JPH047088B2 - - Google Patents
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- JPH047088B2 JPH047088B2 JP56211201A JP21120181A JPH047088B2 JP H047088 B2 JPH047088 B2 JP H047088B2 JP 56211201 A JP56211201 A JP 56211201A JP 21120181 A JP21120181 A JP 21120181A JP H047088 B2 JPH047088 B2 JP H047088B2
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 55
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子ビーム露光装置に係り、特にビー
ムの形状と大きさとを可変するようにした可変矩
形電子ビーム露光装置に関する。
ムの形状と大きさとを可変するようにした可変矩
形電子ビーム露光装置に関する。
近時、従来のビームスポツト型の電子ビーム露
光装置に比べて露光時間を大幅に短縮することの
できる可変矩形電子ビーム露光装置が提案されて
いる。
光装置に比べて露光時間を大幅に短縮することの
できる可変矩形電子ビーム露光装置が提案されて
いる。
上述の可変矩形又は可変面積型の電子ビーム露
光装置によれば露光すべきパターンに応じてビー
ムの断面積の大きさ又は形状の大きさを変えるこ
とができるために試料の所要露光時間を短縮でき
る反面で電子ビーム電流を大きくとる必要があ
り、更に後述するようにレンズ系でのクロスオー
バ点が複数存在するために電子ビーム中の電子間
で生ずる相互の斥力が無視できないほど大きくな
り、露光されるパターンの周辺部が不明確とな
り、エツジの解像度の低下、又はボケを発生す
る。
光装置によれば露光すべきパターンに応じてビー
ムの断面積の大きさ又は形状の大きさを変えるこ
とができるために試料の所要露光時間を短縮でき
る反面で電子ビーム電流を大きくとる必要があ
り、更に後述するようにレンズ系でのクロスオー
バ点が複数存在するために電子ビーム中の電子間
で生ずる相互の斥力が無視できないほど大きくな
り、露光されるパターンの周辺部が不明確とな
り、エツジの解像度の低下、又はボケを発生す
る。
このようなボケを減少させるためには電子ビー
ム電流を小さくしたり、電子ビーム光学系の長さ
を短くする等の提案がなされている。
ム電流を小さくしたり、電子ビーム光学系の長さ
を短くする等の提案がなされている。
しかし、これらの試みは必ずしも充分に問題を
解決していない。
解決していない。
更に、可変矩形電子ビーム露光装置に於ては複
数の正方形又は矩形等のアパチヤを有するマスク
を集束及び偏向レンズ系間に配して、該複数のマ
スクの重なり具合を上記偏向レンズで変化させる
ことで任意の形状及び大きさを有する電子ビーム
断面を得ているため、電子ビーム断面が異なると
電子相互間作用も異なつてピントの位置が異なつ
てくる。このため可変矩形電子ビームのビーム断
面サイズによつてピントがずれる位置が相違して
くるためにピントボケを生ずる。
数の正方形又は矩形等のアパチヤを有するマスク
を集束及び偏向レンズ系間に配して、該複数のマ
スクの重なり具合を上記偏向レンズで変化させる
ことで任意の形状及び大きさを有する電子ビーム
断面を得ているため、電子ビーム断面が異なると
電子相互間作用も異なつてピントの位置が異なつ
てくる。このため可変矩形電子ビームのビーム断
面サイズによつてピントがずれる位置が相違して
くるためにピントボケを生ずる。
これらの問題を解決するために本出願人はビー
ムサイズの変化に同期して電流等を検出してピン
トを微小変化させてピントボケを低減できる電子
ビーム装置を提案した。
ムサイズの変化に同期して電流等を検出してピン
トを微小変化させてピントボケを低減できる電子
ビーム装置を提案した。
第１図は従来の可変矩形電子ビームい露光方法
を説明するための図であり、例えば矩形状のアパ
チヤ１を有する第１のマスク２と同じく矩形状の
アパチヤ３を有する第２のマスク４を電子ビーム
７通路上に並べ該第１及び第２のマスク２，４の
重なり具合を該第１及び第２のマスク間に配した
偏向コイル５によつて第１のマスクを通つた電子
ビームを偏向させて変化させることにより任意の
電子ビーム断面６を有する電子ビームを得るよう
にしている。
を説明するための図であり、例えば矩形状のアパ
チヤ１を有する第１のマスク２と同じく矩形状の
