JP2000241958A - フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの検査修正方法、及びフォトマスクの使用方法 - Google Patents
フォトマスク、フォトマスクの製造方法、フォトマスクの検査修正方法、及びフォトマスクの使用方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路パタン中に斜め線があると、回路パタン
の描画時間が著しく長くなるため、フォトマスクが高価
格であり、低精度であるという課題があった。 【解決手段】 斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレ
イアウトデータに基づいて透明基板２の一主面上に形成
された遮光パタン３ｂは、斜め線が、斜め線の幅Ｗ、投
影露光装置の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍか
ら、Ｎｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮ
ｐ個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに
変換された、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイ
アウトデータに基づいて透明基板２の一主面上に形成さ
れたものである。
の描画時間が著しく長くなるため、フォトマスクが高価
格であり、低精度であるという課題があった。 【解決手段】 斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレ
イアウトデータに基づいて透明基板２の一主面上に形成
された遮光パタン３ｂは、斜め線が、斜め線の幅Ｗ、投
影露光装置の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍか
ら、Ｎｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮ
ｐ個の矩形により階段状に表わされる多角形のデータに
変換された、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイ
アウトデータに基づいて透明基板２の一主面上に形成さ
れたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体集積回路
装置や液晶ディスプレイの製造工程で使用されるフォト
マスク、並びにそのフォトマスクの製造方法、検査修正
方法及び使用方法に関するものである。
装置や液晶ディスプレイの製造工程で使用されるフォト
マスク、並びにそのフォトマスクの製造方法、検査修正
方法及び使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、可変成形ビームベクタースキャン
型の電子線露光装置を用いて、フォトマスクを製造する
ことが増えてきた。
型の電子線露光装置を用いて、フォトマスクを製造する
ことが増えてきた。
【０００３】図１３は可変成形ビームベクタースキャン
型の電子線露光装置を示す構成図である。図１３におい
て、１０１は可変成形ビームベクタースキャン型の電子
線露光装置、１０２はＬａＢ６ 電子銃、１０３は第１
成形アパーチャ、１０４は第１成形レンズ、１０５は第
１成形偏向器、１０６は第２成形レンズ、１０７は第２
成形アパーチャ、１０８は縮小レンズ、１０９はブラン
キング電極、１１０は偏向器、１１１は集束レンズ、１
１２は描画フィールドである。
型の電子線露光装置を示す構成図である。図１３におい
て、１０１は可変成形ビームベクタースキャン型の電子
線露光装置、１０２はＬａＢ６ 電子銃、１０３は第１
成形アパーチャ、１０４は第１成形レンズ、１０５は第
１成形偏向器、１０６は第２成形レンズ、１０７は第２
成形アパーチャ、１０８は縮小レンズ、１０９はブラン
キング電極、１１０は偏向器、１１１は集束レンズ、１
１２は描画フィールドである。
【０００４】また、１１３は第１成形アパーチャ１０３
と、第１成形レンズ１０４と、第１成形偏向器１０５
と、第２成形レンズ１０６と、第２成形アパーチャ１０
７とから成る可変成形レンズ部であり、１１４は偏向器
１１０と集束レンズ１１１とから成る収束偏向レンズ部
である。また、１１５はステージ（図示せず）上に載置
された被露光対象としてのフォトマスクである。
と、第１成形レンズ１０４と、第１成形偏向器１０５
と、第２成形レンズ１０６と、第２成形アパーチャ１０
７とから成る可変成形レンズ部であり、１１４は偏向器
１１０と集束レンズ１１１とから成る収束偏向レンズ部
である。また、１１５はステージ（図示せず）上に載置
された被露光対象としてのフォトマスクである。
【０００５】可変成形ビームベクタースキャン型の電子
線露光装置１０１では、回路パタンを描画する場合、図
１４（ａ）に示すように、回路パタンのレイアウトデー
タを単純な矩形に区分し、各矩形ごとに順番に露光する
方式を採用している。このため、可変成形ビームベクタ
ースキャン型の電子線露光装置１０１では、回路パタン
のレイアウトが単純である場合、回路パタンのレイアウ
トが複雑である場合に比べて、露光する面積は同じであ
っても露光する矩形の数が少なく、スループットが高
い。
線露光装置１０１では、回路パタンを描画する場合、図
１４（ａ）に示すように、回路パタンのレイアウトデー
タを単純な矩形に区分し、各矩形ごとに順番に露光する
方式を採用している。このため、可変成形ビームベクタ
ースキャン型の電子線露光装置１０１では、回路パタン
のレイアウトが単純である場合、回路パタンのレイアウ
トが複雑である場合に比べて、露光する面積は同じであ
っても露光する矩形の数が少なく、スループットが高
い。
【０００６】また、可変成形ビームベクタースキャン型
の電子線露光装置１０１は、図１４（ｂ）に示すように
露光する部分及び露光しない部分を含めたフォトマスク
全体をガウスビームでスキャンして回路パタンを描画す
る方式を採用するガウスビームラスタースキャン型の電
子線露光装置や、図１４（ｃ）に示すように露光する部
分だけをガウスビームでスキャンして回路パタンを描画
する方式を採用するガウスビームベクタースキャン型の
電子線露光装置に比べてスループットが高い点で優れて
いる。
の電子線露光装置１０１は、図１４（ｂ）に示すように
露光する部分及び露光しない部分を含めたフォトマスク
全体をガウスビームでスキャンして回路パタンを描画す
る方式を採用するガウスビームラスタースキャン型の電
子線露光装置や、図１４（ｃ）に示すように露光する部
分だけをガウスビームでスキャンして回路パタンを描画
する方式を採用するガウスビームベクタースキャン型の
電子線露光装置に比べてスループットが高い点で優れて
いる。
【０００７】また、近年、ＬＳＩの高集積化に伴い小さ
な領域に複雑な機能を詰め込もうとすると、縦横に走る
配線だけでは自由度が少ないので斜め方向に走る配線を
利用する場合が増えている。
な領域に複雑な機能を詰め込もうとすると、縦横に走る
配線だけでは自由度が少ないので斜め方向に走る配線を
利用する場合が増えている。
【０００８】しかし、可変成形ビームベクタースキャン
型の電子線露光装置１０１では、斜め線が描画可能なよ
うに第１及び第２成形部が構成されていない。そこで、
可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１
０１では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを描画す
る場合、まず、図１４（ａ）に示すように、斜め線を含
んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線
が電子線露光装置１０１の解像力と同じ幅を有する複数
の細長い矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の
矩形から成る多角形のデータに変換する。すなわち、斜
め線の幅Ｗを電子線露光装置１０１の解像力Ｒｗの整数
倍となるように設計し、斜め線を含んだ多角形の回路パ
タンのレイアウトデータを、斜め線がＮｗ＝Ｗ／Ｒｗで
定義されるＮｗ個の矩形により階段状に表わされかつ全
体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する。そ
の後、これら矩形を１つずつ露光することにより斜め線
を含んだ多角形の回路パタンを描画する。
型の電子線露光装置１０１では、斜め線が描画可能なよ
うに第１及び第２成形部が構成されていない。そこで、
可変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置１
０１では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを描画す
る場合、まず、図１４（ａ）に示すように、斜め線を含
んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜め線
が電子線露光装置１０１の解像力と同じ幅を有する複数
の細長い矩形により階段状に表わされかつ全体が複数の
矩形から成る多角形のデータに変換する。すなわち、斜
め線の幅Ｗを電子線露光装置１０１の解像力Ｒｗの整数
倍となるように設計し、斜め線を含んだ多角形の回路パ
タンのレイアウトデータを、斜め線がＮｗ＝Ｗ／Ｒｗで
定義されるＮｗ個の矩形により階段状に表わされかつ全
体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する。そ
の後、これら矩形を１つずつ露光することにより斜め線
を含んだ多角形の回路パタンを描画する。
【０００９】なお、レイアウトデータを一律にシュリン
クする際、矩形のレイアウトデータの場合、正しくグリ
ッド上に載るが、斜め線を含んだ多角形のレイアウトデ
ータの場合、正しくグリット上に載るとは限らない。シ
ュリンク後のレイアウトデータがグリット上に正しく載
っていない場合、レイアウトデータに丸め誤差が生じ、
描画精度が劣化する。
クする際、矩形のレイアウトデータの場合、正しくグリ
ッド上に載るが、斜め線を含んだ多角形のレイアウトデ
ータの場合、正しくグリット上に載るとは限らない。シ
ュリンク後のレイアウトデータがグリット上に正しく載
っていない場合、レイアウトデータに丸め誤差が生じ、
描画精度が劣化する。
【００１０】図１５は電子線露光装置を用いて製造され
たフォトマスクを用いて半導体集積回路や液晶ディスプ
レイを製造するための投影露光装置を示す構成図であ
る。図１５において、２０１は投影露光装置、２０２は
光源としてのＨｇランプ、２０３は第１のレンズ、２０
４は第１のミラー、２０５は第２のレンズ、２０６はフ
ライアイレンズ、２０７は二次光源面、２０８は第３の
レンズ、２０９はブラインド、２１０は第４のレンズ、
２１１は第２のミラー、２１２は第５のレンズ、２１３
は第６のレンズ、２１４は瞳面、２１５は第７のレンズ
である。
たフォトマスクを用いて半導体集積回路や液晶ディスプ
レイを製造するための投影露光装置を示す構成図であ
る。図１５において、２０１は投影露光装置、２０２は
光源としてのＨｇランプ、２０３は第１のレンズ、２０
４は第１のミラー、２０５は第２のレンズ、２０６はフ
ライアイレンズ、２０７は二次光源面、２０８は第３の
レンズ、２０９はブラインド、２１０は第４のレンズ、
２１１は第２のミラー、２１２は第５のレンズ、２１３
は第６のレンズ、２１４は瞳面、２１５は第７のレンズ
である。
【００１１】また、２１６はフォトマスク、２１７は被
露光対象としてのウェハ、２１８はＨｇランプ２０２か
ら出射された光、２１９はフォトマスク２１６により回
折された回折光である。
露光対象としてのウェハ、２１８はＨｇランプ２０２か
ら出射された光、２１９はフォトマスク２１６により回
折された回折光である。
【００１２】投影露光装置２０１の解像力Ｒｐは、露光
波長λ、レンズの開口数ＮＡ、プロセス定数ｋｌを用い
て、Ｒｐ＝ｋｌ・λ／ＮＡと定義される。このため、フ
ォトマスク２１６の一主面上に形成された遮光パタンの
幅が、ｍ・Ｒｐ以下の場合、その遮光パタンの形状を被
露光対象としてのウェハ２１７上に正確に表わすことが
できず、輪郭が丸まる。例えば、図１６（ａ）は中央に
一辺がｍ・Ｒｐ以下である正方形の孔を有する遮光パタ
ンを備えたフォトマスクを図１５に示す投影露光装置に
装着して、ウェハ２１７を露光した場合、ウェハ２１７
上では遮光パタンの形状が図１６（ｂ）に示す形状で表
される。
波長λ、レンズの開口数ＮＡ、プロセス定数ｋｌを用い
て、Ｒｐ＝ｋｌ・λ／ＮＡと定義される。このため、フ
ォトマスク２１６の一主面上に形成された遮光パタンの
幅が、ｍ・Ｒｐ以下の場合、その遮光パタンの形状を被
露光対象としてのウェハ２１７上に正確に表わすことが
できず、輪郭が丸まる。例えば、図１６（ａ）は中央に
一辺がｍ・Ｒｐ以下である正方形の孔を有する遮光パタ
ンを備えたフォトマスクを図１５に示す投影露光装置に
装着して、ウェハ２１７を露光した場合、ウェハ２１７
上では遮光パタンの形状が図１６（ｂ）に示す形状で表
される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】可変成形ビームベクタ
ースキャン型の電子線露光装置を用いて斜め線を描画す
る場合には、以上のように行うので、回路パタン中に斜
め線があると、回路パタンの描画時間が著しく長くな
り、電子線露光装置のスループットが劣化し、フォトマ
スクの価格が上昇するなどの課題があった。
ースキャン型の電子線露光装置を用いて斜め線を描画す
る場合には、以上のように行うので、回路パタン中に斜
め線があると、回路パタンの描画時間が著しく長くな
り、電子線露光装置のスループットが劣化し、フォトマ
スクの価格が上昇するなどの課題があった。
【００１４】また、描画時間が長くなると、電子線露光
装置のステージのドリフトの影響も大きくなるので、長
寸法誤差が拡大し、フォトマスクの精度が低下するなど
の課題があった。
装置のステージのドリフトの影響も大きくなるので、長
寸法誤差が拡大し、フォトマスクの精度が低下するなど
の課題があった。
【００１５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、安価で高精度なフォトマスクを得
ることを目的とする。
めになされたもので、安価で高精度なフォトマスクを得
ることを目的とする。
【００１６】また、そのフォトマスクの製造方法、検査
修正方法、及び使用方法を得ることを目的とする。
修正方法、及び使用方法を得ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明に係るフォトマ
スクは、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタ
ンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多
角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、
Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである（ただし、
ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒ
ｗはマスク描画装置の解像力である。）。
スクは、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタ
ンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多
角形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、
Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである（ただし、
ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒ
ｗはマスク描画装置の解像力である。）。
【００１８】この発明に係るフォトマスクは、斜め線を
含んだ多角形の面積が、斜め線が階段状に表わされた多
角形の面積と等しいものである。
含んだ多角形の面積が、斜め線が階段状に表わされた多
角形の面積と等しいものである。
【００１９】この発明に係るフォトマスクは、斜め線を
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜
め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部
に相当する位置に接続する辺とが平行関係にあるもので
ある。
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜
め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部
に相当する位置に接続する辺とが平行関係にあるもので
ある。
【００２０】この発明に係るフォトマスクは、斜め線を
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜
め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部
に相当する位置に接続する辺とが直角関係にあるもので
ある。
