CN115079509B - 一种版图图形的修正方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及集成电路制造领域，并公开了一种版图图形的修正方法，至少包括：设置主图形和辅助图形；调整相邻的主图形间的主图形间距，以及主图形和辅助图形的图形间距离，获得多种组合图形；修正多种组合图形，并获取多种组合图形的仿真工艺窗口信息；设置主图形间距，并根据组合图形和仿真工艺窗口信息的映射关系，获得最优组合图形，并根据多个最优组合图形的重叠度，获取最优图形间距离；以及根据最优图形间距离，为多种主图形匹配最优辅助图形。本发明提供了一种版图图形的修正方法及系统，能够提升半导体图形光学邻近校正的效率和精度。

Description

一种版图图形的修正方法及系统

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种版图图形的修正方法及系统。

背景技术

随着半导体制程中关键尺寸的减小，当芯片的关键尺寸小于光波长时，在光刻制程中，由于光的形态不稳定会导致实际光刻形成的尺寸与设计的图形尺寸不同。因此需要在光刻前，对掩膜版的图形进行光学邻近校正（Optical Proximity Correction，OPC），以弥补光衍射造成的图像错误。

发明内容

本发明的目的在于提供一种版图图形的修正方法及系统，能够提升图形修正后工艺窗口的稳定性。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种版图图形的修正方法，至少包括：

设置主图形和辅助图形；

调整相邻的主图形间的主图形间距，以及所述主图形和所述辅助图形的图形间距离，获得多种组合图形；

修正多种所述组合图形，并获取多种所述组合图形的仿真工艺窗口信息；

设置所述主图形间距，并根据所述组合图形和所述仿真工艺窗口信息的映射关系，获得最优组合图形，并根据多个所述最优组合图形的重叠度，获取最优图形间距离；以及

根据所述最优图形间距离，为多种所述主图形匹配最优辅助图形。

在本发明一实施例中，调整所述图形间距离的步骤包括：

预设第一增加幅度和第二增加幅度；以及

根据所述第一增加幅度调节所述图形间距离，根据所述第二增加幅度调节所述主图形间距，且所述第二增加幅度大于所述第一增加幅度。

在本发明一实施例中，调整所述图形间距离的步骤包括：

设置所述主图形间距；以及

递增所述图形间距离，至所述图形间距离达到上限值。

在本发明一实施例中，获取所述最优组合图形的步骤包括：根据光学邻近效应的修正模型获取所述组合图形的仿真工艺窗口信息。

在本发明一实施例中，获取所述最优组合图形的步骤包括：当所述主图形间距相同时，获取所述图形间距离和所述仿真工艺窗口信息的映射关系图。

在本发明一实施例中，获取所述最优组合图形的步骤包括：

预设波动幅度阈值，并在所述映射关系图中，获取波动幅度小于所述波动幅度阈值的所述仿真工艺窗口信息；以及

将所述仿真工艺窗口信息对应的所述组合图形作为所述最优组合图形。

在本发明一实施例中，获取所述最优图形间距离的步骤包括：获取多个最优组合图形的最小重叠图形间距离，并将所述最小重叠图形间距离作为最优图形间距离。

在本发明一实施例中，所述主图形为多边形，且所述主图形为对称图形。

在本发明一实施例中，所述映射关系为修正后的所述图形间距离与所述仿真工艺窗口信息之间的对应关系。

本发提供了一种版图图形的修正系统，其特征在于，

图形输入模块，用于设置主图形和辅助图形；

距离调节模块，用于调整相邻的主图形间的主图形间距，以及所述主图形和所述辅助图形的图形间距离，获得多种组合图形；

光学修正模块，用于修正所述组合图形，并获取所述组合图形的仿真工艺窗口信息；

图形分析模块，用于设置所述主图形间距，并根据所述组合图形和所述仿真工艺窗口信息的映射关系，获得最优组合图形，并根据多个所述最优组合图形的重叠度，获取最优图形间距离；以及

