ist es wünschenswert, den Strom auf einen Betrag kleiner als 2,5 µm, mehr oder weniger, zu verringern, d. h. etwa 25% des Gesamtbetrages von 10 µA. In diesem Fall wird der Koeffizi ent α zu 0,25 berechnet. Durch Verwenden des Koeffizienten α zum Verringern des Strombetrages, werden S_x(n) und S_y(n) wie folgt erhalten:

S_x(n) = α^½ . L_x(n)/k_x(n) (4)

S_y(n) = α^½ . L_y/n)/k_y(n) (5)

Hier ist ein Bereich, definiert durch L_x(n)/k_x(n) × L_y(n)/K_y(n), ein Bereich, in dem die Mikroöffnung 3 herge stellt werden muß und wird hiernach ein rechtwinkliger Mi krobereich 4 genannt (vgl. Fig. 4A und 4B und Fig. 7). Na mentlich wird die Mikroöffnung 3 in den Gleichungen (4) und (5) erhalten durch Multiplizieren einer x-Richtungslänge und einer y-Richtungslänge des rechtwinkligen Mikrogebietes 4 mit α^½ für jeden der rechtwinkligen Abschnitte L₁ und L₂. Dadurch ist eine Gesamtflächengröße aller Mikroöffnun gen 3, die in einem rechtwinkligen Abschnitt vorgesehen sind, α-mal so groß wie eine Flächengröße des rechtwinkli gen Abschnitts für jeden der L₁ und L₂. Außerdem werden ei ne x-Richtungsstrahlweite dx und eine y-Richtungs strahlweite dy wiedergegeben wie:

dx(n) = L_x(n)/k_x(n) - S_x(n) (6)

dy(n) = L_y(n)/k_y(n) - S_y(n) (7)

Bei einem Schritt S5 werden k_x(n) × k_y(n) Mikroöffnun gen 3 mit einer Größe, die bei Schritt S4 erhalten wurde, in der Öffnungsmaske hergestellt (vgl. Fig. 4B).

In dieser Weise wird der Block 1 mit einem Mikroöff nungs-Muster hergestellt. Der Rest der Schritte in Fig. 5 zeigt einen Prozeß zum Belichten eines Wafers durch Verwen den der hergestellten Blöcke 1.

Bei einem Schritt S6 wird unter Verwendung des Blocks 1 mit einem Mikroöffnungs-Muster (Block mit eingeführten Strahlen) ein Wafer für eine normale Belichtungszeitdauer, multipliziert mit (Gesamtflächengröße von Öffnung)/(Gesamt flächengröße aller Mikroöffnungen), belichtet. Wenn α 0,25 und die Gesamtflächengröße aller Mikroöffnungen 3 0,25-mal so groß wie die der (strahllosen) Öffnung 2 ist, wird ein Wafer viermal (1/0,25) so lange wie die normale Belich tungszeitdauer belichtet.

Bei der ersten Ausführungsform des ersten Prinzips kann ein Wert von α von Block zu Block variieren. Nament lich ist α näher an 1, wenn die Flächengröße der Öffnung 2 ohne Strahl relativ klein ist und wird kleiner, wenn die Flächengröße der Öffnung 2 zunimmt (die Coulomb- Wechselwirkung zunimmt). In dieser Weise kann die Ge samtflächengröße aller Mikroöffnungen 3 zu einer geeigneten Größe für jeden Block 1 eingestellt werden, so daß eine Verringerung im Durchsatz, hervorgerufen durch eine Zunahme in der Belichtungszeit, auf einem Minimalniveau gehalten werden kann.

Bei der ersten Ausführungsform des ersten Prinzips der vorliegenden Erfindung werden Größen der Mikroöffnungen 3 bestimmt, basierend auf dem Koeffizienten α (Flächengrößen- Kontraktionsverhältnis), der für jeden Block 1 variabel ist, und Mikroöffnungs-Muster werden in der Öffnungsmaske hergestellt, um gewünschte Belichtungsmuster zu bilden. Ein Verwenden dieser Mikroöffnungs-Muster mit einer Belich tungszeit, die um eine vorbestimmte Zeitdauer erhöht ist, erlaubt einen Belichtungsprozeß, der im wesentlichen frei von einem Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung ist. Bei die sem Belichtungsprozeß wird eine Verringerung des Durchsat zes minimiert, und ein Vorrichtungsbetrieb ist nicht insta bil.

Ein Prozeß zur Herstellung eines Mikroöffnungs-Musters entsprechend einer zweiten Ausführungsform des ersten Prin zips der vorliegenden Erfindung wird unten beschrieben. Der Prozeß zur Herstellung eines Mikroöffnungs-Musters entspre chend der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von dem der ersten Ausführungsform in dem Verfahren zur Bestim mung von Strahlweiten. Bei der zweiten Ausführungsform wird eine Strahlweite dh so bestimmt, daß sie in der x-Richtung und in der y-Richtung dieselbe wird.

Fig. 8 ist ein Flußdiagramm eines Prozesses zur Her stellung eines Mikroöffnungs-Musters und zum Belichten ei nes Wafers durch Verwenden des Mikroöffnungs-Musters ent sprechend der zweiten Ausführungsform. Das Verfahren von Fig. 8 wird entsprechend der zweiten Ausführungsform des ersten Prinzips der vorliegenden Erfindung durchgeführt mit der Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung von Fig. 1.

Bei einem Schritt S11 werden Referenzabmessungen M_x und M_y der Mikroöffnung 3 bestimmt.

Bei einem Schritt S12 werden Anzahlen k_x(1) und k_y(1), die jeweilige Seiten des rechtwinkligen Abschnitts L1 ge radzahlig aufteilen, basierend auf den Referenzabmessungen M_x und M_y, bestimmt. Die Anzahlen k_x(1) und k_y(1) werden er halten gemäß:

k_x(1) = [L_x(1)/M_x] (8)

k_y(1) = [L_y(1)/M_y] (9)

worin [z] bedeutet, z zur nächsten ganzen Zahl größer als z zu runden.

Bei einem Schritt S13 werden die Prozesse der Schritte S11 und S12 für einige oder alle der rechtwinkligen Ab schnitte eines gegebenen Blocks wiederholt. Bei dem Bei spiel von Fig. 4A und 4B werden Anzahlen k_x(2) und k_y(2), die jeweilige Seiten des rechtwinkligen Abschnitts L₂ ganz zahlig aufteilen bestimmt.

Bei einem Schritt S14 wird eine Strahlweite dh(n) zwi schen den Mikroöffnungen 3 so bestimmt, daß ein Strom eines Elektronenstrahls, der durch alle Mikroöffnungen 3 hin durchtritt, einen vorbestimmten Referenzbetrag annimmt. Hier kann ein Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung bei dem vorbestimmten Referenzbetrag ignoriert werden. Die Strahl weite dh(n) ist für die x-Richtung und die y-Richtung die selbe.

Die Strahlweite dh(n) kann wie folgt erhalten werden. Eine x-Richtungsabmessung m_x(n) und eine y- Richtungsabmessung m_y(n) des rechtwinkligen Mikrobereichs 4 werden wiedergegeben gemäß:

m_x(n) = L_x(n)/k_x(n) (10)

m_y(n) = L_y(n)/k_y(n) (11)

Der Koeffizient α für die Strombetragsverstellung wird durch Verwenden von m_x(n), m_y(n) und dh(n) erhalten gemäß:

α = (m_x(n) - dh(n))(m_y(n) - dh(n))/m_x(n) . m_y(n) (12)

dh(n) wird aus der Gleichung (12) erhalten durch Lösen der Gleichung zweiter Ordnung von dh(n).

dh(n) = {m_x(n) + m_y(n) ± [(m_x(n) + m_y(n))² - 4m_x(n)m_y(n)(1 - α)]^½}/2 (13)

Von den zwei Lösungen der Gleichung (13) wird eine po sitive reelle Zahl als dh(n) verwendet.

Bei einem Schritt S15 werden k_x(n) × k_y(n) Mikroöff nungen 3 mit einer Größe, erhalten bei dem Schritt S14, in der Öffnungsmaske hergestellt.

In dieser Weise wird der Block 1 mit einem Mikroöff nungs-Muster hergestellt. Der Rest der Schritte in Fig. 8 zeigen ein Verfahren zum Belichten eines Wafers durch Ver wenden der hergestellten Blöcke 1.

Bei einem Schritt S16 wird unter Verwendung des Blocks 1 mit einem Mikroöffnungs-Muster (Block mit eingeführten Strahlen) ein Wafer für eine normale Belichtungszeitdauer, multipliziert mit (Gesamtflächengröße von Öff nung)/(Gesamtflächengröße aller Mikroöffnungen), belichtet. Wenn α 0,25 und die Gesamtflächengröße aller Mikroöffnungen 3 0,25-mal so groß wie die der (strahllosen) Öffnung 2 ist, wird ein Wafer viermal (1/0,25) so lange wie die normale Belichtungszeitdauer belichtet.