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺と、斜
め線が階段状に表わされた多角形における斜め線の端部
に相当する位置に接続する辺とが直角関係にあるもので
ある。
【００２１】この発明に係るフォトマスクは、斜め線を
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互い
に平行関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜
め線に相当する線の中点に対して点対称であるものであ
る。
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互い
に平行関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜
め線に相当する線の中点に対して点対称であるものであ
る。
【００２２】この発明に係るフォトマスクは、斜め線を
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互い
に平行関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜
め線に相当する線の垂直二等分線に対してミラー対称で
あるものである。
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互い
に平行関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜
め線に相当する線の垂直二等分線に対してミラー対称で
あるものである。
【００２３】この発明に係るフォトマスクは、斜め線を
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互い
に直角関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜
め線に相当する線の中点に対して点対称であるものであ
る。
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互い
に直角関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜
め線に相当する線の中点に対して点対称であるものであ
る。
【００２４】この発明に係るフォトマスクは、斜め線を
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互い
に直角関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜
め線に相当する線の垂直二等分線に対してミラー対称で
あるものである。
含んだ多角形における斜め線の端部に接続する辺が互い
に直角関係にあるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜
め線に相当する線の垂直二等分線に対してミラー対称で
あるものである。
【００２５】この発明に係るフォトマスクの製造方法
は、回路パタンをレイアウトし、そのレイアウトデータ
を作成する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタン
のレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階段
状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデ
ータに変換する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パ
タンの変換後のレイアウトデータに基づき、回路パタン
を描画する工程とを含み、斜め線を含んだ多角形の回路
パタンのレイアウトデータを変換する工程において、斜
め線を表わす矩形の幅ＲをＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲と
するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒ
ｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力
である。）。
は、回路パタンをレイアウトし、そのレイアウトデータ
を作成する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パタン
のレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階段
状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデ
ータに変換する工程と、斜め線を含んだ多角形の回路パ
タンの変換後のレイアウトデータに基づき、回路パタン
を描画する工程とを含み、斜め線を含んだ多角形の回路
パタンのレイアウトデータを変換する工程において、斜
め線を表わす矩形の幅ＲをＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲と
するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒ
ｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力
である。）。
【００２６】この発明に係るフォトマスクの製造方法
は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータを変換する方法が複数通りある場合、全矩形の数が
少ない方法を選択するものである。
は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータを変換する方法が複数通りある場合、全矩形の数が
少ない方法を選択するものである。
【００２７】この発明に係るフォトマスクの製造方法
は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形の数
が少ない方法を選択するものである。
は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形の数
が少ない方法を選択するものである。
【００２８】この発明に係るフォトマスクの製造方法
は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形が複
数の矩形から成る多角形の外周部に位置しない方法を選
択するものである。
は、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータを変換する方法が複数通りある場合、微小矩形が複
数の矩形から成る多角形の外周部に位置しない方法を選
択するものである。
【００２９】この発明に係るフォトマスクの検査修正方
法は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタン
を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角
形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒ
ｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクの斜め線に
相当する線の位置に生じた欠陥を検査修正するに当た
り、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検
査修正するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍
率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の
解像力である。）。
法は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタン
を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角
形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒ
ｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクの斜め線に
相当する線の位置に生じた欠陥を検査修正するに当た
り、回路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検
査修正するものである（ただし、ｍは露光装置の転写倍
率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の
解像力である。）。
【００３０】この発明に係るフォトマスクの使用方法
は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタン
を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角
形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒ
ｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、
半導体集積回路を製造するものである（ただし、ｍは露
光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマ
スク描画装置の解像力である。）。
は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタン
を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角
形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒ
ｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、
半導体集積回路を製造するものである（ただし、ｍは露
光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマ
スク描画装置の解像力である。）。
【００３１】この発明に係るフォトマスクの使用方法
は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタン
を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角
形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒ
ｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、
液晶ディスプレイを製造するものである（ただし、ｍは
露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗは
マスク描画装置の解像力である。）。
は、透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタン
を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされた多角
形として示した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒ
ｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォトマスクを用いて、
液晶ディスプレイを製造するものである（ただし、ｍは
露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗは
マスク描画装置の解像力である。）。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるフ
ォトマスクを示す構成図である。図１において、１はフ
ォトマスク、２は透明基板、３ａは斜め線を含まない四
角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて、可変
成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置（マス
ク描画装置）により露光することにより透明基板２の一
主面上に形成された遮光パタン、３ｂは斜め線を含んだ
多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて、可
変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置によ
り露光することにより透明基板２の一主面上に形成され
た遮光パタンである。また、４は斜め線を含んだ多角形
の回路パタン中の斜め線に相当する線である。
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるフ
ォトマスクを示す構成図である。図１において、１はフ
ォトマスク、２は透明基板、３ａは斜め線を含まない四
角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて、可変
成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置（マス
ク描画装置）により露光することにより透明基板２の一
主面上に形成された遮光パタン、３ｂは斜め線を含んだ
多角形の回路パタンのレイアウトデータに基づいて、可
変成形ビームベクタースキャン型の電子線露光装置によ
り露光することにより透明基板２の一主面上に形成され
た遮光パタンである。また、４は斜め線を含んだ多角形
の回路パタン中の斜め線に相当する線である。
【００３３】遮光パタン３ｂは、斜め線が斜め線の幅
Ｗ、フォトマスク１を装着する投影露光装置（露光装
置）の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ
＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩
形により階段状に表わされる多角形のデータに変換され
た、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータに基づいて透明基板２の一主面上に形成されたもの
である。
Ｗ、フォトマスク１を装着する投影露光装置（露光装
置）の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ
＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩
形により階段状に表わされる多角形のデータに変換され
た、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータに基づいて透明基板２の一主面上に形成されたもの
である。
【００３４】ここで、一般に、Ｒｐ・ｍは電子線露光装
置の解像力Ｒｗより１０倍以上大きいので、ＮｐはＮｗ
より小さく、その結果、矩形の幅Ｒは電子線露光装置の
解像力Ｒｗより大きい。また、Ｎｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ
／ｍ）＋１と定義されることから、矩形の幅ＲがＲｐ・
ｍより小さいことも明らかである。すなわち矩形の幅Ｒ
はＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲である。
置の解像力Ｒｗより１０倍以上大きいので、ＮｐはＮｗ
より小さく、その結果、矩形の幅Ｒは電子線露光装置の
解像力Ｒｗより大きい。また、Ｎｐ＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ
／ｍ）＋１と定義されることから、矩形の幅ＲがＲｐ・
ｍより小さいことも明らかである。すなわち矩形の幅Ｒ
はＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲である。
【００３５】換言すれば、遮光パタン３ｂは、斜め線を
含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形によ
り階段状に表わされた多角形として示したものであり、
矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであ
る。図１では、一例として、斜め線を含んだ多角形の回
路パタン中の斜め線が、幅Ｒ１がＲｗ＜Ｒ１＜Ｒｐ・ｍ
の範囲である矩形４ｘと幅Ｒ２がＲｗ＜Ｒ２＜Ｒｐ・ｍ
の範囲である矩形４ｙにより階段状に表わされる例を示
している。
含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形によ
り階段状に表わされた多角形として示したものであり、
矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものであ
る。図１では、一例として、斜め線を含んだ多角形の回
路パタン中の斜め線が、幅Ｒ１がＲｗ＜Ｒ１＜Ｒｐ・ｍ
の範囲である矩形４ｘと幅Ｒ２がＲｗ＜Ｒ２＜Ｒｐ・ｍ
の範囲である矩形４ｙにより階段状に表わされる例を示
している。
【００３６】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、遮光パタン３ｂは、斜め線がＮｐ（＜Ｎｍ）個の矩
形により階段状に表わされる多角形のデータに変換され