图形输出模块，用于根据所述最优图形间距离，为多种所述主图形匹配最优辅助图形。

如上所述，本发明提供了一种版图图形的修正方法及系统，适用于多种主图形的图形修正，能够平衡光学邻近校正中主图形和辅助图形的间距改变造成的影响，使多类主图形经修正后始终具有稳定的工艺窗口，从而提升主图形在光学邻近校正的精度。其中，预先修正好主图形和辅助图形的间距，能够减少主图形在光学邻近校正过程中的计算量，提升光学邻近校正的效率。且本发明提供的版图图形的修正方法，能够根据输入的主图形和辅助图形进行机器学习，从而不断地提升校正的精度和效率，适用于多种尺寸多种形状的主图形的修正。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明所述版图图形的修正方法的流程图。

图2为本发明一实施例中组合图形的结构示意图。

图3为步骤S20的流程图。

图4为步骤S30的流程图。

图5为本发明一实施例中组合图形经修正后的结构示意图。

图6为步骤S40的流程图。

图7为本发明一实施例中主图形间距为120nm的组合图形的映射关系图。

图8为本发明一实施例中主图形间距为140nm的组合图形的映射关系图。

图9为本发明一实施例中主图形间距为170nm的组合图形的映射关系图。

图10为本发明一实施例中主图形间距为190nm的组合图形的映射关系图。

图11为本发明一实施例中的预设主图形经修正后的结构示意图。

图12为本发明另一实施例中的预设主图形经修正后的结构示意图。

图13为本发明再一实施例中的预设主图形经修正后的结构示意图。

图14为本发明一实施例中预设主图形的映射关系图。

图15为本发明另一实施例中预设主图形的映射关系图。

图16为本发明再一实施例中预设主图形的映射关系图。

图17为本发明所述修正系统的结构示意图。

图18为一种电子设备的结构原理框图。

图19为一种计算机可读存储介质的结构原理框图。

图中：1、掩膜版；100、第一主图形；101、第二主图形；200、第一辅助图形；201、第二辅助图形；300、组合图形；400、仿真修正图形；500、修正系统；501、图形输入模块；502、距离调节模块；503、光学修正模块；504、图形分析模块；505、图形输出模块；600、处理器；700、存储器；800、计算机指令；801、计算机可读存储介质。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在半导体集成电路的制程中，首先进行电路设计，再将电路设计方案经过版图设计形成版图图形后，将版图图形转移至掩膜版上。具体例如可将版图图形通过电子束曝光机曝光，并将图形曝光至掩膜版上，然后经过显影、干法蚀刻等过程图形精确地定像在掩膜版上。在形成掩膜后，例如可以使用光刻的方式，将掩膜图形转移到晶圆上，可形成目标图形，即为所需的半导体集成电路。且为保证生产过程中设计图形的边缘得到完整的蚀刻，在光刻前，对掩膜图形采用光学邻近效应修正（Optical Proximity Correction，OPC），使得掩膜图形在晶圆上形成的目标图形与设计的版图图形高度拟合。

请参阅图1所示，本发明提供了一种版图图形的修正方法，以基于模型的光学邻近效应修正为例，所述版图图形的修正方法使用光学模型和光刻胶化学反应模型来模拟曝光后的掩膜图形，以及模拟通过蚀刻在晶圆上形成的目标图形，即仿真修正图形。通过比较仿真修正图形和目标图形之间的误差，不断地调整掩膜图形的边缘，从而使仿真修正图形和目标图形之间的误差达到预设阈值。具体的，本发明所述版图图形的修正方法包括步骤S10。在步骤S10中，设置主图形和辅助图形。

请参阅图2所示，在本发明一实施例中，提供一掩膜版1，并在掩膜版1上设置第一主图形100。第一主图形100为自行设置的光学临近效应修正模型的验证图形。其中，第一主图形100为多边形。在本实施例中，第一主图形100可以呈矩形设置，具体的，第一主图形100为正方形。在本发明的其他实施例中，第一主图形100也可以是三角形、梯形等等。其中，第一主图形100为半稀疏图形，多个第一主图形100为规则分布，例如是线性阵列分布。其中，相邻的第一主图形100之间具有主图形间距D，且主图形间距D的范围例如为120nm～220nm。本发明不限定第一主图形100的数量，在本实施例中，第一主图形100例如为4个。其中，第一主图形100也可以是实际设计的版图图形，本发明对此不作限制。