アパチヤ３を有する第２のマスク４を電子ビーム
７通路上に並べ該第１及び第２のマスク２，４の
重なり具合を該第１及び第２のマスク間に配した
偏向コイル５によつて第１のマスクを通つた電子
ビームを偏向させて変化させることにより任意の
電子ビーム断面６を有する電子ビームを得るよう
にしている。
本出願人が先に提案したピントボケを低減する
ようにした電子ビーム露光装置の光学系は上記し
た可変矩形電子ビーム露光方法を用いるものでそ
の構成を第２図について説明する。なお第１図と
同一部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
ようにした電子ビーム露光装置の光学系は上記し
た可変矩形電子ビーム露光方法を用いるものでそ
の構成を第２図について説明する。なお第１図と
同一部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
第２図に於て、電子銃８から照射された電子ビ
ーム７は第１のマスク２のアパチヤ１を通過し
て、矩形状となされ、第１の集束レンズ９、電子
ビームサイズ用偏向コイル５、第２のマスク４の
アパチヤ３、第２の集束レンズ１０、電子ビーム
位置決め用のメイン及びサブ偏向コイル１１、投
影レンズ１２を介してウエハ１３上に矩形ビーム
６を照射してレジスト等を露光する。
ーム７は第１のマスク２のアパチヤ１を通過し
て、矩形状となされ、第１の集束レンズ９、電子
ビームサイズ用偏向コイル５、第２のマスク４の
アパチヤ３、第２の集束レンズ１０、電子ビーム
位置決め用のメイン及びサブ偏向コイル１１、投
影レンズ１２を介してウエハ１３上に矩形ビーム
６を照射してレジスト等を露光する。
上記したビーム放射光学系は中央処理装置
CPU１４によりコントロールされる。即ち、該
中央処理装置１４からの命令によつてデータメモ
リ１５に記憶された矩形電子ビームのサイズに関
する情報X1，Y1はレジスタ１６，１７とデジタ
ル−アナログ変換回路１８，１９と図示せざる増
幅回路を通してビームサイズ偏向コイル５に加え
られる。更にフオーカスメモリ２０に加えられた
サイズに関する情報X1，Y1はデジタル−アナロ
グ変換回路２１でアナログ変換されて投影レンズ
近傍に設けた収束コイル２２に加えられる。
CPU１４によりコントロールされる。即ち、該
中央処理装置１４からの命令によつてデータメモ
リ１５に記憶された矩形電子ビームのサイズに関
する情報X1，Y1はレジスタ１６，１７とデジタ
ル−アナログ変換回路１８，１９と図示せざる増
幅回路を通してビームサイズ偏向コイル５に加え
られる。更にフオーカスメモリ２０に加えられた
サイズに関する情報X1，Y1はデジタル−アナロ
グ変換回路２１でアナログ変換されて投影レンズ
近傍に設けた収束コイル２２に加えられる。
データメモリ１５からの矩形電子ビームの位置
に関する情報X2，Y2はレジスタ２３，２４、デ
シタル−アナログ変換回路２５，２６、図示せざ
る増幅回路を通して位置決め偏向コイル１１に加
えられる。
に関する情報X2，Y2はレジスタ２３，２４、デ
シタル−アナログ変換回路２５，２６、図示せざ
る増幅回路を通して位置決め偏向コイル１１に加
えられる。
上記の構成によると、可変矩形電子ビームの面
積の大きさ、上記実施例での矩形サイズはデータ
メモリ１５よりのサイズ情報X1，Y1により決定
されるので、それらの情報X1，Y1によつてフオ
ーカスメモリ２０を介して収束コイル２２をコン
トロールすることにより矩形サイズに同期して電
子ビームの収束点、即ちピントを制御することが
できる。例えば、矩形ビーム断面６のサイズが大
きなものは、大きな電子流を用いるのでピントが
所望のものより拡がつてしまうから、より大きな
電流をフオーカスメモリ２０から出力することで
収束コイル２２の収束作用を強め、矩形ビーム断
面６のサイズが小さい時は収束コイル２２の収束
作用を弱めるように制御すれば矩形ビームはサイ
ズに関係なく同一点に収束するためにピントボケ
が低減できる。
積の大きさ、上記実施例での矩形サイズはデータ
メモリ１５よりのサイズ情報X1，Y1により決定
されるので、それらの情報X1，Y1によつてフオ
ーカスメモリ２０を介して収束コイル２２をコン
トロールすることにより矩形サイズに同期して電
子ビームの収束点、即ちピントを制御することが
できる。例えば、矩形ビーム断面６のサイズが大
きなものは、大きな電子流を用いるのでピントが
所望のものより拡がつてしまうから、より大きな
電流をフオーカスメモリ２０から出力することで
収束コイル２２の収束作用を強め、矩形ビーム断