た、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータに基づいて形成されたものであるので、従来の場合
に比べて少ない露光回数で短時間で回路パタンが描画さ
れている。その結果、電子線露光装置のスループットが
向上し、フォトマスクが低価格となる効果が得られる。
また、電子線露光装置のドリフトの影響も小さくなり、
フォトマスクが長寸法誤差の小さく高精度なものとなる
効果も得られる。
ば、遮光パタン３ｂは、斜め線がＮｐ（＜Ｎｍ）個の矩
形により階段状に表わされる多角形のデータに変換され
た、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータに基づいて形成されたものであるので、従来の場合
に比べて少ない露光回数で短時間で回路パタンが描画さ
れている。その結果、電子線露光装置のスループットが
向上し、フォトマスクが低価格となる効果が得られる。
また、電子線露光装置のドリフトの影響も小さくなり、
フォトマスクが長寸法誤差の小さく高精度なものとなる
効果も得られる。
【００３７】実施の形態２． 実施の形態２では、実施
の形態１で説明したフォトマスクの製造方法について説
明する。図２はフォトマスクの製造方法を示すフローチ
ャートである。フォトマスクを製造する場合、まず、Ｃ
ＡＤツールを用いて、製造予定の装置に必要な回路パタ
ンをレイアウトする（ステップＳＴ１）。
の形態１で説明したフォトマスクの製造方法について説
明する。図２はフォトマスクの製造方法を示すフローチ
ャートである。フォトマスクを製造する場合、まず、Ｃ
ＡＤツールを用いて、製造予定の装置に必要な回路パタ
ンをレイアウトする（ステップＳＴ１）。
【００３８】その後、回路パタンの集積度を上げるた
め、回路パタンをコンパクションし、回路パタンのレイ
アウトデータを作成する（ステップＳＴ２）。この時、
デザインルールを守りながら、適宜配線を折り曲げてよ
り多くの回路パタンを小さな領域に集積するため、縦横
に走る配線だけでなく斜め方向に走る配線を利用する場
合がある。
め、回路パタンをコンパクションし、回路パタンのレイ
アウトデータを作成する（ステップＳＴ２）。この時、
デザインルールを守りながら、適宜配線を折り曲げてよ
り多くの回路パタンを小さな領域に集積するため、縦横
に走る配線だけでなく斜め方向に走る配線を利用する場
合がある。
【００３９】その後、回路パタンのレイアウトデータを
標準フォーマットに変換する（ステップＳＴ３）。その
後、回路パタンのレイアウトデータから、各層毎のデー
タを抽出して展開する（ステップＳＴ４）。その後、回
路パタンのレイアウトデータ中の図形変換を行う領域を
指定する（ステップＳＴ５）。その後、回路パタンのレ
イアウトデータ中の繰り返し部分と非繰り返し部分とを
一旦分ける（ステップＳＴ６）。その後、繰り返し部分
及び非繰り返し部分を小さなセグメントに分割する（ス
テップＳＴ７）。ただし、繰り返し部分の分割は、繰り
返し部分がセグメントより大きい場合に行う。その後、
セグメント毎に、重複除去など既存の図形演算等の処理
を行う（ステップＳＴ８）。
標準フォーマットに変換する（ステップＳＴ３）。その
後、回路パタンのレイアウトデータから、各層毎のデー
タを抽出して展開する（ステップＳＴ４）。その後、回
路パタンのレイアウトデータ中の図形変換を行う領域を
指定する（ステップＳＴ５）。その後、回路パタンのレ
イアウトデータ中の繰り返し部分と非繰り返し部分とを
一旦分ける（ステップＳＴ６）。その後、繰り返し部分
及び非繰り返し部分を小さなセグメントに分割する（ス
テップＳＴ７）。ただし、繰り返し部分の分割は、繰り
返し部分がセグメントより大きい場合に行う。その後、
セグメント毎に、重複除去など既存の図形演算等の処理
を行う（ステップＳＴ８）。
【００４０】その後、斜め線を含んだ多角形の回路パタ
ンのレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階
段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形の
データであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ
＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものに変換する（ステップＳＴ
９）。すなわち、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの
レイアウトデータを、斜め線が斜め線の幅Ｗ、投影露光
装置の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ
＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩
形により階段状に表わされる多角形のデータに変換す
る。
ンのレイアウトデータを、斜め線が複数の矩形により階
段状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形の
データであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ
＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものに変換する（ステップＳＴ
９）。すなわち、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの
レイアウトデータを、斜め線が斜め線の幅Ｗ、投影露光
装置の解像力Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ
＝ｉｎｔ（Ｗ／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩
形により階段状に表わされる多角形のデータに変換す
る。
【００４１】その後、繰り返し部分を非繰り返し部分に
割り付ける（ステップＳＴ１０）。その後、回路パタン
のレイアウトデータを、使用する可変成形ビームスキャ
ン型の電子線露光装置のフォーマットに変換する（ステ
ップＳＴ１１）。
割り付ける（ステップＳＴ１０）。その後、回路パタン
のレイアウトデータを、使用する可変成形ビームスキャ
ン型の電子線露光装置のフォーマットに変換する（ステ
ップＳＴ１１）。
【００４２】その後、斜め線を含んだ多角形の回路パタ
ンの変換後のレイアウトデータを有する回路パタンのレ
イアウトデータに基づき、回路パタンを可変成形ビーム
スキャン型の電子線露光装置により描画する（ステップ
ＳＴ１２）。すなわち、斜め線を含んだ多角形の回路パ
タンの変換後のレイアウトデータ全体が複数の矩形から
成るため、これら矩形を可変成形ビームスキャン型の電
子線露光装置により１つずつ露光することにより、回路
パタンを描画する。
ンの変換後のレイアウトデータを有する回路パタンのレ
イアウトデータに基づき、回路パタンを可変成形ビーム
スキャン型の電子線露光装置により描画する（ステップ
ＳＴ１２）。すなわち、斜め線を含んだ多角形の回路パ
タンの変換後のレイアウトデータ全体が複数の矩形から
成るため、これら矩形を可変成形ビームスキャン型の電
子線露光装置により１つずつ露光することにより、回路
パタンを描画する。
【００４３】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータを、斜め線が斜め線の幅Ｗ、投影露光装置の解像力
Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ＝ｉｎｔ（Ｗ
／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩形により階段
状に表わされる多角形のデータに変換するので、従来の
場合に比べて、露光回数が少なく、回路パタンの描画時
間が短い。その結果、電子線露光装置のスループットが
向上し、低価格のフォトマスクを製造することができる
効果が得られる。また、電子線露光装置のドリフトの影
響が小さくなり、長寸法誤差の小さい高精度のフォトマ
スクを製造することができる効果が得られる。
ば、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータを、斜め線が斜め線の幅Ｗ、投影露光装置の解像力
Ｒｐ、投影露光装置の転写倍率ｍからＮｐ＝ｉｎｔ（Ｗ
／Ｒｐ／ｍ）＋１で定義されるＮｐ個の矩形により階段
状に表わされる多角形のデータに変換するので、従来の
場合に比べて、露光回数が少なく、回路パタンの描画時
間が短い。その結果、電子線露光装置のスループットが
向上し、低価格のフォトマスクを製造することができる
効果が得られる。また、電子線露光装置のドリフトの影
響が小さくなり、長寸法誤差の小さい高精度のフォトマ
スクを製造することができる効果が得られる。
【００４４】実施の形態３．実施の形態３から実施の形
態６では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイア
ウトデータに基づいて形成された遮光パタンの例につい
て説明する。
態６では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイア
ウトデータに基づいて形成された遮光パタンの例につい
て説明する。
【００４５】図３は実施の形態３の説明に供する図であ
る。図３（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５
を示し、図３（ｂ）から図３（ｇ）は図３（ａ）に示す
斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイア
ウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すな
わち、図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パ
タン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされ
た多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線
を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲である
ものを示している。
る。図３（ａ）は斜め線を含んだ多角形の回路パタン５
を示し、図３（ｂ）から図３（ｇ）は図３（ａ）に示す
斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイア
ウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ、すな
わち、図３（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パ
タン５を、斜め線が複数の矩形により階段状に表わされ
た多角形として示した遮光パタン３ｂであって、斜め線
を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲である
ものを示している。
【００４６】図３（ｂ）及び図３（ｅ）は、図３（ａ）
に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍ
より小さい場合を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３
（ｆ）及び図３（ｇ）は、図３（ａ）に示す回路パタン
５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を
示している。
に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍ
より小さい場合を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３
（ｆ）及び図３（ｇ）は、図３（ａ）に示す回路パタン
５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を
示している。
【００４７】図３（ａ）に示す回路パタン５における斜
め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに平行関
係にある。図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂの面積は、図３（ａ）に示す回路パタン５の面積と
等しい。図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂ
とを接続する階段形状は斜め線に相当する線の中点４ｃ
に対して点対称である。すなわち、図３（ｂ）から図３
（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図３（ａ）に示す斜め
線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに平行関係
にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の
面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の
中点４ｃに対して点対称である階段形状に変換した後の
レイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ
を示している。なお、上述した斜め線の端部に接続する
２つの辺が互いに平行関係にある回路パタンのレイアウ
トデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線
を、斜め線に相当する線の中点に対して点対称である階
段形状に変換する方式では、変換部分の対称性が確保さ
れる。
め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに平行関
係にある。図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂの面積は、図３（ａ）に示す回路パタン５の面積と
等しい。図３（ｂ）から図３（ｇ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂ
とを接続する階段形状は斜め線に相当する線の中点４ｃ
に対して点対称である。すなわち、図３（ｂ）から図３
（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図３（ａ）に示す斜め
線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに平行関係
にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の
面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の
中点４ｃに対して点対称である階段形状に変換した後の
レイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ
を示している。なお、上述した斜め線の端部に接続する
２つの辺が互いに平行関係にある回路パタンのレイアウ
トデータを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線
を、斜め線に相当する線の中点に対して点対称である階
段形状に変換する方式では、変換部分の対称性が確保さ
れる。
【００４８】また、図３（ｂ）から図３（ｄ）に示す遮
光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４
ａ，４ｂに接続する辺８ａ，８ｂは、図３（ａ）に示す
回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａ，
７ｂと平行関係にあり、図３（ｅ）から図３（ｇ）に示
す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置
４ａ，４ｂに接続する辺８ａ，８ｂは、図３（ａ）に示
す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７
ａ，７ｂと直角関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相
当する線４と鋭角をなす。図３（ｂ）は図３（ｅ）に比
べて、図３（ｃ）は図３（ｆ）に比べて、図３（ｄ）は
図３（ｇ）に比べて、階段形状における屈曲部の数が少
ないので、変換後のデータ量が少ないという点で優れて
いる。
光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４
ａ，４ｂに接続する辺８ａ，８ｂは、図３（ａ）に示す
回路パタン５における斜め線の端部に接続する辺７ａ，
７ｂと平行関係にあり、図３（ｅ）から図３（ｇ）に示
す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置
４ａ，４ｂに接続する辺８ａ，８ｂは、図３（ａ）に示
す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する辺７
ａ，７ｂと直角関係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相
当する線４と鋭角をなす。図３（ｂ）は図３（ｅ）に比