请参阅图2所示，在本发明一实施例中，根据第一主图形100，在掩膜版1上设置第一辅助图形200。其中，第一辅助图形200与第一主图形100相邻设置，且第一辅助图形200和第一主图形100相邻的图形边平行。其中，第一辅助图形200和第一主图形100之间设置有第一图形间距离L1，且第一图形间距离L1为例如40nm～300nm。第一主图形100的两侧设置有多个第一辅助图形200，且第一主图形100两侧的第一辅助图形200关于第一主图形100的中线对称。其中，第一图形间距离L1为与第一主图形100相邻的第一辅助图形200和第一主图形100之间的距离。其中，第一辅助图形200呈矩形条设置。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，通过设置不同的第一图形间距离L1，可以在掩膜版1上形成不同的组合图形300。具体的，本发明所述版图图形的修正方法包括步骤S20。在步骤S20中，调整相邻的主图形间的主图形间距，调整主图形和辅助图形的间距，形成多种组合图形。具体的，步骤S20包括步骤S201至步骤S207。

S201、将相邻的第一主图形间的主图形间距D的数值设置为下限值D10，即D=D10。

S202、将第一主图形和第一辅助图形的第一图形间距离L1的数值设置为下限值L10，即L1=L10。

S203、记录第一主图形和第一辅助图形为组合图形。

S204、设置第一增加幅度a，并设置第一主图形和第一辅助图形的间距为L1=L10+na，其中n为循环进行的次数。

S205、判断第一图形间距离L1是否大于上限值L20，若第一图形间距离L1大于上限值L20，则执行步骤S206，若第一图形间距离L1小于等于上限值L20，则返回步骤S203。

S206、判断主图形间距D是否大于上限值D20，若主图形间距D大于上限值D20，则结束循环，若主图形间距小于等于上限值D20，则执行步骤S207。

S207、设置第二增加幅度b，并设置相邻的第一主图形的间距D=D10+ib，其中i为循环进行的次数，并继续执行步骤S203至步骤S206。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，相邻的第一主图形间的主图形间距D包括下限值D10和上限值D20。其中，下限值D10为例如120nm，上限值D20为例如220nm。第一主图形100和第一辅助图形200的第一图形间距离L1具有下限值L10和上限值L20。其中，下限值L10为例如40nm，上限值L20为例如300nm。在步骤S201中，将主图形间距D设置为下限值D10，例如120nm。并在步骤S202中，将第一图形间距离L1设置为L10，例如40nm。在步骤S203中，将此时的第一主图形100和第一辅助图形200记录为组合图形300。调整主图形间距D和第一图形间距离L1，形成多种组合图形300，并可将组合图形300进行编号，得到第一组合图形、第二组合图形至第k组合图形，以便于提升。其中，k为组合图形300的种类数量。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，在步骤S204中，设置第一增加幅度a，并设置L1=L10+na，其中n为循环进行的次数。在本实施例中，循环进行的次数和执行步骤S303的次数一致。例如，若为第一次执行步骤S303，则n=1。若为第五次执行步骤S303，则n=5。在本实施例中，第一增加幅度a为例如10nm，即每次执行步骤S303，都在上一次的第一图形间距离基础上增加10nm。例如当第三次执行步骤S303时，此时第一图形间距离L1为70nm。将此时的主图形间距为120nm的第一主图形100，以及第一图形间距离为70nm的辅助图形，记录为一种组合图形300，以此类推。不断增加第一图形间距离L1，直到在步骤S205中，第一图形间距离L1大于例如300nm，执行步骤S206。

请参阅图1至图3所示，在本发明一实施例中，在步骤S206中，判断主图形间距D是否大于上限值D20。若主图形间距D小于等于上限值D20，例如D≤220nm，则执行步骤S207。在步骤S207中，设置第二增加幅度b，并设置相邻的第一主图形100的主图形间距D=D10+ib，其中i为循环进行的次数，第二增加幅度b为例如20nm。i也可以是执行步骤S206的次数。例如，第三次执行步骤S206时，则认为循环进行了三次，此时i=3，且此时的主图形间距D为例如180nm。不断增加主图形间距D，直到主图形间距D大于上限值D20，例如D＞220nm。