面６のサイズが小さい時は収束コイル２２の収束
作用を弱めるように制御すれば矩形ビームはサイ
ズに関係なく同一点に収束するためにピントボケ
が低減できる。
第３図は第２図に説明したリフオーカス方法を
詳記した系統図を示すものであり、第２図におけ
るフオーカスメモリ２０をさらに他の実施例で表
したものである。データメモリ１５からの電子ビ
ームサイズ情報X1，Y1をレジスタ２１６，２１
７で記憶し、その記憶した電子ビームサイズ情報
X1，Y1を乗算器２７に入力してX1・Y1を求め、
乗算器２７で得られた結果を乗算器２８に加えて
α倍している。前述のフオーカスメモリ２０は、
X1，Y1さらには定数αを乗算した結果を記憶す
るメモリであるが、第３図の構成によつて、X1，
Y1さらには定数αに対応する結果を全て記憶す
る必要がなく、メモリ容量を低減している。さら
に動作を詳細に説明するとデータメモリ１５によ
つて与えられた電子ビームのサイズ情報X1，Y1
（ここでは矩形状ビームのＸ軸及び軸方向寸法）
がレジスタ２１６，２１７に格納され、該格納値
は第１の乗算器２７でその面積Ｓ＝X1・Y1が算
出され、第２の乗算器２８に与えられる。該第２
の乗算器２８には電子ビームの断面積が変化した
時に生ずるピントずれを補う係数αを記憶したメ
モリ２９よりの出力が与えられているので、第１
の乗算器２７よりの電子ビームの断面積Ｓに対応
した出力が掛け合わされてリフオーカスすべき量
ｆ＝Ｓ・αの値に対応した信号が増幅器等を介し
て収束用の偏向コイル２２に与えられてピントボ
ケ補正が行われている。
詳記した系統図を示すものであり、第２図におけ
るフオーカスメモリ２０をさらに他の実施例で表
したものである。データメモリ１５からの電子ビ
ームサイズ情報X1，Y1をレジスタ２１６，２１
７で記憶し、その記憶した電子ビームサイズ情報
X1，Y1を乗算器２７に入力してX1・Y1を求め、
乗算器２７で得られた結果を乗算器２８に加えて
α倍している。前述のフオーカスメモリ２０は、
X1，Y1さらには定数αを乗算した結果を記憶す
るメモリであるが、第３図の構成によつて、X1，
Y1さらには定数αに対応する結果を全て記憶す
る必要がなく、メモリ容量を低減している。さら
に動作を詳細に説明するとデータメモリ１５によ
つて与えられた電子ビームのサイズ情報X1，Y1
（ここでは矩形状ビームのＸ軸及び軸方向寸法）
がレジスタ２１６，２１７に格納され、該格納値
は第１の乗算器２７でその面積Ｓ＝X1・Y1が算
出され、第２の乗算器２８に与えられる。該第２
の乗算器２８には電子ビームの断面積が変化した
時に生ずるピントずれを補う係数αを記憶したメ
モリ２９よりの出力が与えられているので、第１
の乗算器２７よりの電子ビームの断面積Ｓに対応
した出力が掛け合わされてリフオーカスすべき量
ｆ＝Ｓ・αの値に対応した信号が増幅器等を介し
て収束用の偏向コイル２２に与えられてピントボ
ケ補正が行われている。
第２図に示す可変矩形電子ビーム露光装置によ
るときは上記収束コイル軸の基準位置ビーム軸
（X2，Y2）が完全に一致しているときにはピント
ボケ補正による位置ずれは生じないが、この軸は
X2，Y2によつて変化するのでピントボケ補正す
るたびに照射する基準位置がずれる問題を発生す
る。これについて、第４図を参照して説明する
と、S1＝X1・Y1の断面積を有する矩形電子ビー
ム６ａは原点０位置を基準にして照射されてい
た。そして電子ビームの面積を大とし、S2＝
X12・Y12とする。ここでリフオーカスすると矩
形電子ビーム６ｂはＸ軸及びＹ軸方向にX0及び
Y0だけで移動する。ピントボケに対して行うリ
フオーカスは、あくまでもレンズの中心軸に対し
なされるものである。
るときは上記収束コイル軸の基準位置ビーム軸
（X2，Y2）が完全に一致しているときにはピント
ボケ補正による位置ずれは生じないが、この軸は
X2，Y2によつて変化するのでピントボケ補正す
るたびに照射する基準位置がずれる問題を発生す
る。これについて、第４図を参照して説明する
と、S1＝X1・Y1の断面積を有する矩形電子ビー
ム６ａは原点０位置を基準にして照射されてい
た。そして電子ビームの面積を大とし、S2＝
X12・Y12とする。ここでリフオーカスすると矩
形電子ビーム６ｂはＸ軸及びＹ軸方向にX0及び
Y0だけで移動する。ピントボケに対して行うリ
フオーカスは、あくまでもレンズの中心軸に対し
なされるものである。
第６図はビーム軸がリフオーカスコイルすなわ
ち収束コイル２２の中心軸と一致している場合の
ビーム移動の説明図、第７図はビーム軸が収束コ
イル２２と一致していない場合のビーム移動の説