べて、図３（ｃ）は図３（ｆ）に比べて、図３（ｄ）は
図３（ｇ）に比べて、階段形状における屈曲部の数が少
ないので、変換後のデータ量が少ないという点で優れて
いる。
【００４９】実施の形態４．図４は実施の形態４の説明
に供する図である。図４（ａ）は斜め線を含んだ多角形
の回路パタン５を示し、図４（ｂ）から図４（ｇ）は図
４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の
変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パ
タン３ｂ、すなわち、図４（ａ）に示す斜め線を含んだ
多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階
段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂで
あって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・
ｍの範囲であるものを示している。
に供する図である。図４（ａ）は斜め線を含んだ多角形
の回路パタン５を示し、図４（ｂ）から図４（ｇ）は図
４（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の
変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パ
タン３ｂ、すなわち、図４（ａ）に示す斜め線を含んだ
多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階
段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂで
あって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・
ｍの範囲であるものを示している。
【００５０】図４（ｂ）及び図４（ｅ）は、図４（ａ）
に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍ
より小さい場合を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）、図４
（ｆ）及び図４（ｇ）は、図４（ａ）に示す回路パタン
５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を
示している。
に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍ
より小さい場合を示し、図４（ｃ）、図４（ｄ）、図４
（ｆ）及び図４（ｇ）は、図４（ａ）に示す回路パタン
５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を
示している。
【００５１】図４（ａ）に示す回路パタン５における斜
め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに平行関
係にある。図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂの面積は、図４（ａ）に示す回路パタン５の面積と
等しい。図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂ
とを接続する階段形状は斜め線に相当する線の垂直二等
分線４ｄに対してミラー対称である。すなわち、図４
（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図４
（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂと
が互いに平行関係にある回路パタン５のレイアウトデー
タを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め
線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称
である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づ
いて形成された遮光パタン３ｂを示している。
め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに平行関
係にある。図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂの面積は、図４（ａ）に示す回路パタン５の面積と
等しい。図４（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂ
とを接続する階段形状は斜め線に相当する線の垂直二等
分線４ｄに対してミラー対称である。すなわち、図４
（ｂ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図４
（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂと
が互いに平行関係にある回路パタン５のレイアウトデー
タを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め
線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称
である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づ
いて形成された遮光パタン３ｂを示している。
【００５２】また、図４（ｂ）から図４（ｄ）に示す遮
光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ
に接続する辺８ａは、図４（ａ）に示す回路パタン５に
おける斜め線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと平行関係
にあり、図４（ｂ）から図４（ｄ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する
辺８ｂは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め
線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にあり、図
４（ｅ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける
斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、
図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部
に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にあり、図４（ｅ）
から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の
端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図４
（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接
続する辺７ａ，７ｂと平行関係にある。辺８ａ，８ｂは
斜め線に相当する線４と鋭角をなす。
光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ
に接続する辺８ａは、図４（ａ）に示す回路パタン５に
おける斜め線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと平行関係
にあり、図４（ｂ）から図４（ｄ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する
辺８ｂは、図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め
線の端部に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にあり、図
４（ｅ）から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける
斜め線の端部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、
図４（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部
に接続する辺７ａ，７ｂと直角関係にあり、図４（ｅ）
から図４（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の
端部に相当する位置４ｂに接続する辺８ｂは、図４
（ａ）に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接
続する辺７ａ，７ｂと平行関係にある。辺８ａ，８ｂは
斜め線に相当する線４と鋭角をなす。
【００５３】実施の形態５．図５は実施の形態５の説明
に供する図である。図５（ａ）は斜め線を含んだ多角形
の回路パタン５を示し、図５（ｂ）から図５（ｇ）は図
５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の
変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パ
タン３ｂ、すなわち、図５（ａ）に示す斜め線を含んだ
多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階
段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂで
あって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・
ｍの範囲であるものを示している。
に供する図である。図５（ａ）は斜め線を含んだ多角形
の回路パタン５を示し、図５（ｂ）から図５（ｇ）は図
５（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の
変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パ
タン３ｂ、すなわち、図５（ａ）に示す斜め線を含んだ
多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階
段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂで
あって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・
ｍの範囲であるものを示している。
【００５４】図５（ｂ）及び図５（ｅ）は、図５（ａ）
に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍ
より小さい場合を示し、図５（ｃ）、図５（ｄ）、図５
（ｆ）及び図５（ｇ）は、図５（ａ）に示す回路パタン
５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を
示している。
に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍ
より小さい場合を示し、図５（ｃ）、図５（ｄ）、図５
（ｆ）及び図５（ｇ）は、図５（ａ）に示す回路パタン
５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を
示している。
【００５５】図５（ａ）に示す回路パタン５における斜
め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに直角関
係にある。図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂの面積は、図５（ａ）に示す回路パタン５の面積と
等しい。図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂ
とを接続する階段形状は斜め線に相当する線の中点４ｃ
に対して点対称である。すなわち、図５（ｂ）から図５
（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図５（ａ）に示す斜め
線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに直角関係
にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の
面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の
中点４ｃに対して点対称である階段形状に変換した後の
レイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ
を示している。
め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに直角関
係にある。図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂの面積は、図５（ａ）に示す回路パタン５の面積と
等しい。図５（ｂ）から図５（ｇ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂ
とを接続する階段形状は斜め線に相当する線の中点４ｃ
に対して点対称である。すなわち、図５（ｂ）から図５
（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図５（ａ）に示す斜め
線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとが互いに直角関係
にある回路パタン５のレイアウトデータを、変換前後の
面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の
中点４ｃに対して点対称である階段形状に変換した後の
レイアウトデータに基づいて形成された遮光パタン３ｂ
を示している。
【００５６】また、図５（ｂ）から図５（ｄ）に示す遮
光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ
に接続する辺８ａは、図５（ａ）に示す回路パタン５に
おける斜め線の端部に接続する辺７ａと平行関係にあ
り、図５（ｂ）から図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂに
おける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８
ｂは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の
端部に接続する辺７ｂと直角関係にあり、図５（ｅ）か
ら図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端
部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図５（ａ）
に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する
辺７ａと直角関係にあり、図５（ｅ）から図５（ｇ）に
示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位
置４ｂに接続する辺８ｂは、図５（ａ）に示す回路パタ
ン５における斜め線６の端部に接続する辺７ｂと平行関
係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角
をなす。
光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ
に接続する辺８ａは、図５（ａ）に示す回路パタン５に
おける斜め線の端部に接続する辺７ａと平行関係にあ
り、図５（ｂ）から図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂに
おける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８
ｂは、図５（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の
端部に接続する辺７ｂと直角関係にあり、図５（ｅ）か
ら図５（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端
部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図５（ａ）
に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する
辺７ａと直角関係にあり、図５（ｅ）から図５（ｇ）に
示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位
置４ｂに接続する辺８ｂは、図５（ａ）に示す回路パタ
ン５における斜め線６の端部に接続する辺７ｂと平行関
係にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角
をなす。
【００５７】実施の形態６．図６は実施の形態６の説明
に供する図である。図６（ａ）は斜め線を含んだ多角形
の回路パタン５を示し、図６（ｂ）から図６（ｇ）は図