Bei der zweiten Ausführungsform des ersten Prinzips kann, wie bei der ersten Ausführungsform, ein Wert von α von Block zu Block variieren. Daher kann eine Verringerung im Durchsatz, hervorgerufen durch eine Zunahme in der Be lichtungszeit, auf einem Minimalniveau gehalten werden.

Bei der zweiten Ausführungsform des ersten Prinzips der vorliegenden Erfindung werden Strahlweiten bestimmt, basierend auf dem Koeffizienten α (Flächengrößenkontrak tionsverhältnis), der für jeden Block 1 variabel ist, und Mikroöffnungs-Muster werden in der Öffnungsmaske herge stellt, um gewünschte Belichtungsmuster zu bilden. Ein Ver wenden dieser Mikroöffnungs-Muster mit einer Belichtungs zeit, die um eine vorbestimmte Zeitdauer erhöht ist, er laubt einen Belichtungsprozeß, der von einem Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung im wesentlichen frei ist. Bei diesem Belichtungsprozeß wird eine Verringerung im Durchsatz mini miert, und ein Betrieb der Vorrichtung ist nicht instabil.

Fig. 9 ist ein Flußdiagramms eines Prozesses zur Her stellung von Mikroöffnungen entsprechend einer dritten Aus führungsform des ersten Prinzips der vorliegenden Erfin dung. Die dritte Ausführungsform betrifft einen Prozeß zur Herstellung von Mikroöffnungen, bei dem Strahlweiten oder Größen von Mikroöffnungen, die bei der ersten Ausführungs form oder der zweiten Ausführungsform jeweils bestimmt wur den, vorbestimmte Kriterien erfüllen. Der Prozeß von Fig. 9 wird entsprechend der dritten Ausführungsform des ersten Prinzips der vorliegenden Erfindung durchgeführt mit der Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung von Fig. 1.

Wenn die kürzeste Seite der Mikroöffnung 3 besonders kurz ist, wird ein Elektronenstrahl, der durch das Loch hindurchtritt, zu schmal, um auf dem Wafer ein geeignetes Muster zu bilden. Wenn die kürzeste Seite eines gegebenen rechtwinkligen Abschnitts beispielsweise kleiner als 20 µm (0,2 µm auf dem Wafer) ist, ist es vorzuziehen, den recht winkligen Abschnitt in der Richtung der kürzesten Seite nicht aufzuteilen und Strahlen nicht einzuführen. Fig. 10A und 10B sind veranschaulichende Zeichnungen, die Kriterien zeigen, die für ein Einführen von Strahlen verwendet wer den. Wenn eine Seite, die sich in der x-Richtung des recht winkligen Abschnitts ausdehnt, kleiner ist als 20 µm, wie in Fig. 10A dargestellt, werden Strahlen in der x-Richtung nicht eingeführt, wie in Fig. 10B dargestellt. Demgegenüber wird in der Richtung der anderen Seite (y-Richtung) der rechtwinklige Abschnitt aufgeteilt, und Strahlen werden eingeführt.

Darüber hinaus gibt es, wenn eine Weite eines herge stellten Strahls besonders schmal ist, eine erhöhte Wahr scheinlichkeit, daß der Strahl leicht zerstört wird. Daher ist die Strahlweite bevorzugt weiter als beispielsweise 2 µm.

In Fig. 9 wird bei einem Schritt S21 eine Prüfung vor genommen, ob jede Seite eines rechtwinkligen Abschnitts, der mit Strahlen versehen werden muß, länger ist als eine vorbestimmte Länge. Wenn die Antwort "ja" ist, geht die Prozedur zu einem Schritt S22. Wenn die Antwort "nein" ist, geht die Prozedur zu einem Schritt S23.

Bei dem Schritt S22 werden Größen der Mikroöffnungen 3 und Weiten von Strahlen, die zu erzeugen sind, erhalten.

Bei dem Schritt S23 werden Größen der Mikroöffnungen 3 und Weiten von Strahlen, die zu erzeugen sind, erhalten. Hier wird keine Aufteilung durchgeführt, und in einer Rich tung von einer Seite, die nicht länger als die vorbestimmte Länge ist, werden keine Strahlen eingeführt.

Bei einem Schritt S24 und einem Schritt S25 wird eine Prüfung vorgenommen, ob erhaltene Strahlweiten weiter als eine vorbestimmte Weite sind. Wenn dies zutrifft, endet die Prozedur. Wenn die Strahlweiten schmaler als eine vorbe stimmte Weite sind, wird die Referenzteilung M_x oder M_y er höht (die Aufteilungsteilung wird weiter gemacht), bevor zu dem Schritt S22 oder dem Schritt S23 zurückgegangen wird.

Durch eine Durchführung des Prozesses, wie er oben be schrieben ist, werden die Mikroöffnungen 3 so hergestellt, daß Mikroöffnungs-Größen und Strahlweiten die vorbestimmten Kriterien erfüllen.

Bei der dritten Ausführungsform des ersten Prinzips der vorliegenden Erfindung wird vermieden, daß die Mi kroöffnungen 3, die bei der ersten Ausführungsform herge stellt wurden, zu schmal werden, um für einen Belichtungs prozeß geeignet zu sein, und es wird vermieden, daß Strah len, die bei der zweiten Ausführungsform erzeugt wurden, zu dünn werden, um ausreichend stark zu sein. Daher wird eine Blockmaske erhalten, die bei dem Belichtungsprozeß verläß lich eingesetzt werden kann.

Wie oben beschrieben ist, wird entsprechend dem ersten Prinzip der vorliegenden Erfindung ein Block mit Mikroöff nungen bereitgestellt, die Flächengrößen kleiner als dieje nigen von entsprechenden rechtwinkligen Mikrobereichen ha ben, wobei diese rechtwinkligen Mikrobereiche zusammen ein gewünschtes Muster bilden. Daher kann die Gesamtflächengrö ße der Mikroöffnungen kleiner als eine vorbestimmte Größe gemacht werden, so daß ein Strombetrag eines Elektronen strahls, der durch diese Mikroöffnungen hindurchtritt, ver ringert wird, so daß Coulomb-Wechselwirkung im wesentlichen vermieden wird.

Auch entsprechend dem ersten Prinzip der vorliegenden Erfindung wird ein Muster in einen oder mehrere rechtwink lige Abschnitte aufgeteilt, und rechtwinklige Mikrobereiche werden in jedem dieser rechtwinkligen Abschnitte definiert. Daher werden rechtwinklige Mikrobereiche einfach definiert.

Auch sind entsprechend dem ersten Prinzip der vorlie genden Erfindung Flächengrößen der Mikroöffnungen in einem gegebenen rechtwinkligen Abschnitt untereinander dieselben. Daher können Flächengrößen der Mikroöffnungen zum Erreichen eines gewünschten Strombetrages einfach erhalten werden.

Ebenfalls sind entsprechend dem ersten Prinzip der vorliegenden Erfindung die Mikroöffnungen rechtwinklig, und x-Richtungsseiten und y-Richtungsseiten sind jeweils unter einander in einem gegebenen rechtwinkligen Abschnitt iden tisch. Daher können Flächengrößen der Mikroöffnungen zum Erreichen eines gewünschten Strombetrages einfach erhalten werden.

Auch sind entsprechend dem ersten Prinzip der vorlie genden Erfindung die Mikroöffnungen rechtwinklig, und Wei ten von Strahlen sind untereinander dieselben und in der x- Richtung und in der y-Richtung in einem gegebenen recht winkligen Abschnitt dieselben. Daher können Flächengrößen von Mikroöffnungen zum Erreichen eines gewünschten Strombe trages einfach erhalten werden.

Auch sind entsprechend dem ersten Prinzip der vorlie genden Erfindung Strahlweiten zwischen den Mikroöffnungen weiter als eine vorbestimmte Weite (z. B. 2 µm). Daher wird vermieden, daß ein Strahl leicht zerstört werden kann.

Auch wird entsprechend dem ersten Prinzip der vorlie genden Erfindung, wenn eine Seite eines gegebenen recht winkligen Abschnitts kürzer als eine vorbestimmte Länge ist (z. B. 20 µm), eine Aufteilung in rechtwinklige Mikroberei che nicht durchgeführt, und Mikroöffnungen mit einer Sei tenlänge gleich der der Seite des gegebenen rechtwinkligen Abschnitts werden hergestellt. Daher wird eine Situation, bei der ein Muster wegen zu schmaler Öffnungen nicht be lichtet werden kann, vermieden.