明図である。第６図に示すようにビーム軸と収束
コイルが一致している時には、リフオーカスを行
つてもビーム軸の移動は発生しない。しかしなが
ら、第７図に示すようにビーム軸１０６が収束コ
イル２２の中心軸１０７と一致していない時に
は、リフオーカスによつてビーム軸１１１が移動
して点線で表すビーム１１０となる。換言するな
らば、リフオーカス（リフオーカスに限らない）
によつて焦点を変化させると、収束コイルの中心
以外はそれを中心として拡大したり縮小したりす
るので、収束コイルの中心軸以外にビーム軸があ
ると、ビーム軸がずれるのである。
ち収束コイル２２の中心軸と一致している場合の
ビーム移動の説明図、第７図はビーム軸が収束コ
イル２２と一致していない場合のビーム移動の説
明図である。第６図に示すようにビーム軸と収束
コイルが一致している時には、リフオーカスを行
つてもビーム軸の移動は発生しない。しかしなが
ら、第７図に示すようにビーム軸１０６が収束コ
イル２２の中心軸１０７と一致していない時に
は、リフオーカスによつてビーム軸１１１が移動
して点線で表すビーム１１０となる。換言するな
らば、リフオーカス（リフオーカスに限らない）
によつて焦点を変化させると、収束コイルの中心
以外はそれを中心として拡大したり縮小したりす
るので、収束コイルの中心軸以外にビーム軸があ
ると、ビーム軸がずれるのである。
電子ビームは露光すべき位置によつて偏向器で
偏向されるので、常にレンズの中心軸に存在する
とは限らないので、前述した様なピントボケ補正
による位置ずれの問題が発生する。
偏向されるので、常にレンズの中心軸に存在する
とは限らないので、前述した様なピントボケ補正
による位置ずれの問題が発生する。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、電子ビームが
変化してビーム断面サイズが可変され、収束コイ
ルに流す電流を制御してピント合せを行うとき
（以下、リフオーカスと記す。）にビーム軸の位置
ずれの補正を行うことを目的とするものである。
変化してビーム断面サイズが可変され、収束コイ
ルに流す電流を制御してピント合せを行うとき
（以下、リフオーカスと記す。）にビーム軸の位置
ずれの補正を行うことを目的とするものである。
〔発明の構成〕
本発明はビームサイズの変化に同期してピント
を微小変化させる可変矩形ビーム露光装置に於
て、前記ビームサイズの変化に同期してピントを
微小変化させた時に生ずるビームの位置ずれを補
正する位置ずれ補正データを得る手段と、該位置
ずれ補正データとビーム位置データとを演算して
前記位置ずれを補正する位置補正手段を有する電
子ビーム露光装置を提供することを特徴とする。
を微小変化させる可変矩形ビーム露光装置に於
て、前記ビームサイズの変化に同期してピントを
微小変化させた時に生ずるビームの位置ずれを補
正する位置ずれ補正データを得る手段と、該位置
ずれ補正データとビーム位置データとを演算して
前記位置ずれを補正する位置補正手段を有する電
子ビーム露光装置を提供することを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第４図、第５図によ
つて詳記する。
つて詳記する。
本発明に於ては、上述のフオーカス量の値を利
用して補正量を決定するようにしたものである。
すなわち、本発明は矩形電子ビーム６ｂの原点
0′を一点鎖線で示す矩形電子ビーム６ｃの位置ま
で戻し、目的の位置に精度よく電子ビームを照射
するようにしたものである。
用して補正量を決定するようにしたものである。
すなわち、本発明は矩形電子ビーム６ｂの原点
0′を一点鎖線で示す矩形電子ビーム６ｃの位置ま
で戻し、目的の位置に精度よく電子ビームを照射
するようにしたものである。
この戻し量Δx0、Δy0は次の式で表すことがで
きる。
きる。
Δx0＝δx・ｆ＝δx・α・Ｓ ……(1)
Δy0＝δy・ｆ＝δy・α・Ｓ ……(2)
ここでδx，δyは原点0′を原点０位置に振り戻す
ための比例係数であり、第３図に示した第２の乗
算器２８の出力を利用することができる。
ための比例係数であり、第３図に示した第２の乗
算器２８の出力を利用することができる。
以下、本発明の系統部を第５図について説明す
る。なお、第３図と同一部分には同一符号を付し
て重複説明は省略する。
る。なお、第３図と同一部分には同一符号を付し
て重複説明は省略する。
第５図の乗算器２８よりの矩形ビーム端面のサ
イズに対応する面積Ｓの信号は第３及び第４の乗
算器３０，３１に与えられる。該第３及び第４の
乗算器にはメモリ回路３２，３３に記憶された第