６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の
変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パ
タン３ｂ、すなわち、図６（ａ）に示す斜め線を含んだ
多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階
段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂで
あって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・
ｍの範囲であるものを示している。
に供する図である。図６（ａ）は斜め線を含んだ多角形
の回路パタン５を示し、図６（ｂ）から図６（ｇ）は図
６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の
変換後のレイアウトデータに基づいて形成された遮光パ
タン３ｂ、すなわち、図６（ａ）に示す斜め線を含んだ
多角形の回路パタン５を、斜め線が複数の矩形により階
段状に表わされた多角形として示した遮光パタン３ｂで
あって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・
ｍの範囲であるものを示している。
【００５８】図６（ｂ）及び図６（ｅ）は、図６（ａ）
に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍ
より小さい場合を示し、図６（ｃ）、図６（ｄ）、図６
（ｆ）及び図６（ｇ）は、図６（ａ）に示す回路パタン
５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を
示している。
に示す回路パタン５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍ
より小さい場合を示し、図６（ｃ）、図６（ｄ）、図６
（ｆ）及び図６（ｇ）は、図６（ａ）に示す回路パタン
５における斜め線６の幅ＷがＲｐ・ｍより大きい場合を
示している。
【００５９】図６（ａ）に示す回路パタン５における斜
め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに直角関
係にある。図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂの面積は、図６（ａ）に示す回路パタン５の面積と
等しい。図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂ
とを接続する階段形状は斜め線に相当する線の垂直二等
分線４ｄに対してミラー対称である。すなわち、図６
（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図６
（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂと
が互いに直角関係にある回路パタン５のレイアウトデー
タを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め
線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称
である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づ
いて形成された遮光パタン３ｂを示している。なお、上
述した斜め線の端部に接続する２つの辺が互いに直角関
係にある回路パタンのレイアウトデータを、変換前後の
面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の
垂直二等分線に対してミラー対称である階段形状に変換
する方式では、変換部分の対称性が確保される。
め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂとは互いに直角関
係にある。図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂの面積は、図６（ａ）に示す回路パタン５の面積と
等しい。図６（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３
ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａと位置４ｂ
とを接続する階段形状は斜め線に相当する線の垂直二等
分線４ｄに対してミラー対称である。すなわち、図６
（ｂ）から図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂは、図６
（ａ）に示す斜め線の端部に接続する辺７ａと辺７ｂと
が互いに直角関係にある回路パタン５のレイアウトデー
タを、変換前後の面積を保持したまま、斜め線を、斜め
線に相当する線の垂直二等分線４ｄに対してミラー対称
である階段形状に変換した後のレイアウトデータに基づ
いて形成された遮光パタン３ｂを示している。なお、上
述した斜め線の端部に接続する２つの辺が互いに直角関
係にある回路パタンのレイアウトデータを、変換前後の
面積を保持したまま、斜め線を、斜め線に相当する線の
垂直二等分線に対してミラー対称である階段形状に変換
する方式では、変換部分の対称性が確保される。
【００６０】また、図６（ｂ）から図６（ｄ）に示す遮
光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ
に接続する辺８ａは、図６（ａ）に示す回路パタン５に
おける斜め線の端部に接続する辺７ａと平行関係にあ
り、図６（ｂ）から図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂに
おける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８
ｂは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の
端部に接続する辺７ｂと平行関係にあり、図６（ｅ）か
ら図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端
部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図６（ａ）
に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する
辺７ａと直角関係にあり、図６（ｅ）から図６（ｇ）に
示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位
置４ｂに接続する辺８ｂは、図６（ａ）に示す回路パタ
ン５における斜め線の端部に接続する辺７ｂと直角関係
にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角を
なす。図６（ｂ）は図６（ｅ）に比べて、図６（ｃ）は
図６（ｆ）に比べて、図６（ｄ）は図６（ｇ）に比べ
て、階段形状における屈曲部の数が少ないので、変換後
のデータ量が少ないという点で優れている。
光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位置４ａ
に接続する辺８ａは、図６（ａ）に示す回路パタン５に
おける斜め線の端部に接続する辺７ａと平行関係にあ
り、図６（ｂ）から図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂに
おける斜め線の端部に相当する位置４ｂに接続する辺８
ｂは、図６（ａ）に示す回路パタン５における斜め線の
端部に接続する辺７ｂと平行関係にあり、図６（ｅ）か
ら図６（ｇ）に示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端
部に相当する位置４ａに接続する辺８ａは、図６（ａ）
に示す回路パタン５における斜め線６の端部に接続する
辺７ａと直角関係にあり、図６（ｅ）から図６（ｇ）に
示す遮光パタン３ｂにおける斜め線の端部に相当する位
置４ｂに接続する辺８ｂは、図６（ａ）に示す回路パタ
ン５における斜め線の端部に接続する辺７ｂと直角関係
にある。辺８ａ，８ｂは斜め線に相当する線４と鋭角を
なす。図６（ｂ）は図６（ｅ）に比べて、図６（ｃ）は
図６（ｆ）に比べて、図６（ｄ）は図６（ｇ）に比べ
て、階段形状における屈曲部の数が少ないので、変換後
のデータ量が少ないという点で優れている。
【００６１】実施の形態７．実施の形態７から実施の形
態１０では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換
後のレイアウトデータの例について説明する。
態１０では、斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換
後のレイアウトデータの例について説明する。
【００６２】図７は実施の形態７の説明に供する図であ
る。図７（ａ）から図７（ｈ）は、図３（ａ）に示す斜
め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウ
トデータを示している。図３（ａ）に示す斜め線を含ん
だ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータ
は、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数
の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わ
す矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるもので
あるが、図７（ａ）から図７（ｈ）では、全体が複数の
矩形から成る様子のみを示している。
る。図７（ａ）から図７（ｈ）は、図３（ａ）に示す斜
め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウ
トデータを示している。図３（ａ）に示す斜め線を含ん
だ多角形の回路パタン５の変換後のレイアウトデータ
は、複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複数
の矩形から成る多角形のデータであって、斜め線を表わ
す矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるもので
あるが、図７（ａ）から図７（ｈ）では、全体が複数の
矩形から成る様子のみを示している。
【００６３】図７（ａ）に示すレイアウトデータは図３
（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図７（ｂ）に示すレイアウトデータは図３
（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示すレイアウ
トデータは図３（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図７（ｅ）に示すレイアウ
トデータは図３（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図７（ｆ）に示すレイアウ
トデータは図３（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図７（ｇ）及び図７（ｈ）
に示すレイアウトデータは図３（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂを形成するための基となるものである。
（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図７（ｂ）に示すレイアウトデータは図３
（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図７（ｃ）及び図７（ｄ）に示すレイアウ
トデータは図３（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図７（ｅ）に示すレイアウ
トデータは図３（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図７（ｆ）に示すレイアウ
トデータは図３（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図７（ｇ）及び図７（ｈ）
に示すレイアウトデータは図３（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂを形成するための基となるものである。
【００６４】一般に、微小な矩形は大きな矩形に比べて
描画精度が悪い。また、微小な矩形が多角形の外周部に
位置していると、微小な矩形を含めた全体の描画精度が
悪くなる。また、矩形の数は少ないほど、変換後のデー
タ量は少ない。
描画精度が悪い。また、微小な矩形が多角形の外周部に
位置していると、微小な矩形を含めた全体の描画精度が
悪くなる。また、矩形の数は少ないほど、変換後のデー
タ量は少ない。
【００６５】図７（ｃ）に示すレイアウトデータと図７
（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図７
（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図
７（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は
同じであるが、図７（ｃ）に示すレイアウトデータ中の
微小矩形９の数は図７（ｄ）に示すレイアウトデータ中
の微小矩形９の数より多く、また、図７（ｃ）に示すレ
イアウトデータを構成する微小矩形９は外周部に位置し
ている。従って、図７（ｄ）に示すレイアウトデータに
基づいて遮光パタンを形成する場合、図７（ｃ）に示す
レイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合
に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができ
る。同様に、図７（ｈ）に示すレイアウトデータに基づ
いて遮光パタンを形成する場合、図７（ｇ）に示すレイ
アウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比
べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。
特に、図７（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小図形
９は図７（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９
より小さく、また、外部に位置しているので、図７
（ｇ）と図７（ｈ）との比較において、この効果が顕著
である。
（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図７
（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図
７（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は
同じであるが、図７（ｃ）に示すレイアウトデータ中の
微小矩形９の数は図７（ｄ）に示すレイアウトデータ中
の微小矩形９の数より多く、また、図７（ｃ）に示すレ
イアウトデータを構成する微小矩形９は外周部に位置し
ている。従って、図７（ｄ）に示すレイアウトデータに
基づいて遮光パタンを形成する場合、図７（ｃ）に示す
レイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合
に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができ
る。同様に、図７（ｈ）に示すレイアウトデータに基づ
いて遮光パタンを形成する場合、図７（ｇ）に示すレイ
アウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比
べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。
特に、図７（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小図形
９は図７（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９
より小さく、また、外部に位置しているので、図７
（ｇ）と図７（ｈ）との比較において、この効果が顕著
である。
【００６６】実施の形態８．図８は実施の形態８の説明
に供する図である。図８（ａ）から図８（ｈ）は、図４
（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変
換後のレイアウトデータを示している。図４（ａ）に示
す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイ
アウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされか
つ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、
斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲
であるものであるが、図８（ａ）から図８（ｈ）では、
全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
に供する図である。図８（ａ）から図８（ｈ）は、図４
（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変
換後のレイアウトデータを示している。図４（ａ）に示
す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイ
アウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされか
つ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、
斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲
であるものであるが、図８（ａ）から図８（ｈ）では、
全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００６７】図８（ａ）に示すレイアウトデータは図４
（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図８（ｂ）に示すレイアウトデータは図４
（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図８（ｃ）及び図８（ｄ）に示すレイアウ
トデータは図４（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図８（ｅ）に示すレイアウ
トデータは図４（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図８（ｆ）に示すレイアウ
トデータは図４（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図８（ｇ）及び図８（ｈ）
に示すレイアウトデータは図４（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂを形成するための基となるものである。
（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図８（ｂ）に示すレイアウトデータは図４
（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図８（ｃ）及び図８（ｄ）に示すレイアウ
トデータは図４（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図８（ｅ）に示すレイアウ
トデータは図４（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図８（ｆ）に示すレイアウ
トデータは図４（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図８（ｇ）及び図８（ｈ）
に示すレイアウトデータは図４（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂを形成するための基となるものである。
【００６８】図８（ｃ）に示すレイアウトデータと図８
（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図８
（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図
８（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は
同じであるが、図８（ｃ）に示すレイアウトデータ中の
微小矩形９の数は図８（ｄ）に示すレイアウトデータ中
の微小矩形９の数より多く、また、図８（ｃ）に示すレ
イアウトデータを構成する微小矩形９は外周部に位置し
ている。従って、図８（ｄ）に示すレイアウトデータに
基づいて遮光パタンを形成する場合、図８（ｃ）に示す
レイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合
に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができ
る。同様に、図８（ｈ）に示すレイアウトデータに基づ
いて遮光パタンを形成する場合、図８（ｇ）に示すレイ
アウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比
べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。
特に、図８（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小図形
９は図８（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９
より小さく、また、外部に位置しているので、図８
（ｇ）と図８（ｈ）との比較において、この効果が顕著
である。
（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図８
（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図
８（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は
同じであるが、図８（ｃ）に示すレイアウトデータ中の
微小矩形９の数は図８（ｄ）に示すレイアウトデータ中
の微小矩形９の数より多く、また、図８（ｃ）に示すレ
イアウトデータを構成する微小矩形９は外周部に位置し
ている。従って、図８（ｄ）に示すレイアウトデータに
基づいて遮光パタンを形成する場合、図８（ｃ）に示す
レイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合
に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができ
る。同様に、図８（ｈ）に示すレイアウトデータに基づ
いて遮光パタンを形成する場合、図８（ｇ）に示すレイ
アウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合に比
べて、精度の高い遮光パタンを形成することができる。
特に、図８（ｇ）に示すレイアウトデータ中の微小図形
９は図８（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微小矩形９
より小さく、また、外部に位置しているので、図８
（ｇ）と図８（ｈ）との比較において、この効果が顕著
である。
【００６９】実施の形態９．図９は実施の形態９の説明
に供する図である。図９（ａ）から図９（ｈ）は、図５
（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変
換後のレイアウトデータを示している。図５（ａ）に示
す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイ
アウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされか
つ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、
斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲
であるものであるが、図９（ａ）から図９（ｈ）では、
全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
に供する図である。図９（ａ）から図９（ｈ）は、図５
（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変
換後のレイアウトデータを示している。図５（ａ）に示
す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５の変換後のレイ
アウトデータは、複数の矩形により階段状に表わされか
つ全体が複数の矩形から成る多角形のデータであって、
斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲
であるものであるが、図９（ａ）から図９（ｈ）では、
全体が複数の矩形から成る様子のみを示している。
【００７０】図９（ａ）に示すレイアウトデータは図５
（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図９（ｂ）に示すレイアウトデータは図５
（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図９（ｃ）及び図９（ｄ）に示すレイアウ
トデータは図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図９（ｅ）に示すレイアウ
トデータは図５（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図９（ｆ）に示すレイアウ
トデータは図５（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図９（ｇ）及び図９（ｈ）
に示すレイアウトデータは図５（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂを形成するための基となるものである。
（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図９（ｂ）に示すレイアウトデータは図５
（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となる
ものであり、図９（ｃ）及び図９（ｄ）に示すレイアウ
トデータは図５（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図９（ｅ）に示すレイアウ
トデータは図５（ｅ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図９（ｆ）に示すレイアウ
トデータは図５（ｆ）に示す遮光パタン３ｂを形成する
ための基となるものであり、図９（ｇ）及び図９（ｈ）
に示すレイアウトデータは図５（ｇ）に示す遮光パタン
３ｂを形成するための基となるものである。
【００７１】図９（ｃ）に示すレイアウトデータと図９
（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図９
（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図
９（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は
同じであり、図９（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微
小矩形９の数と図９（ｄ）に示すレイアウトデータ中の
微小矩形９の数も同じであるが、図９（ｄ）に示すレイ
アウトデータ中にはより小さな微小矩形９が外周部に位
置している。従って、図９（ｃ）に示すレイアウトデー
タに基づいて遮光パタンを形成する場合、図９（ｄ）に
示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する
場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することが
できる。同様に、図９（ｈ）に示すレイアウトデータに
基づいて遮光パタンを形成する場合、図９（ｇ）に示す
レイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合
に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができ
る。
（ｄ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図９
（ｃ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と図
９（ｄ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数は
同じであり、図９（ｃ）に示すレイアウトデータ中の微
小矩形９の数と図９（ｄ）に示すレイアウトデータ中の
微小矩形９の数も同じであるが、図９（ｄ）に示すレイ
アウトデータ中にはより小さな微小矩形９が外周部に位
置している。従って、図９（ｃ）に示すレイアウトデー
タに基づいて遮光パタンを形成する場合、図９（ｄ）に
示すレイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する
場合に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することが
できる。同様に、図９（ｈ）に示すレイアウトデータに
基づいて遮光パタンを形成する場合、図９（ｇ）に示す
レイアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合
に比べて、精度の高い遮光パタンを形成することができ
る。
【００７２】実施の形態１０．図１０は実施の形態１０
の説明に供する図である。図１０（ａ）から図１０
（ｈ）は、図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回
路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。
図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５
の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段
状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデ
ータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜
Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図１０（ａ）から
図１０（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみ
を示している。
の説明に供する図である。図１０（ａ）から図１０
（ｈ）は、図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回
路パタン５の変換後のレイアウトデータを示している。
図６（ａ）に示す斜め線を含んだ多角形の回路パタン５
の変換後のレイアウトデータは、複数の矩形により階段
状に表わされかつ全体が複数の矩形から成る多角形のデ
ータであって、斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ＜
Ｒｐ・ｍの範囲であるものであるが、図１０（ａ）から
図１０（ｈ）では、全体が複数の矩形から成る様子のみ
を示している。
【００７３】図１０（ａ）に示すレイアウトデータは図
６（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基とな
るものであり、図１０（ｂ）に示すレイアウトデータは
図６（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基と
なるものであり、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示す
レイアウトデータは図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを
形成するための基となるものであり、図１０（ｅ）に示
すレイアウトデータは図６（ｅ）に示す遮光パタン３ｂ
を形成するための基となるものであり、図１０（ｆ）に
示すレイアウトデータは図６（ｆ）に示す遮光パタン３
ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｇ）
及び図１０（ｈ）に示すレイアウトデータは図６（ｇ）
に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるもので
ある。図１０（ｇ）に示すレイアウトデータと図１０
（ｈ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図１
０（ｇ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と
図１０（ｈ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の
数は同じであり、図１０（ｇ）に示すレイアウトデータ
中の微小矩形９の数と図１０（ｈ）に示すレイアウトデ
ータ中の微小矩形９の数も同じであるが、図１０（ｈ）
に示すレイアウトデータ中にはより小さな微小矩形９が
外周部に位置している。従って、図１０（ｇ）に示すレ
イアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、
図１０（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パ
タンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを
形成することができる。
６（ｂ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基とな
るものであり、図１０（ｂ）に示すレイアウトデータは
図６（ｃ）に示す遮光パタン３ｂを形成するための基と
なるものであり、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）に示す
レイアウトデータは図６（ｄ）に示す遮光パタン３ｂを
形成するための基となるものであり、図１０（ｅ）に示
すレイアウトデータは図６（ｅ）に示す遮光パタン３ｂ
を形成するための基となるものであり、図１０（ｆ）に
示すレイアウトデータは図６（ｆ）に示す遮光パタン３
ｂを形成するための基となるものであり、図１０（ｇ）
及び図１０（ｈ）に示すレイアウトデータは図６（ｇ）
に示す遮光パタン３ｂを形成するための基となるもので
ある。図１０（ｇ）に示すレイアウトデータと図１０
（ｈ）に示すレイアウトデータとを比較した場合、図１
０（ｇ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の数と
図１０（ｈ）に示すレイアウトデータを構成する矩形の
数は同じであり、図１０（ｇ）に示すレイアウトデータ
中の微小矩形９の数と図１０（ｈ）に示すレイアウトデ
ータ中の微小矩形９の数も同じであるが、図１０（ｈ）
に示すレイアウトデータ中にはより小さな微小矩形９が
外周部に位置している。従って、図１０（ｇ）に示すレ
イアウトデータに基づいて遮光パタンを形成する場合、
図１０（ｈ）に示すレイアウトデータに基づいて遮光パ
タンを形成する場合に比べて、精度の高い遮光パタンを
形成することができる。
【００７４】実施の形態１１．実施の形態１１では、実
施の形態１で説明したフォトマスクに生じた欠陥の検査
修正方法について説明する。
施の形態１で説明したフォトマスクに生じた欠陥の検査
修正方法について説明する。
【００７５】図１１はフォトマスクの欠陥修正方法の説
明に供する図である。図１１（ａ）は実施の形態１で説
明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂの斜め線
に相当する線４の位置に欠陥１０が生じている様子を示
し、図１１（ｂ）はその欠陥を検査修正した後の様子を
示している。
明に供する図である。図１１（ａ）は実施の形態１で説
明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂの斜め線
に相当する線４の位置に欠陥１０が生じている様子を示
し、図１１（ｂ）はその欠陥を検査修正した後の様子を
示している。
【００７６】通常、製造したフォトマスクに欠陥が生じ
ていた場合、描画データを参照して、白欠陥ならＦＩＢ
（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）による埋め込
み、黒欠陥ならレーザアプリケーションによる除去を行
い、描画データどおりに修正する。このため、実施の形
態１で説明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂ
の斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を検査
修正する場合、通常、描画データを参照して階段状に検
査修正する。
ていた場合、描画データを参照して、白欠陥ならＦＩＢ
（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）による埋め込
み、黒欠陥ならレーザアプリケーションによる除去を行
い、描画データどおりに修正する。このため、実施の形
態１で説明したフォトマスク１における遮光パタン３ｂ
の斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を検査
修正する場合、通常、描画データを参照して階段状に検
査修正する。
【００７７】しかしながら、実施の形態１で説明したフ
ォトマスク１における遮光パタン３ｂを用いて最終的に
形成しようとする形状は斜め線を含んだ多角形、すなわ
ち回路パタンの形状である。このため、遮光パタン３ｂ
の斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を、回
路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正
しても何ら不都合はない。
ォトマスク１における遮光パタン３ｂを用いて最終的に
形成しようとする形状は斜め線を含んだ多角形、すなわ
ち回路パタンの形状である。このため、遮光パタン３ｂ
の斜め線に相当する線４の位置に生じた欠陥１０を、回
路パタンのレイアウトデータを参照して斜めに検査修正
しても何ら不都合はない。
【００７８】以上のように、この実施の形態１１によれ
ば、遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に生
じた欠陥１０を、回路パタンのレイアウトデータを参照
して斜めに検査修正する場合、階段状に検査修正する必
要がないため、欠陥１０の検査修正を容易に行うことが
できる効果が得られる。
ば、遮光パタン３ｂの斜め線に相当する線４の位置に生
じた欠陥１０を、回路パタンのレイアウトデータを参照
して斜めに検査修正する場合、階段状に検査修正する必
要がないため、欠陥１０の検査修正を容易に行うことが
できる効果が得られる。
【００７９】実施の形態１２．実施の形態１２では実施
の形態１で説明したフォトマスクの使用方法について説
明する。
の形態１で説明したフォトマスクの使用方法について説
明する。
【００８０】図１２はフォトマスクの使用方法の説明に
供する図である。図１２（ａ）は投影露光装置２０１を
示し、図１２（ｂ）は投影露光装置２０１に装着された
実施の形態１で説明したフォトマスク１を示し、図１２
（ｃ）は投影露光装置２０１で露光されたウェハ１１を
示している。
供する図である。図１２（ａ）は投影露光装置２０１を
示し、図１２（ｂ）は投影露光装置２０１に装着された
実施の形態１で説明したフォトマスク１を示し、図１２
（ｃ）は投影露光装置２０１で露光されたウェハ１１を
示している。
【００８１】遮光パタン３ｂは、斜め線を含んだ多角形
の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表
わされた多角形として示したものであり、階段の１段階
の高さ、すなわち斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ
＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである。このため、実施の
形態１で説明したフォトマスク１を用いてウェハ１１を
露光した場合、遮光パタン３ｂの形状を正確に転写する
ことができず、階段形状が斜め線として転写され、ウェ
ハ１１上に回路パタンの形状をした遮光パタン１２が形
成される。従って、実施の形態１で説明したフォトマス
ク１を用いて半導体集積回路や液晶ディスプレイを製造
する場合、安価で信頼性の高い半導体集積回路や液晶デ
ィスプレイを製造することができる。
の回路パタンを、斜め線が複数の矩形により階段状に表
わされた多角形として示したものであり、階段の１段階
の高さ、すなわち斜め線を表わす矩形の幅ＲがＲｗ＜Ｒ
＜Ｒｐ・ｍの範囲であるものである。このため、実施の
形態１で説明したフォトマスク１を用いてウェハ１１を
露光した場合、遮光パタン３ｂの形状を正確に転写する
ことができず、階段形状が斜め線として転写され、ウェ
ハ１１上に回路パタンの形状をした遮光パタン１２が形
成される。従って、実施の形態１で説明したフォトマス
ク１を用いて半導体集積回路や液晶ディスプレイを製造
する場合、安価で信頼性の高い半導体集積回路や液晶デ
ィスプレイを製造することができる。
【００８２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、透明
基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線
が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示
した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒ
ｐ・ｍの範囲である（ただし、ｍは露光装置の転写倍
率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の
解像力である。）ようにフォトマスクを構成したので、
低価格で高精度なフォトマスクを得ることができる効果
がある。
基板と、斜め線を含んだ多角形の回路パタンを、斜め線
が複数の矩形により階段状に表わされた多角形として示
した遮光パタンとを備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒ
ｐ・ｍの範囲である（ただし、ｍは露光装置の転写倍
率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の
解像力である。）ようにフォトマスクを構成したので、
低価格で高精度なフォトマスクを得ることができる効果
がある。
【００８３】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
の面積が、斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と
等しいようにフォトマスクを構成したので、露光装置に
装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタン
を高精度に転写することができるフォトマスクを得るこ
とができる。
の面積が、斜め線が階段状に表わされた多角形の面積と
等しいようにフォトマスクを構成したので、露光装置に
装着してウェハを露光したとき、ウェハ上に回路パタン
を高精度に転写することができるフォトマスクを得るこ
とができる。
【００８４】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状
に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位
置に接続する辺とが平行関係にあるようにフォトマスク
を構成したので、露光装置に装着してウェハを露光した
とき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することが
できるフォトマスクを得ることができる。
における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状
に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位
置に接続する辺とが平行関係にあるようにフォトマスク
を構成したので、露光装置に装着してウェハを露光した
とき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することが
できるフォトマスクを得ることができる。
【００８５】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状
に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位
置に接続する辺とが直角関係にあるようにフォトマスク
を構成したので、露光装置に装着してウェハを露光した
とき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することが
できるフォトマスクを得ることができる。
における斜め線の端部に接続する辺と、斜め線が階段状
に表わされた多角形における斜め線の端部に相当する位
置に接続する辺とが直角関係にあるようにフォトマスク
を構成したので、露光装置に装着してウェハを露光した
とき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することが
できるフォトマスクを得ることができる。
【００８６】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
における斜め線の端部に接続する辺が互いに平行関係に
あるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当す
る線の中点に対して点対称であるようにフォトマスクを
構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したと
き、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することがで
きるフォトマスクを得ることができる。
における斜め線の端部に接続する辺が互いに平行関係に
あるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当す
る線の中点に対して点対称であるようにフォトマスクを
構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したと
き、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することがで
きるフォトマスクを得ることができる。
【００８７】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
における斜め線の端部に接続する辺が互いに平行関係に
あるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当す
る線の垂直二等分線に対してミラー対称であるようにフ
ォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハ
を露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写
することができるフォトマスクを得ることができる。
における斜め線の端部に接続する辺が互いに平行関係に
あるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当す
る線の垂直二等分線に対してミラー対称であるようにフ
ォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハ
を露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写
することができるフォトマスクを得ることができる。
【００８８】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
における斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係に
あるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当す
る線の中点に対して点対称であるようにフォトマスクを
構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したと
き、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することがで
きるフォトマスクを得ることができる。
における斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係に
あるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当す
る線の中点に対して点対称であるようにフォトマスクを
構成したので、露光装置に装着してウェハを露光したと
き、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写することがで
きるフォトマスクを得ることができる。
【００８９】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
における斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係に
あるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当す
る線の垂直二等分線に対してミラー対称であるようにフ
ォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハ
を露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写
することができるフォトマスクを得ることができる。
における斜め線の端部に接続する辺が互いに直角関係に
あるとき、斜め線を表わす階段形状が、斜め線に相当す
る線の垂直二等分線に対してミラー対称であるようにフ
ォトマスクを構成したので、露光装置に装着してウェハ
を露光したとき、ウェハ上に回路パタンを高精度に転写
することができるフォトマスクを得ることができる。
【００９０】この発明によれば、回路パタンをレイアウ
トし、そのレイアウトデータを作成する工程と、斜め線
を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜
め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複
数の矩形から成る多角形のデータに変換する工程と、斜