Auch wird entsprechend dem ersten Prinzip der vorlie genden Erfindung ein Wafer {Musterflächengröße/Gesamt flächengröße von Mikroöffnungen}-mal so lang wie die norma le Belichtungszeit belichtet. Folglich wird der Wafer mit einem verminderten Strombetrag verläßlich belichtet.

Im folgenden wird ein zweites Prinzip der vorliegenden Erfindung und dessen Ausführungsformen mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.

Fig. 11A und 11B sind veranschaulichende Zeichnungen, die das zweite Prinzip der vorliegenden Erfindung zeigen. Bei dem zweiten Prinzip wird ein Belichtungsbetrag für ei nen gegebenen Block auf einen Belichtungsbetrag einge stellt, der für eine besondere Öffnung (d. h. eine Öffnung, die am wahrscheinlichsten unterbelichtet ist) in dem gege benen Block geeignet ist. Wenn ein Belichtungsbetrag ent sprechend diesem Kriterium eingestellt wird, werden jedoch andere Öffnungen mit relativ größeren Flächengrößen überbe lichtet, so daß ein geeignetes Muster nicht hergestellt wird. Um dies zu vermeiden, werden entsprechend dem zweiten Prinzip der vorliegenden Erfindung Strahlen in die Öffnun gen mit relativ größeren Flächengrößen eingeführt, wodurch ein Strombetrag des Elektronenstrahls, der durch diese Öff nungen hindurchtritt, verringert wird.

Ein Block 10 von Fig. 11A enthält eine Öffnung 11, ei ne Öffnung 12 (ein Satz Mikroöffnungen), und Strahlen 13 werden in die Öffnung 12 eingeführt. Ein Belichtungsbetrag für den Block 10 wird bestimmt unter Verwendung der Öffnung 11, die am wahrscheinlichsten unterbelichtet ist, als eine Referenz. Die Strahlen 13 werden in die Öffnung 12 so ein geführt, daß die Öffnung 12 durch Verwenden des Belich tungsbetrags, der für die Öffnung 11 eingestellt ist, ge eignet belichtet wird. Die Strahlen 13 sind so schmal, daß Projektionen der Strahlen 13 auf einem Wafer nicht als ein Belichtungsmuster erscheinen. Folglich wird ein erstrebtes Muster der Öffnung 12 als ein Belichtungsmuster auf dem Wa fer gezeichnet.

In Fig. 11B werden Strahlen 14 ebenfalls in die Öff nung 11 eingeführt. Diese Strahlen 14 werden so eingeführt, daß ein Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung ausreichend ab geschwächt wird. Wenn der Block 10 von Fig. 11A mit einem Belichtungsbetrag belichtet wird, der entsprechend dem zweiten Prinzip der vorliegenden Erfindung bestimmt wurde, kann ein Strombetrag des Elektronenstrahls, der durch die Öffnung 11 und die Öffnung 12 hindurchtritt, immer noch groß genug sein, um eine unerwünschte Coulomb- Wechselwirkung zu erfahren. In diesem Fall werden die Strahlen 14 in die Öffnung 11 eingeführt, und die Anzahl der Strahlen 13 in der Öffnung 12 wird erhöht, wie in Fig. 11B dargestellt, wodurch der Strombetrag des Elektronen strahls verringert wird.

Der Grund, weswegen die Strahlen 14 zusätzlich zu der Zunahme der Strahlen 13 in der Öffnung 12 in die Öffnung 11 eingeführt werden, ist wie folgt. In Fig. 11A ist, wie oben beschrieben, der Belichtungsbetrag geeignet für beide, die Öffnung 11 und die Öffnung 12, mit den Strahlen 13. Wenn die Anzahl der Strahlen 13 in der Öffnung 12 erhöht wird, um den Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung abzuschwächen, geht der Ausgleich zwischen der Öffnung 11 und der Öffnung 12 verloren, so daß ein Belichtungsbetrag für entweder die Öffnung 11 oder die Öffnung 12 ungeeignet wird. Entspre chend dem zweiten Prinzip der vorliegenden Erfindung werden unter einem unerwünscht großen Einfluß der Coulomb-Wech selwirkung Strahlen in beide, die Öffnung 11 und die Öff nung 12, eingeführt, um einen Strombetrag des hindurchtre tenden Elektronenstrahls zu verringern.

Entsprechend dem zweiten Prinzip der vorliegenden Er findung, das oben beschrieben ist, wird ein Belichtungsbe trag eingestellt, entsprechend einer Öffnung, die am wahr scheinlichsten unterbelichtet ist, so daß selbst das fein ste Muster angemessen hergestellt wird, ohne eine Unterbe lichtung zu erleiden. Auch werden Öffnungen von bei diesem Belichtungsbetrag überzubelichtenden Mustern mit den Strah len versehen, so daß selbst große Muster angemessen herge stellt werden, ohne eine Überbelichtung zu erleiden. Außer dem werden, wenn der Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung un erwünscht groß ist, Strahlen in alle Öffnungen eingeführt, ohne den Ausgleich zwischen den Öffnungen zu verlieren, so daß der Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung verringert wird. Daher werden geeignete Muster hergestellt. Folglich wird entsprechend dem zweiten Prinzip der vorliegenden Erfindung ein feines Muster von einer Öffnung mit einer relativ klei nen Flächengröße bei einem geeigneten Belichtungsbetrag be lichtet, wobei der Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung ver ringert ist.

Die oben angegebene Beschreibung des zweiten Prinzips der vorliegenden Erfindung wurde mit Bezug auf einen Fall mit zwei Öffnungen in einem Block gegeben. Jedoch ist es offensichtlich, daß das zweite Prinzip der vorliegenden Er findung auf Fälle mit mehr als zwei in einem Block vorgese henen Öffnungen anwendbar ist.

Fig. 12 ist ein Flußdiagramm eines Belichtungsprzes ses, basierend auf einer Strahleinführung und einer Belich tungsbetragverstellung entsprechend einer ersten Ausfüh rungsform des zweiten Prinzips der vorliegenden Erfindung. Der Belichtungsprozess von Fig. 12 wird entsprechend der ersten Ausführungsform des zweiten Prinzips durchgeführt mit der Vorrichtung von Fig. 1.

Fig. 13A bis 13C sind veranschaulichende Zeichnungen, die Beispiele von Mustern mit eingefühten Strahlen zeigen. Der auf der Strahleinführung und der Belichtungsbetragver stellung beruhende Belichtungsprozeß entsprechend der er sten Ausführungsform des zweiten Prinzips wird mit Bezug auf Fig. 12 und Fig. 13A bis 13C beschrieben.

Bei einem Schritt S31 wird eine Prüfung vorgenommen, ob Unterschiede in Flächengrößen zwischen Öffnungen größer als ein vorbestimmter Betrag sind, so daß eine Strahlein führung notwendig ist. Wenn die Strahleinführung notwendig ist, geht die Prozedur zu einem Schritt S32. Wenn die Strahleinführung nicht notwendig ist, geht die Prozedur zu einem Schritt S34.

In einem Block 20 von Fig. 13A hat eine Öffnung 21 ei ne Weite von 0,2 µm und eine Länge von 4,0 µm, und eine Öffnung 22 ist ein 4,0 µm-Quadrat. Da ein Unterschied in Flächengrößen zwischen der Öffnung 21 und der Öffnung 22 groß ist, braucht die Öffnung 22 eine Strahleinführung, um geeignete Belichtungen beider, der Öffnung 21 und der Öff nung 22, zu erreichen. Allgemein braucht, wenn die kleinste Öffnung (Öffnung 21) eine Weite kleiner als 0,3 µm hat und eine größere Öffnung (Öffnung 22) eine Flächengröße dreimal so groß wie die der kleinsten Öffnung hat, die größere Öff nung eine Strahleinführung.

Bei einem Schritt S32 wird ein Belichtungsbetrag für den Block bestimmt. Im Detail wird der Belichtungsbetrag für den Block bestimmt, ein Belichtungsbetrag für die kleinste Öffnung, die geeignet belichtet werden muß, zu sein. Um den Belichtungsbetrag zu bestimmen, muß über bei des, eine Stromdichte und eine Belichtungszeit, entschieden werden. Daher wird, wenn die Stromdichte eines Elektronen strahls für ein Belichten konstant ist, der Belichtungsbe trag durch ein Verstellen der Belichtungszeit definiert.