请参阅图1和图2，以及图4和图5所示，在本发明一实施例中，在获得组合图形300后，处理组合图形300。本发明所述版图图形的修正方法包括步骤S30，修正组合图形300，并获取组合图形300的仿真工艺窗口信息。具体的，步骤S30包括步骤S301至步骤S304。

S301、输入组合图形300并设置模拟光照条件。

S302、通过光学邻近效应的修正模型，获取组合图形300经光照后得到的仿真图形。

S303、比较仿真图形和目标图形，并通过光学邻近效应的修正模型，调整模拟光照条件和组合图形300的边缘，以及组合图形300在掩膜版上的位置。

S304、获取并记录组合图形300的仿真工艺窗口信息。

请参阅图1和图2，以及图4和图5所示，在本发明一实施例中，本发明所述版图图形的修正方法基于光学邻近效应的修正模型。其中，光学邻近效应的修正模型包括光学模型和光刻胶化学反应模型。在步骤S301中，向光学邻近效应的修正模型中输入组合图形300的图形信息，并设置模拟光照条件。其中，模拟光照条件包括光刻机的参数信息、掩膜的波长和能量等信息，以及光刻胶的信息。在步骤S302中，通过光学邻近效应的修正模型处理组合图形300，模拟出组合图形300在光刻机中经光照处理后的仿真图形。在步骤S303中，通过对比仿真图形和目标图形，光学邻近效应的修正模型主动调整光刻机的内核参数、组合图形300的边缘位置，以及组合图形300在掩膜版1上的位置，使仿真图形相较于目标图形的误差位于阈值范围内，从而使仿真图形能和目标图形高度拟合，消除因光的衍射所造成的成像误差。其中，阈值范围可以是为了校正组合图形300而预先设置的参数，也可以是实际设计时所应用的参数。

请参阅图1和图2，以及图4和图5所示，在本发明一实施例中，在步骤S303中，调整组合图形300，具体可以是调整第一主图形100和第一辅助图形200的边缘位置，以及第一主图形100和第一辅助图形200在掩膜版1上的位置。例如包括第一主图形100和第一辅助图形200在经过曝光前需要设置的每个边长的权重，在仿真图形失真或圆角处，通过补偿或擦除第一主图形100和第一辅助图形200的边缘，以及移动第一主图形100和第一辅助图形200的边缘等方式来改变仿真图形。其中，在步骤20中，记录在步骤S20中获得的全部组合图形300时，可根据获得组合图形300的顺序，将组合图形300编号。以便于在步骤S30中，光学邻近效应的修正模型根据组合图形300的编号依次处理组合图形300。其中，组合图形300在经过光学邻近效应的修正模型修正后，形成仿真修正图形400。

请参阅图5所示，在本发明一实施例中，仿真修正图形400包括第二主图形101和第二辅助图形201。其中第二主图形101和第二辅助图形201之间具有第二图形间距离L2。相邻的第二主图形101之间具有修正距离d。在本实施例中，第二图形间距离小于第一图形间距离，修正距离大于主图形间距。即，L2＜L1，d＞D。本发明不限定第二图形间距离和第一图形间距离的关系，以及修正距离和主图形间距之间的关系。在其他实施例中，第二图形间距离也可以大于第一图形间距离，修正距离也可以小于主图形间距。本实施例适用于符合芯片的90nm制程以及90nm以下的光学邻近效应的修正模型。在步骤304中，获取并记录组合图形300通过光学邻近效应的修正模型仿真后的仿真工艺窗口信息。工艺窗口包括曝光过程的成像精确度、曝光度和焦点深度。在本实施例中，成像精确度和曝光度通过光学邻近效应的修正模型修正后，可以保证成像精确度和曝光度符合成像需求。在本实施例中，仿真工艺窗口信息为曝光过程中的焦点深度。

请参阅图1和图6所示，在本发明一实施例中，对记录的每一组组合图形300都做如步骤S30中的处理后，组合图形300都可获得对应的仿真工艺窗口信息。因此，本发明所述版图图形的修正方法包括步骤S40，设置主图形间距，并根据组合图形和仿真工艺窗口信息的映射关系，获得最优组合图形，并根据多个最优组合图形的重叠度，获取最优图形间距离。具体的，步骤S40包括步骤S401至步骤S404。