１及び第２式に示した原点0′を０に振り戻す量の
データが与えられているためにＸ軸及びＹ軸に於
てδx・ｆ，δy・ｆの乗算がなされ、演算回路３
４，３５に乗算器３０，３１の出力が入力され
る。演算回路３４，３５には補正回路３８よりの
出力が与えられて、加算又は減算等の演算がなさ
れる。補正回路３８にはＸ軸及びＹ軸のレジスタ
３６，３７（第２図におけるレズスタ２３，２４
と同様のレジスタであり、メモリ１５の出力が加
わる）より電子ビーム６を走査する位置の値が与
えられて利得gX，gy、ローテーシヨンrx，ry，オ
フセツトox，oy、台形歪hx、hy、等の量が補正さ
れ、該補正回路３８の出力には次の式で示す出力
が取り出される。
イズに対応する面積Ｓの信号は第３及び第４の乗
算器３０，３１に与えられる。該第３及び第４の
乗算器にはメモリ回路３２，３３に記憶された第
１及び第２式に示した原点0′を０に振り戻す量の
データが与えられているためにＸ軸及びＹ軸に於
てδx・ｆ，δy・ｆの乗算がなされ、演算回路３
４，３５に乗算器３０，３１の出力が入力され
る。演算回路３４，３５には補正回路３８よりの
出力が与えられて、加算又は減算等の演算がなさ
れる。補正回路３８にはＸ軸及びＹ軸のレジスタ
３６，３７（第２図におけるレズスタ２３，２４
と同様のレジスタであり、メモリ１５の出力が加
わる）より電子ビーム６を走査する位置の値が与
えられて利得gX，gy、ローテーシヨンrx，ry，オ
フセツトox，oy、台形歪hx、hy、等の量が補正さ
れ、該補正回路３８の出力には次の式で示す出力
が取り出される。
X2′＝X2＋X2・gx＋Y2・rx
＋hx・X2・Y2＋ox ……(3)
Y2′＝Y2＋Y2・gy＋X2・ry
＋hy・X2・Y2＋oy ……(4)
補正回路３８よりのX2′，Y2′信号は演算回路３
４，３５によつてδx・ｆ，δy・ｆと加算或いは
減算されて増幅回路３９，４０を通してメインの
偏向器又はサブの偏向器１１等に与えてリフオー
カスによつて生じた電子ビーム６の位置ずれを振
り戻して試料１３中を所定方向走査して露光を行
うようになされる。尚、増幅器３９，４０はデジ
タル−アナログ変換回路を有し、第２図に於て増
幅器を含むデジタル−アナログ変換回路２５，２
６と同様である。
４，３５によつてδx・ｆ，δy・ｆと加算或いは
減算されて増幅回路３９，４０を通してメインの
偏向器又はサブの偏向器１１等に与えてリフオー
カスによつて生じた電子ビーム６の位置ずれを振
り戻して試料１３中を所定方向走査して露光を行
うようになされる。尚、増幅器３９，４０はデジ
タル−アナログ変換回路を有し、第２図に於て増
幅器を含むデジタル−アナログ変換回路２５，２
６と同様である。
上記、実施例ではメインの偏向器またはサブの
偏向器に補正信号を加えた場合を説明したが光学
系に振り戻し補正用の偏向器を設けて、該偏向器
に補正信号を加えてもよいことは勿論である。又
偏向器の配置位置は場所によつて電子ビームの移
動量が異なるため最終レンズ系の１つ前のレンズ
系近傍に配することができる。
偏向器に補正信号を加えた場合を説明したが光学
系に振り戻し補正用の偏向器を設けて、該偏向器
に補正信号を加えてもよいことは勿論である。又
偏向器の配置位置は場所によつて電子ビームの移
動量が異なるため最終レンズ系の１つ前のレンズ
系近傍に配することができる。
更に上記実施例では電子ビームの振り戻し量を
電気的に測定した値をメモリ回路に記憶した量で
補正したが振り戻すべき量を検出して、この検出
値に応じて補正を行つたり、光学系の管壁外に配
した磁石又は電磁コイル等で位置ずれを補正する
こともできる。
電気的に測定した値をメモリ回路に記憶した量で
補正したが振り戻すべき量を検出して、この検出
値に応じて補正を行つたり、光学系の管壁外に配
した磁石又は電磁コイル等で位置ずれを補正する
こともできる。
本発明の叙述の如く構成させたのでリフオーカ
ス時に生ずる電子ビームの位置ずれを自動的に補
正することができる特徴を有すものである。
ス時に生ずる電子ビームの位置ずれを自動的に補
正することができる特徴を有すものである。
第１図は従来の可変矩形電子ビーム露光装置の
原理を説明するための光学系路図、第２図は従来
の可変矩形電子ビーム露光装置の光学系と駆動系
を示す系統図、第３図は第２図のリフオーカス方
法を説明するための系統図、第４図は本発明の動
作を説明するための電子ビーム断面を示す平面
図、第５図は本発明の可変矩形電子ビーム露光装
置の補正回路部分の系統図、第６図、第７図はビ
ーム軸のずれの説明図である。 １，４……第１、第２のマスク、１１……メイ