In dem Beispiel von Fig. 13A wird ein Belichtungsbe trag des Blocks 20 auf solch einen Belichtungsbetrag einge stellt, daß die Öffnung 21 mit hoher Genauigkeit geeignet belichtet wird. Allgemein muß der Belichtungsbetrag für die kleinste Öffnung viermal bis fünfmal größer als ein geeig neter Belichtungsbetrag für eine größere Öffnung sein. Da ein Belichtungsbetrag, der gerade für einen Wafer verwendet wird, von einer Empfindlichkeit eines Resists abhängt, ist es schwierig, den Belichtungsbetrag durch einen einzigen Satz von Regeln zu bestimmen. Daher kann der Belichtungsbe trag experimentell durch Berücksichtigung solch eines Fak tors wie Resistempfindlichkeiten bestimmt werden.

Bei einem Schritt S33 werden Strahlen eingeführt. Na mentlich werden, damit eine größere Öffnung nicht überbe lichtet wird, Strahlen in die größeren Öffnungen einge führt, um einen hindurchtretenden Strombetrag auf ein ge eignetes Niveau zu begrenzen.

Wie bei diesem Beispiel in Fig. 13B dargestellt, wer den Strahlen 23 in die Öffnung 22 eingeführt. Allgemein liegt eine Weite der Strahlen 23 im Bereich von 0,02 µm bis 0,06 µm. Der Grund, weswegen der Weite der Strahlen auf diesen Bereich eingeengt ist, liegt darin, daß ein zu wei ter Strahl seine Projektion wie ein Belichtungsmuster ver ziehen und ein zu schmaler Strahl leicht zerstört werden kann.

Bei dem Schritt S34 wird eine Prüfung vorgenommen, ob eine Gesamtflächengröße der Öffnungen in dem Block größer ist als ein vorbestimmter Betrag, so daß eine Strahleinfüh rung notwendig ist, um einem Einfluß der Coulomb- Wechselwirkung, die in dem hindurchtretenden Strom vor liegt, vorzubeugen. Wenn die Strahleinführung notwendig ist, geht die Prozedur zu einem Schritt S35. Wenn die Strahleinführung nicht notwendig ist, geht die Prozedur zu einem Schritt S37.

Bei dem Beispiel von Beispiel 13A ist unter der Annah me, daß die Stromdichte 0,4 µA/µm² ist, ein Strombetrag des Stroms, der durch die Öffnungen 21 und 22 des Blocks 20 hindurchtritt, 6,72 µA (= 0,4 µA × 4,0 µm × 4,0 µm + 0,4 µA × 0,2 µm × 4,0 µm). Um die Coulomb-Wechselwirkung zu unter drücken, so daß ihr Einfluß ignoriert werden kann, ist es für den hindurchtretenden Strombetrag allgemein erforder lich, kleiner als etwa 2,5 µA zu sein. (Mit einem Block von beispielsweise 5 µm im Quadrat wird ein Einfluß der Cou lomb-Wechselwirkung intolerierbar, wenn eine Gesamtflächen größe der Öffnungen 25% der Blockflächengröße übersteigt.) Daher ist, wenn der hindurchtretende Strombetrag 2,5 µA für den Block 20 von Fig. 13B mit den eingeführten Strahlen übersteigt, eine weitere Strahleinführung erforderlich, um den Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung zu unterdrücken.

Bei einem Schritt S35 werden Strahlen eingeführt. In diesem Fall werden die kleinste Öffnung und die größeren Öffnungen in einem geeigneten Belichtungsbetrag-Zustand ge halten, so daß Strahlen in alle Öffnungen eingeführt wer den.

Wie in Fig. 13C dieses Beispiels dargestellt, werden Strahlen 23 und 24 jeweils in die Öffnungen 22 und 21 ein geführt. Nach dieser Strahleinführung ist ein Strom, der durch den Block 20 von Fig. 13C hindurchtritt, auf unter 2,5 µA begrenzt, so daß der Einfluß der Coulomb-Wechsel wirkung ignoriert werden kann.

Bei einem Schritt S36 wird ein Belichtungsbetrag ver stellt. Da die weitere Strahleinführung bei dem Schritt S35 vorgenommen wird, wird der Belichtungsbetrag, der bei dem Schritt S32 bestimmt worden ist, zu einer Unterbelichtung für beide, die kleinste Öffnung und die größeren Öffnungen, führen. Ein geeigneter Belichtungsbetrag für die Gesamtheit der Muster sollte erneut durch ein Erhöhen eines Belich tungsbetrages entschieden werden. In diesem Fall wird eine Zunahme der Stromdichte zu einer Regeneration eines intole rierbaren Einflusses der Coulomb-Wechselwirkung führen. Folglich wird ein geeigneter Belichtungsbetrag durch Erhö hen der Belichtungszeit, ohne eine Zunahme der Stromdichte, erhalten.

Es wird angenommen, daß in dem Beispiel von Fig. 13C die Gesamtflächengröße der Öffnungen 0,4-mal so groß wie die von Fig. 13B ist. Allgemein wird ein Multiplizieren ei ner Belichtungszeit mit 1/0,4 eine geeignete Belichtungs zeit ergeben.

Bei dem Schritt S37 wird ein Belichtungsprozess durch geführt. Das heißt, eine Blockmaske wird unter Verwendung des Blocks 20 von Fig. 13C hergestellt, und ein Wafer wird mit der geeigneten Belichtungszeit, die bei dem Schritt S36 bestimmt wurde, und der Stromdichte, die bei dem Schritt S32 bestimmt wurde, belichtet. Dies beendet die Prozedur.

Wie oben beschrieben ist, gewährleistet die Strahlein führung entsprechend, dem zweiten Prinzip der vorliegenden Erfindung, selbst wenn Flächengrößen zwischen den Öffnungen in einem gegebenen Block erheblich verschieden sind, daß alle diese Öffnungen bei einem geeigneten Belichtungsbetrag mit einer hohen Genauigkeit belichtet werden. Auch wird ein Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung unterdrückt, um Belich tungsmuster mit einer weiter erhöhten Genauigkeit herzu stellen.

Die erste Ausführungsform des zweiten Prinzips wurde oben mit Bezug auf einen Fall mit zwei Öffnungen, die in einem Block vorgesehen sind, beschrieben. Jedoch ist es of fensichtlich, daß das zweite Prinzip der vorliegenden Er findung auf Fälle mit mehr als zwei Öffnungen, die in einem Block vorgesehen sind, anwendbar ist.

In dem oben beschriebenen Flußdiagramm von Fig. 12 wird der Belichtungsprozeß von dem Schritt S37 durch die Gesamtheit der Vorrichtung von Fig. 1 durchgeführt, und die anderen Prozesse werden mit der CPU 152 von Fig. 1 durchge führt. Auch entspricht die oben beschriebene Strahleinfüh rung einer Erzeugung von Maskenerzeugungs-Daten, die ver wendet werden, um die Öffnungen mit den eingeführten Strah len herzustellen. Namentlich werden die Maskenerzeugungs- Daten zur Herstellung einer wirklichen Maske verwendet.

Fig. 14 ist ein Tabellendiagramm, das eine Datentabel le zur Erläuterung eines alternierenden Beispiels der er sten Ausführungsform des zweiten Prinzips zeigt. Bei diesem alternierenden Beispiel wird die Belichtungsbetragverstel lung von dem Schritt S36 von Fig. 12 durchgeführt, basie rend auf Werten, die vorher durch Experimente erhalten wur den. Andere Prozesse sind dieselben wie die des Flußdia gramms von Fig. 12, und auf deren Beschreibung wird ver zichtet.

Fig. 14 zeigt beispielshalber geeignete Belichtungsbe träge, wenn einer bis fünf Strahlen mit einer Weite, die im Bereich von 0,02, 0,03, 0,04 bis 0,05 µm liegt, in eine Öffnung mit einer Weite von 0,16 µm eingeführt werden. Hier wird die Anzahl der eingeführten Strahlen durch eine Länge der Öffnung bestimmt. Wie in Fig. 14 dargestellt, sollte, wenn zwei Strahlen mit einer Weite von 0,02 µm eingeführt werden, ein Belichtungsbetrag 1,017-mal länger als der Be lichtungsbetrag für keinen Strahl sein. Durch Bereitstellen solch einer Tabelle für Öffnungen mit verschiedenen Weiten kann ein geeigneter Belichtungsbetrag für verschiedene Öff nungen bestimmt werden.

Wie oben beschrieben ist, werden entsprechend dem al ternierenden Beispiel der ersten Ausführungsform des zwei ten Prinzips Tabellen, die geeignete Belichtungsbeträge für verschiedene Anzahlen von eingeführten Strahlen mit ver schiedenen Weiten auflisten, für Fälle bereitgestellt, bei denen Strahlen in Öffnungen verschiedener Weiten eingeführt werden, so daß ein geeigneter Belichtungsbetrag für eine Öffnung mit den eingeführten Strahlen bestimmt wird. Daher werden Muster mit erhöhter Genauigkeit belichtet.