S401、获取组合图形以及组合图形经光学邻近效应的修正模型仿真后获得的仿真工艺窗口信息。

S402、根据组合图形和仿真窗口信息，建立映射关系图。

S403、设置仿真工艺窗口信息的波动幅度，根据映射关系图，选取符合波动幅度的最优组合图形。

S404、根据最优组合图形，获取第一主图形和第一辅助图形的最优图形间距离。

请参阅图2和图6所示，在本发明一实施例中，在步骤S30中，获得组合图形300经光学邻近效应的修正模型仿真后的仿真工艺窗口信息。在步骤S20中获得的组合图形300可以根据获得顺序进行编号。其中，获取的组合图形300先遍历第一图形间距离，再遍历主图形间距，因此在编号顺序上，同一主图形间距的组合图形300都是连续的，有利于在步骤S401中，提取同一主图形间距的组合图形300。具体的，在步骤S401中，根据不同的主图形间距，获取组合图形300以及组合图形300的仿真工艺窗口信息。并在步骤S402中，根据组合图形300和仿真工艺窗口信息的映射关系，建立映射关系图。具体的，将同一主图形间距的组合图形300设置在同一映射关系图中。在映射关系图中，以组合图形300的第一图形间距离为横坐标，以仿真工艺窗口信息的数值为纵坐标，形成连续的折线图。其中，折线图取点的连续性取决于第一增加幅度的数值。在本实施例中，第一增加幅度例如为10nm。在每个关系映射图中，坐标系中的节点包括例如27个节点。在90nm乃至以下的芯片制程中，已经能起到足够的代表作用。在本发明的其他实施例中，也可以增加第一增加幅度的数值，以提升计算设备的响应速度，从而快速得到修正结果。或是减小第一增加幅度的数值，以增加折线图的节点数量，从而提升映射关系图的准确度。

请参阅图2、图6至图10所示，在本发明一实施例中，在步骤S403中，设置仿真工艺窗口信息的波动阈值。图7为主图形间距为120nm的组合图形300的映射关系图。其中，焦点深度的波动幅度为例如91nm~124nm，根据此波动幅度获得第一图形间距离的范围为例如66nm~154.8nm。图8为主图形间距为140nm的组合图形300的映射关系图。其中，焦点深度的波动幅度为例如68nm~92nm，而根据此波动幅度获得第一图形间距离的范围为54.9nm~190.4nm。图9为主图形间距为170nm的组合图形300的映射关系图。其中，焦点深度的波动幅度为例如55nm~75nm，根据此波动幅度获得第一图形间距离的范围为例如54.9nm~239.1nm。图10为主图形间距为190nm的组合图形300的映射关系图。其中，焦点深度的波动幅度为例如69nm~94nm，根据此波动幅度获得第一图形间距离的范围为例如61nm~149nm。以此类推，获得不同主图形间距下第一图形间距离的取值范围。

请参阅图2、图6至图10所示，在本发明一实施例中，在步骤S403中，在获取第一图形间距离的取值范围时，根据映射关系图，选取第一图形间距离数值稳定的数据区间。具体的，设置波动阈值为例如10%~15%，在映射关系图中，计算相邻的第一图形间距离之间的差值，选取差值的波动幅度在例如15%内的第一图形间距离，从而得到第一图形间距离的连续取值范围。其中，对于具有多个取值范围，且取值范围不连续的映射关系图，选取最大的取值范围。如图7所示，在第一图形间距离为250.8nm至300nm时，也符合10%~15%波动幅度，但第一图形间距离的取值范围小于66nm~154.8nm的取值范围，因此在本实施例中，选取66nm~154.8nm的第一图形间距离位置范围。

请参阅图2、图6至图10所示，在本发明一实施例中，在步骤S404中，综合多个第一图形间距离的取值范围，并选取多个第一图形间距离的取值范围的最小重叠范围，将最小重叠范围作为最优图形间距离。在本实施例中，最优图形间距离例如63nm~140nm。最优图形间距离对多种组合图形300都适用，因此在设置第一辅助图形200时，直接设置第一图形间距离为最优图形间距离，例如63nm~140nm，可以保证组合图形300在曝光后能得到精度更高的焦点深度。其中，为提升最优图形间距离的精确性，在获得最优图形间距离后，设置不同的主图形，来验证和校准最优图形间距离的精确性。具体的，本发明所述版图图形的修正方法包括步骤S50，根据最优图形间距离，为多种主图形匹配最优辅助图形。