ン又はサブ偏向器、１５……データメモリ、１
６，１７，２１６，２１７……レジスタ、２７，
２８，３０，３１……第１〜第４の乗算器、３
２，３３，３６，３７……メモリ、３４，３５…
…演算回路。
原理を説明するための光学系路図、第２図は従来
の可変矩形電子ビーム露光装置の光学系と駆動系
を示す系統図、第３図は第２図のリフオーカス方
法を説明するための系統図、第４図は本発明の動
作を説明するための電子ビーム断面を示す平面
図、第５図は本発明の可変矩形電子ビーム露光装
置の補正回路部分の系統図、第６図、第７図はビ
ーム軸のずれの説明図である。 １，４……第１、第２のマスク、１１……メイ
ン又はサブ偏向器、１５……データメモリ、１
６，１７，２１６，２１７……レジスタ、２７，
２８，３０，３１……第１〜第４の乗算器、３
２，３３，３６，３７……メモリ、３４，３５…
…演算回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ビーム断面積に対応した焦点補正係数と該ビ
ーム断面積とを乗算して得た焦点補正信号を焦点
制御手段に印加して電子ビームの焦点を調整する
可変矩形電子ビーム露光装置において、 該ビーム断面積に対応した位置ずれ補正係数と
該ビーム断面積とを乗算して得た位置ずれ補正情
報で、露光位置決め用偏向器に加える露光位置情
報を補正するようにしたことを特徴とする電子ビ
ーム露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211201A JPS58121625A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 電子ビ−ム露光装置 |
| EP82306994A EP0083246B1 (en) | 1981-12-28 | 1982-12-30 | Scanning electron beam exposure system |
| DE8282306994T DE3279856D1 (en) | 1981-12-28 | 1982-12-30 | Scanning electron beam exposure system |
| US07/339,887 US4968893A (en) | 1981-12-28 | 1989-04-18 | Scanning electron beam exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56211201A JPS58121625A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58121625A JPS58121625A (ja) | 1983-07-20 |
| JPH047088B2 true JPH047088B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=16602033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56211201A Granted JPS58121625A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4968893A (ja) |
| EP (1) | EP0083246B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58121625A (ja) |
| DE (1) | DE3279856D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5932128A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビ−ム露光装置におけるビ−ム照射位置補正方法 |
| JPS5961134A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
| JPH03119717A (ja) * | 1989-09-30 | 1991-05-22 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子露光装置および露光方法 |
| US5130547A (en) * | 1989-11-30 | 1992-07-14 | Fujitsu Limited | Charged-particle beam exposure method and apparatus |