Fig. 15 ist ein Flußdiagramm eines Datenerzeugungspro zesses für die Strahleinführung und die Belichtungsbetrag verstellung entsprechend einer zweiten Ausführungsform des zweiten Prinzips der vorliegenden Erfindung. Der Datener zeugungsprozeß von Fig. 15 wird durchgeführt mit der Vor richtung von Fig. 1 entsprechend der zweiten Ausführungs form des zweiten Prinzips. Der Datenerzeugungsprozeß von Fig. 15 hilft der Vorrichtung von Fig. 1, einen geeigneten Belichtungsprozeß durchzuführen, und zwar durch Bereitstel len von Daten eines Belichtungsprozesses, wenn die Strahlen eingeführt werden, und wird mit der ersten Ausführungsform des zweiten Prinzips verwendet. Der Datenerzeugungsprozeß für die Strahleinführung und die Belichtungsbetragverstel lung entsprechend der zweiten Ausführungsform des zweiten Prinzips wird mit Bezug auf Fig. 15 beschrieben.

Die erste Ausführungsform des zweiten Prinzips, darge stellt in Fig. 12, betrifft die Strahleinführung und den Belichtungsprozeß, wie zuvor beschrieben ist. Um einen Be lichtungsprozeß unter Verwendung der Vorrichtung von Fig. 1 durchzuführen, muß jedoch die Vorrichtung von Fig. 1 mit Daten beliefert werden, die einen Belichtungsprozeß mit eingeführten Strahlen betreffen. Bei der Vorrichtung von Fig. 1 wird, wenn ein Block der Maske 120 für einen Belich tungsprozeß ausgewählt ist, ein Belichtungsbetrag (Belichtungszeit) für den ausgewählten Block durch die Be lichtungshandhabungs-Einheit 159 gesteuert. Der Belich tungsbetrag wird bestimmt, basierend auf Belichtungsbetrag- Daten, die in den Speichermedien 151 gespeichert sind, und diese Belichtungsbetrag-Daten werden im voraus erzeugt, ba sierend auf den Maskenerzeugungs-Daten zum Erzeugen der Maske 120. Wenn daher die Maske 120, die Strahlen hat, die durch den Strahleinführungsprozeß von Fig. 12 eingeführt werden, hergestellt wird, sollten die Belichtungsbetrag- Daten korrigiert werden, um eine Abnahme bei Flächengrößen der Öffnungen aufgrund der Strahleinführung auszugleichen.

Wenn nämlich der Belichtungsprozeß mit eingeführten Strahlen der vorliegenden Erfindung mit der Vorrichtung von Fig. 1 durchgeführt wird, sollte eine Prüfung vorgenommen werden, ob ein Block zu einer Zeit, wenn der Block von der Maske 120 für den Belichtungsprozeß ausgewählt wird, ein Block mit eingeführten Strahlen oder ein Block ohne Strahl ist. Wenn der Block ein Block mit eingeführten Strahlen ist, sollten Belichtungsbetrag-Korrekturdaten zum Korrigie ren des Belichtungsbetrages verwendet werden. Das Flußdia gramm von Fig. 15 zeigt einen Prozeß zum Erzeugen von Kor rekturinformations-Daten, die ein Vorliegen oder ein Nicht vorliegen von Strahlen in einem gegebenen Block angeben und die Belichtungsbetrag-Korrekturdaten zum Korrigieren des Belichtungsbetrags erzeugen. Hier wird dieser Prozeß von der CPU 152 von Fig. 1 durchgeführt.

In Fig. 15 werden bei einem Schritt S41 Maskenerzeu gungs-Daten gelesen.

Bei einem Schritt S42 wird ein Block aus den Maskener zeugungs-Daten ausgewählt.

Bei einem Schritt S43 wird eine Prüfung vorgenommen, ob in den ausgewählten Block Strahlen eingeführt werden müssen. Diese Prüfung wird vorgenommen, basierend auf Kri terien, die bei dem Schritt S31 und dem Schritt S34 des Flußdiagramms von Fig. 12 verwendet werden. Wenn Strahlen eingeführt werden müssen, geht die Prozedur zu einem Schritt S44. Wenn kein Strahl eingeführt werden muß, geht die Prozedur zu einem Schritt S47.

Bei dem Schritt S44 werden Korrekturinformations-Daten auf "1" gesetzt, angebend, daß Strahlen eingeführt werden.

Bei einem Schritt S45 werden Belichtungskorrektur- Daten erzeugt. Namentlich werden die Belichtungskorrektur- Daten erzeugt, basierend auf dem Belichtungsbetrag, der bei dem Schritt S32 oder dem Schritt S37 des Flußdiagramms von Fig. 12 bestimmt wurden.

Bei einem Schritt S46 werden die so erzeugten Belich tungskorrektur-Daten in einem Speicherbereich gespeichert.

Bei einem Schritt S47 werden, wenn die Prüfung des Schrittes S47 keine Strahleinführung angibt, die Korrektu rinformations-Daten auf "0" gesetzt, angebend, daß kein Strahl eingeführt wird.

Bei einem Schritt S48 wird eine Prüfung vorgenommen, ob alle Blöcke in den Maskenerzeugungs-Daten ausgewählt sind. Wenn ein Block übrig ist, ausgewählt zu werden, geht die Prozedur zurück zu dem Schritt S42. Wenn alle Blöcke ausgewählt und die Schritte S43 bis S46 oder die Schritte S43 und S47 beendet sind, endet die Prozedur.

Die Prozedur von Fig. 15 kann parallel zu der Prozedur von Fig. 12 durchgeführt werden. Beispielsweise können bei dem Schritt S45 von Fig. 15 die Schritte S32 bis S36 von Fig. 12 durchgeführt werden.

Wie oben beschrieben ist, werden entsprechend dem Da tenerzeugungs-Prozeß für die Strahleinführung und die Be lichtungsbetragverstellung entsprechend der zweiten Ausfüh rungsform des zweiten Prinzips die Korrekturinformations- Daten, die ein Vorliegen oder ein Nichtvorliegen eines Strahls in einem gegebenem Block angeben, und die Belich tungsbetrag-Korrekturdaten zum Korrigieren des Belichtungs betrags erzeugt. Basierend auf den erzeugten Daten wird ei ne Prüfung vorgenommen, ob ein Block ein Block mit einge führten Strahlen oder ein Block ohne Strahl ist, und zwar zu einer Zeit, wenn der Block für den Belichtungsprozeß mit eingeführten Strahlen der vorliegenden Erfindung von der Maske ausgewählt ist. Wenn der ausgewählte Block ein Block mit eingeführten Strahlen ist, wird der Belichtungsprozeß unter Verwendung der Belichtungsbetrag-Korrekturdaten zum Korrigieren des Belichtungsbetrags durchgeführt.

Wie oben beschrieben, wird entsprechend dem zweiten Prinzip der vorliegenden Erfindung ein Belichtungsbetrag in Übereinstimmung mit einer Öffnung, die am wahrscheinlich sten unterbelichtet ist, eingestellt, und in bei diesem Be lichtungsbetrag überzubelichtende Öffnungen werden Strahlen eingeführt, um deren Belichtungsbetrag zu verstellen. Daher werden die kleinste Öffnung und die größeren Öffnungen in demselben Block bei einem geeigneten Belichtungsbetrag be lichtet, wodurch mit hoher Genauigkeit Belichtungsmuster hergestellt werden.

Auch erscheinen entsprechend dem zweiten Prinzip der vorliegenden Erfindung die eingeführten Strahlen nicht in projizierten Mustern, so daß gewünschte Muster auf dem Wa fer belichtet werden. Daher werden Belichtungsmuster mit hoher Genauigkeit hergestellt.

Ebenso erscheinen entsprechend dem zweiten Prinzip der vorliegenden Erfindung die eingeführten Strahlen nicht in projizierten Mustern, so daß auf dem Wafer gewünschte Mu ster hergestellt werden, und die eingeführten Strahlen er halten eine ausreichende Stärke aufrecht, so daß sie nicht leicht zerstört werden können. Folglich werden Belichtungs muster mit einer hohen Genauigkeit hergestellt.

Auch wird entsprechend dem zweiten Prinzip der vorlie genden Erfindung, wenn ein Einfluß der Coulomb-Wechsel wirkung in dem Elektronenstrahl, der durch die Öffnungen, in die Strahlen eingeführt sind, hindurchtritt, immer noch vorliegt, eine Flächengröße der Öffnungen dadurch verrin gert, daß weiter Strahlen eingeführt werden, um den Strom betrag des Elektronenstrahls zu erniedrigen. Daher wird der Einfluß der Coulomb-Wechselwirkung redu 01744 00070 552 001000280000000200012000285910163300040 0002019631401 00004 01625ziert, um präsisere Muster herzustellen.