请参阅图1、图11和至图16所示，在本发明一实施例中，在步骤S50中，预设主图形为对称图形。预设主图形可以是如图11所示的竖直线性阵列图形，可以是如图12所示的交叉型对称图形，也可以是如图13所示的水平线性阵列图形。其中，在图11中，预设主图形的主图形间距为106.91nm，如图14所示，其中折线1为仿真获得映射关系图，折线2为真实曝光获得的工艺窗口信息和第一图形间距离的对应图线。根据折线2可以看出，在真实曝光的情况下，在例如69.9nm~97.5nm时，预设主图形的工艺窗口信息可以维持在10%内。其中，在图12中，预设主图形的主图形间距为107.47nm，如图15所示，其中折线3为仿真获得映射关系图，折线4为真实曝光获得的工艺窗口信息和第一图形间距离的对应图线。根据折线4可以看出，在真实曝光的情况下，在例如73.6nm~100nm时，预设主图形的工艺窗口信息可以维持在15%内。其中，在图13中，预设主图形的主图形间距为126.83nm，如图15所示，其中折线5为仿真获得映射关系图，折线6为真实曝光获得的工艺窗口信息和第一图形间距离的对应图线。根据折线5可以看出，在真实曝光的情况下，在第一图形间距离为例如74.9nm~107.4nm时，预设主图形的工艺窗口信息可以维持在15%内。因此根据本发明提供的版图图形的修正方法，可以通过调整辅助图形和主图形之间的间距，使真实曝光过程中的工艺窗口信息维持在波动阈值范围内。其中，图11、图12和图13中的预设主图形在未经修正时为矩形图形。

请参阅图1和图17所示，本发明提供了一种版图图形的修正系统500，修正系统500包括图形输入模块501、距离调节模块502、光学修正模块503、图形分析模块504和图形输出模块505。其中，图形输入模块501用于设置主图形和辅助图形。距离调节模块502用于调整主图形和辅助图形的图形间距离，形成组合图形。光学修正模块503用于修正组合图形，并获取组合图形的仿真工艺窗口信息。图形分析模块504用于根据组合图形和仿真工艺窗口信息的映射关系，获取最优组合图形，并根据最优组合图形，获取最优图形间距离。图形输出模块505用于获取预设主图形和预设辅助图形，设置预设主图形和预设辅助图形的距离为最优图形间距离，获得并输出修正组合图形。

请参阅图18所示，本发明还提出一种电子设备，电子设备包括处理器600和存储器700，存储器700存储有程序指令，处理器600运行程序指令实现上述的版图图形的修正方法。处理器600可以是通用处理器，包括中央处理器（Central Processing Unit，简称CPU）、网络处理器（Network Processor，简称NP）等；还可以是数字信号处理器（Digital SignalProcessing，简称DSP）、专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件；存储器700可能包含随机存取存储器（Random Access Memory，简称RAM），也可能还包括非易失性存储器（Non-Volatile Memory），例如至少一个磁盘存储器。存储器700也可以为随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）类型的内部存储器，处理器600、存储器700可以集成为一个或多个独立的电路或硬件，如：专用集成电路（Application SpecificIntegratedCircuit，ASIC）。需要说明的是，上述的存储器700中的计算机程序可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，电子设备，或者网络设备等）执行本发明各个实施例方法的全部或部分步骤。

请参阅图19所示，本发明还提出一种计算机可读存储介质801，计算机可读存储介质801存储有计算机指令800，计算机指令800用于使计算机执行上述的版图图形的修正方法。计算机可读存储介质801可以是电子介质、磁介质、光介质、电磁介质、红外介质或半导体系统或传播介质。计算机可读存储介质801还可以包括半导体或固态存储器、磁带、可移动计算机磁盘、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、硬磁盘和光盘。光盘可以包括光盘-只读存储器（CD-ROM）、光盘-读/写（CD-RW）和DVD。