め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウト
データに基づき、回路パタンを描画する工程とを含み、
斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータ
を変換する工程において、斜め線を表わす矩形の幅Ｒを
Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲とする（ただし、ｍは露光装
置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク
描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの製造
方法を構成したので、低価格で高精度なフォトマスクを
製造することができる効果がある。
トし、そのレイアウトデータを作成する工程と、斜め線
を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータを、斜
め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ全体が複
数の矩形から成る多角形のデータに変換する工程と、斜
め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイアウト
データに基づき、回路パタンを描画する工程とを含み、
斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータ
を変換する工程において、斜め線を表わす矩形の幅Ｒを
Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲とする（ただし、ｍは露光装
置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク
描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの製造
方法を構成したので、低価格で高精度なフォトマスクを
製造することができる効果がある。
【００９１】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数
通りある場合、全矩形の数が少ない方法を選択するよう
にフォトマスクの製造方法を構成したので、変換後のデ
ータ量が少なくなる効果がある。
の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数
通りある場合、全矩形の数が少ない方法を選択するよう
にフォトマスクの製造方法を構成したので、変換後のデ
ータ量が少なくなる効果がある。
【００９２】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数
通りある場合、微小矩形の数が少ない方法を選択するよ
うにフォトマスクの製造方法を構成したので、精度の高
い遮光パタンを有するフォトマスクを製造することがで
きる効果がある。
の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数
通りある場合、微小矩形の数が少ない方法を選択するよ
うにフォトマスクの製造方法を構成したので、精度の高
い遮光パタンを有するフォトマスクを製造することがで
きる効果がある。
【００９３】この発明によれば、斜め線を含んだ多角形
の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数
通りある場合、微小矩形が複数の矩形から成る多角形の
外周部に位置しない方法を選択するようにフォトマスク
の製造方法を構成したので、精度の高い遮光パタンを有
するフォトマスクを製造することができる効果がある。
の回路パタンのレイアウトデータを変換する方法が複数
通りある場合、微小矩形が複数の矩形から成る多角形の
外周部に位置しない方法を選択するようにフォトマスク
の製造方法を構成したので、精度の高い遮光パタンを有
するフォトマスクを製造することができる効果がある。
【００９４】この発明によれば、透明基板と、斜め線を
含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形によ
り階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンと
を備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であ
るフォトマスクの斜め線に相当する線の位置に生じた欠
陥を検査修正するに当たり、回路パタンのレイアウトデ
ータを参照して斜めに検査修正する（ただし、ｍは露光
装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマス
ク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの検
査修正方法を構成したので、斜め線に相当する線の位置
に生じた欠陥の検査修正を容易に行うことができる効果
がある。
含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形によ
り階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンと
を備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であ
るフォトマスクの斜め線に相当する線の位置に生じた欠
陥を検査修正するに当たり、回路パタンのレイアウトデ
ータを参照して斜めに検査修正する（ただし、ｍは露光
装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマス
ク描画装置の解像力である。）ようにフォトマスクの検
査修正方法を構成したので、斜め線に相当する線の位置
に生じた欠陥の検査修正を容易に行うことができる効果
がある。
【００９５】この発明によれば、透明基板と、斜め線を
含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形によ
り階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンと
を備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であ
るフォトマスクを用いて、半導体集積回路を製造する
（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の
解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）よう
にフォトマスクの使用方法を構成したので、安価で信頼
性の高い半導体集積回路を製造することができる効果が
ある。
含んだ多角形の回路パタンを、斜め線が複数の矩形によ
り階段状に表わされた多角形として示した遮光パタンと
を備え、矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であ
るフォトマスクを用いて、半導体集積回路を製造する
（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の
解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）よう
にフォトマスクの使用方法を構成したので、安価で信頼
性の高い半導体集積回路を製造することができる効果が
ある。
【００９６】この発明によれば、透明基板と、斜め線を
含んだ多角形の回路パタンを、複数の矩形により階段状
に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、
矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォト
マスクを用いて、液晶ディスプレイを製造する（ただ
し、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像
力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフ
ォトマスクの使用方法を構成したので、安価で信頼性の
高い半導体集積回路を製造することができる効果があ
る。
含んだ多角形の回路パタンを、複数の矩形により階段状
に表わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、
矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォト
マスクを用いて、液晶ディスプレイを製造する（ただ
し、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像
力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力である。）ようにフ
ォトマスクの使用方法を構成したので、安価で信頼性の
高い半導体集積回路を製造することができる効果があ
る。
【図１】 この発明の実施の形態１によるフォトマスク
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図２】 フォトマスクの製造方法を示すフローチャー
トである。
トである。
【図３】 実施の形態３の説明に供する図である。
【図４】 実施の形態４の説明に供する図である。
【図５】 実施の形態５の説明に供する図である。
【図６】 実施の形態６の説明に供する図である。
【図７】 実施の形態７の説明に供する図である。
【図８】 実施の形態８の説明に供する図である。
【図９】 実施の形態９の説明に供する図である。
【図１０】 実施の形態１０の説明に供する図である。
【図１１】 フォトマスクの欠陥修正方法の説明に供す
る図である。
る図である。
【図１２】 フォトマスクの使用方法の説明に供する図
である。
である。
【図１３】 可変成形ビームベクタースキャン型の電子
線露光装置を示す構成図である。
線露光装置を示す構成図である。
【図１４】 電子線露光装置の露光方法の説明に供する
図である。
図である。
【図１５】 投影露光装置を示す構成図である。
【図１６】 投影露光装置の説明に供する図である。
１ フォトマスク、２ 透明基板、３ｂ 遮光パタン、
４ 斜め線に相当する線、４ａ，４ｂ 斜め線の端部に
相当する位置、４ｃ 斜め線に相当する線の中点、４ｄ
斜め線に相当する線の垂直二等分線、５ 斜め線を含
んだ多角形の回路パタン、６ 斜め線、６ａ，６ｂ 斜
め線の端部、７ａ，７ｂ 斜め線の端部に接続する辺、
８ａ，８ｂ 斜め線の端部に相当する位置に接続する
辺、９ 微小矩形。
４ 斜め線に相当する線、４ａ，４ｂ 斜め線の端部に
相当する位置、４ｃ 斜め線に相当する線の中点、４ｄ
斜め線に相当する線の垂直二等分線、５ 斜め線を含
んだ多角形の回路パタン、６ 斜め線、６ａ，６ｂ 斜
め線の端部、７ａ，７ｂ 斜め線の端部に接続する辺、
８ａ，８ｂ 斜め線の端部に相当する位置に接続する
辺、９ 微小矩形。
Claims (15)
- 【請求項１】 透明基板と、斜め線を含んだ多角形の回
路パタンを、該斜め線が複数の矩形により階段状に表わ
された多角形として示した遮光パタンとを備え、 上記矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるこ
とを特徴とするフォトマスク（ただし、ｍは露光装置の
転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画
装置の解像力である。）。 - 【請求項２】 斜め線を含んだ多角形の面積が、上記斜
め線が階段状に表わされた多角形の面積と等しいことを
特徴とする請求項１記載のフォトマスク。 - 【請求項３】 斜め線を含んだ多角形における該斜め線
の端部に接続する辺と、上記斜め線が階段状に表わされ
た多角形における上記斜め線の端部に相当する位置に接
続する辺とが平行関係にあることを特徴とする請求項１
記載のフォトマスク。 - 【請求項４】 斜め線を含んだ多角形における該斜め線
の端部に接続する辺と、上記斜め線が階段状に表わされ
た多角形における上記斜め線の端部に相当する位置に接
続する辺とが直角関係にあることを特徴とする請求項１
記載のフォトマスク。 - 【請求項５】 斜め線を含んだ多角形における該斜め線
の端部に接続する辺が互いに平行関係にあるとき、上記
斜め線を表わす階段形状が、上記斜め線に相当する線の
中点に対して点対称であることを特徴とする請求項１記
載のフォトマスク。 - 【請求項６】 斜め線を含んだ多角形における該斜め線
の端部に接続する辺が互いに平行関係にあるとき、上記
斜め線を表わす階段形状が、上記斜め線に相当する線の
垂直二等分線に対してミラー対称であることを特徴とす
る請求項１記載のフォトマスク。 - 【請求項７】 斜め線を含んだ多角形における該斜め線
の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、上記
斜め線を表わす階段形状が、上記斜め線に相当する線の
中点に対して点対称であることを特徴とする請求項１記
載のフォトマスク。 - 【請求項８】 斜め線を含んだ多角形における該斜め線
の端部に接続する辺が互いに直角関係にあるとき、上記
斜め線を表わす階段形状が、上記斜め線に相当する線の
垂直二等分線に対してミラー対称であることを特徴とす
る請求項１記載のフォトマスク。 - 【請求項９】 回路パタンをレイアウトし、そのレイア
ウトデータを作成する工程と、 斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデータ
を、該斜め線が複数の矩形により階段状に表わされかつ
全体が複数の矩形から成る多角形のデータに変換する工
程と、 上記斜め線を含んだ多角形の回路パタンの変換後のレイ
アウトデータに基づき、回路パタンを描画する工程とを
含み、 上記斜め線を含んだ多角形の回路パタンのレイアウトデ
ータを変換する工程において、上記斜め線を表わす矩形
の幅ＲをＲｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲とすることを特徴と
するフォトマスクの製造方法（ただし、ｍは露光装置の
転写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画
装置の解像力である。）。 - 【請求項１０】 斜め線を含んだ多角形の回路パタンの
レイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、
全矩形の数が少ない方法を選択することを特徴とする請
求項９記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項１１】 斜め線を含んだ多角形の回路パタンの
レイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、
微小矩形の数が少ない方法を選択することを特徴とする
請求項９記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項１２】 斜め線を含んだ多角形の回路パタンの
レイアウトデータを変換する方法が複数通りある場合、
微小矩形が複数の矩形から成る多角形の外周部に位置し
ない方法を選択することを特徴とする請求項９記載のフ
ォトマスクの製造方法。 - 【請求項１３】 透明基板と、斜め線を含んだ多角形の
回路パタンを、該斜め線が複数の矩形により階段状に表
わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、上記
矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォト
マスクの上記斜め線に相当する線の位置に生じた欠陥を
検査修正するに当たり、上記回路パタンのレイアウトデ
ータを参照して斜めに検査修正することを特徴とするフ
ォトマスクの検査修正方法（ただし、ｍは露光装置の転
写倍率、Ｒｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装
置の解像力である。）。 - 【請求項１４】 透明基板と、斜め線を含んだ多角形の
回路パタンを、該斜め線が複数の矩形により階段状に表
わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、上記
矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォト
マスクを用いて、半導体集積回路を製造するフォトマス
クの使用方法（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒｐ
は露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力で
ある。）。 - 【請求項１５】 透明基板と、斜め線を含んだ多角形の
回路パタンを、該斜め線が複数の矩形により階段状に表
わされた多角形として示した遮光パタンとを備え、上記
矩形の幅Ｒが、Ｒｗ＜Ｒ＜Ｒｐ・ｍの範囲であるフォト
マスクを用いて、液晶ディスプレイを製造するフォトマ
スクの使用方法（ただし、ｍは露光装置の転写倍率、Ｒ
ｐは露光装置の解像力、Ｒｗはマスク描画装置の解像力
である。）。
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