Auch kann entsprechend dem zweiten Prinzip der vorlie genden Erfindung eine Belichtungszeit für einen gegebenen Block automatisch, basierend auf der Gesamtflächengröße der Öffnungen in dem gegebenen Block, bestimmt werden. Daher werden Belichtungsmuster mit einer hohen Genauigkeit herge stellt.

Auch wird entsprechend dem zweiten Prinzip der vorlie genden Erfindung ein Belichtungsverfahren durchgeführt un ter Verwendung der Korrekturinformations-Daten, die ein Vorliegen oder ein Nichtvorliegen eines Strahls in einem gegebenen Block angeben, und der Belichtungsbetrag- Korrekturdaten zum Korrigieren des Belichtungsbetrags für den gegebenen Block. Daher werden Belichtungsmuster mit ge eignet korrigierten Belichtungsbeträgen hergestellt, wo durch eine hohe Genauigkeit erreicht wird.

Ebenso kann entsprechend dem zweiten Prinzip der vor liegenden Erfindung eine Belichtungszeit für einen gegebe nen Block bestimmt werden, und zwar basierend auf den Li sten von geeigneten Belichtungsbeträgen, die für verschie dene Größen und verschiedene Anzahlen von eingeführten Strahlen in bezug auf verschiedene Weiten von Öffnungen vorgesehen sind, wobei die Liste im voraus experimentell oder theoretisch erhalten werden kann. Folglich werden Be lichtungsmuster mit hoher Genauigkeit hergestellt.

Außerdem ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt, vielmehr können verschiedene Variationen und Modifikationen vorgenommen werden, ohne den Bereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.

Claims

1. Maske (120) mit einer Mehrzahl von Blöcken (1), deren jeder mindestens eine Öffnung hat, wobei ein Elektro nenstrahl durch die mindestens eine Öffnung eines ausge wählten der Blöcke (1) hindurchtritt und auf einen Wafer gerichtet wird, um auf dem Wafer ein Muster zu bilden, wel che Maske (120) dadurch gekennzeichnet ist, daß sie umfaßt:
eine Platte (120), die geeignet ist, den Elektronen strahl zu blockieren; und
rechtwinklige Mikrobereiche (4), die auf der Platte (120) angeordnet sind und eine zusammengesetzte Gestalt bilden, die eine Gesamtheit des Musters festlegt, derart, daß ein Verbund fortlaufender rechtwinkliger Mikrobereiche einen einzelnen fortlaufenden Teil des Musters bildet, wo bei jeder der rechtwinkligen Mikrobereiche (4) eine von Mi kroöffnungen (3) aufweist, die durch die Platte (120) hin durch ausgebildet sind, welche eine der Mikroöffnungen (3) eine Flächengröße kleiner als die eines entsprechenden der rechtwinkligen Mikrobereiche (4) hat,
wobei eine Gesamtflächengröße der Mikroöffnungen (3) kleiner ist als eine vorbestimmte Größe.

2. Maske (120) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß das Muster einen oder mehrere rechtwinklige Ab schnitte (L₁, L₂) aufweist, die das Muster aufteilen und Seiten haben, die sich in einer x-Richtung und in einer y-Richtung erstrecken, welcher eine rechtwinklige Abschnitt oder welche mehrere rechtwinklige Abschnitte (L₁, L₂) in einen oder mehrere der rechtwinkligen Mikrobereiche (4) in der x-Richtung und in der y-Richtung aufgeteilt ist bzw. sind.

3. Maske (120) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die Flächengrößen der Mikroöffnungen (3) in einem des einen oder der mehreren rechtwinkligen Abschnitte (L₁, L₂) untereinander dieselben sind.

4. Maske (120) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da durch gekennzeichnet, daß die Mikroöffnungen (3) rechtwink lig sind und in einem des einen oder der mehreren recht winkligen Abschnitte (L₁, L₂) in der x-Richtung dieselbe Seitenlänge haben und in der y-Richtung dieselbe Seitenlän ge haben.

5. Maske (120) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da durch gekennzeichnet, daß die Mikroöffnungen (3) Rechtecke sind, die Seiten haben, welche sich in der x-Richtung und der y-Richtung ausdehen, und Weiten von Strahlen zwischen den Mikroöffnungen (3) für beide, die x-Richtung und die y- Richtung, dieselben sind und in einem des einen oder der mehreren rechtwinkligen Abschnitte (L₁, L₂) dieselben sind.

6. Maske (120) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da durch gekennzeichnet, daß Weiten von Strahlen zwischen den Mikroöffnungen (3) weiter als eine vorbestimmte Weite sind.

7. Maske (120) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da durch gekennzeichnet, daß Weiten von Strahlen zwischen den Mikroöffnungen (3) weiter als 2 µm sind.

8. Verfahren zur Herstellung einer Maske (120) mit einer Mehrzahl von Blöcken (1), deren jeder mindestens eine Öffnung hat, wobei ein Elektronenstrahl durch die minde stens eine Öffnung eines ausgewählten der Blöcke (1) hin durchtritt und auf einen Wafer gerichtet wird, um auf dem Wafer ein Muster zu bilden, welches Verfahren dadurch ge kennzeichnet ist, daß es die Schritte umfaßt:

a) Festlegen von rechtwinkligen Mikrobereichen (4), die auf einer Platte (120) angeordnet sind und eine zusam mengesetzte Gestalt bilden, die eine Gesamtheit des Musters festlegt, derart, daß ein Verbund fortlaufender rechtwink liger Mikrobereiche einen einzelnen fortlaufenden Teil des Musters bildet; und
b) Herstellen von Mikroöffnungen (3) durch diese Platte (120) hindurch, so daß jeder der rechtwinkligen Mi krobereiche (4) eine entsprechende der Mikroöffnungen (3) hat, wobei jede der Mikroöffnungen (3) eine Flächengröße kleiner als die eines entsprechenden der rechtwinkligen Mi krobereiche (4) hat,

wobei eine Gesamtflächengröße der Mikroöffnungen (3) kleiner als eine vorbestimmte Größe ist.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt a) die Schritte umfaßt:

1. Aufteilen des Musters in einen oder mehrere recht winklige Abschnitte (L₁, L₂), die Seiten haben, die sich in einer x-Richtung und in einer y-Richtung ausdehen; und
2. Definieren der rechtwinkligen Mikrobereiche (4) durch Aufteilen des einen oder der mehreren rechtwinkligen Abschnitte (L₁, L₂) in einen oder mehrere der rechtwinkli gen Mikrobereiche (4) in der x-Richtung und in der y-Richtung.

10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekenn zeichnet, daß Flächengrößen der Mikroöffnungen (3) in einem des einen oder der mehreren rechtwinkligen Abschnitte (L₁, L₂) untereinander dieselben sind.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, da durch gekennzeichnet, daß die Mikroöffnungen (3) rechtwink lig sind und in einem des einen oder der mehreren recht winkligen Abschnitte (L₁, L₂) in der x-Richtung dieselbe Seitenlänge haben und in der y-Richtung dieselbe Seitenlän ge haben.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, da durch gekennzeichnet, daß die Mikroöffnungen (3) Rechtecke sind, die Seiten haben, die sich in der x-Richtung und in der y-Richtung ausdehnen, und Weiten von Strahlen zwischen den Mikroöffnungen (3) für beide, die x-Richtung und die y- Richtung, in einem des einen oder der mehreren rechtwinkli gen Abschnitte (L₁, L₂) dieselben sind.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, da durch gekennzeichnet, daß der Schritt b) die Mikroöffnungen (3) so herstellt, daß Weiten von Strahlen zwischen den Mi kroöffnungen (3) weiter als eine vorbestimmte Weite sind.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, da durch gekennzeichnet, daß der Schritt b) die Mikroöffnungen (3) so herstellt, daß Weiten von Strahlen zwischen den Mi kroöffnungen (3) weiter als 2 µm sind.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, da durch gekennzeichnet, daß, wenn einer des einen oder der mehreren rechtwinkligen Abschnitte (L₁, L₂) eine Seite kür zer als eine vorbestimmte Länge hat,
der Schritt a) die rechtwinkligen Mikrobereiche (4) definiert, für den einen des einen oder der mehreren recht winkligen Abschnitte (L₁, L₂) dieselbe Seitenlänge wie die eine Seite zu haben; und
der Schritt b) die Mikroöffnungen (3) herstellt, die für den einen des einen oder der mehreren rechtwinkligen Abschnitte (L₁, L₂) dieselbe Seitenlänge wie die eine Seite haben.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich net, daß die vorbestimmte Länge 20 µm ist.