本发明提供了一种版图图形的修正方法和系统，设置第一主图形和第一辅助图形，并调节第一主图形和第一辅助图形的图形间距离，以及相邻的第一主图形间的主图形间距，形成不同的组合图形。修正不同的组合图形，获得不同组合图形经仿真和修正后的仿真工艺窗口信息。在同一主图形间距下，建立组合图形和仿真工艺窗口信息的映射关系，形成映射关系图。并根据仿真工艺窗口信息是否符合波动阈值，获取不同主图形间距下的最佳组合图形，并根据不同最佳组合图形的图形间距离的最小重叠范围获取最优图形间距离。根据最优图形间距离设置预设主图形和预设辅助图形，获得并输出修正组合图形。根据修正组合图形，能够平衡光学邻近效应修正对各种主图形和辅助图形间距的影响，提升了对图像的修正精度。

以上公开的本发明实施例只是用于帮助阐述本发明。实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可做很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (7)

1.一种版图图形的修正方法，其特征在于，其至少包括：

设置主图形和辅助图形；

调整相邻的主图形间的主图形间距，以及所述主图形和所述辅助图形的图形间距离，获得多种组合图形；

修正多种所述组合图形，并获取多种所述组合图形的仿真工艺窗口信息；

设置所述主图形间距，并根据所述组合图形和所述仿真工艺窗口信息的映射关系，获得最优组合图形，并根据多个所述最优组合图形的重叠度，获取最优图形间距离；以及

根据所述最优图形间距离，为多种所述主图形匹配最优辅助图形；

其中，获取所述最优组合图形的步骤包括：

当所述主图形间距相同时，获取所述图形间距离和所述仿真工艺窗口信息的映射关系图；

预设波动幅度阈值，并在所述映射关系图中，获取波动幅度小于所述波动幅度阈值的所述仿真工艺窗口信息；以及

将所述仿真工艺窗口信息对应的所述组合图形作为所述最优组合图形，

其中，获取所述最优图形间距离的步骤包括：

获取多个最优组合图形的最小重叠图形间距离，并将所述最小重叠图形间距离作为最优图形间距离。

2.根据权利要求1所述的版图图形的修正方法，其特征在于，调整所述图形间距离的步骤包括：

预设第一增加幅度和第二增加幅度；以及

根据所述第一增加幅度调节所述图形间距离，根据所述第二增加幅度调节所述主图形间距，且所述第二增加幅度大于所述第一增加幅度。

3.根据权利要求1所述的版图图形的修正方法，其特征在于，调整所述图形间距离的步骤包括：

设置所述主图形间距；以及

递增所述图形间距离，至所述图形间距离达到上限值。

4.根据权利要求1所述的版图图形的修正方法，其特征在于，获取所述最优组合图形的步骤包括：根据光学邻近效应的修正模型获取所述组合图形的仿真工艺窗口信息。

5.根据权利要求1所述的版图图形的修正方法，其特征在于，所述主图形为多边形，且所述主图形为对称图形。

6.根据权利要求1所述的版图图形的修正方法，其特征在于，所述映射关系为修正后的所述图形间距离与所述仿真工艺窗口信息之间的对应关系。

7.一种版图图形的修正系统，其特征在于，包括：

图形输入模块，用于设置主图形和辅助图形；

距离调节模块，用于调整相邻的主图形间的主图形间距，以及所述主图形和所述辅助图形的图形间距离，获得多种组合图形；

光学修正模块，用于修正所述组合图形，并获取所述组合图形的仿真工艺窗口信息；

图形分析模块，用于设置所述主图形间距，并根据所述组合图形和所述仿真工艺窗口信息的映射关系，获得最优组合图形，并根据多个所述最优组合图形的重叠度，获取最优图形间距离；以及

图形输出模块，用于根据所述最优图形间距离，为多种所述主图形匹配最优辅助图形；

其中，获取所述最优组合图形的步骤包括：

当所述主图形间距相同时，获取所述图形间距离和所述仿真工艺窗口信息的映射关系图；

预设波动幅度阈值，并在所述映射关系图中，获取波动幅度小于所述波动幅度阈值的所述仿真工艺窗口信息；以及

将所述仿真工艺窗口信息对应的所述组合图形作为所述最优组合图形，

其中，获取所述最优图形间距离的步骤包括：

获取多个最优组合图形的最小重叠图形间距离，并将所述最小重叠图形间距离作为最优图形间距离。

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