| JP2651298B2 (ja) * | 1991-10-29 | 1997-09-10 | 富士通株式会社 | ビーム焦点調整器及び電子ビーム装置 |
| US7394080B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask superposition for multiple exposures |
| DE102007046783A1 (de) * | 2007-09-29 | 2009-04-23 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Vorrichtung zur Ablenkung oder Einlenkung eines Teilchenstrahls |
| JP5528753B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-06-25 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54374A (en) * | 1977-05-30 | 1979-01-05 | Nippon Yusoki Co Ltd | Controller of unmanned travelling car |
| JPS5694740A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fujitsu Ltd | Electronic beam exposure device |
| JPS56147437A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-16 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5283177A (en) * | 1975-12-31 | 1977-07-11 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
| JPS5493364A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-24 | Fujitsu Ltd | Exposure system for electron beam |
| JPS5693318A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-28 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP56211201A patent/JPS58121625A/ja active Granted
-
1982
- 1982-12-30 DE DE8282306994T patent/DE3279856D1/de not_active Expired
- 1982-12-30 EP EP82306994A patent/EP0083246B1/en not_active Expired
-
1989
- 1989-04-18 US US07/339,887 patent/US4968893A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54374A (en) * | 1977-05-30 | 1979-01-05 | Nippon Yusoki Co Ltd | Controller of unmanned travelling car |
| JPS5694740A (en) * | 1979-12-28 | 1981-07-31 | Fujitsu Ltd | Electronic beam exposure device |
| JPS56147437A (en) * | 1980-04-17 | 1981-11-16 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58121625A (ja) | 1983-07-20 |
| EP0083246A3 (en) | 1986-05-14 |
| US4968893A (en) | 1990-11-06 |
| EP0083246B1 (en) | 1989-08-02 |
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| DE3279856D1 (en) | 1989-09-07 |
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