17. Verfahren zur Belichtung eines Wafers mit einem Elektronenstrahl durch Verwenden einer Maske (120) mit ei ner Mehrzahl von Blöcken (1), deren jeder mindestens eine Öffnung hat, wobei ein Elektronenstrahl durch die minde stens eine Öffnung eines ausgewählten der Blöcke (1) hin durchtritt und auf den Wafer gerichtet wird, um auf dem Wa fer ein Muster zu bilden, welches Verfahren dadurch gekenn zeichnet ist, daß es die Schritte umfaßt:

a) Festlegen von rechtwinkligen Mikrobereichen (4), die auf einer Platte (120) angeordnet sind und eine zusam mengesetzte Gestalt bilden, die eine Gesamtheit des Musters festlegt, derart, daß ein Verbund fortlaufender rechtwink liger Mikrobereiche einen einzelnen fortlaufenden Teil des Musters bildet; und
b) Herstellen der Maske (120) durch Ausbilden von Mi kroöffnungen (3) durch die Platte (120) hindurch, so daß jeder der rechtwinkligen Mikrobereiche (4) eine entspre chende der Mikroöffnungen (3) hat, wobei jede der Mikroöff nungen (3) eine Flächengröße kleiner als die eines entspre chenden der rechtwinkligen Mikrobereiche (4) hat; und
c) Belichten des Wafers mit dem Elektronenstrahl, der durch die Mikroöffnungen (3) hindurchtritt,

wobei ein Gesamtstrombetrag des Elektronenstrahls nach einem Hindurchtreten durch die Mikroöffnungen (3) kleiner ist als ein vorbestimmter Strombetrag.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeich net, daß der Schritt c) den Wafer mit dem Elektronenstrahl, der durch die Mikroöffnungen (3) hindurchtritt, für eine Zeitlänge von A/B-mal so lang wie eine Referenzzeitlänge belichtet, welche A eine Flächengröße des Muster ist, wel che B eine Gesamtflächengröße der Mikroöffnungen (3) ist, welche Referenzzeitlänge eine Zeitdauer ist, die für den Wafer geeignet ist, um belichtet zu werden, wenn der Elek tronenstrahl, der durch eine Öffnung mit einer Form und ei ner Größe des Musters hindurchtritt, verwendet wird.

19. Vorrichtung zum Belichten eines Wafers mit einem Elektronenstrahl durch Verwenden einer Maske (120) mit ei ner Mehrzahl von Blöcken (1), deren jeder mindestens eine Öffnung hat, wobei ein Elektronenstrahl durch die minde stens eine Öffnung eines ausgewählten der Blöcke (1) hin durchtritt und auf den Wafer gerichtet wird, um auf dem Wa fer ein Muster zu bilden, welche Vorrichtung dadurch ge kennzeichnet ist, daß sie umfaßt:
eine einen Elektronenstrahl erzeugende Einheit (114), die den Elektronenstrahl erzeugt; und
eine Maske (120), die rechtwinklige Mikrobereiche (4) hat, die auf einer Platte (120) angeordnet sind und eine zusammengesetzte Gestalt bilden, die eine Gesamtheit des Musters festlegt, derart, daß ein Verbund fortlaufender rechtwinkliger Mikrobereiche einen einzelnen fortlaufenden Teil des Musters bildet, wobei jeder der rechtwinkligen Mi krobereiche (4) eine von Mikroöffnungen (3) aufweist, wel che eine der Mikroöffnungen (3) eine Flächengröße kleiner als die eines entsprechenden der rechtwinkligen Mikroberei che (4) hat,
wobei ein Gesamtstrombetrag des Elektronenstrahls nach einem Hindurchtreten durch die Mikroöffnungen (3) kleiner ist als ein vorbestimmter Strombetrag.

20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeich net, daß eine Coulomb-Wechselwirkung vernachlässigbar ist, wenn der Gesamtstrombetrag des Elektronenstrahls bei dem vorbestimmten Strombetrag ist.

21. Verfahren zum Belichten eines Wafers mit einem Elektronenstrahl durch Verwenden einer Maske (120) mit ei ner Mehrzahl von Blöcken (10, 20), deren jeder mindestens eine Öffnung hat, wobei ein Elektronenstrahl durch die min destens eine Öffnung eines ausgewählten der Blöcke (10, 20) hindurchtritt und auf den Wafer gerichtet wird, um auf dem Wafer ein Muster zu bilden, welches Verfahren dadurch ge kennzeichnet ist, daß es die Schritte umfaßt:

a) Bestimmen eines Belichtungsbetrages für einen der Blöcke (10, 20) durch Verwenden einer ersten Öffnung (11, 21), die unter der einen oder den mehreren Öffnungen des einen der Blöcke (10, 20) am wahrscheinlichsten unterbe lichtet ist, als eine Referenz;
b) Einführen von ersten Strahlen (13, 23) in andere Öffnungen (12, 22) der einen oder mehreren Öffnungen, wenn der Belichtungsbetrag andere Öffnungen (12, 22) überbelich tet macht, so daß der Elektronenstrahl, der durch die ande ren Öffnungen (12, 22) mit den ersten Strahlen (13, 23) hindurchtritt, einen geeigneten Strombetrag hat, während Mikroöffnungen, die durch Einführen der ersten Strahlen (13, 23) in eine entsprechende Öffnung erzeugt wurden, Pro jektionen zeichnen, die miteinander verschmelzen, um eine Gestalt zu bilden, die der jeweiligen Öffnung entspricht; und
c) Belichten des Wafers mit dem Belichtungsbetrag, um das Muster darauf zu bilden.

22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeich net, daß Weiten der ersten Strahlen (13, 23) eine vernach lässigbare Einwirkung auf projizierte Muster der anderen Öffnungen (12, 22) auf dem Wafer haben.

23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeich net, daß die Weiten der ersten Strahlen (13, 23) in einem Bereich zwischen 0,02 µm und 0,06 µm liegen.

24. Verfahren nach Anspruch 21, außerdem dadurch ge kennzeichnet, daß es die Schritte umfaßt:

a) Einführen von zweiten Strahlen (13, 14, 23, 24) in die erste Öffnung (11, 21) und die anderen Öffnungen (12, 22) mit den ersten Strahlen (13, 23), um einen Strombetrag des Elektronenstrahls zu verringern, wenn der Strombetrag des Elektronenstrahls, der durch die erste Öffnung (11, 21) und die anderen Öffnungen (12, 22) mit den ersten Strahlen (13, 23) hindurchtritt, größer als ein vorbestimmter Betrag ist; und
b) Bestimmen einer Belichtungszeit, so daß der Strom betrag des Elektronenstrahls für das Muster einen geeigne ten Belichtungsbetrag ergibt.

25. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeich net, daß eine Coulomb-Wechselwirkung vernachlässigbar ist, wenn der Strombetrag niedriger als der vorbestimmte Betrag ist.

26. Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeich net, daß der Schritt e) die Belichtungszeit bestimmt, ba sierend auf einer Gesamtflächengröße der ersten Öffnung (11, 21) und der anderen Öffnungen (12, 22).

27. Verfahren nach Anspruch 24, außerdem dadurch ge kennzeichnet, daß es die Schritte umfaßt:

a) Erzeugen von Belichtungsinformations-Daten für je den der Blöcke (10, 20), welche Belichtungsinformations- Daten angeben, ob mindestens einer der ersten Strahlen (13, 23) und der zweiten Strahlen (13, 14, 23, 24) vorliegt; und
b) Erzeugen von Belichtungsbetragkorrektur-Daten für jeden der Blöcke (10, 20), welche Belichtungsbetragkorrek tur-Daten verwendet werden zum Herstellen eines entspre chenden Musters auf dem Wafer mit einem geeigneten Belich tungsbetrag, wobei der Schritt c) den Wafer belichtet, um das Muster dar auf durch Verwenden der Belichtungsinformations-Daten und der Belichtungsbetragkorrektur-Daten zu bilden.

28. Verfahren zum Belichten eines Wafers mit einem Elektronenstrahl durch Verwenden einer Maske (120) mit ei ner Mehrzahl von Blöcken (10, 20), deren jeder mindestens eine Öffnung (11, 12, 21, 22) hat, wobei ein Elektronen strahl durch die mindestens eine Öffnung (11, 12, 21, 22) eines ausgewählten der Blöcke (10, 20) hindurchtritt und auf den Wafer gerichtet wird, um auf dem Wafer ein Muster zu bilden, welches Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß es die Schritte umfaßt:

a) Einführen von Strahlen (13, 14, 23, 24) in minde stens eine der einen oder mehreren Öffnungen (11, 12, 21, 22) für mindestens einen der Blöcke (10, 20), derart, daß Mikroöffnungen, die durch Einführen der Strahlen (13, 14, 23, 24) in eine entsprechende Öffnung erzeugt wurden, Pro jektionen derselben zeichnen, die miteinander verschmelzen, um eine Gestalt zu bilden, die der jeweiligen Öffnung ent spricht;
b) Erzeugen von Belichtungsinformations-Daten für jeden der Blöcke (10, 20), welche Belichtungsinformations- Daten angeben, ob die Strahlen (13, 14, 23, 24) vorliegen;
c) Erzeugen von Belichtungsbetragkorrektur-Daten für jeden der Blöcke (10, 20), welche Belichtungsbetragkorrek tur-Daten verwendet werden zum Herstellen eines entspre chenden Musters auf dem Wafer mit einem geeigneten Belich tungsbetrag; und
d) Belichten des Wafers, um das Muster darauf mit dem geeigneten Belichtungsbetrag durch Verwenden der Be lichtungsinformations-Daten und der Belichtungsbetragkor rektur-Daten zu bilden.

29. Verfahren nach Anspruch 28, außerdem dadurch ge kennzeichnet, daß es einen Schritt von f) umfaßt, der den geeigneten Belichtungsbetrag für jeden der Blöcke (10, 20) bestimmt, basierend auf einer Gesamtflächengröße der minde stens einen Öffnung (11, 12, 21, 22) eines entsprechenden der Blöcke (10, 20).

30. Verfahren nach Anspruch 28, außerdem dadurch ge kennzeichnet, daß es einen Schritt von f) umfaßt, der im voraus Relationen zwischen geeigneten Belichtungsbeträgen und sowohl Größen als auch Anzahlen der Strahlen (13, 14, 23, 24), die in eine Öffnung (11, 12, 21, 22) mit einer vorbestimmten Weite eingeführt werden, erhält.

31. Vorrichtung zum Belichten eines Wafers mit einem Elektronenstrahl durch Verwenden einer Maske (120) mit ei ner Mehrzahl von Blöcken (10, 20), deren jeder mindestens eine Öffnung hat, wobei ein Elektronenstrahl durch die min destens eine Öffnung eines ausgewählten der Blöcke (10, 20) hindurchtritt und auf den Wafer gerichtet wird, um auf dem Wafer ein Muster zu bilden, welche Vorrichtung dadurch ge kennzeichnet ist, daß sie umfaßt:
ein Mittel zum Bestimmen eines Belichtungsbetrags für einen der Blöcke (10, 20) durch Verwenden einer ersten Öff nung (11, 21), die unter der einen oder den mehreren Öff nungen des einen der Blöcke (10, 20) am wahrscheinlichsten unterbelichtet ist, als eine Referenz;
ein Mittel zum Einführen erster Strahlen (13, 23) in andere Öffnungen (12, 22) der einen oder mehreren Öffnun gen, wenn der Belichtungsbetrag andere Öffnungen (12, 22) überbelichtet macht, so daß der Elektronenstrahl, der durch die anderen Öffnungen (12, 22) mit den ersten Strahlen (13, 23) hindurchtritt, einen geeigneten Strombetrag hat, wäh rend die Mikroöffnungen, die durch Einführen der ersten Strahlen (13, 23) in eine jeweilige Öffnung erzeugt wurden, Projektionen derselben zeichnen, die miteinander verschmel zen, um eine Gestalt zu bilden, die der jeweiligen Öffnung entspricht; und
ein Belichtungsmittel zum Belichten des Wafers mit dem Belichtungsbetrag, um das Muster darauf zu bilden.

32. Vorrichtung nach Anspruch 31, dadurch gekennzeich net, daß Weiten der ersten Strahlen (13, 23) eine vernach lässigbare Einwirkung auf projizierte Muster der anderen Öffnungen (12, 22) auf dem Wafer haben.

33. Vorrichtung nach Anspruch 32, dadurch gekennzeich net, daß Weiten der ersten Strahlen (13, 23) in einem Be reich zwischen 0,02 µm und 0,06 µm liegen.

34. Vorrichtung nach Anspruch 31, außerdem dadurch ge kennzeichnet, daß sie umfaßt:
ein Mittel zum Einführen von zweiten Strahlen (13, 14, 23, 24) in die erste Öffnung (11, 21) und die anderen Öff nungen (12, 22) mit den ersten Strahlen (13, 23), um einen Strombetrag des Elektronenstrahls zu verringern, wenn der Strombetrag des Elektronenstrahls, der durch die erste Öff nung (11, 21) und die anderen Öffnungen (12, 22) mit den ersten Strahlen (13, 23) hindurchtritt, größer ist als ein vorbestimmter Betrag; und
ein eine Belichtungszeit bestimmendes Mittel zum Be stimmen einer Belichtungszeit, so daß der Strombetrag des Elektronenstrahls einen geeigneten Belichtungsbetrag für das Muster ergibt.

35. Vorrichtung nach Anspruch 34, dadurch gekennzeich net, daß eine Coulomb-Wechselwirkung vernachlässigbar ist, wenn der Strombetrag geringer als der vorbestimmte Betrag ist.

36. Vorrichtung nach Anspruch 34, dadurch gekennzeich net, daß das eine Belichtungszeit bestimmende Mittel Mittel zum Bestimmen der Belichtungszeit, basierend auf einer Ge samtflächengröße der ersten Öffnung (11, 21) und der ande ren Öffnungen (12, 22), bestimmt.

37. Vorrichtung nach Anspruch 34, außerdem dadurch ge kennzeichnet, daß sie umfaßt:
ein Mittel zum Erzeugen von Belichtungsinformations- Daten für jeden der Blöcke (10, 20), welche Belichtungsin formations-Daten angeben, ob mindestens einer der ersten Strahlen (13, 23) und der zweiten Strahlen (13, 14, 23, 24) vorliegen; und
ein Mittel zum Erzeugen von Belichtungsbetragkorrek tur-Daten für jeden der Blöcke (10, 20), welche Belich tungsbetragkorrektur-Daten verwendet werden zum Herstellen eines entsprechenden Musters auf dem Wafer mit einem geeig neten Belichtungsbetrag, wobei
das Belichtungsmittel den Wafer belichtet, um darauf das Muster durch Verwenden der Belichtungsinformations- Daten und der Belichtungsbetragkorrektur-Daten zu bilden.

38. Vorrichtung zum Belichten eines Wafers mit einem Elektronenstrahl durch Verwenden einer Maske (120) mit ei ner Mehrzahl von Blöcken (10, 20), deren jeder mindestens eine Öffnung (11, 12, 21, 22) hat, wobei ein Elektronen strahl, der durch die mindestens eine Öffnung (11, 12, 21, 22) eines ausgewählten der Blöcke (10, 20) hindurchtritt und auf den Wafer gerichtet wird, um auf dem Wafer ein Mu ster zu bilden, welche Vorrichtung dadurch gekennzeichnet ist, daß sie umfaßt:
ein Mittel zum Einführen von Strahlen (13, 14, 23, 24) in mindestens eine der einen oder mehreren Öffnungen (11, 12, 21, 22) für mindestens einen der Blöcke (10, 20), der art, daß Mikroöffnungen, die durch Einführen der Strahlen (13, 14, 21, 24) in eine jeweilige Öffnung erzeugt wurden, Projektionen derselben zeichnen, die miteinander verschmel zen, um eine Gestalt zu bilden, die der jeweiligen Öffnung entspricht;
ein Mittel zum Erzeugen von Belichtungsinformations- Daten für jeden der Blöcke (10, 20), welche Belichtungsin formations-Daten angeben, ob die Strahlen (13, 14, 23, 24) vorliegen;
ein Mittel zum Erzeugen von Belichtungsbetragkorrek tur-Daten für jeden der Blöcke (10, 20), welche Belich tungsbetragkorrektur-Daten verwendet werden zum Herstellen eines entsprechenden Musters auf dem Wafer mit einem geeig neten Belichtungsbetrag; und
ein Mittel zum Belichten des Wafers, um darauf das Mu ster mit dem geeigneten Belichtungsbetrag durch Verwenden der Belichtungsinformations-Daten und der Belichtungsbe tragkorrektur-Daten zu bilden.

39. Vorrichtung nach Anspruch 38, außerdem dadurch ge kennzeichnet, daß sie ein Mittel zum Bestimmen des geeigne ten Belichtungsbetrages für jeden der Blöcke (10, 20), ba sierend auf einer Gesamtflächengröße der mindestens einen Öffnung (11, 12, 21, 22) eines entsprechenden der Blöcke (10, 20), umfaßt.

40. Vorrichtung nach Anspruch 38, außerdem dadurch ge kennzeichnet, daß sie ein Mittel aufweist, um im voraus Re lationen zwischen geeigneten Belichtungsbeträgen und sowohl Größen als auch Anzahlen der Strahlen (13, 14, 23, 24), die in eine Öffnung (11, 12, 21, 22) mit einer vorbestimmten Weite eingeführt werden, zu erhalten.